专利名称：单元结构及方法
技术领域：
公开的系统和方法涉及的是半导体。更具体地，公开的系统和方法涉及的是半导 体衬底上的电路设计和布局。
背景技术：
在半导体器件的尺寸持续缩小的同时，在半导体衬底上产生更小图案的能力则持续提高。在光刻エ艺中，对于光的给定波长而言，存在利用单个光掩模产生清洁线(cleanline)的最小行间隔。2P2Eエ艺(使用两个光刻步骤和两个蚀刻步骤的エ艺)可以通过使用用于在相同层中形成图案的两个图案化步骤来产生更小的半导体器件。2P2Eエ艺使用两个光掩模和两个蚀刻步骤在单个光刻胶层中分别相应地形成不同的图案，在每个独立的图案化步骤过程中使用了相对较大的线间距(line pitch)。与使用单光刻步骤和单蚀刻步骤的半导体制造エ艺，即，单光刻单蚀刻(IPlE)エ艺相比，2P2Eエ艺大体上包括两个额外的步骤。
发明内容
为了解决现有技术中所存在的问题，根据本发明的ー个方面，提供了ー种方法，包括选择出存储在非瞬态计算机可读存储介质中的単元，根据设计规则设计所述単元，在所述设计规则中，第一电源连接通孔所符合的标准选自包含以下标准的组i)所述第一电源连接通孔与第二电源连接通孔间隔开的距离大于使得所述单元能够通过单光刻单蚀刻エ艺制造的阈值距离，或者ii)所述第一电源连接通孔与基本上平行的第一导线和第二导线相连接，所述第一导线和所述第二导线沿着直接邻近的轨道延伸；将多个所述单元布置在半导体器件的模型上；以及基于所述半导体器件的所述模型为所述半导体器件形成掩模。在该方法中，进ー步包括将所述半导体器件的所述模型存储在所述非瞬态计算机可读存储介质中；以及使用所述掩模制造所述半导体器件，其中，使用单光刻步骤和单蚀刻步骤制造所述电源连接通孔。在该方法中，所述第一电源连接通孔可能是沿着相应的轨道设置的多个电源连接通孔之一，所述多个电源连接通孔在第一方向上相互对齐，并且被至少ー个不包括电源连接通孔的轨道相互间隔开。在该方法中，所述第一电源连接通孔可能是多个沿着相应的轨道设置的电源连接通孔之一，所述多个电源连接通孔沿着直接邻近的轨道设置，并且在第一方向和第二方向上相互移位。在该方法中，所述第一方向可能是X方向，所述第二方向可能是y方向。
在该方法中，所述多个电源连接通孔可能被设置在第一电源线上，并且与所述第ー电源线相连接。在该方法中，所述第一电源连接通孔可能被设置在第一电源线上，并且与所述第ー电源线相连接。在该方法中，第二通孔可能被设置在第一电源线和第二电源线之间，并且在与所述第一导线和所述第二导线的延伸方向基本上垂直的方向上延伸。在该方法中，所述第一电源连接通孔可能由多个电源连接通孔形成，使得所述第 一电源连接通孔的面积大于形成所述第一电源连接通孔的单个电源连接通孔的面积。在该方法中，所述第一电源连接通孔可能通过第三导线与基本上平行的所述第一导线和所述第二导线相连接，所述第三导线在与所述第一导线和所述第二导线的延伸方向基本上垂直的方向上延伸。在该方法中，所述第一电源连接通孔可能被设置在第一电源线上，并且与所述第ー电源线相连接。根据本发明的另一方面，提供了一种系统，包括非瞬态计算机可读存储介质，包括表示用于建模和/或制造半导体器件的単元的数据，根据设计规则设计所述単元，在所述设计规则中，第一电源连接通孔所符合的标准选自包含以下标准的组i)所述第一电源连接通孔与第二电源连接通孔间隔开的距离大于使得所述单元能够通过单光刻单蚀刻エ艺制造的阈值距离，或者ii)所述第一电源连接通孔与基本上平行的第一导线和第二导线相连接，所述第一导线和所述第二导线沿着直接邻近的轨道延伸；以及处理器，与所述非瞬态计算机可读存储介质相通信，所述处理器被配置为选择出所述单元，将多个所述单元布置在半导体器件的模型上，以及将包括所述多个単元的所述半导体器件的所述模型存储在所述非瞬态计算机可读存储介质中。在该系统中，所述第一电源连接通孔可能是沿着相应的轨道设置的多个电源连接通孔之一，所述多个电源连接通孔在第一方向上相互对齐，并且被至少ー个不包括电源连接通孔的轨道相互间隔开。