15000A厚度的第二介质材料。
[0054]作为本发明的一种优选方案，所述制备工艺还包括步骤S210，多次沉积介质层和金属层，进行图形化；沉积的金属层作为自检测金属层或者SET/RESET作用。
[0055]作为本发明的一种优选方案，步骤S204中，在通孔内利用化学气相沉积法沉积金属钨，化学机械抛光平坦化，去除基底表面的金属钨，只保留孔内的金属钨。
[0056]作为本发明的一种优选方案，步骤S204中，还包括在金属钨上方沉积金属，图形化，沉积的金属材料能阻挡后续开通孔时候的过刻蚀。
[0057]作为本发明的一种优选方案，步骤S205中，所述第一金属层为含Al材料或者含Ti材料；
[0058]步骤S206中，第三介质材料为多层或单层，第三介质材料包括S1x或/和SiN或/ 和 S1x/SiN 材料；
[0059]步骤S207中，磁材料上还设有一层或多层保护材料层。
[0060]作为本发明的一种优选方案，所述制备工艺还包括继续制造介质层和金属层。
[0061]作为本发明的一种优选方案，所述制备工艺具体包括如下步骤:
[0062]步骤S301、外围电路的基底上设有第一金属层；
[0063]步骤S302、在第一金属层上沉积绝缘自停止层，而后沉积第一介质材料，形成通孔，沉积金属材料，图形化，光刻，形成金属图形，作为第二金属层；
[0064]步骤S303、沉积第二介质材料和第三介质材料，采用化学机械抛光平坦化，停在第二介质材料层上方；
[0065]步骤S304、在绝缘自停止层上方、第二金属层的一侧形成沟槽，刻蚀时自停止在绝缘自停止层上方；
[0066]步骤S305、沉积磁材料，图形化；或先沉积第四介质层，随后沉积磁材料层；生成磁传感器的图形，形成感应单元的磁材料层，并通过沟槽的应用形成导磁单元；所述导磁单元的主体部分设置于沟槽内，用以感应第三方向的磁信号，并将该磁信号输出到感应单元进行测量；感应单元靠近沟槽设置，与导磁单元之间连接或断开，或者部分连接、部分断开，用以测量第一方向或/和第二方向的磁场，结合导磁单兀输出的磁信号，能测量被导磁单兀引导到第一方向或/和第二方向的第三方向磁场；第一方向、第二方向、第三方向两两相互垂直；
[0067]步骤S306、沉积第五介质材料，形成第五介质材料层；
[0068]步骤S307、打开窗口，同时将磁材料层上的电极和第二金属层还有其他电极引出。
[0069]作为本发明的一种优选方案，步骤S304中，所述第一金属层为含铝材料或者含钛材料；
[0070]步骤S305中，第二介质材料为多层或单层，第二介质材料包括SiN或/和S1x/或/和S1x/SiN材料；
[0071 ] 步骤S306中，磁材料上还设有一层或多层保护材料层。
[0072]作为本发明的一种优选方案，所述制备工艺具体包括如下步骤:
[0073]步骤S401、外围电路的基底上设有第一金属层；
[0074]步骤S402、在第一金属层上沉积绝缘自停止层，而后沉积第一介质材料，形成通孔，沉积金属材料，图形化，光刻，形成金属图形，作为第二金属层；
[0075]步骤S403、沉积第二介质材料，采用化学机械抛光平坦化，停在第二金属层上；
[0076]步骤S404、在绝缘自停止层或第一金属层上方、第二金属层的一侧形成沟槽，刻蚀时自停止在绝缘自停止层或第一金属层上方；
[0077]步骤S405、沉积第三介质材料；
[0078]步骤S406、沉积磁材料，图形化；生成磁传感器的图形，形成感应单元的磁材料层，并通过沟槽的应用形成导磁单元；所述导磁单元的主体部分设置于沟槽内，用以感应第三方向的磁信号，并将该磁信号输出到感应单元进行测量；感应单元靠近沟槽设置，与导磁单元之间连接或断开，或者部分连接、部分断开，用以测量第一方向或/和第二方向的磁场，结合导磁单元输出的磁信号，能测量被导磁单元引导到第一方向或/和第二方向的第三方向磁场；第一方向、第二方向、第三方向两两相互垂直；
[0079]步骤S407、沉积绝缘材料,形成绝缘材料层；
[0080]步骤S408、打开窗口，将磁材料层上的电极引出，将其他电极引出。
[0081]一种磁传感装置，所述磁传感装置包括:
[0082]基底，含有COMS电路及至少两层顶层金属层，至少包括第一金属层、第二金属层，第二金属层位于第一金属层上方；
[0083]介质材料层，设置于第一金属层上方、第一金属层与第二金属层之间、第二金属层上方；介质材料层设有沟槽，沟槽位于第一金属层上，或者，沟槽位于第一金属层上方的自停止层上；
[0084]导磁单元，其主体部分设置于所述沟槽内，并有部分露出沟槽至基底表面，用以感应第三方向的磁信号，并将该磁信号输出到感应单元进行测量；
