专利名称：双cpu数据交换模块的制作方法
技术领域：
本发明属于电力电子技术领域，特别涉及一种双CPU数据交换模块。
背景技术：
S3C44B0X是在国内广泛使用的Samsung公司的基于ARM7TDMI内核的SoC。该芯片功能强大，为手持设备和一般类型应用提供了高性价比和高性能的微控制器解决方案。它的低功耗和出色的全静态设计特别适用于对成本和功耗敏感的应用。S3C44B0X与与微处理器的数据通讯是电力电子技术领域研究的一个热点
发明内容
针对现有技术存在的不足，本发明提供一种双CPU数据交换模块。 本发明的技术方案是这样实现的该数据交换模块包括微处理器、静态RAM和S3C44B0X,微处理器的使能端口和RAM的使能端口及RAM的使能端口和S3C44B0X的使能端相连接，微处理器的数据交换端口和静态RAM的数据交换端口及静态RAM的数据交换端口和S3C44B0X的的数据端口连接。静态RAM为高速2k*8双端口静态RAM IDT7312，每个端口拥有独立的控制总线、地址总线和I/O总线，该双口 RAM允许CPU独立访问内部的任何存储单元，作为微处理器和S3C44B0X的数据交换媒介。电路工作时首先进行使能位处理，然后数据通过地址总线经过静态RAM传递给S3C44B0X。本发明的优点模块结构简单、稳定性好、数据传送实时性强。
图I为本发明电路原理图。
具体实施例方式本发明的详细结构结合实施例加以说明。该数据交换电路如图I所示，微处理器选择TMS320F2812、静态RAM选择IDT7312。该数据交换模块包括微处理器、静态RAM和S3C44B0X组成，该数据交换模块包括微处理器、静态RAM和S3C44B0X组成，微处理器的使能端口和RAM的使能端口及RAM的使能端口和S3C44B0X的使能端相连接，微处理器的数据交换端口和静态RAM的数据交换端口及静态RAM的数据交换端口和S3C44B0X的的数据端口连接。静态RAM为高速2k*8双端口静态RAM IDT7312，每个端口拥有独立的控制总线、地址总线和I/O总线，该双口 RAM允许CPU独立访问内部的任何存储单元，作为微处理器和S3C44B0X的数据交换媒介。电路工作时首先进行使能位处理，然后数据通过地址总线D0-D7\A0-A7经过静态RAM传递给S3C44B0X。
权利要求
1.一种双CPU数据交换模块，其特征在于该数据交换模块包括微处理器、静态RAM和S3C44B0X,微处理器的使能端口和RAM的使能端口及RAM的使能端口和S3C44B0X的使能端相连接，微处理器的数据交换端口和静态RAM的数据交换端口及静态RAM的数据交换端口和S3C44B0X的的数据端口连接。
全文摘要
一种双CPU数据交换模块，属于电力电子技术领域。该数据交换模块包括微处理器、静态RAM和S3C44BOX，微处理器的使能端口和RAM的使能端口及RAM的使能端口和S3C44BOX的使能端相连接，微处理器的数据交换端口和静态RAM的数据交换端口及静态RAM的数据交换端口和S3C44BOX的数据端口连接。本发明的优点模块结构简单、稳定性好、数据传送实时性强。
文档编号G06F15/167GK102929833SQ201210439148
公开日2013年2月13日 申请日期2012年11月7日 优先权日2012年11月7日
发明者李翠, 栾清杨 申请人:沈阳创达技术交易市场有限公司