在该系统中，所述第一电源连接通孔可能是多个沿着相应的轨道设置的电源连接通孔之一，所述多个电源连接通孔沿着直接邻近的轨道设置，并且在第一方向和第二方向上相互移位。在该系统中，第二通孔可能被设置在第一电源线和第二电源线之间，并且在与所述第一导线和所述第二导线的延伸方向基本上垂直的方向上延伸。在该系统中，所述第一电源连接通孔可能通过第三导线与基本上平行的所述第一导线和所述第二导线相连接，所述第三导线在与所述第一导线和所述第二导线的延伸方向基本上垂直的方向上延伸。根据本发明的又一方面，提供了ー种利用程序代码编码的非瞬态计算机可读存储介质，其中，当通过处理器执行所述程序代码时，所述处理器实施ー种方法，所述方法包括选择出用于建模和/或制造半导体器件的単元，根据设计规则设计所述単元，在所述设计规则中，第一电源连接通孔所符合的标准选自包含以下标准的组i)所述第一电源连接通孔与第二电源连接通孔间隔开的距离大于使得所述单元能够通过单光刻单蚀刻エ艺制造的阈值距离，或者ii)所述第一电源连接通孔与基本上平行的第一导线和第二导线相连接，所述第一导线和所述第二导线沿着直接邻近的轨道延伸；以及将多个所述単元布置在半导体器件的模型上；以及存储所述模型的电子表示。在该非瞬态计算机可读存储介质中，所述第一电源连接通孔可能是沿着相应的轨道设置的多个电源连接通孔之一，所述多个电源连接通孔沿着第一方向相互对齐，并且通过至少ー个不包括电源连接通孔的轨道相互间隔开。在该非瞬态计算机可读存储介质中，所述第一电源连接通孔可能是多个沿着相应的轨道设置的电源连接通孔之一，所述多个电源连接通孔沿着直接邻近的轨道设置，并且在第一方向和第二方向上相互移位。在该非瞬态计算机可读存储介质中，第二通孔可能被设置在第一电源线和第二电源线之间，并且在与所述第一导线和所述第二导线的延伸方向基本上垂直的方向上延伸。 在该非瞬态计算机可读存储介质中，所述第一电源连接通孔可能通过第三导线与基本上平行所述第一导线和所述第二导线相连接，所述第一电源连接通孔在与所述第一导线和所述第二导线的延伸方向基本上垂直的方向上延伸。
图I是使用改良的单元限制(cell constraint)在半导体晶圆上制造电路的方法的一个实例的流程图；图2是被配置为实施根据图I的方法的ー些或所有的系统的ー个实例的框图；图3A和图3B示出了布局在单元上的已形成的轨道和通孔；图4示出的是包括沿着邻近轨道延伸的通孔的单元；图5A-图示出了在其中垂直的通孔被合并成在邻近轨道中朝向电源线延伸的连接通孔的实施例。 图6A和图6B示出了在其中导电层被用于在源极和有源区域之间延伸的连接通孔的实施例；图7示出的是根据设计规则分离的単元对的实例。图8示出的是与其他单元相对设置的单元的ー个实例。
具体实施例方式所公开的系统和方法能够使用单光刻步骤和单蚀刻步骤(IPlE)在半导体衬底上制造电路，该单光刻步骤和单蚀刻步骤形成了用于连接电源的垂直通孔(“电源连接通孔”)。这些公开的系统和方法能够有利地减小了用于形成电源连接通孔的加工步骤的数量，还降低了用于电路制造的加工时间和制造费用。根据至少ー个能够通过IPlEエ艺制造一个或多个电源连接通孔的设计规则，一个或多个电源连接通孔被布置在単元中。该设计规则规定第一电源连接通孔与第二电源连接通孔间隔的距离大于使得第一和第二电源连接通孔能够通过IPlEエ艺(无论单元对是否相互邻近地、水平地或垂直地布置)制造的阈值距离，或第一电源连接通孔将与基本上平行的第一导线和第二导线连接，这些导线沿着被限定在単元中的、直接邻近的轨道延伸。为了确保第一电源连接通孔将以大于使得第一电源连接通孔和第二电源连接通孔能够通过IPlEエ艺制造的阈值距离的距离与第二电源连接通孔相间隔，电源连接通孔对在单元边界处可以具有相同的y坐标并且通过将这两个电源连接通孔布置在交替的轨道(例如，在一个实施例中仅在用奇数标号的轨道上，或在其他实施例中仅在用偶数标号的轨道上)上来沿着X方向间隔。可选地，在另ー实施例中，电源连接通孔对可以布置在邻近的轨道中，但并不是所有的都布置在単元边界上。位于临街的轨道中的电源连接通孔具有不同的y坐标，使得电源连接通孔之间的距离至少等于IPlEエ艺(无论単元对是否相互邻近地、水平地、或垂直地布置)中所允许的最小距离。