一种接地网腐蚀缺陷模拟装置的制造方法
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及一种接地网模拟装置，尤其是涉及一种接地网腐蚀缺陷模拟装置。
【背景技术】
[0002]随着国民经济的发展，对电力系统可靠运行的要求越来越高，不管是输电线路还是变电站，都需要可靠有效的接地，因此电力系统的接地网是电网的关键设备。由于接地网深埋于地下，容易发生腐蚀，导致接地电阻变大，影响接地的可靠性，因此研宄接地网腐蚀的检测是保证接地网安全的关键。
[0003]由于实际接地网一旦投运，难以掌握其状况，因此接地网的研宄通常采用模拟接地网的形式，对模拟接地网设置合理的地网缺陷，并进行相关研宄是保证现场检测准确性的关键。
【实用新型内容】
[0004]本实用新型的目的就是为了克服上述现有技术存在的缺陷而提供一种灵活性好、操作方便的接地网腐蚀缺陷模拟装置。
[0005]本实用新型的目的可以通过以下技术方案来实现:
[0006]一种接地网腐蚀缺陷模拟装置，其特征在于，包括多个接地网本体连接段组成的模拟接地网以及腐蚀模拟单元，该腐蚀模拟单元接在模拟接地网的任意位置，所述的腐蚀模拟单元包括腐蚀缺陷模拟单元以及用于安装腐蚀缺陷模拟单元的外壳。
[0007]所述的接地网本体连接段与相邻接地网本体连接段之间采用卡接方式连接。
[0008]所述的腐蚀缺陷模拟单元与其相邻的接地网本体连接段采用卡接方式连接。
[0009]所述的腐蚀缺陷模拟单元为模拟电阻。
[0010]所述的外壳为有机玻璃。
[0011]所述的模拟接地网呈矩形结构。
[0012]与现有技术相比，本实用新型将模拟接地网采用分段连接方式，将装有接地网腐蚀缺陷的模拟单元接入模拟接地网的不同位置，模拟接地网不同位置的腐蚀缺陷，可为接地网的检测研宄提供一种有效的试验试品。
【附图说明】
[0013]图1为本实用新型的结构示意图；
[0014]图2为本实用新型腐蚀模拟单元的结构示意图。
【具体实施方式】
[0015]下面结合附图和具体实施例对本实用新型进行详细说明。
[0016]实施例
[0017]为了满足电力系统接地网故障检测的需要，本实用新型提供了一种接地网腐蚀缺陷模拟装置，该装置将模拟接地网采用分段连接方式，将装有接地网腐蚀缺陷的模拟单元接入模拟接地网的不同位置，模拟接地网不同位置的腐蚀缺陷，可为接地网的检测研宄提供一种有效的试验试品。
[0018]如图1和2所示，本实用新型接地网腐蚀缺陷模拟装置，其特征在于，包括多个接地网本体连接段I组成的模拟接地网以及腐蚀模拟单元3，该腐蚀模拟单元3接在模拟接地网的任意位置，所述的腐蚀模拟单元3包括腐蚀缺陷模拟单元4以及用于安装腐蚀缺陷模拟单元的外壳5。
[0019]如图1所示，本实施例为一个4X4的模拟接地网，其中接地网共有32个接地网本体连接段1，段与段之间均采用卡接方式，可随意更换连接段。2为段与段之间的连接点。腐蚀缺陷单元3的具体组成如图2所示，其中腐蚀缺陷模拟单元4，采用一个具有一定阻值的电阻模拟接地网腐蚀缺陷，可通过更换电阻调节不同的阻值，模拟接地网腐蚀程度。缺陷单元外壳5，采用有机玻璃作为外壳，以保护模拟腐蚀缺陷的电阻不受外界影响。缺陷单元与接地网本体连接段采用卡接方式，可方便接入接地网本体。
[0020]本实用新型的特点是，所述的缺陷模拟单元可接入模拟接地网的任意位置，可模拟接地网不同位置的腐蚀缺陷。
【主权项】
1.一种接地网腐蚀缺陷模拟装置，其特征在于，包括多个接地网本体连接段组成的模拟接地网以及腐蚀模拟单元，该腐蚀模拟单元接在模拟接地网的任意位置，所述的腐蚀模拟单元包括腐蚀缺陷模拟单元以及用于安装腐蚀缺陷模拟单元的外壳。2.根据权利要求1所述的一种接地网腐蚀缺陷模拟装置，其特征在于，所述的接地网本体连接段与相邻接地网本体连接段之间采用卡接方式连接。3.根据权利要求1所述的一种接地网腐蚀缺陷模拟装置，其特征在于，所述的腐蚀缺陷模拟单元与其相邻的接地网本体连接段采用卡接方式连接。4.根据权利要求1所述的一种接地网腐蚀缺陷模拟装置，其特征在于，所述的腐蚀缺陷模拟单元为模拟电阻。5.根据权利要求1所述的一种接地网腐蚀缺陷模拟装置，其特征在于，所述的外壳为有机玻璃。6.根据权利要求1所述的一种接地网腐蚀缺陷模拟装置，其特征在于，所述的模拟接地网呈矩形结构。
【专利摘要】本实用新型涉及一种接地网腐蚀缺陷模拟装置，包括多个接地网本体连接段组成的模拟接地网以及腐蚀模拟单元，该腐蚀模拟单元接在模拟接地网的任意位置，所述的腐蚀模拟单元包括腐蚀缺陷模拟单元以及用于安装腐蚀缺陷模拟单元的外壳。与现有技术相比，本实用新型具有灵活性好、操作方便等优点。
【IPC分类】G01R31/00
【公开号】CN204679564
【申请号】CN201520398216
【发明人】傅晨钊, 苏磊, 司文荣, 陆启宇, 陆冰冰
【申请人】国网上海市电力公司, 华东电力试验研究院有限公司
【公开日】2015年9月30日
【申请日】2015年6月10日