专利名称：一种非接触大芯片智能卡的条带的制作方法
技术领域：
本发明涉及微电子半导体封装领域，尤其涉及一种非接触大芯片智能卡的条带。
背景技术：
非接触智能卡目前已经在二代身份证、公共交通卡和校园卡上得到了广泛应用。非接触智能卡上设有一模块，该模块是采用单面模塑工艺封装在条带上形成的，模块总封装高度一般在O. 4毫米以下(目前大量使用的是O. 33毫米，以及开始研发的O. 25毫米的模块总封装高度)。请参阅图1，早期的非接触智能卡模块的条带包括一在该条带中心区域设置的芯片焊接腔3，芯片5通过快固化环氧树脂固定于所述芯片焊接腔3内。在所述芯片焊接腔3的外周围设有引线接触片2。所述芯片5通过模塑体8封装。由于所述引线接触片2表面通常镀银，镀银的所述引线接触片2与所述模塑体8之间的粘结力差，造成封装的可靠性较差。为了解决上述技术问题，本申请人曾于2003年5月28日申请的专利号为03231594. 5，实用新型名称为一种非接触智能卡条带的专利中公开了一种技术方案，请参阅图2，引线接触片2的两侧23镂空，该两侧23的中间设有向上凸起21，所述向上凸起21是沿所述芯片焊接腔3的两对边和/或四角设置的，因此所述引线接触片2呈凹凸立体结构。在芯片封装完成后，模塑体8与所述引线接触片2卡接，从而有效地增强了所述模塑体与所述引线接触片2之间的粘结力和抗拉能力，提高了封装的可靠性和产品合格率。然而随着非接触智能卡应用的范围扩大和存储容量的增加，其芯片面积也在不断地扩大，非接触大芯片通常的封装方法是按比例放大条带和模塑体的封装面积。由于加工条带的模具互不兼容，造成成本升高，工序繁琐。所以，非接触大芯片的封装至今没有取得突破。而非接触大芯片在进行常规的限定封装尺寸的超薄单面模塑封装时，由于条带非常薄(金属条带的厚度通常在O. 06到O. 10毫米)，而且条带表面的镀银层与所述模塑体之间的抗拉能力差，因此大芯片在常规的限定封装尺寸的超薄单面模塑封装中的可靠性和可行性不断地遇到挑战。因此，对于如何在增强模塑体与引线接触片之间的抗拉能力同时，进一步实现非接触大芯片在常规的限定封装尺寸的超薄单面模塑封装中的可靠性和可行性，至今仍是本领域技术人员一直致力研究的内容之一。
发明内容
本发明的目的是为了克服现有技术的不足，提供一种非接触大芯片智能卡的条带，以达到最大限度地增强模塑体与引线接触片之间的抗拉能力，实现非接触大芯片在常规的限定封装尺寸的超薄单面模塑封装中的可靠性和可行性。实现上述目的的一种技术方案是一种非接触大芯片智能卡的条带，包括一在该条带中心区域设置的芯片焊接腔、两分别位于该芯片焊接腔两对边的引线接触片，以及两分别位于该芯片焊接腔两侧边的浇口底板，在所述引线接触片上设有向上凸起，使该引线接触片呈凹凸立体结构，所述浇口底板的两侧镂空，该两侧的中间为向上凸起，使该浇口底板呈凹凸立体结构。进一步的，每块所述浇口底板上，所述向上凸起的个数至少为I个。再进一步的，所述浇口底板上，每个所述向上凸起包括至少一级台阶。进一步的，所述浇口底板上的向上凸起的总高度至少达到模块总封装高度的一半。再进一步的，所述引线接触片上的每个向上凸起包括至少一级台阶。更进一步的，所述浇口底板上的向上凸起和所述引线接触片上的向上凸起是同时 冲制成形的。采用了本发明的一种非接触大芯片智能卡的条带的技术方案，即所述浇口底板的两侧镂空，该两侧的中间为向上凸起，使该浇口底板呈凹凸立体结构的技术方案。其技术效果是芯片封装完成后，模塑体与所述条带上的引线接触片卡接以外，模塑体还与所述浇口底板卡接，达到最大限度地增强引线接触片与模塑体之间的抗拉能力和实现大芯片在常规的限定封装尺寸的超薄单面模塑封装中的可靠性和可行性，使得非接触大芯片对芯片焊接腔的面积利用率最大化。
图I为现有技术的一种非接触智能卡条带的结构示意图。图2为专利号为03231594. 5的一种非接触智能卡条带的结构示意图。图3为本发明的一种非接触大芯片智能卡的条带的第一实施例的结构示意图。图4为本发明的一种非接触大芯片智能卡的条带的第一实施例的使用示意图。图5为本发明的一种非接触大芯片智能卡的条带的第一实施例的引线接触片上的向上凸起的轴向视图。图6为本发明的一种非接触大芯片智能卡的条带的第一实施例的浇口底板上的向上凸起的轴向视图。图7为本发明的一种非接触大芯片智能卡的条带的第二实施例的结构示意图。图8为本发明的一种非接触大芯片智能卡的条带的第二实施例的使用示意图。图9为本发明的一种非接触大芯片智能卡的条带的第三实施例的结构示意图。图10为本发明的一种非接触大芯片智能卡的条带的第三实施例的使用示意图。
