专利名称：使用标准封装闪存芯片制造的存储卡的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及用于数码产品的存储卡，更具体地说，涉及一种使用标准 封装闪存芯片制造存储卡。
背景技术：
随着数字技术的发展，手机功能越来越多，例如拍照、游戏、上两等等， 使得原本的手机内置的存储器根本就不能满足人们的需求。于是要求可以通过 手机的外设来增加它的存储容量， 一个较为通用的方法是使用存储卡。但是由于手机空间有限，所以不能采用SD卡、固C卡这样体积比较大的存储卡，而 只能采用如RS-丽C卡、MiniSD卡等体积较小的存储卡。另夕卜，很多数码相机 也开始采用此类微型存储卡，例如XD兼容卡等。其中的XD兼容卡全称为 XD-PICTURE CARD,是专为数码相机使用的小型存储卡，采用单面18针接口，它拥有众多的优势特点(1)袖珍的外形尺寸，外形尺寸为 20mmX25mmX1.7mm，总体积只有0. 85立方厘米，约为2克重；(2>优秀的兼 容性，配合各式的读卡器，可以方便的与个人电脑连接；(3〉超大的存储容量， XD兼容卡的理论最大容量可达8GB，具有很大的扩展空间，目前市场上见到的 XD兼容卡有16MB、 32MB、 64MB、 128MB、 256MB等不同的容量规格。通常，人们采用利用闪存的晶圆来加工上述的RS-MMC卡和MiniSD卡。众 所周知，任何芯片都是先要设计好逻辑电路图，然后将逻辑电路图交给生产晶 元的工厂；该工厂采购硅片，通过光照腐蚀将原始的硅片做成所需的逻辑电路， 此时生产出的逻辑电路称为WAFER(晶元)。目前，几乎所有的RS-固C卡和 MiniSD卡在生产时，其闪存单元均是使用上述的WAFER。这样的生产方式生产存储卡时间较长，从下单到交货大约要一周左右；在生产过程中不良率也较高。 实用新型内容本实用新型要解决的技术问题在于，针对现有技术的上述生产时间长、不 良率较高的缺陷，提供一种生产时间短、不良率较低的使用标准封装闪存芯片 制造的存储卡。本实用新型解决其技术问题所采用的技术方案是构造一种使用标准封装 闪存芯片制造的存储卡，包括外壳框、电路板和主控芯片，还包括至少一片位 于所述电路板上的、与所述主控芯片电连接的标准封装的闪存芯片，所述闪存芯片的封装包括标准TS0P(Thin small outline package)封装，所述闪存芯 片的引脚和所述电路板接触部分与该闪存芯片底面在周一水平面上。在本实用新型的存储卡中，所述标准TSOP封装的闪存芯片的容量可以是 32M、 64M、 128M、 256M、 512M、 1G、 2G或4G中的任意一种。在本实用新型的存储卡中，所述主控芯片和所述至少一个闪存芯片位于所 述电路板的同一面，并通过所述电路板上的铜箔相互连接。本实用新型的所述存储卡可以是RS-丽C卡、MiniSD卡、XD兼容卡、或其它类似存储卡。本实用新型中，所述主控芯片可以是TQFP封装或其他可縮小产品体积的 封装。实施本实用新型的一种使用标准封装闪存芯片制造的存储卡，具有以下有 益效果由于使用标准封装的闪存芯片，其成品率较高，生产存储卡的周期较 短，由现有技术的一周左右提高到一至二天即可完成存储卡的生产。
下面将结合附图及实施例对本实用新型作进一步说明，附图中 图1是本实用新型一个实施例中的存储卡结构示意图；图2是本实用新型一个实施例中的闪存芯片结构示意图。 图3是本实用新型一个实施例中存储卡的电路原理图。
具体实施方式
如图1所示,在本实用新型的一种使用标准封装闪存芯片制造的存储卡实施例中，使用标准封装闪存芯片的存储卡包括外壳框l、电路板2以及位于上 述电路板2上的主控芯片21，还包括位于电路板2上，与主控芯片21电连接 的至少一个标准封装的闪存芯片22,闪存芯片22标准封装包括TS0P封装， 标准封装的TS0P的闪存芯片22的引脚222和电路板2接触的部分与该芯片的 底面处于同一水平面上，见图2所示。在本实施例中，主控芯片21和闪存芯片22装于电路板的上表面，电路板 2的下表面设有金属层，俗称金手指。制造时，将电路板2压合到塑料外壳框 l上得到完整的外壳，此时电路板2的下表面成为外壳的一部分；同时对标准 封装TS0P的闪存芯片22进行修整，使其引脚222与其底面处于同一水平面上， 使得在贴片的时候不会增加厚度；将主控芯片21、修整过的标准TSOP封装的 闪存芯片21以及其余的外围元件按图3所示的原理图，通过SMT贴片、焊接， 得到半成品；该半成品通过开卡程序，得到确认的良好的半成品；将上述良好 的半成品放入外壳框l，注入热熔胶，并将外壳框1及电路板2进行封装压合 得到初步的成品。