专利名称：提高电子设备的性能的电子设备控制器的制作方法
提高电子设备的性能的电子设备控制器
相关申请的交叉引用
本申请要求于2009年9月23日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请 No. 10-2009-0090176的权益，通过引用的方式将其所公开的内容全部并入此处。技术领域
本申请发明构思涉及电子设备控制器，更加具体来说，涉及通过收集和调节关于 电子设备的信息提高电子设备的性能的电子设备控制器。
背景技术：
一般来说，SOC (System-On-Chip,片上系统)包括控制器，SOC可以通过该控制器 连接到电子设备。电子设备的例子有主要用于存储程序的非易失性存储器以及可以用于各 种目的的易失性存储器，前者例如硬盘驱动器(HDD)、只读存储器(ROM)和闪存，后者例如 同步随机存取存储器(SRAM)和同步动态RAM (SDRAM)。此外，例如液晶显示器(LCD)或发光 二极管(LED)这样的外部显示设备可以连接到S0C，而例如包括在SOC中的高速缓存存储器 这样的内部设备可以用作电子设备。在包括SOC和电子设备的系统中，必须将SOC和电子 设备中的功耗都最小化，以便提高系统的性能。为此，通过获得与功耗相关的信息并基于该 信息计算功耗量来优化系统的性能至关重要。
通常，关于功耗的信息是通过实际测量得到的。例如，使用电表测量电流量，通过 运行软件应用并测量用于运行软件应用的实际时间来测量系统的性能。但是，这些方法不 允许在系统使用当中根据系统的用户的模式进行动态调节。而且，无法根据环境，例如电路 板的状态，使用电表来测量电流量。而且，由于这些方法受外部因素影响很大，所以测量中 的误差不可忽视。因此，这些方法难以用于精确调节。发明内容
本申请发明构思提供了一种通过调节关于电子设备的详细信息来提高电子设备 的性能的电子设备控制器。
根据本申请发明构思的一个方面，提供一种电子设备控制器，包括计算单元，用 于基于关于电子设备的操作和状态的详细信息，计算该电子设备的性能信息；和调节单元， 用于基于所计算的电子设备的性能信息，调节详细信息中的至少一个。
所述电子设备控制器还包括存储单元，用于存储详细信息和电子设备的性能信 息，其中，所述计算单元基于未调节的详细信息计算所述电子设备的性能信息以及基于经 调节的详细信息计算所述电子设备的性能信息，以及所述调节单元基于根据未调节的详细 信息计算得出的电子设备的性能信息和根据经调节的详细信息计算得出的电子设备的性 能信息，来选择未调节的详细信息或者经调节的详细信息。
所述调节单元将由计算单元计算的电子设备的性能信息与预定性能值进行比较， 并且基于比较结果将所述详细信息调节为与参考性能值对应的详细信息。
所述详细信息包括关于所述电子设备的操作的接口信息以及关于所述电子设备 的内部状态的状态信息，并且其中，所述电子设备控制器还包括收发单元，用于将所述详细 信息中的至少一个发送到所述电子设备或外部显示设备。
所述计算单元通过分别使用分配给所述接口信息和所述状态信息的预定性能因 子，来计算所述电子设备的性能信息。
所述计算单元通过分别将根据类型进行分类的多条详细信息的总数乘以分配给 该多条详细信息的类型的性能因子，来计算所述电子设备的性能信息。
所述调节单元包括调节块，其通过改变详细信息中的至少一个的次序或者通过 删除或重新排列详细信息中的至少一个，来调节详细信息；和选择块，用于通过将基于未调 节的详细信息计算得出的电子设备的性能信息与基于经调节的详细信息计算得出的电子 设备的性能信息进行比较，或者通过将由计算单元计算的电子设备的性能信息与参考性能 值进行比较，来选择使得电子设备的性能提高较多的、未调节的详细信息或经调节的详细 fn息ο
所述接口信息包括用于所述电子设备的至少一个命令，以及所述调节单元通过改 变所述至少一个命令的次序来调节详细信息。
所述电子设备是存储器件，所述电子设备控制器是控制所述存储器件的存储器控 制器，以及所述接口信息包括用于访问所述存储器件的命令。