具体实施例方式请参阅图3至图10，本发明的发明人，为了能更好地对本发明的技术方案进行理解，下面通过具体地实施例，并结合附图进行详细地说明。I、第一实施例图3至图6显示的是本发明的一种非接触大芯片智能卡的条带的第一实施例。第一实施例中，所述条带包括一在该条带的中心区域设置的芯片焊接腔3，两分别位于该芯片焊接腔3两对边的引线接触片2，以及两分别位于该芯片焊接腔3两侧边的浇口底板7。每块引线接触片2的两侧23镂空，该两侧23的中间为一个向上凸起21，使所述引线接触片2呈凹凸立体结构(该技术方案已经在专利号为032315 94. 5的实用新型中公开了)。每块浇口底板7的两侧73镂空，该两侧73的中间为一个向上凸起71，使所述浇口底板7呈凹凸立体结构。所述向上凸起71下方是所述条带的浇口 72。在封装过程中，模塑料先流入所述浇口 72，接着流入所述芯片焊接腔3，最后填充到所述向上凸起21下方的空隙22中。这样设计的目的在于模塑料冷却成为模塑体8后，模塑体8既与引线接触片2卡接(卡接的部分在图4中用方块阴影线表示)，又与浇口底板7卡接(卡接的部分在图4中用阴影线表示)。这样引线接触片2与模塑体8之间的粘结力和抗拉能力得到最大限度加强的同时，由于模塑体8与浇口底板7的卡接，浇口底板7、芯片5及芯片焊接腔3与模塑体8的之间的粘结力和抗拉能力也得到加强。引线6与模塑体8之间的粘结力和抗拉能力也得到了加强，芯片5对芯片焊接腔3的面积的利用率达到最大化，对于非接触大芯片在常规的限定封装尺寸的超薄单面模塑封装中的可靠性和可行性提高，对4. 0X4. Omm非接触大 芯片的可靠超薄单面模塑封装成为了可能。另外一方面，通过浇口底板7的凹凸立体结构，浇口 72的深度增加，从而改善了模塑料在封装过程中的通经，进一步提高了非接触大芯片在常规的限定封装尺寸的超薄单面模塑封装中的可靠性和可行性。由于在每块引线接触片2上，所述向上凸起21都只有一个，所述向上凸起21的长度较长，因此所述向上凸起21可以是两级台阶。请参阅图5。这样设计的目的在于增加模塑体8与引线接触片2的接触面积，最大限度增强模塑体8与引线接触片2的之间粘结力和抗拉能力。当然，所述向上凸起21是一级台阶或两级以上的台阶都是可以的。由于在每块浇口底板7上，向上凸起71都只有一个，所述向上凸起71的长度较长，因此所述向上凸起71可以是两级台阶。如图6所示。这样设计的目的在于增加模塑体8与浇口底板7的接触面积，增强模塑体8与浇口底板7之间的粘结力和抗拉能力，同时也有利于增强模塑体8与芯片焊接腔3、芯片5之间的粘结力和抗拉能力，提高非接触大芯片超薄单面模塑封装的可靠性和可行性。当然，所述向上凸起71是一级台阶或两级以上的台阶都是可以的。所述向上凸起71的总高度为a。为了保证模塑料顺畅地流入所述浇口 72，所述向上凸起71的总高度a，至少要达到模块总封装高度的一半。模块总封装高度指的是封装完成后，从条带底面到模塑体8顶面之间的距离。比如模块总封装高度为O. 33mm时，所述向上凸起71的总高度a至少要达到O. 165mm，模块总封装高度为O. 25mm时，所述向上凸起71的总高度a至少要达到O. 125mm02、第二实施例图7至图8显示的是本发明的一种非接触大芯片智能卡的条带的第二实施例。在第二实施例中，所述条带包括一在该条带的中心区域设置的芯片焊接腔3，两分别位于该芯片焊接腔3两对边的引线接触片2，以及两分别位于该芯片焊接腔3两侧边的浇口底板7。每块引线接触片2的两侧23镂空，该两侧23的中间为一个向上凸起21，使所述引线接触片2呈凹凸立体结构。每块浇口底板7的两侧73镂空，该两侧73的中间为两个向上凸起71，使所述浇口底板7呈凹凸立体结构。所述向上凸起71下方是所述条带的浇口72。在封装过程中，模塑料先流入所述浇口 72，接着流入所述芯片焊接腔3，最后填充到所述向上凸起21下方的空隙22中。由于在每块引线接触片2上，所述向上凸起21都只有一个，所述向上凸起21的长度较长。因此所述向上凸起21可以是两级台阶。当然，所述向上凸起21是一级台阶或两级以上台阶都是可以的。由于在每块浇口底板7上，向上凸起71有两个，所述向上凸起71的长度较短。因此所述向上凸起71 一般可采用一级台阶。当然，所述向上凸起71采用两级台阶或者两级以上的台阶也是可以的。