例如，用偶数标号的轨道可以具有位于单元边界上的电源连接通孔，而用奇数标号的轨道则具有朝向単元内部移位的电源连接通孔。因此，奇数标号的轨道中的电源连接通孔通常与该奇数标号的轨道中的电源连接通孔和偶数标号的轨道中的电源连接通孔都距离足够远，从而允许IPlEエ艺形成奇数轨道和偶数軌道。 參考图I描述了用于在半导体衬底上制造电路的改良的方法100，图I是该方法的流程图。可以通过系统(诸如，图2中所示的系统200)来整体地或部分地实施方法100。系统200包括电子设计自动化(“EDA”)工具210，诸如，由来自于Mountain View, CA的Synopsys公司所销售的“ IC COMPILER” ，该电子设计自动化工具带有布线工具220，诸如，同样由Synopsys所销售的“ ZROUTE ” 。还可以使用其他EDA工具210，诸如，全部由来自于San Jose,CA的Cadence Design System公司所销售的例如,“VIRTUOSO”用户定制平台或Cadence “ENCOUNTER” 数字IC设计平台以及“VIRTUOSO”芯片组装布线工具220。EDA工具210是专用计算机,该专用计算机通过从计算机的可读存储介质230、240中检索存储的程序指令236并且在通用处理器214上执行这些指令而形成。处理器214可以是任意的中央处理单元(CPU)、微处理器、或用于执行指令的微控制器或计算器件。非瞬态机器可读存储介质230、240可以是闪存、随机存储器(“RAM”)、只读存储器(“ROM”)或其他存储介质。RAM的实例包括但并不限于静态RAM( “SRAM”)和动态RAM( “DRAM”)。ROM包括但并不限于可编程ROM( “PR0M”)、电可编程ROM( “EPR0M”)、以及电可擦可编程ROM( “EEPR0M”)，以上仅列举出ー些可能性。系统200可以包括显示器216和用户界面或输入器件212，诸如，例如，鼠标、触摸屏、麦克风、跟踪球、键盘、或其他用户可以通过其向系统200输入设计指令和布局指令的器件。一个或多个计算机可读存储介质230、240可以存储由用户输入的存储数据，诸如，电路设计和単元信息232，该单元信息可以包括单元库232a、设计规则234、一个或多个程序文件236、以及ー个或多个图形数据系统(“⑶S”)II文件242。EDA工具210还可以包括允许软件和数据在EDA工具210和外部器件之间传送的通信接ロ 218。通信接ロ 218的实例包括但并不限于，调制解调器、以太网卡、无线网卡、个人计算机存储卡国际协会(“PCMCIA”)接口和卡等。通过通信接ロ 218传送的软件和数据可以是信号的形式，该信号可以是电子的、电磁的、光学的、或适合被通信接ロ 218接收的类似形式。可以通过通信轨道(例如，信道)将这些信号提供给通信接ロ 218，可以使用引线、电缆、光纤、电话线、移动电话链接(cellular link)、射频(“RF”)链接、以及其他通信信道实现该通信通路。布线工具220能够接收将包括在电路布局中的多个单元的标识，包括将被相互连接的多个单元之内的(从单元库232a中挑选出来的)单元对的列表232。设计规则234可以被用于各种加工技术(例如，大于、小于、或等于32nm的技术)。在一些实施例中，设计规则234将布线工具220配置为将连接线和通孔布置在制造栅格上。其他实施例可以允许布线工具包括布局中的无栅格连接线和/或通孔。再次參考图1，在框102中，在半导体衬底上确定出多个将沿着其设置电源连接通孔的轨道。例如，图3A示出了単元300，该单元包括与第二电源线304分隔开的第一电源线302。掺杂区域306-1和306-2( “掺杂区域306”)以及308-1和308-2( “掺杂区域308”)被设置在电 源线302和304之间。本领域的技术人员可以理解，掺杂区域306、308可以包括用于在半导体衬底中形成有源区域的η型和/或P型掺杂物。在半导体衬底上确定出多个将沿着其形成电源连接通孔的轨道310-1、310-2、310-3和310-4( “轨道310”)，这些轨道平行于多晶硅层312并且在其间延伸。