专利名称：制造网格图案型触控面板的方法
技术领域：
本发明涉及一种制造网格图案型触控面板的方法，属于触控面板制程技术领域。
背景技术：
若是触控面板的加工方式是采取逐层贴合的工序，容易造成贴合对位不精确，而 且增加触控面板的厚度和重量，降低触控产品的透光度及触控敏感度，产品品质很难得到 很大提升。加工透明导电材料时，因为成形相应的感应线图案需要蚀刻掉大量透明导电材 料，造成大量的蚀刻废液，环境污染严重；而且触控面板的色差大，蚀刻痕迹明显。本发明通过采用光阻工艺可以对触控面板的不同深度层面进行光阻蚀刻得到相 应的图案；再来电镀金属导电材料，在金属导电材料上贴光阻膜，曝光显影蚀刻形成金属走 线，操作简单可以降低制造成本。因此，电镀工艺与光阻工艺的有机结合可以省去复杂的贴 合工序来加工触控面板，从而有效降低触控面板的厚度和重量，提高透光度和触控敏感度。
发明内容
技术问题本发明使用光阻技术对透明导电材料蚀刻形成网格图案非导电区域来 降低蚀刻痕迹，减少蚀刻废液利于环保；再来电镀金属导电材料，在金属导电材料上贴光阻 膜，曝光显影蚀刻形成金属走线，操作简单可以降低制造成本。技术方案本发明公开一种制造网格图案型触控面板的方法，包括如下步骤在无 尘干燥条件下进行；步骤一对透明导电材料老化结晶；步骤二 曝光蚀刻老化结晶透明导电材料，在温度40摄氏度状态下，用盐酸对透 明导电材料蚀刻，形成感应线和网格图案非导电区域；步骤三在步骤二中透明导电材料表面电镀金属导电材料；步骤四在金属导电材料上贴光阻膜，曝光显影蚀刻形成金属走线；其中，在室温 状态下，用硫酸双氧水混合溶液蚀刻金属导电材料得到金属走线；步骤五用透明光学胶将铭板层贴合在金属走线和透明导电材料上。上述步骤二中盐酸的摩尔浓度范围值在4. 1M0L/L到4. 5M0L/L之间；步骤四中硫 酸双氧水混合液的摩尔浓度值是1M0L/L。步骤二中网格图案为方块矩阵；其中，单个方块 蚀刻边长0. 35毫米，蚀刻线宽60微米；步骤四中光阻膜的厚度范围值在15微米到20微米 之间。蚀刻反应时间为30秒钟到60秒钟。金属导电材料是铜；透明导电材料是氧化铟锡。 步骤五中透明光学胶的厚度范围值在50微米到100微米之间。最后各线路图案成形后用 光阻剂清除残余光阻膜，提高产品外观品质。有益效果本发明公开了制造网格图案型触控面板的方法，通过采用光阻工艺可 以对触控面板的不同深度层面进行光阻蚀刻得到相应的图案，使用光阻技术对透明导电材 料蚀刻形成网格图案非导电区域来降低蚀刻痕迹，减少蚀刻废液利于环保；再来电镀金属 导电材料，在金属导电材料上贴光阻膜，曝光显影蚀刻形成金属走线，操作简单可以降低制造成本。电镀工艺与光阻工艺的有机结合可以省去复杂的贴合工序来加工触控面板，从而 有效降低触控产品的厚度重量，提高透光度和触控敏感度。
图1是本发明的局部结构图案示意框图。图2是本发明的局部网格图案非导电区域示意框图。图3是本发明的制作流程示意框图。
具体实施例方式下面是本发明的具体实施例来进一步描述图3所示，本发明公开一种制造网格图案型触控面板的方法，包括如下步骤在无 尘干燥条件下进行；步骤一对透明导电材料老化结晶；步骤二 曝光蚀刻老化结晶透明导电材料，在温度40摄氏度状态下，用盐酸对透 明导电材料蚀刻，形成感应线和网格图案非导电区域；步骤三在步骤二中透明导电材料表面电镀金属导电材料；步骤四在金属导电材料上贴光阻膜，曝光显影蚀刻形成金属走线；其中，在室温 状态下，用硫酸双氧水混合溶液蚀刻金属导电材料得到金属走线；步骤五用透明光学胶将铭板层贴合在金属走线和透明导电材料上。上述步骤二中盐酸的摩尔浓度范围值在4. 1M0L/L到4. 5M0L/L之间；步骤四中硫 酸双氧水混合液的摩尔浓度值是1M0L/L。步骤二中网格图案为方块矩阵；其中，单个方块 蚀刻边长0. 35毫米，蚀刻线宽60微米；步骤四中光阻膜的厚度范围值在15微米到20微米 之间。蚀刻反应时间为30秒钟到60秒钟。金属导电材料是铜；透明导电材料是氧化铟锡。 步骤五中透明光学胶的厚度范围值在50微米到100微米之间。实施例1 铭板层的厚度是0. 7毫米；金属导电材料的厚度是0. 04微米；透明导电材料的厚 度是0. 045毫米；基板层的厚度是50微米，基板层是聚碳酸树脂。制造网格图案型触控面板的方法，包括如下步骤在无尘干燥条件下进行；步骤一对透明导电材料老化结晶；步骤二 曝光蚀刻老化结晶透明导电材料，在温度40摄氏度状态下，用盐酸对透 明导电材料蚀刻，形成感应线和网格图案非导电区域；步骤三在步骤二中透明导电材料表面电镀金属导电材料；步骤四在金属导电材料上贴光阻膜，曝光显影蚀刻形成金属走线；其中，在室温 状态下，用硫酸双氧水混合溶液蚀刻金属导电材料得到金属走线；步骤五用透明光学胶将铭板层贴合在金属走线和透明导电材料上。上述步骤二中盐酸的摩尔浓度是4. 1M0L/L ；步骤四中硫酸双氧水混合液的摩尔 浓度是1. 0M0L/L。步骤二中网格图案为方块矩阵；其中，单个方块蚀刻边长0. 35毫米，蚀 刻线宽60微米；步骤四中光阻膜的厚度是15微米。其中，蚀刻反应时间为30秒钟。步骤 五中透明光学胶的厚度是50微米。