所述性能信息包括所述电子设备的功耗量，所述调节单元将基于未调节的详细信 息计算得出的所述电子设备的功耗量与基于经调节的详细信息计算得出的所述电子设备 的功耗量进行比较，然后基于比较结果，选择对应于较低功耗量的、未调节的详细信息或者 经调节的详细信息，或者将由所述计算单元计算的所述电子设备的功耗量与功耗参考量进 行比较，然后基于比较结果，将详细信息调节为对应于所述功耗参考量。
根据本申请发明构思的另一方面，提供一种电子设备控制器，包括存储单元，用 于存储关于所述电子设备的操作和状态的详细信息以及电子设备的性能信息；计算单元， 用于基于详细信息计算所述电子设备的性能信息；和调节单元，用于调节存储在所述存储 单元中的详细信息中的至少一个，并且基于根据未调节的详细信息计算的电子设备的性能 信息以及根据经调节的详细信息计算的电子设备的性能信息，选择未调节的详细信息或经 调节的详细信息。
所述计算单元通过使用分配给根据类型分类的多条详细信息的类型的预定性能 因子，来计算所述电子设备的性能信息。
根据本申请发明构思的一个方面，提供一种电子设备控制器，包括计算单元，其 基于第一信息计算电子设备的第一性能信息，该第一信息包括关于该电子设备的操作的信 息以及关于该电子设备的状态的信息中的至少一个；和调节单元，其基于所计算的第一性 能信息，调节第一信息，以生成第二信息。
根据本申请发明构思的另一个方面，提供一种电子设备控制器，包括存储器件， 其存储所述电子设备的第一信息和第一性能信息，该第一信息包括关于所述电子设备的操 作的信息和关于所述电子设备的状态的信息中的至少一个；计算单元，用于基于第一信息 计算所述电子设备的第一性能信息；和调节单元，其调节存储在所述存储单元中的、关于所 述操作和所述状态的信息中的至少一个，以生成第二信息，并且基于第一性能信息和根据第二信息计算的电子设备的第二性能信息，选择第一信息和第二信息中的一个。
本申请发明构思的示范性实施例将从以下结合附图的具体描述中变得更加易于 理解，附图中
图IA是根据本申请发明构思的示范性实施例的、包括电子设备控制器的 SOC (System-On-chip，片上系统)的框图IB是根据本申请发明构思的另一示范性实施例的、包括电子设备控制器的SOC 的框图2是具体示出根据本申请发明构思的示范性实施例的、图IA的电子设备控制器 的框图3是具体示出根据本申请发明构思的示范性实施例的、图2的电子设备控制器 中包括的调节单元的框图4是示出根据本申请发明构思的示范性实施例的、操作电子设备控制器的方法 的流程图5是示出根据本申请发明构思的示范性实施例的、当电子设备是存储器件时根 据关于图2的电子设备的详细信息的功耗量的图6是示出根据本申请发明构思的示范性实施例的、根据存储器件的写命令的电 流分布(current profile)的图；和
图7是示出根据本申请发明构思的示范性实施例的、根据存储器件的读命令的电 流分布的图。
具体实施方式
现在将参照附图在下文中更加充分地描述本申请发明构思，附图中示出了本发明 的示范性实施例。但是，本发明可以以多种不同形式具体实现，并且不应当释为将本发明局 限为这里所阐述的示范性实施例。而是，提供这些示范性实施例是为了使得本公开全面充 分，并且将本发明的范围充分传达给本领域技术人员。在附图中，层和区域的大小和相对大 小为了清楚的目的可能有所夸张。贯穿全文，相似的标号指代相似的元素。当在元素列表 之后有诸如“...中的至少一个”这样的表述，该表述修饰整个元素列表而不修饰列表的个 别元素。
应当理解，当一个元件被称为“连接到”或“耦接到”另一元件时，其可以直接连接 或耦接到其它元件，或者可能存在居间元件。相反，当元件被称为“直接连接到”或“直接耦 接到”另一元件时，不存在居间元件。如这里所使用的那样，术语“和/或”包括一个或多个 相关联的列出项目中的任意一个和所有组合，并且可以省略为“/”。
应当理解，尽管这里可能用术语第一、第二等来描述各种元素，但是，这些元素不 应当被这些术语限制。这些术语只用于将元素相互区分。例如，第一信号可以称为第二信 号，类似地，第二信号可以称为第一信号，而不脱离本公开的教导。
这里使用的术语只是为了描述特定实施例的目的，而不是要对本发明进行限定。 如这里使用的，单数形式“一”也要包括复数形式，除非上下文明确说明相反含义。还应当理解，用在本说明书中时，术语“包括”和/或“包括有”或者“包含”和/或“包含有”指出 了存在所陈述的特征、区域、整体、步骤、操作、元素和/或部件，但不排除存在或添加一个 或多个其它的特征、区域、整体、步骤、操作、元素、部件和/或它们的组合。