多晶硅层312可以是形成在掺杂区域306、308上的一个或多个晶体管的多晶硅栅极。在一些实施例中，邻近的轨道之间的垂直距离小于在用于特定技术节点的单掩模(IPlE)エ艺中的邻近通孔之间的可允许距离。尽管如此，使用在本文中所描述的技术，仍旧能够使用IPlEエ艺。在框104中，根据设计规则，电源连接通孔被设置在位于电源线上的选择轨道310上。在一些实施例中，设计规则可以规定単元边界处的电源连接通孔316不被设置在沿着邻近着的轨道的位置上，沿着这些邻近着的轨道延伸的也可以是金属线或导线314-1、314-2,314-3( “导线314”)。例如，具有相同y坐标的电源连接通孔可以设置在偶数轨道上，但不设置在奇数轨道上，或具有相同y坐标的电源连接通孔可以设置在奇数轨道上，但不设置在偶数轨道上。导线314沿着基本上ニ维的(planar)x方向和y方向延伸，并且通过垂直于ニ维的X方向和y方向(即，z方向)延伸的电源连接通孔与电源线302、304相连接。图3B示出的是单元的ー个实例，在该实例中，电源连接通孔受到限制，使得这些通孔不沿着邻近着的轨道310设置。如图3B所示，导线314-1沿着轨道310-1设置并且从电源线304延伸到掺杂区域308-1。导线314-1通过电源连接通孔316-1与电源线304相连接，该电源连接通孔垂直于平面延伸，在该平面中导线314以及电源线302和304延伸穿过半导体衬底的层。导线314-2和314-3沿着轨道310-3延伸。导线314-2通过电源连接通孔316-2与电源线302相连接，而导线314-3通过电源连接通孔316-3与电源线304相连接。因此，设计规则可以规定将至少一个“空的”轨道(即，没有电源连接通孔沿着其设置的轨道)布置在沿着其利用相同的或几乎相同的y坐标设置了电源连接通孔的轨道之间。在一些实施例中，设计规则可以规定沿着直接邻近的轨道(例如，轨道310-1、310-2)设置电源连接通孔，但可以改变成在邻近着的轨道中的电源连接通孔不具有相同的y坐标。两个电源连接通孔可以在相同的轨道(即，相同的X坐标)上相互对齐，只要这两个电源连接通孔相互间隔足够远从而可以满足用于单掩模(“1P1E”)エ艺的最小间距即可。例如，图4示出了単元400，其中，在该单元中导线314分别通过电源连接通孔316-1和316-2与电源线302相连接，并且被设置在邻近的轨道310 (例如，轨道310-2和310-3)上。如图4所示，电源连接通孔316-2设置在电源线302的延伸部318上，使得电源连接通孔316-2并未沿着X方向或y方向与电源连接通孔316-1对齐(S卩，电源连接通孔316-2具有与电源连接通孔316-1不同的X坐标和y坐标)。延伸部318从电源线302中朝向单元400的内部延伸，并且电源连接通孔316-2被设置在该延伸部318上，使得该电源连接通孔316-2相对与电源连接通孔316-1沿着γ坐标朝向单元的内部移位。
在一些实施例中，设计规则可以規定导线沿着直接邻近的轨道延伸，并且通过合并邻近的电源连接通孔而连接在一起，从而形成单个加长的水平电源连接通孔，该电源连接通孔横跨(span)两条轨道。例如，图5A-图示出了这种设计规则的多个实施例。參考图5A，导线314-1和314-2分别沿着轨道310-1和310-2延伸，并且在电源连接通孔320处相互连接并且与电源线302相连接，该电源连接通孔320则通过合并电源连接通孔316-1和316-2形成。图5B示出的是在其中导线314-1、314-2和314-4在电源连接通孔322处与电源线302相连接的实施例。根据该设计规则，具有相同y坐标并且被连接成公共导体的电源连接通孔对被合并到一起，从而形成如图5A中所示的单个的延长通孔。该延长通孔322可以具有比被合并到通 孔322中的电源连接通孔316-1 316-4的组合面积更大的面积。图5C示出了另ー个实施例，其中，导线314-1、314-2、和314_3通过电源连接通孔324连接在一起，该电源连接通孔324则通过合并电源连接通孔316-1、316-2、和316-3形成。