特高压污秽直流电压发生器的制造方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及一种污秽直流电压发生器，特别是涉及一种整体场强设计的污秽直流电压发生器。
【背景技术】
[0002]特高压污秽直流电压发生器为一种高压试验设备，在试验过程中，常常应为屏蔽设施的屏蔽效果较差而引起放电，目前有的是增大屏蔽设施的体积来改善，其整体的体积也相应增大，占用空间大。
【发明内容】
[0003]本发明的目的就是在于提供一种解决上述问题，能有效的减小整体的体积、占用空间，且不引起放电的高压污秽直流电压发生器。
[0004]为此本发明采用的技术方案是:本发明包括间隔设置的高压电容，相邻高压电容之间设置绝缘支柱，高压电容之间设通过绝缘支柱串联的硅堆，所述高压电容、绝缘支柱依次前后交错设置形成S形排列；所述硅堆成侧V形设置在高压电容和绝缘支柱上。
[0005]所述绝缘支柱上端设屏蔽罩，所述屏蔽罩呈半月形。
[0006]所述高压电容由两列竖立排布的多级高压电容组成。
[0007]所述绝缘支柱由三列竖立排布的绝缘支柱组成。
[0008]本发明的优点是:能使电场分布为整体的椭圆形，使电场分布均匀，降低放电的可能；同时此种结构形式在同样电压等级下减小体积、占用空间小、成本低，并且保证特高压污秽直流电压发生器的性能；进一步的本发明采用半月形屏蔽，屏蔽效果好。
【附图说明】
[0009]图1为本发明的结构示意图。
[0010]图2为图1的俯视图。
[0011]图3为屏蔽罩的结构示意图。
[0012]图中I为高压电容、2为绝缘支柱、3为娃堆、4为屏蔽罩。
【具体实施方式】
[0013]本发明包括间隔设置的高压电容1，相邻高压电容I之间设置绝缘支柱2，高压电容I之间设通过绝缘支柱2串联的硅堆3，所述高压电容1、绝缘支柱2依次前后交错设置形成S形排列；所述硅堆3成侧V形设置在高压电容I和绝缘支柱2上。
[0014]所述绝缘支柱2上端设屏蔽罩4，所述屏蔽罩4呈半月形。
[0015]所述高压电容I由两列竖立排布的多级高压电容I组成。
[0016]所述绝缘支柱2由三列竖立排布的绝缘支柱2组成。
[0017]本发明的高压电容1、绝缘支柱2的具体个数可根据具体情况作出灵活的变化，彼此之间的距离也可作出相应的变化。
【主权项】
1.特高压污秽直流电压发生器，包括间隔设置的高压电容，相邻高压电容之间设置绝缘支柱，高压电容之间设通过绝缘支柱串联的硅堆，其特征在于，所述高压电容、绝缘支柱依次前后交错设置形成S形排列；所述硅堆成侧V形设置在高压电容和绝缘支柱上。2.根据权利要求1所述的特高压污秽直流电压发生器，其特征在于，所述绝缘支柱上端设屏蔽罩，所述屏蔽罩呈半月形。3.根据权利要求1所述的特高压污秽直流电压发生器，其特征在于，所述高压电容由两列竖立排布的多级高压电容组成。4.根据权利要求1所述的特高压污秽直流电压发生器，其特征在于，所述绝缘支柱由三列竖立排布的绝缘支柱组成。
【专利摘要】本发明涉及一种污秽直流电压发生器。包括间隔设置的高压电容，相邻高压电容之间设置绝缘支柱，高压电容之间设通过绝缘支柱串联的硅堆，所述高压电容、绝缘支柱依次前后交错设置形成S形排列；所述硅堆成侧V形设置在高压电容和绝缘支柱上。本发明的优点是：能使电场分布为整体的椭圆形，使电场分布均匀，降低放电的可能；同时此种结构形式在同样电压等级下减小体积、占用空间小、成本低，并且保证特高压污秽直流电压发生器的性能；进一步的本发明采用半月形屏蔽，屏蔽效果好。
【IPC分类】G01R1/28
【公开号】CN104897935
【申请号】CN201410074158
【发明人】张旗, 张生林, 王俭辛, 张旭, 张礼刚
【申请人】江苏启源雷宇电气科技有限公司
【公开日】2015年9月9日
【申请日】2014年3月3日