除非另有定义，否则这里使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本 发明所属领域的普通技术人员的普遍理解相同的含义。还应当理解，诸如在通常使用的字 典中定义的那些术语，应当被理解为具有与相关技术和/或本申请的上下文中的含义一致 的含义，而不应当被以理想化或过分形式化的意义来理解，除非在这里明确地这样进行定 义。
本申请的发明构思涉及获取和估计工作负荷，也即，在调节半导体存储器件的性 能之前半导体存储器件将经历的工作负荷的强度和模式，的方法。仅在得到了工作负荷的 强度和模式之后，才能够确定半导体存储器件的最优性能，从而提高半导体存储器件的工 作寿命和容限。
图IA是根据本申请发明构思的示范性实施例的、包括电子设备控制器10的 SOC(片上系统)1的框图。图IB是根据本申请发明构思的另一示范性实施例的、包括用于 控制片上高速缓存50的电子设备控制器10’的SOCr的框图。参照图IA或图1B，SOCl (或 1’)包括电子设备控制器10 (或10’)、直接存储存取(DMA)单元20、内部存储单元30、微 处理器40和片上高速缓存50。
SOCl和1’还可以包括其它附加块，为了说明的方便起见，将不对这些块进行描 述。电子设备控制器10 (或10’),DMA单元20、内部存储器30、微处理器40和片上高速缓 存50经由系统总线60连接，以相互通信。如果SOCl和SOCr的组成元件中的一些元件对 于描述本申请发明构思来说关系不大的话，将不对它们进行具体描述。
在图IA和图IB的示范性实施例中，电子设备控制器10和10’被示为分别位于 SOCl和1’内，但是本申请发明构思并不局限于此。例如，电子设备控制器10可以位于SOCl 外。
微处理器40经由系统总线60向电子设备控制器10或10’提供与电子设备70的 操作相关的接口信息，以使得电子设备控制器10或10’可以控制电子设备70。在这种情况 下，电子设备70可以是存储器件、包括在SOCl或1’中的高速缓存存储器、相机或液晶显示 器(LCD)。
参照图1B，电子设备控制器10’可以调节(也即，调整或最优化)关于片上高速缓 存50的详细信息。详细信息包括关于片上高速缓存50的接口信息和状态信息。接口信息 与高速缓存存储器的操作相关，并且经由系统总线60接收。状态信息指示高速缓存存储器 的内部状态。高速缓存存储器可以是片上高速缓存50。在示范性实施例中，详细信息包括 接口信息或状态信息。
下文中，将假设电子设备70是存储器件且电子设备控制器10是存储器控制器，在 此基础上参照图IA描述本申请发明构思的示范性实施例，但是本申请发明构思并不局限 于此。
例如，接口信息可以包括与存储器件即电子设备70的操作相关的‘激活’命令、 ‘读’命令、‘写’命令以及‘预充电’命令。
电子设备控制器10还可以从电子设备70接收关于电子设备70的状态信息。关于电子设备70的状态信息可以包括与包括在电子设备70中的存储单元阵列的内部状态相 关的‘开’模式、‘关’模式和‘自刷新’模式。
尽管未在图IA中示出，电子设备控制器10可以经由总线60连接到外部显示设备 (未示出)，以便与外部显示设备交换信息。在这种情况下，用户可以检查外部显示设备上 的、允许电子设备控制器10控制电子设备70的各种信息，例如，接口信息和状态信息。
图2是具体示出根据本申请发明构思的示范性实施例的、图IA的电子设备控制器 10的框图。参照图2，电子设备控制器10包括收发单元110、存储单元120、计算单元130 和调节单元140。
收发单元110可以经由系统总线60接收接口信息，从电子设备70接收关于电子 设备70的状态信息，以及经由系统总线60输出包括接口信息和状态信息的详细信息。
存储单元120可以存储包括接口信息和状态信息的详细信息，以及电子设备70的 性能信息。存储单元120还可以存储关于电子设备70的基本操作的信息，例如，电子设备 70的规范说明，由调节单元140调节的详细信息，以及基于经调节的详细信息进行调节的 电子设备70的性能信息。