[0085]感应单兀，用以测量第一方向或/和第二方向的磁场，结合导磁单兀输出的磁信号，能测量被导磁单元引导到第一方向或/和第二方向测量的第三方向磁场；第一方向、第二方向、第三方向两两相互垂直；所述感应单元包括磁材料层、电极层，所述导磁单元、磁材料层连接或断开，或者部分连接部分断开。
[0086]本发明的有益效果在于:本发明提出的磁传感装置及其制备工艺，可将ASIC芯片与磁传感器进行有机结合，将三轴传感器中Z轴必须的沟槽设置在ASIC芯片内部，降低了ASIC与传感器芯片设置的介质层的厚度，采用本发明后，用常规CMOS工艺就能够将ASIC的信号引出到AMR和顶层金属，解决了集成工艺的难题，否则必须要通过两三次的开窗和引线工艺将ASIC信号引出，成本巨大；并且，通过多种自停止层的解决方案，在制造沟槽的过程中能够有较大窗口，获得平坦的沟槽，避免了 microtrench的形成；本发明制造完成的AMR芯片可以直接采用圆晶级封装(WLCSP)进行封测；本发明不仅可提高制备效率、降低制造成本，并且提升了 Z轴传感器的性能，提高了产品良率。
【附图说明】
[0087]图1为现有磁传感装置的磁性材料及导线的结构示意图。
[0088]图2为有无外场情况下磁场方向和电流方向的夹角示意图。
[0089]图3为惠斯通电桥的连接图。
[0090]图4为实施例一中步骤SlOl后的示意图。
[0091]图5为实施例一中步骤S102后的示意图。
[0092]图6为实施例一中步骤S103后的示意图。
[0093]图7为实施例一中步骤S104后的示意图。
[0094]图8为实施例一中步骤S105后的示意图。
[0095]图9为实施例一中步骤S106后的示意图。
[0096]图10为实施例一中步骤S107后的示意图。
[0097]图11为实施例一中步骤S108后的示意图。
[0098]图12为实施例一中步骤S109后的示意图。
[0099]图13为实施例一中步骤SllO后的示意图。
[0100]图14为实施例二中步骤S204后的示意图。
[0101]图15为实施例二另一种实施方式中步骤S204后的示意图。
[0102]图16为实施例三中步骤S301后的示意图。
[0103]图17为实施例三中步骤S302沉积第一介质材料后的示意图。
[0104]图18为实施例三中步骤S302形成第二金属材料后的示意图。
[0105]图19为实施例三中步骤S303后的示意图。
[0106]图20为实施例三中步骤S304后的示意图。
[0107]图21为实施例三中步骤S305后的示意图。
[0108]图22为实施例三中步骤S306后的示意图。
[0109]图23为实施例三中步骤S307后的示意图。
[0110]图24为实施例三中步骤S308后的示意图。
[0111]图25为实施例四中步骤S403后的示意图。
[0112]图26为实施例四中步骤S404后的示意图。
[0113]图27为实施例四中步骤S405后的示意图。
[0114]图28为实施例四中步骤S406后形成的器件示意图。
[0115]图29为实施例四中步骤S406后形成的另一种器件的示意图。
[0116]图30为实施例四中步骤S407后的示意图。
[0117]图31为实施例四中步骤S408后的示意图。
[0118]图32为实施例四中步骤S409中沉积第四介质材料的示意图。
[0119]图33为实施例四中步骤S409中制备金属层的示意图。
[0120]图34为实施例四中步骤S409中沉积第五介质材料及其后制备金属层的示意图。
[0121]图35为实施例五中采用化学机械抛光平坦化后的示意图。
[0122]图36为实施例六中步骤S602后的示意图。
[0123]图37为实施例六中步骤S603后的示意图。
[0124]图38为实施例六中步骤S604后的示意图。
[0125]图39为实施例六中步骤S605后的示意图。
[0126]图40为实施例六中步骤S606后的示意图。
[0127]图41为实施例六中步骤S608打开窗口后的示意图。
[0128]图42为实施例六中步骤S608引出电极后的示意图。
【具体实施方式】
[0129]下面结合附图详细说明本发明的优选实施例。
[0130]实施例一
[0131]本发明揭示了一种磁传感装置的制备工艺，所述制备工艺包括:
[0132]步骤一、在含有COMS的基底上制备至少两层顶层金属层，至少包括第一金属层、第二金属层，这两层金属属于CMOS外围电路的一部分；第二金属层位于第一金属层上方，并引出第一金属层。当然，基底上可以制备更多层的金属层，如3层、4层、5层、6层等等。