受电装置1000中的受电线圈(二次线圈)Ls电磁耦合而形成电力传送变压器(transformer)来实现。由此，能够非接触地进行电力传送。
[0022]这样，受电装置1000从送电装置受电通过无线供电而送电的电力，将得到的电流整流并输出。
[0023]该受电装置1000例如如图1所示，具备受电部10ULD0型电压调节器100和负载部 102。
[0024]受电部101具备受电线圈Ls、受电电容器Cs和整流装置101a。
[0025]受电线圈Ls连接在第I受电端子ACl与第2受电端子AC2之间，与送电装置的送电线圈电磁耦合。
[0026]受电电容器Cs在第I受电端子ACl与第2受电端子AC2之间，与受电线圈Ls串联地连接。
[0027]整流装置1la将第I受电端子ACl与第2受电端子AC2之间的电压整流，向电源端子TVDD供给。
[0028]LDO型电压调节器100将从电源端子TVDD的电压生成的输出电压VOUT从输出端子TOUT输出。
[0029]负载电路LO被供给输出电压V0UT。该负载电路LO例如是将电池充电的充电电路或系统IC等。
[0030]这里，LDO型电压调节器100例如如图1所示，具备电源端子TVDD、输出端子TOUT、输出晶体管Ma、第I检测晶体管Ml、第I控制晶体管Tl、第I放大电路AMPl、第2检测晶体管M2、第2控制晶体管T2、第2放大电路AMP2、比较器COMP1、第3放大电路AMP3、电阻电路RC和模拟/数字变换电路10。
[0031]电源端子TVDD被从受电部101供给电源电压PVDD。在电源端子TVDD与固定电位(这里是接地)之间配置有用来使电源电压PVDD平滑化的电容器C。
[0032]输出端子TOUT将输出电压VOUT输出。
[0033]输出晶体管Ma—端(源极)连接在电源端子TVDD上，另一端(漏极)连接在输出端子TOUT上。
[0034]第I检测晶体管Ml—端(源极)连接在电源端子TVDD上，栅极连接在输出晶体管Ma的栅极上。该第I检测晶体管Ml流过将在输出晶体管Ma中流过的输出电流1UT进行了电流镜的电流II。
[0035]另外，该第I检测晶体管Ml的尺寸设定得比输出晶体管Ma的尺寸小。
[0036]第I控制晶体管Tl 一端(源极)连接在第I检测晶体管Ml的另一端(漏极)上。
[0037]第I放大电路AMPI控制第I控制晶体管TI的栅极电压，以使输出晶体管Ma的另一端(漏极)的电压与第I检测晶体管Ml的另一端(漏极)的电压相等。
[0038]第2检测晶体管M2—端(源极)连接在电源端子TVDD上，栅极连接在输出晶体管Ma的栅极上。该第2检测晶体管M2流过将在输出晶体管Ma中流过的输出电流1UT进行了电流镜的电流12。
[0039]另外，该第2检测晶体管M2的尺寸设定得比输出晶体管Ma的尺寸小。
[0040]第2控制晶体管T2—端(源极)连接在第2检测晶体管M2的另一端(漏极)上。
[0041]第2放大电路AMP2控制第2控制晶体管T2的栅极电压，以使输出晶体管Ma的另一端(漏极)的电压与第2检测晶体管M2的另一端(漏极)的电压相等。
[0042]第3放大电路AMP3控制输出晶体管Ma的栅极电压，以使第I基准电压VRl与输出电压VOUT相等。
[0043]比较器COMPl的非反转输入端子被输入电源电压PVDD,反转输入端子被输入对输出电压VOUT加上第2基准电压(基准值)VR2后的电压。并且，比较器COMPl根据这些输入，输出比较结果信号Sc。
[0044]g卩，比较器COMPl将电源电压PVDD和输出电压VOUT的电位差与基准值比较，输出基于其比较结果的比较结果信号Sc。
[0045]电阻电路RC根据比较结果信号Sc，例如成为将第I控制晶体管Tl的另一端(漏极)与固定电位之间的电阻值设定为第I电阻值的第I状态(I)。
[0046]并且，电阻电路RC在上述第I状态(I)下，将基于第I控制晶体管Tl的另一端(漏极)的电压的检测电压Sd从输出节点N输出。
[0047]另外，电阻电路RC在比较结果信号Sc规定了该电位差是基准值以上的情况下，被切换为已述的第I状态(I)。
[0048]此外，电阻电路RC根据比较结果信号Sc，成为将第2控制晶体管T2的另一端(漏极)与固定电位之间的电阻值设定为第2电阻值的第2状态(2)。
[0049]并且，电阻电路RC在上述第2状态(2)下，将基于第2控制晶体管T2的另一端(漏极)的电压的检测电压Sd从输出节点N输出。
[0050]另外，电阻电路RC在比较结果信号Sc规定了该电位差小于该基准值的情况下，被切换为已述的第2状态(2)。
[0051]这样，电阻电路RC根据比较结果信号Sc而切换上述第I状态(I)和第2状态(2)。
[0052]另外，已述的固定电位例如是接地电位。
[0053]另外，已述的第I电阻值例如设定为，在已述的第I状态⑴下，第I控制晶体管Tl的另一端(漏极)的电压成为预先设定的目标值。
[0054]此外，已述的第2电阻值例如设定为，在已述的第2状态⑵下，第2控制晶体管T2的另一端(漏极)的电压成为上述目标值。
[0055]这里，电阻电路RC例如如图1所示，具备第I可变电阻R1、第2可变电阻R2和开关电路SW。
[0056]第I可变电阻Rl —端连接在第I控制晶体管Tl的另一端(漏极)上，另一端连接在该固定电位上。该第I可变电阻Rl的电阻值被设定为已述的第I电阻值。
[0057]第2可变电阻R2 —端连接在第2控制晶体管T2的另一端(漏极)上，另一端连接在该固定电位上。该第2可变电阻R2的电阻值被设定为已述的第2电阻值。
[0058]此外，开关电路SW在已述的第I状态(I)中，基于比较结果信号Sc，成为将第I控制晶体管Tl的另一端(漏极)与输出节点N连接、并将第2控制晶体管T2的另一端(漏极)与输出节点N之间切断的状态。
[0059]另一方面，开关电路SW在已述的第2状态⑵中，基于比较结果信号Sc，成为将第I控制晶体管Tl的另一端(漏极)与输出节点N切断、并将第2控制晶体管T2的另一端(漏极)与输出节点N之间连接的状态。
[0060]这样，开关电路SW基于比较结果信号Sc，切换将第I控制晶体管Tl的另一端(漏极)与输出节点N连接并将第2控制晶体管T2的另一端(漏极)与输出节点N之间切断的第I状态(I)、和将第I控制晶体管Tl的另一端(漏极)与输出节点N切断并将第2控制晶体管T2的另一端(漏极)与输出节点N之间连接的第2状态(2)。
[0061]S卩，电阻电路RC基于比较结果信号Sc来切换开关电路SW，从而将已述的第I状态
(I)和第2状态⑵切换。
[0062]由此，如后述那样，根据电源电压PVDD与输出电压VOUT的电位差，切换使用的第1、第2检测晶体管Ml、M2，调整第1、第2控制晶体管Tl、T2及电阻电路RC。结果，即使电源电压PVDD与输出电压VOUT之间的电压差变化，也能够使检测精度提高。即，在根据电流值而使电源电压PVDD的电压值变更的无线供电的情况下，能够在较大