计算单元130基于详细信息计算电子设备70的性能信息。计算得到的性能信息 可以存储在存储单元120中。计算单元130可以被具体实施为安装在电子设备控制器10 中的硬件和/或软件。
例如，计算单元130可以通过分别将根据类型进行分类的多条详细信息的总数乘 以分配给这些详细信息的类型的性能因子，来计算电子设备70的性能信息。在这种情况 下，分配给这些详细信息的类型中每种类型的性能因子可以是包括在电子设备70的规范 说明中的值，该规范说明存储在存储单元120中。
收发单元110可以将存储在存储单元120中的详细信息提供给电子设备70，或者 可以将关于电子设备70的详细信息以及性能信息提供给系统总线60。详细信息可以经由 系统总线60提供给外部显示设备(未示出)。也就是说，不同于一般控制器，根据本示范性 实施例的电子设备控制器10可以不仅仅控制电子设备70的操作，还为用户提供关于电子 设备70的操作状态和性能的信息。
计算得出的电子设备70的性能信息可以包括，例如，当电子设备70运行时的功耗 量，电子设备70执行操作的时间量，以及电子设备70的数据发送和接收能力，但是本申请 发明构思不局限于此。
调节单元140调节关于电子设备70的详细信息(接口信息和状态信息)，然后将 经调节的详细信息存储在存储单元120中。调节单元140可以调节详细信息若干次。这里， 可以将详细信息的调节理解为改变或更新详细信息。详细信息的调节可以包括接口信息的 调节和/或状态信息的调节。
例如，接口信息的调节可以包括调整电子设备70执行的多个命令的次序，也就是 说，重新排列多个命令的次序。状态信息的调节可以不意味着直接改变状态信息，而是意味 着通过调节关于电子设备70的接口信息来导致状态信息的改变。但是，本申请发明构思并 不局限于此。
计算单元130计算基于经调节的详细信息进行调节的电子设备70的性能信息，然 后将计算得出的性能信息存储在存储单元120中。更加具体来说，计算单元130可以通过分别将根据类型进行分类的、多条经调节的详细信息的总数乘以分配给这些经调节的详细 信息的类型的性能因子，来计算已经经过调节的电子设备70的性能信息。
收发单元110可以将存储在存储单元120中的经调节的详细信息提供给电子设备 70，或者可以将经调节的详细信息以及已经经过调节的电子设备70的性能信息提供给系 统总线60。在这种情况下，经调节的详细信息以及已经经过调节的电子设备70的性能信息 可以经由系统总线60提供给外部显示设备(未示出)。
再有，调节单元140可以基于尚未经过调节的电子设备70的性能信息以及已经经 过调节的电子设备70的性能信息，确定是尚未经过调节的详细信息还是经调节的详细信 息将要被提供给电子设备70或系统总线60。
例如，调节单元140可以将基于经由系统总线60接收到的详细信息计算得出的关 于电子设备70的性能信息与基于经调节的详细信息计算得出的关于电子设备70的性能信 息进行比较，选择使得电子设备70的性能提高较多的、尚未经过调节的详细信息或者经调 节的详细信息中的一个，并且将所选择的详细信息输出到电子设备70，从而提高电子设备 70的性能。因此，电子设备控制器10可以基于经调节的接口信息访问电子设备70，从而可 以既提高电子设备70的性能，也可以提高包括电子设备70的系统的性能。
可替换地，调节单元140可以将由计算单元130计算的电子设备70的性能信息与 预定的参考性能值进行比较，然后可以基于计算结果调节详细信息。
例如，如果在预定时间点或预定时间段内由计算单元130计算的电子设备70的性 能信息小于或大于参考值，那么调节单元140就可以调节详细信息，以利用与该参考值对 应的详细信息进行更新。为此，参考性能值以及与该参考性能值对应的详细信息可以是事 先已经确定的，例如，通过仿真或测试确定然后进行存储。
例如，如果假设性能信息是功耗量，功耗参考量为10mW，根据详细信息的电子设备 70的功耗量为20mW，那么功耗量小于功耗参考量。因此，调节单元140可以调节详细信息， 以便改变详细信息。因此，不仅电子设备70的性能而且包括电子设备70的系统的性能都 可以得以提高。
再有，调节单元140可以经由系统总线60输出使得电子设备70的性能提高较多 的、接收到的详细信息和经调节的详细信息中的一个，以使得可以将关于性能得以提高的 电子设备70的信息提供给用户。
