始进行横向移动，当测试到出现落差的区域时，测试探针会对应的自动进行下降或上升相应的高度，由控制电脑计算出测试探针上升或下降移动的轨迹，呈现出存在落差的两个界面，进而获得阶梯结构层级之间的落差值，最终得到被测绝缘层的厚度值。
[0064]基于同一发明构思，本发明实施例提供了一种上述显示基板的制备方法，如图4所示，可以包括以下步骤:
[0065]S201、在衬底基板上通过一次构图工艺形成第一金属层和第一测试端子的图形；
[0066]S202、在形成有第一金属层的衬底基板上形成绝缘层的图形；
[0067]S203、通过一次构图工艺在形成有绝缘层的衬底基板上形成第二金属层和第二测试端子的图形。
[0068]具体地，本发明实施例提供的上述显示基板的制备方法中，可以通过一次构图工艺形成第一金属层和第一测试端子的图形，即在显示基板的周边区域通过曝光、显影、刻蚀，同时形成第一金属层和第一测试端子；通过一次构图工艺在形成的第一金属层上通过曝光、显影、刻蚀形成绝缘层；通过一次构图工艺通过曝光、显影、刻蚀，在形成绝缘层的衬底基板上形成第二金属层和第二测试端子的图形，这样可以简化显示基板的制作工艺，降低生产成本。
[0069]在具体实施时，本发明实施例提供的上述显示基板的制备方法中，第一金属层的图形可以与公共电极层的图形通过一次构图工艺形成，第二金属层的图形可以与像素电极层或源漏电极层的图形通过一次构图工艺形成，具体地，本发明实施例提供的上述显示基板的制备方法中，第一金属层可以与公共电极层同层设置，在显示基板的制作工艺中，通过一次构图工艺在显示区域和周边区域通过曝光、显影、刻蚀，分别形成显示区域的公共电极层和测试区域内的第一金属层；通过一次构图工艺测试区域内的绝缘层通过曝光、显影、刻蚀与显示区内的对应绝缘层图形同步完成；通过一次构图工艺测试区域内的第二金属层与显示区域内的源漏电极层或像素电极层通过曝光、显影、刻蚀同步完成，这样对测试区域进行介电常数测试时，相应的可以测试显示区域内对应膜层的介电常数，同时采用同一次构图工艺形成显示区域与测试区域内的对应膜层。可以简化显示基板的制作工艺，降低生产成本。
[0070]本发明实施例提供了一种膜层结构及测试方法、显示基板及测试方法和制备方法，该膜层结构包括:第一金属层、第二金属层、第一测试端子、第二测试端子，以及位于第一金属层和第二金属层之间的绝缘层；其中，第一测试端子与第一金属层相连，第二测试端子与第二金属层相连；第一金属层、绝缘层和第二金属层三层之间在至少一侧形成阶梯结构，这样对上述膜层结构进行测试时，通过测试探针上升或下降的移动轨迹测试阶梯结构的落差，进而获得较精确的绝缘层的厚度，相对于现有技术中通过化学气相沉积成膜后测量估算出待测膜层的厚度，或通过扫描式电子显微镜获得的待测膜层的厚度值，本发明实施例可以通过测试探针上升或下降的移动轨迹测试阶梯结构的落差，进而获得较精确的绝缘层的厚度，再根据第一金层与第二金属层之间的电容和相对面积，可以计算获得较精确的绝缘层的介电常数。
[0071]显然，本领域的技术人员可以对本发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样，倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包含这些改动和变型在内。
【主权项】
1.一种膜层结构，其特征在于，包括:第一金属层、第二金属层、第一测试端子、第二测试端子，以及位于所述第一金属层和所述第二金属层之间的绝缘层；其中， 所述第一测试端子与所述第一金属层相连，所述第二测试端子与所述第二金属层相连； 所述第一金属层、所述绝缘层和所述第二金属层三层之间在至少一侧形成阶梯结构。
2.一种如权利要求1所述的膜层结构的测试方法，其用于测试所述绝缘层的介电常数，其特征在于，包括: 采用第一探针对第一测试端子加载第一电压信号，采用第二探针对第二测试端子加载第二电压信号，确定出第一金属层和第二金属层之间的电容值； 在第一金属层、绝缘层、第二金属层具有阶梯结构的一侧，通过测试探针的移动轨迹获得阶梯结构层级之间的落差值，确定出绝缘层的厚度值； 根据确定出的第一金属层和第二金属层之间的电容值，以及绝缘层的厚度和第一金属层与第二金属层之间的相对面积，确定出绝缘层的介电常数。