上述的成品在其将要使用的软件环境下进行测试，得到最后 的成品。在本实施例中，由于没有采用现有技术中的利用WAFER闪存单元，而是利 用标准TS0P封装的闪存芯片22来构成存储卡，所以在电路板2上，闪存芯片 22的安装脚位是固定的，可以安装不同容量的闪存芯片，如32M、 64M、 128M、 256M、 512M、 1G、 2G或4G等。由于电路板上的空间限制，所以可将主控芯片 21和闪存芯片22放在电路板的同一面上，并以电路板上2的铜箔相连。在本 实施例中，存储卡包括一个标准封装的闪存芯片22，且与主控芯片21在电路板2的同一面。具体实施时，可以设置多个闪存芯片；另外，其中的闪存芯片 也可以是标准TS0P封装之外的其他封装结构。如图3，在本实用新型中，主控芯片21是TQFP封装，或者是DIE封装(以 晶元形式直接通过打线与电路板相连，然后封胶；这种封装可占用更少的空 间)，该主控芯片21的尺寸与现有技术中的主控芯片相比，其尺寸较小，以保 证有足够的空间安放所需要的元件，例如可采用型号为SK66X2的主控芯片， 其封装为TQFP(Thin Quad Flat Package),或者采用SM290系列芯片。在本实施例中，当主控芯片21、标准TS0P封装的闪存芯片22以及外围 电路经过SMT贴片，焊接在电路板2上后，要装入由外壳框l的外壳中，本实 用新型中采用的是利用热溶胶将电路板2固定在外壳框1内并将外壳框1压合 在一起，从而使上述组件形成一个完整的存储卡。为粘合牢固，在本实施例中 选用3M公司的热熔胶，其产品型号为615S。当然，在实际应用中，也可以 选用别的公司的热溶胶，如S0NY公司的NP605等。其中，将电路板2压合到 塑料的外壳框1上时要防止有热熔胶溢胶现象，以免影响外观。本实用新型的方案可用于生产RS-匿C卡、MiniSD卡、XD兼容卡，以及其 它此类存储卡。
权利要求1、一种使用标准封装闪存芯片制造的存储卡，包括外壳框(1)、电路板(2)和主控芯片(21)，其特征在于，还包括至少一片位于所述电路板(2)上并与所述主控芯片(21)电连接的标准封装的闪存芯片(22)，所述闪存芯片(22)的引脚(222)和电路板(2)接触部分与该闪存芯片底面在同一水平面上。
2、 根据权利要求1所述的使用标准封装闪存芯片制造的存储卡，其特征 在于，所述闪存芯片(22)的封装包括标准TSOP封装。
3、 根据权利要求2所述的使用标准封装闪存芯片制造的存储卡，其特征 在于，所述标准TSOP封装的闪存芯片(22)的容量是32M、 64M、 128M、 256M、 512M、 1G、 2G或4G中的任意一种。
4、 根据权利要求3所述的使用标准封装闪存芯片制造的存储卡，其特征 在于，所述主控芯片(21)和所述至少一个闪存芯片(22)位于所述电路板(2) 的同一面，并通过所述电路板(2)上的铜箔相互连接。
5、 根据权利要求4所述的使用标准封装闪存芯片衝1造的存储卡，其特征 在于，所述存储卡是RS-固C卡、MiniSD卡或XD兼容卡。
6、 根据权利要求1-5中任一项所述的使用标准封装闪存芯片制造的存储 卡，其特征在于，所述主控芯片(21〉为TQFP封装或DIE封装。
7、 根据权利要求6所述的使用标准封装闪存芯片制造的存储卡，其特征 在于，所述主控芯片(21)是型号为SK66X2或SM290系列芯片。
8、 根据权利要求6所述的使用标准封装闪存芯片制造的存储卡，其特征 在于，所述外壳框(1)和所述电路板(2)之间通过热熔胶粘合在一起，构成 所述存储卡外壳。
专利摘要本实用新型涉及一种使用标准封装闪存芯片制造的存储卡，包括外壳框(1)、电路板(2)和主控芯片(21)，还包括至少一片位于所述电路板(2)上的、与所述主控芯片(21)电连接的标准封装的闪存芯片(22)，所述闪存芯片(22)的封装包括标准TSOP封装，所述闪存芯片(22)的引脚(222)和电路板(2)接触部分与其底面在同一水平面上。本实用新型中的存储卡可以是RS-MMC卡、MiniSD卡、XD兼容卡或其它存储卡，由于使用标准封装的闪存芯片，其成品率较高，生产存储卡的周期较短，由现有技术的一周左右提高到一至二天即可完成存储卡的生产。
文档编号G06K19/077GK201166856SQ200720177759
公开日2008年12月17日 申请日期2007年9月12日 优先权日2007年3月7日
发明者郭寂波 申请人:深圳市劲升迪龙科技发展有限公司