例如，现在将描述由调节单元140调节关于电子设备70的详细信息以便降低电子 设备70的功耗量的方法。如果假设基于未经调节的详细信息的、电子设备70的功耗量大 于基于经调节的详细信息的、电子设备70的功耗量，那么调节单元140可以将经调节的详 细信息提供给电子设备70，以便降低电子设备70的功耗量，并且还可以经由系统总线60将 经调节的详细信息提供给用户。
现在参照图IB和图2描述控制图IB中所示的片上高速缓存50的电子设备控制 器10’的操作。收发单元110经由系统总线60接收有关片上高速缓存50的操作的接口信 息以及片上高速缓存50的状态信息，并且将包括片上高速缓存50的接口信息和状态信息 的详细信息存储在存储单元120中。
与片上高速缓存50有关的接口信息可以包括请求信息，例如，高速缓存命中 (cache hit)、高速缓存丢失(cache miss)和旁路(bypass)信息。片上高速缓存50的状态信息可以包括局部性(locality)信息，例如，时钟信息和刷新信息。
计算单元130基于片上高速缓存50的详细信息计算片上高速缓存50的性能信 息。计算得出的性能信息存储在存储单元120中。收发单元110可以将存储在存储单元120 中的详细信息发送到片上高速缓存50，并且可以经由系统总线60输出片上高速缓存50的 详细信息和性能信息。在这种情况下，片上高速缓存50的详细信息和性能信息可以经由系 统总线60提供给外部显示设备(未示出)。
调节单元140可以调节片上高速缓存50的详细信息(也就是，接口信息和状态信 息)，并且将经调节的详细信息存储在存储单元120中。计算单元130计算基于经调节的详 细信息进行调节的片上高速缓存50的性能信息，并且将计算得出的性能信息存储在存储 单元120中。
收发单元110可以将存储在存储单元120中的经调节的详细信息发送到片上高速 缓存50，并且可以将经调节的详细信息以及经调节的片上高速缓存50的性能信息发送到 系统总线60。在这种情况下，经调节的详细信息以及经调节的片上高速缓存50的性能信息 可以经由系统总线60被输出到外部显示设备(未示出)。
再有，调节单元140可以基于未经调节的片上高速缓存50的性能以及已经经过调 节的片上高速缓存50的性能，选择是详细信息还是经调节的详细信息将要被发送到片上 高速缓存50或系统总线60。如上所述，调节单元140可以通过调节片上高速缓存50的详 细信息来提高片上高速缓存50的性能。
图3是具体示出根据本申请发明构思的示范性实施例的、图2的电子设备控制器 10中包括的调节单元140的框图。调节单元140包括调节块141和选择块142。
调节块141调节图2的电子设备70的详细信息。选择块142将未经调节的电子 设备70的性能信息与经调节的电子设备70的性能信息进行比较，并且基于比较结果选择 未经调节的详细信息或经调节的详细信息。
可替换地，选择块142可以将电子设备70的性能信息与参考性能值进行比较，并 且选择使得电子设备70的性能提高的、未经调节的详细信息或者经调节的详细信息。
图4是示出根据本申请发明构思的示范性实施例的、操作电子设备控制器的方法 的流程图。图4的方法可以由图2中所示的电子设备控制器10执行。参照图2和图4，电 子设备控制器10经由系统总线60接收详细信息，其包括与电子设备70的操作相关的接口 信息以及电子设备70的状态信息(操作S10)。
接着，计算单元130基于详细信息计算电子设备70的性能信息(操作S20)。接 着，调节单元140调节该详细信息(操作S30)，并且计算单元130计算基于经调节的详细信 息进行调节的电子设备70的性能信息(操作S40)。
接着，调节单元140确定基于经调节的详细信息计算得出的、经调节的电子设备 70的性能信息是否优于基于未调节的详细信息计算得出的、电子设备70的性能信息(操作 S50)。