图示出的是在其中将314-1、314-2、314-3、和314-5通过电源连接通孔324连接在一起的实施例，该电源连接通孔324则通过合并316-1 316-4形成。在一些实施例中，设计规则可以将沿着直接邻近的轨道延伸的通孔和导线连接在一起，从而形成设置在电源线之间的单个电源连接通孔。例如，图6A和图6B示出了这种设计规则的多个实施例。首先参考图6A，单元600A包括分别在电源线302和有源区域306-1之间以及在电源线302和有源区域306-3之间延伸的导线314-1和314-3，以及分别在电源线304和有源区域306-2之间以及电源线304和有源区域306-4之间延伸的导线314-2和314-4。其他导电层322-1 (例如，金属零层，MO)在导线314-1和314-3之间延伸并且与该导线314-1和314-3电连接，该导线314-1和314-3在电源连接通孔316-1处与电源线302相连接。类似地，导电层322-2在导线314-2和314-4之间延伸并且与该导线314-2和314-4电连接，该导线314-2和314-4在电源连接通孔316-2处与电源线304相连接。本领域的技术人员可以理解，线314和导电层322可以设置在不同的层中。切割聚合物层328被用于隔离线314-1与导线314-2、导线314-3与导线314-4以及多晶硅层312-1与多晶硅层 312-2。图6B示出了在其中通孔316-3将导线314-1与导线314-3相连接的实施例，这些导线分别沿着紧邻的轨道310-2和310-3延伸并且在垂直通孔316-1处与电源线302相连接。类似地，通孔316-4将导线314-2与导线314-4相连接，这些导线分别沿着紧邻的轨道310-2和310-3延伸并且通过电源连接通孔316-2与电源线304相连接。再次參考图1，在框106中，可以应用其他设计规则来产生两次或多次単元分离(cell splits，S卩，两次或多次互补的单元设计)，使得単元可以相互邻近地设置，在邻近的単元之间具有最小的间隔。例如，第一分离单元可以在偶数轨道或奇数轨道上开始，而第二单元则在与第一単元起始(即，奇数轨道或偶数軌道)的轨道类型相反的轨道类型上开始，并且位于单元边界处的电源连接通孔可以是两个分离单元的奇数轨道上。在一些实施例(诸如，图7所示的实施例)中,在一个单元分离中沿着单元边界延伸的两条轨道都包括电源连接通孔，而第二単元分离中沿着単元边界设置的轨道却不包括电源连接通孔。如图7所示，单元300-1的奇数轨道310-1、310-3、和310-5包括沿着其长度设置的电源连接通孔 316-1、316-2、316-3、316-4、316-5、和 316-6，而轨道 310-1 和 310-5是最外面的沿着单元边界延伸的轨道。单元300-2的奇数轨道310-7和310-9还包括沿着其长度的电源连接通孔316-7、316-8、316-9、和316-10，但单元300-2具有被作为其最外面的轨道的、沿着単元边界延伸的偶数轨道310-6和310-10。因此，可以紧凑地布置単元300-1和300-2来最小化邻近的单元的间距。在框108中，可以将单元设计数据保存到单元库232a中的非瞬态计算机可读存储介质230、240。根据上述ー个或多个设计规则，被存储在单元库232a中的单元数据被设计成能够使用IPlEエ艺制造电源连接通孔。例如，存储在单元库232a中的单元可以包括至少ー个单元，在该至少一个单元中，电源连接通孔被设置在不相互直接邻近的轨道中，使得至少ー个沿着其没有设置电源连接通孔的轨道位于沿着其设置了电源连接通孔的两个轨道之间。在一些实施例中，単元库232a包括至少两个単元或単元分离，每个都具有沿着交替的非直接邻近的轨道(即，偶数轨道或奇数軌道)设置的电源连接通孔。可以将ー个或多个单元设计存储在单元库232a中，在这些单元设计中，电源连接通孔沿着直接邻近的轨道设置，但要沿着I方向相互移位 (偏移)，使得位于直接邻近的轨道中的电源连接通孔不沿着X方向和y方向对齐(即，这些电源连接通孔具有不同的X坐标和不同的y坐标)。