的有源支路（即 有源电阻），输出一个零溫漂的参考电压Vref。
[0023] 本实用新型的有益效果为：
[0024] 采用由1)~4)组成的CMOS基准电压源，仅为纳瓦量级、且未使用BJT和二极管，不 仅能消除溫度变化的影响，还能与标准CMOS工艺完全兼容，同时具有功耗极低、高电源抑制 比高、性能好的特点，有效降低了系统成本。
【附图说明】
[002引图1为本无 Bipo Iar晶体管的CMOS基准电压源的原理图。
[0026] 图2为本无 Bipolar晶体管的CMOS基准电压源的电路框图。
[0027] 图中标号为：1、启动电路;2、CTAT电压产生电路;3、PTAT电压产生电路;4、电流叠 加电路。
【具体实施方式】
[0028] 下面结合附图和具体实施例对本实用新型作进一步的解释说明，但不用W限制本 实用新型。
[0029] 如图2所示，一种无 Bipolar晶体管的CMOS基准电压源，包括并接于电源VDD与地 GND之间的启动电路UCTAT电压产生电路2、PTAT电压产生电路3和电流叠加电路4;其中
[0030] 所述启动电路1的输出端与CTAT电压产生电路连接，用于提供基准电压源的启动 电流，使基准电压源摆脱简并偏置点；
[0031] 所述CTAT电压产生电路2的输出端与电流叠加电路4连接;所述PTAT电压产生电路 3的输出端与电流叠加电路4连接;所述电流叠加电路4用于将CTAT电压产生电路2和PTAT电 压产生电路3中产生的电流进行叠加，得到一个具有零溫漂的电流源，该电流源经一有源支 路后得到基准电压Vref。
[0032] 如图1所示，上述启动电路UCTAT电压产生电路2、PTAT电压产生电路3和电流叠加 电路4各部分的具体组成电路如下：
[0033] 启动电路1，在本实用新型的优选实施例中，上述启动电路1包括第一、第二、第=、 第四、第五MOS管。其中，第一、第二MOS管的源极连接到电源VDD;第一、第四MOS管的栅极和 第五MOS管的源极连接到地GND;第四MOS管的源极、漏极与第一 MOS管的漏极、第二、第S、第 五MOS管的栅极相连接;第二、第五MOS管的漏极与第立MOS管的源极相连接;第立MOS管的漏 极作为输出端连接到CTAT电压产生电路中第十MOS管的漏极上，用于在电源上电时，使电路 正常工作。
[0034] CTAT电压产生电路2,利用工作在亚阔值区MOS管产生栅源电压差，并使用工作在 线性区充当电阻的MOS管产生CTAT电流，采用共源共栅电流镜，抑制电源噪声。在本实用新 型的优选实施例中，上述CTAT电压产生电路2包括第六、第屯、第八、第九、第十、第十一、第 十二、第十=、第十四、第十五、第十六和第十屯MOS管，其中，第六、第八、第九MOS管的源极 与电源VDD连接，第十四、第十六、第十屯MOS管的源极与地GND连接;第六MOS管的漏极与第 屯MOS管的源极连接，第十六MOS管的漏极和栅极共接后与第十屯MOS管的栅极及第屯MOS管 的漏极相连接，第八MOS管的漏极与第十MOS管的源极连接;第十二MOS管的栅极和漏极共接 后的其中一端与第十MOS管的漏极连接、其另一端与第十SMOS管的栅极连接;第十四MOS管 的栅极和漏极共接后分为两条支路，其中一支路与第十二MOS管的源极连接、另一支路与第 十五MOS管的栅极连接;第十五MOS管的漏极与第十SMOS管的源极连接，第十屯MOS管的漏 极与第十五MOS管的源极连接;第九MOS管的栅极与漏极共接后的其中一端与第八、第六MOS 管的栅极连接，其另一端与第十一 MOS管的源极连接后输出第一 CTAT电流支路、并与电流叠 加电流4中的第二十屯]\?)5管的栅极连接;第^^一MOS管的栅极与漏极共接后的其中一端与 第十、第屯MOS管的栅极连接，其另一端与第十SMOS管的漏极连接后输出第二CTAT电流支 路、并与电流叠加电流中的第二十九MOS管的栅极连接;采用共源共栅电流镜，将CTAT电流 复制到电流叠加电路4中。
