[0133]步骤二、在基底上形成沟槽。沟槽可以位于第一金属层上方，不接触第一金属层；或者，刻蚀沟槽自停止至第一金属层上方(可以形成底部平坦的沟槽，当然沟槽的底部也可以不平坦)；或者，在第一金属层上方设有其他自停止层，刻蚀至第一金属层上的自停止层形成沟槽(可以形成底部平坦的沟槽，当然沟槽的底部也可以不平坦)。因为自停止层的存在，便于得到的沟槽底部平坦，对于后续的工艺和获得的磁传感器的性能和良率有重要的作用。
[0134]步骤三、沉积磁材料，或者在沉积介质材料后沉积磁材料，磁材料的一部分位于基底上表面，另一部分位于沟槽内；磁材料是AMR材料，或是GMR材料，或是TMR材料；所述磁材料层可以包含一层或者多层保护层材料，例如TaN、TiN等。
[0135]步骤四、图形化，生成磁传感器的图形，形成感应单元的磁材料层，并通过沟槽的应用形成导磁单元。其中，所述导磁单元的主体部分设置于沟槽内，用以感应第三方向的磁信号，并将该磁信号输出到感应单元进行测量。所述感应单元靠近沟槽设置，与导磁单元之间连接或断开，或者部分连接、部分断开，用以测量第一方向或/和第二方向的磁场，结合导磁单元输出的磁信号，能测量被导磁单元引导到第一方向或/和第二方向的第三方向磁场；第一方向、第二方向、第三方向两两相互垂直。
[0136]步骤五、沉积绝缘材料，打开窗口，将磁材料层的电极引出，将其他电极引出。
[0137]本实施例中，请参阅图4至图13，本发明磁传感装置的制备工艺具体包括如下步骤:
[0138]【步骤S101】请参阅图4，在含有外围电路(CMOS)的基底101上制备第一金属层102 (也可以为MIM电容的上/下基板)，第一金属层102是属于CMOS的一部分；或者，夕卜围电路的基底上已经设有第一金属层102 ；
[0139]【步骤S102】请参阅图5,沉积第一介质材料103,形成通孔,沉积金属材料，图形化形成金属图形，作为第二金属层104 ；
[0140]【步骤103】请参阅图6，沉积第二介质材料105，采用化学机械抛光平坦化；
[0141]【步骤S104】请参阅图7，打开通孔，沉积金属通孔106和金属PAD107，进行光刻，引出第二金属层104 ;金属通孔106和金属PAD107可以是同一材料，通过一步工艺完成；也可以是不同的材料，通过不同的工艺完成；例如可以都是含铝材料，通过含铝材料的薄膜沉积和光刻一步完成；或者金属通孔106的材料是W，通过气相沉积方法得到，采用化学机械抛光磨平，随后沉积含含铝材料，随后采用光刻进行平坦化得到金属PAD107。
[0142]【步骤S105】请参阅图8，在第一金属层102上方、第二金属层104的一侧形成沟槽108,刻蚀时自停止在第一金属层102上方。所述第一金属层可以为Al或者TiN材料。
[0143]【步骤S106】请参阅图9，沉积第三介质材料109。第三介质材料109为多层或单层，第三介质材料109包括SiN或/和S1x/SiN材料。
[0144]【步骤S107】请参阅图10，沉积磁材料，图形化；生成磁传感器的图形，形成感应单元的磁材料层110，并通过沟槽的应用形成导磁单元111。此外，磁材料上还可以设有一层或多层保护材料层。
[0145]所述导磁单元111的主体部分设置于沟槽108内，用以感应第三方向的磁信号，并将该磁信号输出到感应单元110进行测量；感应单元110靠近沟槽108设置，与导磁单元111之间连接或断开，或者部分连接、部分断开，用以测量第一方向或/和第二方向的磁场，结合导磁单兀111输出的磁信号，能测量被导磁单兀111引导到第一方向或/和第二方向的第三方向磁场；第一方向、第二方向、第三方向两两相互垂直。
[0146]【步骤S108】请参阅图11,沉积绝缘材料,形成绝缘材料层112；
[0147]【步骤S109】请参阅图12，打开窗口，通过金属引线113将磁材料(比如AMR\TaN)层110上的电极引出，通过金属引线114将其他电极引出。
[0148]【步骤S110】请参阅图13，沉积介质材料115，沉积金属116，图形化，沉积的金属116可以作为实现自检测的金属层。
[0149]【步骤SI11】根据需要继续制造介质层和金属层。
[0150]【步骤S112】圆晶级封装。
[0151]本发明还揭示一种磁传感装置，所述磁传感装置包括:基底、介质材料层、导磁单元、感应单元。
[0152]基底含有COMS电路，至少两层顶层金属层，至少包括第一金属层、第二金属层，第二金属层位于第一金属层上方。
[0153]介质材料层设置于第一金属层上方、第一金属层与第二金属层之间、第二金属层上方；介质材料层设有沟槽，沟槽位于第一金属层上，或者，沟槽位于第一金属层上方的自停止层上。
[0154]导磁单元的主体部分设置于所述沟槽内，并有部分露出沟槽至基底表面，用以感应第三方向的磁信号，并将该磁信号输出到感应单元进行测量；