位于邻近的轨道中的电源连接通孔之间的y偏移得足够大，以使位于两个邻近的轨道中的通孔之间的距离至少等于所使用的技术的IPlEエ艺中的邻近通孔之间的最小距离。可以在单元库232a中存储ー个或多个单元设计，其中，导线沿着直接邻近的轨道延伸并且通过电源连接通孔连接在一起，该电源连接通孔则通过将多个通孔合并成单个电源连接通孔而形成。存储在单元库232a中的ー个或多个单元设计可以包括在其中导线沿着邻近着的轨道延伸并且通过将导电层和/或通孔设置在电源线之间而连接在一起的単元。在图I的框110中，根据设置规则，単元被设置和布置在用于IC管芯的光掩模布局上。在一些实施例中，设置规则可以提供在具有设置在沿着单元边界的轨道中的通孔的邻近的単元之间产生间隔。例如，图8示出了多个以相互邻近的关系设置在半导体衬底上的单元400-1、400-2、400-3和400-4。如图8所示，单元400-1在线326处与单元400-2邻近并且在线328处与单元400-3邻近，单元400-2在线326处与单元400-1邻近并且在线328处与单元400-4邻近，单元400-3在线328处与单元400-1邻近并且在线326处与单元400-4邻近，而单元400-4在线328处与单元400-2邻近并且在线326处与单元400-3邻近。单元400-1、400-2、400-3和400-4被布置成使得相应的(例如，沿着y方向延伸的)偶数/奇数轨道310从ー个単元到另ー个単元共线地对齐(即，奇数轨道与奇数轨道对齐，而偶数轨道与偶数轨道对齐)。根据上述设计规则中的ー个或多个所设计出来的单元400-1、400-2、400-3和400-4可以被设置成使得邻近的单元之间的间隔最小化并且同时能够使用IPlEエ艺形成电源连接通孔。可以从非瞬态的计算机可读存储介质230、240(诸如，从单元库232a)中检索出通过EDA工具200设置和布置在衬底上的单元设计。在框112中，可以将单元的布置以电子文件242的方式存储在ー个或多个非瞬态机器可读存储介质230、240中。如上所述，非瞬态机器可读存储介质230、240的实例包括但不限于闪存、RAM、和/或更多持续的存储器诸如，ROM。RAM的实例包括但不限于SRAM或DRAM。ROM可以被实现为PROM、EPROM、或EEPR0M，以上列举出了ー些可能性。如本领域的技术人员所理解的那样，电子文件242可以是GDS II格式文件。在图I的框114中，GDS II文件242被使用在掩模制作设备(诸如，光学图像发生器)中，从而为包括改进的単元的电路产生掩模。在框114中，如本领域的技术人员所理解的那样，布线工具220可以制造出包括了位于半导体晶圆上的単元的电路。可以使用IPlEエ艺制造电路的电源连接通孔。在一些实施例中，ー种方法，包括选择出存储在非瞬态计算机可读存储介质中的単元，将多个単元布置在半导体器件的模型上，以及基于该半导体器件的模型产生出用于该半导体器件的掩模。该单元是根据设计规则设计的，在该设计规则中，第一电源连接通孔所符合的标准选自包含以下标准的组i)第一电源连接通孔与第二电源连接通孔间隔开的距离大于使得単元能够通过单光刻单蚀刻エ艺制造的阈值距离，或ii)第一电源连接通孔与基本上平行的第一导线和第二导线相连接，该第一导线和第二导线沿着直接邻近的轨道延伸。
在一些实施例中，一种系统，包括非瞬态计算机可读存储介质以及与该非瞬态计算机可读存储介质相通信的处理器。该非瞬态计算机可读存储介质包括数据，该数据表示了用于建模和/或制造半导体器件的単元。该单元是根据设计规则设计的，在该设计规则中，第一电源连接通孔所符合的标注选自包含以下标准的组i)第一电源连接通孔与第ニ电源连接通孔间隔开的距离大于使得単元能够通过单光刻单蚀刻エ艺制造的阈值距离，或者ii)第一电源连接通孔与基本上平行的第一导线和第二导线相连接，该第一导线和第ニ导线沿着直接邻近的轨道延伸。处理器被配置为选择出単元，将多个単元布置在半导体器件的模型上，并且将包括多个单元的半导体器件模型存储在非瞬态计算机可读存储介质中。