专利名称：一种触摸屏、触控液晶面板及一种显示装置的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及平板显示技术领域，尤其涉及一种触摸屏、触控液晶面板及一种显示装置。
背景技术：
近年来，平板显示技术发展迅速，尤其是触摸屏(Touch Panel)液晶显示装置已经逐渐成为平板显示器的主流。随着液晶显示装置所要求光学特性、电学特性的不断提高，以及消费者对薄化显示器的需求，设计出具有高性能、低成本、超薄的触摸屏液晶显示装置逐渐成为各大厂商的主要目标。 触摸屏液晶显示装置的触摸屏位于液晶显示面板的正上方，液晶显示面板发出的电磁干扰会影响触摸屏的准确定位，导致触摸点位置与真实位置不一致，或定位点的抖动等一系列问题，严重时，会影响触摸屏的电气性能。现有技术通过在触摸屏与液晶显示面板之间引入屏蔽层，解决电磁干扰信号对触摸屏准确定位影响的问题。所述屏蔽层为ITO导电层。参见图1，为现有具有屏蔽电磁干扰信号作用的触摸屏，其包括基板11、设置在基板11的正面用于感应触摸信号的导电层12、以及设置在基板11背面，用于屏蔽电磁干扰信号的ITO导电层13。该ITO导电层位于液晶显示面板22的正上方。由于所述感应触摸信号的导电层12和所述ITO导电层13是通过常温热蒸镀法形成的，在形成所述两层导电层的过程中，需要一次反转工艺，工艺流程比较复杂。而且，参见图2，现有技术起屏蔽电磁干扰信号作用的导电层为一整层ITO导电层，该ITO导电层遮挡了位于其正下方的液晶显示面板像素区域的光线，降低了像素区域光线的透过率。综上所述，现有技术通过在触摸屏的背部设置ITO导电层作为屏蔽层，实现对液晶显示面板电磁干扰信号的屏蔽，在触摸屏的制作过程中，需要一次反转工艺，触摸屏的制作工艺流程较复杂。而且，在实施所述反转工艺的过程中，机械手可能会损坏触摸屏。另夕卜，现有技术具有电磁干扰屏蔽层的触摸屏光线透过率低，而且屏蔽层的自电容较大，不利于触摸屏准确定位。
实用新型内容本实用新型实施例提供一种触摸屏、触控液晶面板及一种显示装置，用以实现一种制作工艺更加简单的触摸屏。为了实现上述目的，本实用新型提供的一种触摸屏，包括透明基板；形成在所述透明基板上的透明导电介质屏蔽层；形成在所述透明导电介质屏蔽层上的透明绝缘层；形成在所述透明绝缘层上的透明导电介质触摸感应层；[0014]其中，所述透明导电介质屏蔽层通过导线连接至触摸屏控制电路的参考接地点。本实用新型提供的一种触控液晶面板，包括所述触摸屏。本实用新型提供的一种显示装置，包括所述触控液晶面板。本实用新型实施例，通过在透明基板的正面设置透明导电介质屏蔽层，在整个触摸屏制作的过程中，无需反转工艺，实现了一种制作工艺简单的触摸屏。
图I为现有触摸屏结构示意图；图2为现有屏蔽层图形结构不意图；图3为本实用新型实施例提供的与触摸屏控制电路相连的触摸屏结构示意图；图4为本实用新型实施例提供的透明导电介质屏蔽层图形结构示意图；图5为本实用新型实施例提供的触摸屏结构示意图；图6为本实用新型实施例提供的触摸屏结构示意图。
具体实施方式