[0155]感应单兀用以测量第一方向或/和第二方向的磁场，结合导磁单兀输出的磁信号，能测量被导磁单元引导到第一方向或/和第二方向测量的第三方向磁场；第一方向、第二方向、第三方向两两相互垂直；所述感应单元包括磁材料层、电极层，所述导磁单元、磁材料层连接或断开，或者部分连接部分断开。
[0156]实施例二
[0157]本实施例与实施例一的区别在于，本实施例中，请参阅图14，在步骤S104中，在通孔内利用化学气相沉积法沉积金属钨206，化学机械抛光平坦化，去除基底表面的金属钨，只保留孔内的金属钨206。
[0158]步骤S104还可以包括在金属钨上方沉积金属(可以为除钨以外的其他金属)，图形化；沉积的金属材料能阻挡后续开通孔时候的过刻蚀。
[0159]由于介质材料层的厚度超过I微米，I微米以下的Al填充会导致中空和EM等问题；通过本实施例的方案可以避免出现上述问题。
[0160]具体地，本实施例中，本发明磁传感装置的制备工艺具体包括如下步骤:
[0161]【步骤S201】请参阅图4，含有CMOS的基底101上设有第一金属层102(也可以为MIM电容上/下基板);或者，在含有CMOS的基底101上制备第一金属层102 (也可以为MM电容上/下基板);
[0162]【步骤S202】请参阅图5，沉积第一介质材料103，形成通孔，沉积金属材料，图形化形成金属图形，作为第二金属层104 ；
[0163]【步骤203】请参阅图6，沉积第二介质材料105，采用化学机械抛光平坦化；
[0164]【步骤S204】请参阅图14，在通孔内利用化学气相沉积法沉积金属钨206，化学机械抛光平坦化，去除基底表面的金属钨，只保留孔内的金属钨206。
[0165]本步骤还可以包括(当然也可以不包括):如图15所示，在金属钨206上方沉积金属207(可以为除钨以外的其他金属)，图形化；沉积的金属材料能阻挡后续开通孔时候的过刻蚀。
[0166]【步骤S205】请参阅图8,在第一金属层102上方、第二金属层104的一侧形成沟槽108,刻蚀时自停止在第一金属层102上方。所述第一金属层可以为含Al或者含Ti的导电材料。
[0167]【步骤S206】请参阅图9，沉积第三介质材料109。第三介质材料109为多层或单层，第三介质材料109包括SiN或/和S1x/SiN或/和S1x材料。
[0168]【步骤S207】请参阅图10，沉积磁材料，图形化；生成磁传感器的图形，形成感应单元的磁材料层110，并通过沟槽的应用形成导磁单元111。此外，磁材料上还可以设有一层或多层保护材料层。
[0169]所述导磁单元111的主体部分设置于沟槽108内，用以感应第三方向的磁信号，并将该磁信号输出到感应单元110进行测量；感应单元110靠近沟槽108设置，与导磁单元111之间连接或断开，或者部分连接、部分断开，用以测量第一方向或/和第二方向的磁场，结合导磁单兀111输出的磁信号，能测量被导磁单兀111引导到第一方向或/和第二方向的第三方向磁场；第一方向、第二方向、第三方向两两相互垂直。
[0170]【步骤S208】请参阅图11,沉积绝缘材料,形成绝缘材料层112;
[0171]【步骤S209】请参阅图12，打开窗口，通过金属引线113将磁材料(比如AMR)层110上的电极引出，通过金属引线114将其他电极引出。
[0172]【步骤S210】请参阅图13，沉积介质材料115，沉积金属116，图形化，沉积的金属116可以作为实现自检测的金属层。
[0173]【步骤S211】根据需要继续制造介质层和金属层。
[0174]实施例三
[0175]本实施例与实施例一的区别在于，本实施例中，第一金属层上还沉积有绝缘自停止层。请参阅图16至图24，本实施例的制备工艺具体包括如下步骤:
[0176]【步骤S301】请参阅图16，含有CMOS的基底301上具有第一金属层302;或者，在基底301上制备第一金属层302 ；
[0177]【步骤S302】请参阅图17，在第一金属层302上沉积绝缘自停止层303，而后沉积第一介质材料304，形成通孔；而后，如图18所示，沉积金属材料，图形化，光刻，形成金属图形，作为第二金属层305 ；
[0178]【步骤S303】请参阅图19，沉积第二介质材料306，采用化学机械抛光平坦化；第二介质材料为多层或单层，第二介质材料包括SiN或/和S1x/SiN或/和S1x材料。
[0179]【步骤S304】请参阅图20，打开通孔，沉积金属，进行光刻，形成通孔307和金属PAD308，引出第二金属层。
[0180]当然，可以结合实施例二，在通孔内利用化学气相沉积法沉积金属钨，化学机械抛光平坦化，去除基底表面的金属钨，只保留孔内的金属钨。
[0181]本步骤还可以包括在金属钨上方沉积金属，图形化，沉积的金属