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实施例2 铭板层的厚度是1. 8毫米；金属导电材料的厚度是0. 1微米；透明导电材料的厚 度是0. 1微米；基板层的厚度是180微米，基板层是硬化玻璃。制造网格图案型触控面板的方法，包括如下步骤在无尘干燥条件下进行；步骤一对透明导电材料老化结晶；步骤二 曝光蚀刻老化结晶透明导电材料，在温度40摄氏度状态下，用盐酸对透 明导电材料蚀刻，形成感应线和网格图案非导电区域；步骤三在步骤二中透明导电材料表面电镀金属导电材料；步骤四在金属导电材料上贴光阻膜，曝光显影蚀刻形成金属走线；其中，在室温 状态下，用硫酸双氧水混合溶液蚀刻金属导电材料得到金属走线；步骤五用透明光学胶将铭板层贴合在金属走线和透明导电材料上。上述步骤二中盐酸的摩尔浓度是4. 5M0L/L ；步骤四中硫酸双氧水混合液的摩尔 浓度是1. 0M0L/L。步骤二中网格图案为方块矩阵；其中，单个方块蚀刻边长0. 35毫米，蚀 刻线宽60微米；步骤四中光阻膜的厚度是20微米。其中，蚀刻反应时间为60秒钟。步骤 五中透明光学胶的厚度是100微米。实施例3 铭板层的厚度是1. 1毫米；金属导电材料的厚度是0. 08微米；透明导电材料的厚 度是0. 07微米；基板层的厚度是125微米，基板层是聚碳酸树脂。制造网格图案型触控面板的方法，包括如下步骤在无尘干燥条件下进行；步骤一对透明导电材料老化结晶；步骤二 曝光蚀刻老化结晶透明导电材料，在温度40摄氏度状态下，用盐酸对透 明导电材料蚀刻，形成感应线和网格图案非导电区域；步骤三在步骤二中透明导电材料表面电镀金属导电材料；步骤四在金属导电材料上贴光阻膜，曝光显影蚀刻形成金属走线；其中，在室温 状态下，用硫酸双氧水混合溶液蚀刻金属导电材料得到金属走线；步骤五用透明光学胶将铭板层贴合在金属走线和透明导电材料上。上述步骤二中盐酸的摩尔浓度是4. 3M0L/L ；步骤四中硫酸双氧水混合液的摩尔 浓度是1. 0M0L/L。步骤二中网格图案为方块矩阵；其中，单个方块蚀刻边长0. 35毫米，蚀 刻线宽60微米；步骤四中光阻膜的厚度是18微米。其中，蚀刻反应时间为45秒钟。步骤 五中透明光学胶的厚度是75微米。
权利要求
一种制造网格图案型触控面板的方法，包括如下步骤，其特征在于所述步骤在无尘干燥条件下进行；步骤一对透明导电材料老化结晶；步骤二曝光蚀刻老化结晶透明导电材料，在温度40摄氏度状态下，用盐酸对透明导电材料蚀刻，形成感应线和网格图案非导电区域；步骤三在步骤二中透明导电材料表面电镀金属导电材料；步骤四在金属导电材料上贴光阻膜，曝光显影蚀刻形成金属走线；其中，在室温状态下，用硫酸双氧水混合溶液蚀刻金属导电材料得到金属走线；步骤五用透明光学胶将铭板层贴合在金属走线和透明导电材料上。
2.如权利要求1所述制造网格图案型触控面板的方法，其特征在于所述步骤二中盐 酸的摩尔浓度范围值在4. 1M0L/L到4. 5M0L/L之间；步骤四中硫酸双氧水混合液的摩尔浓 度值是1M0L/L。
3.如权利要求1所述制造网格图案型触控面板的方法，其特征在于所述步骤二中网 格图案为方块矩阵；其中，单个方块蚀刻边长0. 35毫米，蚀刻线宽60微米；步骤四中光阻 膜的厚度范围值在15微米到20微米之间。
4.如权利要求1所述制造网格图案型触控面板的方法，其特征在于所述蚀刻反应时 间为30秒钟到60秒钟。
5.如权利要求1所述制造网格图案型触控面板的方法，其特征在于所述金属导电材 料是铜；透明导电材料是氧化铟锡。
6.如权利要求1所述制造网格图案型触控面板的方法，其特征在于所述步骤五中透 明光学胶的厚度范围值在50微米到100微米之间。
全文摘要
本发明公开了一种制造网格图案型触控面板的方法，属于触控面板制程技术领域。本发明使用光阻技术对透明导电材料蚀刻形成网格图案非导电区域来降低蚀刻痕迹，减少蚀刻废液利于环保；再来电镀金属导电材料，在金属导电材料上贴光阻膜，曝光显影蚀刻形成金属走线，操作简单可以降低制造成本。
文档编号G06F3/041GK101968697SQ20101025211
公开日2011年2月9日 申请日期2010年8月13日 优先权日2010年8月13日
发明者陈栋南 申请人:牧东光电(苏州)有限公司