[00巧]PTAT电压产生电路3,利用工作在亚阔值区MOS管的栅源电压差，产生PTAT电压，利 用电阻将PTAT电压转化为PTAT电流，采用共源共栅电流镜，抑制电源噪声。上述PTAT电压产 生电路4包括第十八、第十九、第二十、第二十一、第二十二、第二十=、第二十四、第二十五 MOS管和电阻Ri,其中，第十八、第十九MOS管的源极与电源VDD连接;第二十四MOS管的源极 与地GND连接;第十八MOS管的漏极与第二十MOS管的源极连接;第二十二MOS管的栅极与漏 极共接后的其中一端与第二十SMOS管的栅极连接、其另一端与第二十MOS管的漏极连接； 第二十四MOS管的栅极与漏极共接后的其中一端与第二十五MOS管的栅极连接、另一端与第 二十二MOS管的源极连接;第二十五MOS管的源极经一电阻Ri后与地GND连接，第二十五MOS 管的漏极与第二十立MOS管的源极相连接;第十九MOS管的栅极与漏极共接后的其中一端与 第十八MOS管的栅极连接、其另一端输出第一 PTAT电流支路、并与电流叠加电路4中的第二 十六105管的栅极连接;第二^^一105管的源极与第十九105管的漏极连接，第二^^一MOS管 的栅极与漏极共接后的其中一端与第二十MOS管的栅极连接、其另一端输出第二PTAT电流 支路、并与电流叠加电路4中的第二十八]\?)5管的栅极连接，第二^^一MOS管的漏极与第二十 立MOS管的漏极连接;采用共源共栅电流镜，将PTAT电流复制到电流叠加电路4中。
[0036] 电流叠加电路4,利用共源共栅电流镜，将CTAT电压产生电路2产生的CTAT电流与 PTAT电压产生电路3产生的PTAT电流进行叠加，得到一个具有零溫漂的电流源，利用MOS管 电阻得到一个零溫漂的参考电压。在本优选实施例中，上述电流叠加电路包括第二十六、第 二十屯、第二十八、第二十九、第=十、第=十一、第=十二、第=十=、第=十四、第=十五 MOS管电容C，其中，第二十六、第二十屯、第S十四MOS管的源极与电源VDD连接;第S十二、 S十立MOS管的源极连接到地GND;所述电容C并接于基准电压Vref的输出端与地GND之间;第 二十六MOS管的漏极与第二十八MOS管的源极连接;第二十八MOS管的漏极与第S十MOS管的 漏极连接，第^十備5管的栅极与第^^^一MOS管的栅极、第二十八MOS管的漏极连接;第S 十二MOS管的栅极与漏极共接后的其中一端与第S十MOS管的源极连接、其另一端与第S十 立105管的栅极连接;第^十^105管的漏极与第^^^一MOS管的源极连接;第二十屯MOS管 的漏极与第二十九MOS管的源极连接，第二十九MOS管的漏极连接至第二十八MOS管的漏极 上;第S十四MOS管的栅极与漏极共接后与第S十五MOS管的源极连接;第S十五MOS管的栅 极与漏极共接后的其中一端与第S十一 MOS管的漏极连接、其另一端与基准电压Vref的输出 端连接。
[0037] 本实用新型的工作原理为：
[0038] 启动电路1中，第二、第五MOS管构成反相器，用W隔离电源和第立MOS管的源极;第 一 MOS管栅极接地，相当于一个电阻;第四MOS管源极和漏极短接，且栅极接地，相当于一个 电容。当电路上电时，电源通过第一MOS管向第四MOS管组成的电容充电，此时电容上极板电 压为低电平，使得第五MOS管截止，第二、第SMOS管导通，将电流通过第二、第SMOS管注入 到CTAT电压产生电路中，摆脱简并偏置点；当电源向电容充电完成时，使得电容上极板电压 为高电平，使得第五MOS管导通，第二、第SMOS管截止，启动电路与基准源脱离，并将第S MOS管的源极电位被拉低到地，避免了与电源直接接触，减小了启动电路对基准源的影响。
[0039] 本实用新型的核屯、电路包括CTAT电压产生电路2、PTAT电压产生电路3和电流叠加 电路4。
[0040] CTAT电压产生电路2中的第十四、第十五MOS管工作在亚阔值区，第十六MOS管工作 在饱和区；PTAT电压产生电路3中第二十四、二十五MOS管工作在亚阔值区。MOS管工作在亚 阔值区的I-V特性可W表示为：
[0041]
[0042] 式中，Id是MOS管的漏端电流;K=W/L是MOS管的宽长比：
为特征 电流，y = y〇(T〇/T)m是MOS管的电子迁移率，To是参考溫度，叫是参考溫度T日下电子迁移率，T 是绝对溫度，m是溫度指数，C日X=川x/t日X是栅氧化层电容，C日X是氧化物介电常数，t日X是氧化 层厚度，n是亚阔值区斜率因子，Vgs是MOS管的栅源电压，VT = kBT/q是热电压，1?是玻尔兹曼 常数，q是电子电荷，Vth是MOS管的阔值电压，Vds是MOS管的漏源电压。
[004；3 ] 当Vds大于4倍Vt时，可W忽略Vds的影响，可W得到：
[0044]
[0045] 栅源电压：