3.—种显示基板，分为显示区域和周边区域，其特征在于，所述显示基板的周边区域具有至少一个测试区，在所述测试区内包括:第一金属层、第二金属层、第一测试端子、第二测试端子，以及位于所述第一金属层和所述第二金属层之间的绝缘层；其中， 所述第一测试端子与所述第一金属层相连，所述第二测试端子与所述第二金属层相连； 所述第一金属层、所述绝缘层和所述第二金属层三层之间在至少一侧形成阶梯结构；所述第一金属层和所述第二金属层分别对应于所述显示区域内不同层的两层金属层且分别与对应的金属层同层设置，所述绝缘层与所述不同层的两层金属层之间的绝缘层同层设置。
4.如权利要求3所述的显示基板，其特征在于，所述阶梯结构中位于所述绝缘层下层的第一金属层或第二金属层的台阶面积等于或大于所述绝缘层的台阶面积。
5.如权利要求4所述的显示基板，其特征在于，所述第一测试端子与所述第一金属层同层设置，所述第二测试端子与所述第二金属层同层设置。
6.如权利要求3-5任一项所述的显示基板，其特征在于，所述显示基板的显示区域包括:公共电极层、像素电极层和源漏电极层； 所述第一金属层与所述公共电极层同层设置，所述第二金属层与所述像素电极层或所述源漏电极层同层设置。
7.一种如权利要求3-6任一项所述的显示基板的测试方法，其用于测试所述绝缘层的介电常数，其特征在于，包括: 采用第一探针对第一测试端子加载第一电压信号，采用第二探针对第二测试端子加载第二电压信号，确定出第一金属层和第二金属层之间的电容值； 在第一金属层、绝缘层、第二金属层具有阶梯结构的一侧，通过测试探针的移动轨迹获得阶梯结构层级之间的落差值，确定出绝缘层的厚度值； 根据确定出的第一金属层和第二金属层之间的电容值，以及绝缘层的厚度和第一金属层与第二金属层之间的相对面积，确定出绝缘层的介电常数。
8.如权利要求7所述的测试方法，其特征在于，所述在第一金属层、绝缘层、第二金属层具有阶梯结构的一侧，通过测试探针的移动轨迹获得阶梯结构的落差值，确定出绝缘层的厚度值，具体包括: 在第一金属层、绝缘层、第二金属层具有阶梯结构的一侧，采用测试探针测试阶梯结构层级之间的落差，并记录所述测试探针上升或下降的移动轨迹； 根据记录的所述测试探针上升或下降的移动轨迹，获得阶梯结构层级之间的落差值； 根据获得的阶梯结构层级之间的落差值，确定出绝缘层的厚度值。
9.一种如权利要求3-6任一项所述的显示基板的制备方法，其特征在于，包括: 在衬底基板上通过一次构图工艺形成第一金属层和第一测试端子的图形； 在形成有所述第一金属层的衬底基板上形成绝缘层的图形； 通过一次构图工艺在形成有所述绝缘层的衬底基板上形成第二金属层和第二测试端子的图形。
10.如权利要求9所述的制备方法，其特征在于，所述第一金属层的图形与所述公共电极层的图形通过一次构图工艺形成，所述第二金属层的图形与所述像素电极层或源漏电极层的图形通过一次构图工艺形成。
【专利摘要】本发明公开了一种膜层结构及测试方法、显示基板及测试方法和制备方法，该膜层结构包括：第一金属层、第二金属层、第一测试端子、第二测试端子，以及位于第一金属层和第二金属层之间的绝缘层；其中，第一测试端子与第一金属层相连，第二测试端子与第二金属层相连；第一金属层、绝缘层和第二金属层三层之间在至少一侧形成阶梯结构，这样对上述膜层结构进行测试时，通过测试探针上升或下降的移动轨迹测试阶梯结构的落差，进而获得较精确的绝缘层的厚度，再根据第一金层与第二金属层之间的电容值和相对面积，可以计算获得较精确的绝缘层的介电常数。
【IPC分类】G01R27-26
【公开号】CN104808072
【申请号】CN201510214085
【发明人】张玉军, 刘超
【申请人】京东方科技集团股份有限公司
【公开日】2015年7月29日
【申请日】2015年4月29日