本实用新型实施例提供了一种触摸屏、触控液晶面板及一种显示装置，用以实现一种制作工艺更加简单、透光率更高、抗电磁干扰信号能力更强的触摸屏。以下将结合附图对本实用新型实施例提供的技术方案进行说明。参见图3，本实用新型实施例提供的一种触摸屏包括透明基板I、形成在透明基板I上的透明导电介质屏蔽层2 ;形成在透明导电介质屏蔽层2上的透明绝缘层3 ;形成在透明绝缘层3上的透明导电介质触摸感应层4 ;其中，透明导电介质屏蔽层2通过导线5连接至触摸屏控制电路6的参考接地点。通过在透明基板的正面设置屏蔽层，该屏蔽层位于液晶显示面板与触摸感应层之间，可以有效屏蔽液晶显示面板发出的电磁干扰信号，实现触摸屏的准确定位。而且，如图3所示，透明导电介质屏蔽层2设置在触摸屏的透明基板I的正面，与透明绝缘层3和透明导电介质触摸感应层4位于透明基板I的同一侧，在制作触摸屏时，无需反转工艺。本实用新型提供的触摸屏，既实现了抗电磁干扰信号，又简化了触摸屏的工艺制作流程。较佳地，透明导电介质屏蔽层2可以但不限于为氧化铟锡ITO导电层。进一步，为了增加位于透明导电介质屏蔽层2正下方的液晶显示面板像素区域光线的透过率，透明导电介质屏蔽层2的表面图案为规则的图形阵列。参见图4，图形阵列中无ITO的区域23对应液晶显示面板的一个完整的子像素区域，图4中阴影部分区域24为ITO区域。具体地，图4中，透明导电介质屏蔽层2由数根横向和纵向导电条组成，横向相邻的两个导电条之间的距离d等于一个子像素区域的宽度，纵向相邻的两个导电条之间的距离h等于一个子像素区域的高度，并且相邻导电条构成的区域与液晶显示面板上的各子像素区域相对应。当液晶显示面板像素区域的光线通过透明导电介质屏蔽层2时，与像素子区域相对应的无ITO区域23不会影响光线的透过率，因此，相对于现有技术，本实用新型的触摸屏提高了光线的透过率。为了进一步提高本实用新型透明导电介质屏蔽层2的抗干扰能力，使得电磁干扰信号以更快的速度经参考接地点的导线完全释放掉。较佳地，参见图5，本实用新型在透明导电介质屏蔽层2的四周外围区域设置有接地区7，该接地区7通过导线连接至触摸屏控制电路的参考接地点，并且该接地区7通过金属引线8和透明导电介质屏蔽层2连接。具体应用中，透明基板I的面积大于透明导电介质屏蔽层2的面积，在透明基板I上非覆盖透明导电介质屏蔽层2的区域上设置接地区7。该接地区7位于触摸屏的非可视区域。例如该接地区7可以为透明导电介质屏蔽层2四周外边框区域，该区域由透明基板I上的低阻抗导电材料组成，所述低阻抗导电材料可以为银浆或铝箔，该接地区7与透明导电介质屏蔽层2保持一定距离，并通过金属引线8相连接。金属引线8可以但不限于为钥(Mo)、铝(Al)或银(Ag)制成的引线，用金属制成的引线相对于ITO电阻较小，有利于电磁干扰信号被及时导走。图5中，透明导电介质屏蔽层2上各个ITO区域24都可能存在电磁干扰信号，靠近金属引线8的电磁干扰信号很快被导走，有效提高了透明导电介质屏蔽层2的抗电磁干扰信号能力。为了进一步提升透明导电介质屏蔽层2的抗电磁干扰信号能力，较佳地，参见图6，本实用新型在接地区7和透明导电介质屏蔽层2之间设置有多根金属引线8，这些金属引 线8可以设置为均匀分布，使得透明导电介质屏蔽层2上的电磁干扰信号以较快的速度被各金属引线8导走，金属引线8也可以设置为不均匀分布。较佳地，图6中，在透明导电介质屏蔽层2的每一边均匀设置4根金属引线，或者在透明导电介质屏蔽层2的每个角各设置一根金属引线，同样可以达到对电磁干扰信号的屏蔽作用。本实用新型实施例提供一种触控液晶面板，包括上述触摸屏。具体在实际应用中，可以在液晶显示面板上直接设置所述触摸屏，构成具有触控功能的液晶显示面板。本实用新型实施例还提供一种显示装置，包括上述触控液晶面板，用于通过触控液晶面板显示图像，并通过触控液晶面板上的触摸屏，触控所述图像。根据本实用新型提供的上述具体实施方式