在一些实施例中，利用程序代码将非瞬态计算机可读存储介质编码，其中，当处理器执行该程序代码时，处理器执行ー种方法。该方法包括选择出用于建模和/或制造半导体器件的単元，将多个単元布置在半导体器件上，并且存储模型的电子表示。该单元是根据设计规则设计的，在该设计规则中，第一电源连接通孔所符合的标准选自包含以下标准的组i)第一电源连接通孔与第二电源连接通孔间隔开的距离大于使得単元能够通过单光刻单蚀刻エ艺制造的阈值距离，或者ii)第一电源连接通孔与基本上平行的第一导线和第ニ导线相连接，这些导线沿着直接邻近的轨道延伸。上述的方法和単元能够有利地使用单光刻步骤和单蚀刻步骤在半导体衬底上制造电路。在IPlEエ艺中使用单掩模形成通孔减少了用于制造电路的加工步骤的数量，还降低了加工时间和制造成本。上述方法可以至少部分地以计算机实现エ艺的形式以及用于执行这些エ艺的装置的形式体现出来。该方法还可以至少部分地以计算机程序代码的形式体现在有形的非瞬态机器可读存储介质(诸如，RAM、ROM、CD-ROM、DVD-ROM、BD-ROM、硬盘驱动器、闪存\或任意其他非瞬态机器可读存储介质)中，其中，当计算机程序代码被装载到计算机中并且由其执行时，计算机就变成了用于执行该方法的装置。该方法可以至少部分地以计算机程序代码的形式体现出来，无论该程序代码是被装载到计算机中和/或由计算机执行，从而使得当计算机程序代码被装载到计算机中并且由其执行时，计算机就变成了用于执行该方法的装置。在通用处理器上实现时，计算机程序代码段将处理器配置成形成具体的逻辑电路。该方法可以可选地至少部分地体现为数字信号处理器，该数字信号处理器由根据本文所公开的原则来实施方法的专用集成电路形成。尽管已经以一系列的示例性实施例描述了公开的系统和方法，但该系统和方法并不局限于此。然而，应该广泛地理解所附的权利要求，其包括在不背离该系统和方法的等效 形式的范围和限制的标准下，本领域的技术人员可以实现的系统和方法的其他变型和实施例。权利要求中所使用的分隔符(诸如，‘a)’和‘i)’)不应该为权利要求安排任何顺序，而只是作为添加在权利要求分析中的视觉提示以及在文章中随后将被引用的权利要求的特定部分的标识。
权利要求
1.一种方法，包括 选择出存储在非瞬态计算机可读存储介质中的单元，根据设计规则设计所述单元，在所述设计规则中，第一电源连接通孔所符合的标准选自包含以下标准的组 i)所述第一电源连接通孔与第二电源连接通孔间隔开的距离大于使得所述单元能够通过单光刻单蚀刻工艺制造的阈值距离，或者 )所述第一电源连接通孔与基本上平行的第一导线和第二导线相连接，所述第一导线和所述第二导线沿着直接邻近的轨道延伸； 将多个所述单元布置在半导体器件的模型上；以及 基于所述半导体器件的所述模型为所述半导体器件形成掩模。
2.根据权利要求I所述的方法，进一步包括 将所述半导体器件的所述模型存储在所述非瞬态计算机可读存储介质中；以及使用所述掩模制造所述半导体器件，其中，使用单光刻步骤和单蚀刻步骤制造所述第一电源连接通孔，或者 其中，所述第一电源连接通孔是沿着相应的轨道设置的多个电源连接通孔之一，所述多个电源连接通孔在第一方向上相互对齐，并且被至少一个不包括电源连接通孔的轨道相互间隔开。
3.根据权利要求I所述的方法，其中，所述第一电源连接通孔是多个沿着相应的轨道设置的电源连接通孔之一，所述多个电源连接通孔沿着直接邻近的轨道设置，并且在第一方向和第二方向上相互移位。
4.根据权利要求3所述的方法，其中，所述第一方向是X方向，所述第二方向是y方向，或者 其中，所述多个电源连接通孔设置在第一电源线上，并且与所述第一电源线相连接。
5.根据权利要求I所述的方法，其中，所述第一电源连接通孔设置在第一电源线上，并且与所述第一电源线相连接，并且 其中，第二通孔设置在第一电源线和第二电源线之间，并且在与所述第一导线和所述第二导线的延伸方向基本上垂直的方向上延伸。