无论是一级台阶、两级台阶，还是两级以上的台阶，向上凸起71的总高度至少达到模块总封装高度的一半。3、第三实施例图9至图10显示的是本发明的一种非接触大芯片智能卡的条带的第三实施例，在 第三实施例中，所述条带包括一在该条带的中心区域设置的芯片焊接腔3，两分别位于该芯片焊接腔3两对边的引线接触片2，以及两分别位于该芯片焊接腔3两侧边的浇口底板7。每块引线接触片2的两侧23镂空，该两侧23的中间为两个向上凸起21，使所述引线接触片2呈凹凸立体结构。每块浇口底板7的两侧73镂空，该两侧73的中间为一个向上凸起71，使所述浇口底板7呈凹凸立体结构。所述向上凸起71下方是所述条带的浇口72。在封装过程中，模塑料先流入所述浇口 72，接着流入所述芯片焊接腔3，最后填充到所述向上凸起21下方的空隙22中。由于每块引线接触片2上，所述向上凸起21有两个，因此所述向上凸起21的长度较短。因此向上凸起21 —般可采用一级台阶。当然，所述向上凸起21也可以采用两级台阶，或者两级以上的台阶。由于每块浇口底板7上，所述向上凸起71都只有一个，由于所述向上凸起71的长度较长。因此所述向上凸起71 —般可采用两级台阶。当然每个向上凸起71也可以采用一级台阶，或者两级以上的台阶。无论一级台阶、两级台阶还是两级以上的台阶，向上凸起71的总高度至少达到模块总封装高度的一半。4、其他实施例其他的实施方式还包括每块引线接触片2上都设有两个向上凸起21，每块浇口底板7上也都设有两个向上凸起71。所述引线接触片2上的向上凸起21和所述浇口底板7上的向上凸起71都包括至少一阶台阶。无论是一级台阶、还是一级以上的台阶，所述向上凸起71的总高度至少达到模块总封装高度的一半。在上述诸多实施例当中，所述引线接触片2上的向上凸起21和所述浇口底板7上的向上凸起71均是在所述条带冲制过程中一次冲制成型的，即所述向上凸起21和所述向上凸起71是在所述条带冲制时同时冲制成型的，因此不需要额外增加材料成本。本技术领域中的普通技术人员应当认识到，以上的实施例仅是用来说明本发明，而并非用作为对本发明的限定，只要在本发明的实质精神范围内，对以上所述实施例的变化、变型都将落在本发明的权利要求书范围内。
权利要求
1.ー种非接触大芯片智能卡的条带，包括一在该条带中心区域设置的芯片焊接腔(3)、两分别位于该芯片焊接腔(3)两对边的引线接触片(2)，以及两分别位于该芯片焊接腔(3)两侧边的浇ロ底板(7)，在所述引线接触片(2)上设有向上凸起(21 )，使该引线接触片(2)呈凹凸立体结构，其特征在于，所述浇ロ底板(7)的两侧(73)镂空，该两侧(73)的中间为向上凸起(71)，使该浇ロ底板(7)呈凹凸立体结构。
2.根据权利要求I所述ー种非接触大芯片智能卡的条带，其特征在于每块所述浇ロ底板(7)上，所述向上凸起(71)的个数至少为I个。
3.根据权利要求2所述ー种非接触大芯片智能卡的条带，其特征在于所述浇ロ底板(7)上，每个所述向上凸起(71)包括至少ー级台阶。
4.根据权利要求I或2或3所述ー种非接触大芯片智能卡的条带,其特征在于所述浇ロ底板(7)上的向上凸起(71)的总高度至少达到模块总封装高度的一半。
5.根据权利要求4所述ー种非接触大芯片智能卡的条带,其特征在于所述引线接触片(2)上的每个向上凸起(21)包括至少ー级台阶。
6.根据权利要求5所述ー种非接触大芯片智能卡的条带，其特征在于所述浇ロ底板(7)上的向上凸起(71)和所述引线接触片(2)上的向上凸起(21)是同时冲制成型的。
全文摘要
本发明公开了一种用于微电子半导体封装领域的非接触大芯片智能卡的条带，包括一在该条带中心区域设置的芯片焊接腔、两分别位于该芯片焊接腔两对边的引线接触片，以及两分别位于该芯片焊接腔两侧边的浇口底板，所述引线接触片上设有向上凸起，使该引线接触片呈凹凸立体结构，所述浇口底板的两侧镂空，该两侧的中间为向上凸起，使该浇口底板呈凹凸立体结构。其技术效果是芯片封装完成后，模塑体除了与所述条带上的引线接触片卡接外，还与所述浇口底板卡接，达到最大限度地增强模塑体与引线接触片之间的抗拉能力和实现非接触大芯片在常规的限定封装尺寸的超薄单面模塑封装中的可靠性和可行性，使得非接触大芯片对芯片焊接腔的面积利用率最大化。
文档编号G06K19/07GK102819759SQ20121022020
公开日2012年12月12日 申请日期2012年6月29日 优先权日2012年6月29日
发明者周宗涛, 虞吉 申请人:周宗涛