可知本实用新型提供的触摸屏通过在透明基板的正面设置透明导电介质屏蔽层，在整个触摸屏制作的过程中，无需反转工艺，实现了一种制作工艺简单的触摸屏。通过将透明导电介质屏蔽层设置为表面图案为规则的图形阵列，并且，无ITO的区域对应液晶显示面板的一个完整的子像素区域，增加触摸屏的光线透过率。通过在透明导电介质屏蔽层的外围区域四周设置有连接至触摸屏控制电路的参考接地点的接地区，该接地区通过金属引线和透明导电介质屏蔽层连接，提高屏蔽层的抗电磁干扰信号的能力。显然，本领域的技术人员可以对本实用新型进行各种改动和变型而不脱离本实用新型的精神和范围。这样，倘若本实用新型的这些修改和变型属于本实用新型权利要求及其等同技术的范围之内，则本实用新型也意图包含这些改动和变型在内。
权利要求1.一种触摸屏，其特征在于，包括 透明基板； 形成在所述透明基板上的透明导电介质屏蔽层； 形成在所述透明导电介质屏蔽层上的透明绝缘层； 形成在所述透明绝缘层上的透明导电介质触摸感应层； 其中，所述透明导电介质屏蔽层通过导线连接至触摸屏控制电路的参考接地点。
2.根据权利要求I所述的触摸屏，其特征在于，所述透明导电介质屏蔽层为氧化铟锡ITO导电层。
3.根据权利要求2所述的触摸屏，其特征在于，所述透明导电介质屏蔽层为具有一定图案的屏蔽层。
4.根据权利要求3所述的触摸屏，其特征在于，所述具有一定图案的屏蔽层中无ITO的区域对应液晶显示面板的一个完整的子像素区域。
5.根据权利要求3所述的触摸屏，其特征在于，所述透明导电介质屏蔽层的面积小于透明基板的面积。
6.根据权利要求5所述的触摸屏，其特征在于，所述透明导电介质屏蔽层的四周外围区域设置有连接至触摸屏控制电路的参考接地点的接地区，该接地区通过金属引线和透明导电介质屏蔽层连接。
7.根据权利要求6所述的触摸屏，其特征在于，所述透明导电介质屏蔽层每个边上均设置有与所述接地区相连的金属引线。
8.根据权利要求7所述的触摸屏，其特征在于，所述接地区为镀在透明基板上的低阻抗导电材料。
9.根据权利要求8所述的触摸屏，其特征在于，所述低阻抗导电材料为银浆或铝箔。
10.一种触控液晶面板，其特征在于，包括权利要求1-9任一权项所述的触摸屏。
11.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求10所述的触控液晶面板。
专利摘要本实用新型公开了一种触摸屏、触控液晶面板及一种显示装置，用以实现一种制作工艺更加简单的触摸屏，并增加液晶显示面板像素区域光线的透过率。本实用新型提供的触摸屏包括透明基板，形成在所述透明基板上的透明导电介质屏蔽层，形成在所述透明导电介质屏蔽层上的透明绝缘层，形成在所述透明绝缘层上的透明导电介质触摸感应层；其中，所述透明屏蔽层通过导线连接至触摸屏控制电路的参考接地点。
文档编号G06F3/041GK202615347SQ20122013378
公开日2012年12月19日 申请日期2012年3月31日 优先权日2012年3月31日
发明者刘英明, 王海生, 杨盛际 申请人:北京京东方光电科技有限公司