如果在操作S50中确定基于经调节的详细信息计算得出的经调节的电子设备70 的性能信息优于基于未调节的详细信息计算得出的电子设备70的性能信息，那么调节单 元140就可以选择经调节的详细信息，并且将经调节的详细信息以及经调节的电子设备70 的性能信息发送到电子设备70和/或系统总线60 (操作S60)。如果在操作S50中确定基于经调节的详细信息计算得出的经调节的电子设备70的性能信息并不优于基于未调节的 详细信息计算得出的电子设备70的性能信息，那么调节单元140就可以选择未调节的详细 信息，并且将该未调节的详细信息以及未调节的电子设备70的性能信息发送到电子设备 70和/或系统总线60 (操作S70)。
图5是示出根据本申请发明构思的示范性实施例的、当电子设备70是存储器件时 根据关于图2的电子设备70的详细信息的功耗量的图。参照图2和图5，计算单元130可 以通过使用各种类型的接口信息和状态信息(X轴)以及分配给各种类型的接口信息和状 态信息的性能因子(Y轴)来计算电子设备70的性能信息。例如，在图5中，根据详细信息 的功耗量被示为性能因子的一个例子。
参照图5，根据本示范性实施例，由于‘预充电’命令PRE造成的功耗量为llmW，由 于‘激活，命令ACT造成的功耗量为20. 5mff,由于‘写，命令WR造成的功耗量为10mW，由于 ‘读，命令RD造成的功耗量为20mW，并且由于DQ命令造成的功耗量为6mW。
电子设备70的功耗量，作为电子设备的一种类型的性能信息，可以通过将多条接 口信息的总数乘以与接口信息对应的功耗量，将多条状态信息的总数乘以与状态信息对应 的功耗量，并且将乘积结果相加来计算。例如，如果输入(WR) (WR) (WR) (WR) (RD) (RD) (RD)， 也就是说，如果‘写’命令WR被输入四次，‘读’命令RD被输入三次，那么电子设备70的功 耗量为 4X 10mW+3X20mW = lOOmW。
图6是示出根据本申请发明构思的、根据存储器件的‘写’命令的电流分布的图。 图7是示出根据本申请发明构思的、根据存储器件的‘读’命令的电流分布的图。
参照图6，详细信息是包括一个‘激活’命令ACT、四个‘写’命令WR和一个‘预充 电’命令PRE的一系列命令CMD。参照图7，详细信息是包括一个‘激活’命令ACT、四个‘读’ 命令RD和一个‘预充电，命令PRE的一系列命令CMD。
参照图6，电流在1 敫活’命令ACT输入时升高到预定水平，然后下降，在‘写’命令 WR输入时升高到另一预定水平并再次下降。参照图7，电流在‘激活’命令ACT输入时升高 到另一预定水平，然后下降，在‘读’命令RD输入时升高到另一预定水平，然后再次下降。
然后，在‘预充电’命令PRE输入时电流升高到另一预定水平，并再次下降。如图 6和图7中所示，电流分布会根据命令类型而变化，因此，功耗量也会根据命令类型而变化。
参照图2，调节单元140可以通过调节包括在接口信息中的命令的次序来调节电 子设备70的性能。例如，现在将描述当电子设备70即存储器件执行图6中所示的四个‘写’ 命令WR以及图6中未示出的三个不同的‘写’命令WR时由调节单元140执行的调节操作。
如果三个不同的‘写’命令WR与图6中所示的四个‘写’命令WR分开执行，那么 为了执行三个不同的‘写’命令WR而根据馓活’命令ACT、三个不同的‘写’命令WR和‘预 充电’命令PRE的次序的命令形成电流分布，如图6中类似所示。调节单元140可以以这样 的方式来调节命令CMD的次序可以同时执行图6中所示的四个‘写’命令WR和三个不同 的‘写’命令。例如，可以将一系列命令(ACT) (WR) (WR) (WR) (WR) (PRE) (ACT) (WR) (WR) (WR) (PRE)的次序调节为(ACT) (WR) (WR) (WR) (WR) (WR) (WR) (WR) (PRE)。
然后，如果同时执行图6中所示的四个‘写’命令WR和三个不同的‘写’命令WR， 那么就根据i活’命令ACT、七个‘写’命令WR和‘预充电’命令PRE的次序的命令来形成 电流分布。因此，当同时执行图6中所示的四个‘写’命令WR和三个不同的‘写’命令WR时，‘激活’和‘预充电’命令ACT和PRE的总数小于单独执行三个不同的‘写’命令WR和图 6中所示的四个‘写’命令WR时的总数，从而降低了存储器件的功耗。
尽管已经参照本申请发明构思的示范性实施例具体示出并描述了本申请发明构 思，但是应当理解，可以在不脱离后附权利要求的精神和范围的前提下对其进行形式和细 节上的各种变化。