6.根据权利要求I所述的方法，其中，所述第一电源连接通孔由多个电源连接通孔形成，使得所述第一电源连接通孔的面积大于形成所述第一电源连接通孔的单个电源连接通孔的面积，或者 其中，所述第一电源连接通孔通过第三导线与基本上平行的所述第一导线和所述第二导线相连接，所述第三导线在与所述第一导线和所述第二导线的延伸方向基本上垂直的方向上延伸，或者 其中，所述第一电源连接通孔设置在第一电源线上，并且与所述第一电源线相连接。
7.一种系统,包括 非瞬态计算机可读存储介质，包括表示用于建模和/或制造半导体器件的单元的数据，根据设计规则设计所述单元，在所述设计规则中，第一电源连接通孔所符合的标准选自包含以下标准的组 i)所述第一电源连接通孔与第二电源连接通孔间隔开的距离大于使得所述单元能够通过单光刻单蚀刻工艺制造的阈值距离，或者ii)所述第一电源连接通孔与基本上平行的第一导线和第二导线相连接，所述第一导线和所述第二导线沿着直接邻近的轨道延伸；以及 处理器，与所述非瞬态计算机可读存储介质相通信，所述处理器被配置为 选择出所述单元， 将多个所述单元布置在半导体器件的模型上，以及 将包括所述多个单元的所述半导体器件的所述模型存储在所述非瞬态计算机可读存储介质中。
8.根据权利要求7所述的系统，其中，所述第一电源连接通孔是沿着相应的轨道设置的多个电源连接通孔之一，所述多个电源连接通孔在第一方向上相互对齐，并且被至少一个不包括电源连接通孔的轨道相互间隔开，或者 其中，所述第一电源连接通孔是多个沿着相应的轨道设置的电源连接通孔之一，所述多个电源连接通孔沿着直接邻近的轨道设置，并且在第一方向和第二方向上相互移位，或者 其中，第二通孔设置在第一电源线和第二电源线之间，并且在与所述第一导线和所述第二导线的延伸方向基本上垂直的方向上延伸，或者 其中，所述第一电源连接通孔通过第三导线与基本上平行的所述第一导线和所述第二导线相连接，所述第三导线在与所述第一导线和所述第二导线的延伸方向基本上垂直的方向上延伸。
9.一种利用程序代码编码的非瞬态计算机可读存储介质，其中，当通过处理器执行所述程序代码时，所述处理器实施一种方法，所述方法包括 选择出用于建模和/或制造半导体器件的单元，根据设计规则设计所述单元，在所述设计规则中，第一电源连接通孔所符合的标准选自包含以下标准的组 i)所述第一电源连接通孔与第二电源连接通孔间隔开的距离大于使得所述单元能够通过单光刻单蚀刻工艺制造的阈值距离，或者 )所述第一电源连接通孔与基本上平行的第一导线和第二导线相连接，所述第一导线和所述第二导线沿着直接邻近的轨道延伸；以及将多个所述单元布置在半导体器件的模型上；以及存储所述模型的电子表示。
10.根据权利要求9所述的非瞬态计算机可读存储介质，其中，所述第一电源连接通孔是沿着相应的轨道设置的多个电源连接通孔之一，所述多个电源连接通孔沿着第一方向相互对齐，并且被至少一个不包括电源连接通孔的轨道相互间隔开，或者 其中，所述第一电源连接通孔是多个沿着相应的轨道设置的电源连接通孔之一，所述多个电源连接通孔沿着直接邻近的轨道设置，并且在第一方向和第二方向上相互移位，或者 其中，第二通孔设置在第一电源线和第二电源线之间，并且在与所述第一导线和所述第二导线的延伸方向基本上垂直的方向上延伸，或者 其中，所述第一电源连接通孔通过第三导线与基本上平行所述第一导线和所述第二导线相连接，所述第一电源连接通孔在与所述第一导线和所述第二导线的延伸方向基本上垂直的方向上延伸。
全文摘要
一种方法，包括选择出存储在非瞬态计算机可读存储介质中的单元，将多个单元布置在半导体器件的模型上，以及基于该半导体器件的模型形成该半导体器件的掩模。该单元是根据设计规则设计的，在该设计规则中第一电源连接通孔所符合的标准选自包含以下标准的组i)第一电源连接通孔与第二电源连接通孔间隔开的距离大于使得通孔能够通过单光刻单蚀刻工艺制造的阈值距离，或者ii)第一电源连接通孔与基本上平行的第一导线和第二导线相连接，该第一导线和第二导线沿着直接邻近的轨道延伸。本发明还提供了一种单元结构及方法。
文档编号G06F17/50GK102841956SQ201210005669
公开日2012年12月26日 申请日期2012年1月9日 优先权日2011年6月22日
发明者鲁立忠, 田丽钧, 林学仕, 江哲维 申请人:台湾积体电路制造股份有限公司