专利名称：可外部精确设定恒温晶体振荡器恒温槽恒温点的控制器的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及恒温晶体振荡器，特别是一种可外部精确设定恒温晶体振荡器恒 温槽恒温点的控制器。
背景技术：
现有的恒温晶体振荡器恒温槽调整都在产品封焊前进行，每次调整后都要做工作 温度范围内温度测试，工序繁琐，而且在封壳后无法再进行调整，当封壳后热结构发生改变 时，恒温槽恒温点很难足够精确，从而影响产品精度。
发明内容本实用新型旨在解决现有恒温晶体振荡器恒温槽拐点调整不够精确，且在产品封 焊后不能进行恒温槽拐点调整的问题，而提供一种可外部精确设定恒温晶体振荡器恒温槽 恒温点的控制器。本实用新型解决其技术问题采用的技术方案是一种可外部精确设定恒温晶体振 荡器恒温槽恒温点的控制器，包括数字电位器、电压比较器、运算放大器、半导体温度传感 器，该数字电位器的值由I2C总线写入，经其分压后的电压信号输入至电压比较器，该电压 比较器与置于恒温槽内部的控温电路连接；该半导体温度传感器置于恒温槽外部，其将实 时感知的恒温槽内部微小温度变化并转换成的电压信号输入至运算放大器，该运算放大器 输出的电压信号反馈至电压比较器。与现有技术相比，本实用新型既解决了现有恒温晶体振荡器产品在封焊前作温度 测试的繁琐过程，又避免了在封壳前和封壳后产品温度特性的变化而导致的设定点不精确 的问题。它利用可外部控制的数字电位器，再配合高精度的半导体感温元件作为振荡器的 恒温槽控制电路，使置于恒温槽内部的控温电路为可外部调整的电路，因而产品能够在封 焊后在外部精确调节控温电路设定点，使其与晶体拐点重合，从而使得恒温晶体振荡器恒 温点非常准确，大大提升了产品的温度稳定度。
图1为本实用新型的电路结构方框图。
具体实施方式
以下结合附图及实施例对本实用新型作进一步说明。参见图1，本实施例所述的可外部精确设定恒温晶体振荡器恒温槽恒温点的控制 器，它由数字电位器、电压比较器、运算放大器、半导体温度传感器组成，该数字电位器的值 由I2C总线写入，经其分压后的电压信号输入至电压比较器，该电压比较器与置于恒温槽内 部的控温电路连接；该半导体温度传感器置于恒温槽外部，其将实时感知的恒温槽内部微 小温度变化并转换成的电压信号输入至运算放大器，该运算放大器输出的电压信号反馈至电压比较器。本实施例所述数字电位器采用DS1845型数字电位器。本实施例所述电压比较器采用TLV271。 本实施例所述运算放大器采用TLV271。 本实施例所述半导体温度传感器采用LM45C高精度温度传感器。
权利要求一种可外部精确设定恒温晶体振荡器恒温槽恒温点的控制器，包括数字电位器、电压比较器、运算放大器、半导体温度传感器，其特征在于，该数字电位器的值由I2C总线写入，经其分压后的电压信号输入至电压比较器，该电压比较器与置于恒温槽内部的控温电路连接；该半导体温度传感器置于恒温槽外部，其将实时感知的恒温槽内部微小温度变化并转换成的电压信号输入至运算放大器，该运算放大器输出的电压信号反馈至电压比较器。
2.根据权利要求1所述的可外部精确设定恒温晶体振荡器恒温槽恒温点的控制器，其 特征在于，所述数字电位器采用DS1845型数字电位器。
3.根据权利要求1所述的可外部精确设定恒温晶体振荡器恒温槽恒温点的控制器，其 特征在于，所述电压比较器采用TLV271。
4.根据权利要求1所述的可外部精确设定恒温晶体振荡器恒温槽恒温点的控制器，其 特征在于，所述运算放大器采用TLV271。
5.根据权利要求1所述的可外部精确设定恒温晶体振荡器恒温槽恒温点的控制器，其 特征在于，所述半导体温度传感器采用LM45C高精度温度传感器。
专利摘要本实用新型涉及恒温晶体振荡器，特别是一种可外部精确设定恒温晶体振荡器恒温槽恒温点的控制器。包括数字电位器、电压比较器、运算放大器、半导体温度传感器，该数字电位器的值由I2C总线写入，经其分压后的电压信号输入至电压比较器，该电压比较器与置于恒温槽内部的控温电路连接；该半导体温度传感器置于恒温槽外部，其将实时感知的恒温槽内部微小温度变化并转换成的电压信号输入至运算放大器，该运算放大器输出的电压信号反馈至电压比较器。本实用新型能够在封焊后在外部精确调节恒温槽控温电路设定点，使其与晶体拐点重合，从而使得恒温晶体振荡器恒温槽恒温点非常准确，大大提升了产品的温度稳定度。
文档编号G05D23/20GK201673418SQ20102022804
公开日2010年12月15日 申请日期2010年6月13日 优先权日2010年6月13日
发明者宋学忠, 崔立志, 张立强, 王一民 申请人:唐山晶源裕丰电子股份有限公司