技术特征：
技术总结
本发明公开了一种高电源纹波抑制比的耗尽型参考电压源，它包括：耗尽型NMOS管M1；增强型NMOS管M2和M3；增强型PMOS管M4和M5，M1的栅级和源级接VSS；M1的漏级与M4的漏级和栅级相连接；M2的源级与VSS连接；M2的栅级与M3的源级和电阻R1、R2串联电路相连接；电阻R2下端接VSS，上端与R1下端相连接；M2的漏级与M3的栅级、M5的漏级相连接；M3的漏级与电源VCC连接；M4的源级、M5的源级与电源VCC连接；M5的栅级与M4的栅级和漏级相连接；输出vref接到电阻R1、R2之间，电阻R1、R2为可调电阻；解决了电源纹波抑制比不好等技术问题。
技术研发人员：马先林;马奎;郎宁;杨发顺;陈国辉
受保护的技术使用者：贵州导芯集成电路科技有限公司
技术研发日：2019.07.12
技术公布日：2019.09.10