权利要求
1.一种电子设备控制器，包括计算单元，其基于第一信息计算电子设备的第一性能信息，该第一信息包括关于该电 子设备的操作的信息和关于该电子设备的状态的信息中的至少一个；和调节单元，其基于所计算的第一性能信息，调节第一信息，以生成第二信息。
2.如权利要求1所述的电子设备控制器，还包括存储单元，其存储第一信息和第一性 能信息，其中，所述计算单元还基于第二信息计算所述电子设备的第二性能信息，以及所述调节单元基于第一性能信息和第二性能信息选择第一信息或第二信息。
3.如权利要求1所述的电子设备控制器，其中，所述调节单元在比较中将第一性能信 息与预定性能值进行比较，并且基于比较结果调节第一信息以生成与所述预定性能值对应 的第二信息。
4.如权利要求3所述的电子设备控制器，其中，所述第一信息包括关于所述电子设备 的操作的信息以及关于所述电子设备的状态的信息，所述关于所述电子设备的操作的信息 是接口信息，并且关于所述电子设备的状态的信息是关于所述电子设备的内部状态的状态 信息，以及其中，所述电子设备控制器还包括收发单元，该收发单元将所述接口信息和状态信息 中的至少一个发送到所述电子设备或外部显示设备。
5.如权利要求4所述的电子设备控制器，其中，所述计算单元通过分别使用分配给所 述接口信息和所述状态信息的预定性能因子，来计算所述电子设备的第一性能信息。
6.如权利要求5所述的电子设备控制器，其中，所述计算单元通过分别将根据类型进 行分类的多条第一信息的总数乘以分配给该多条第一信息的类型的性能因子，来计算所述 电子设备的第一性能信息。
7.如权利要求4所述的电子设备控制器，其中，所述调节单元包括调节块，其通过改变所述接口信息和所述状态信息中的至少一个的次序来调节第一 信息，或者通过删除或重新排列所述接口信息和所述状态信息中的至少一个来调节第一信 息；和选择块，其通过将第一性能信息与第二性能信息进行比较或者通过将第一性能信息与 所述预定性能值进行比较，来选择第一信息或第二信息。
8.如权利要求4所述的电子设备控制器，其中，所述接口信息包括用于所述电子设备 的至少一个命令，以及所述调节单元通过改变所述至少一个命令的次序来调节第一信息。
9.如权利要求4所述的电子设备控制器，其中，所述电子设备是存储器件，所述电子设备控制器是控制所述存储器件的存储器控制器，以及所述接口信息包括用于访问所述存储器件的命令。
10.如权利要求3所述的电子设备控制器，其中，所述第一性能信息包括基于第一信息 的所述电子设备的功耗量，所述调节单元将基于第一信息的所述电子设备的功耗量与基于第二信息的所述电子 设备的功耗量进行比较，并且选择第一信息和第二信息中对应于较低功耗的一个，或者将 由所述计算单元计算的、所述电子设备的功耗量与功耗参考量进行比较，并且基于比较结一信息和第二信息中的一个调节为对应于所述功耗参考量。
11.如权利要求1所述的电子设备控制器，其中，所述电子设备是高速缓存存储器或显 示设备。
12.一种电子系统，包括权利要求1所述的电子设备控制器。
13.一种电子设备控制器，包括存储单元，其存储所述电子设备的第一信息和第一性能信息，该第一信息包括关于所 述电子设备的操作的信息和关于所述电子设备的状态的信息中的至少一个； 计算单元，其基于第一信息计算所述电子设备的第一性能信息；和 调节单元，其调节存储在所述存储单元中的、关于所述操作和所述状态的信息中的至 少一个，以生成第二信息，并且基于第一性能信息和基于第二信息计算的电子设备的第二 性能信息，选择第一信息和第二信息之一。
14.如权利要求13所述的电子设备控制器，其中，所述计算单元通过使用分配给根据 类型分类的多条第一信息的类型的预定性能因子，来计算所述电子设备的第一性能信息。
全文摘要
本申请提供一种电子设备控制器和包括该电子设备控制器的电子系统。该电子设备控制器包括计算单元，用于基于关于电子设备的操作和状态的详细信息，计算该电子设备的性能信息；和调节单元，用于基于所计算的电子设备的性能信息，调节详细信息中的至少一个。
文档编号G06F1/32GK102033598SQ201010297699
公开日2011年4月27日 申请日期2010年9月21日 优先权日2009年9月23日
发明者金正来 申请人:三星电子株式会社