1.一种存储装置中的操作方法，包括：
在所述存储装置的多个不同存储器部分中的每一个处，建立与对于所述多个不同存储器部分中的一个或多个其它存储器部分建立的命令延迟参数不同的非零命令延迟参数；
在所述存储装置的多个不同存储器部分中的每一个中建立非零命令延迟参数之后，在重叠时间段期间在所述存储装置的多个不同存储器部分的两个或更多存储器部分中执行存储器操作，所述执行包括在所述多个存储器部分的每个存储器部分中、将各个存储器操作的执行延迟与对于该存储器部分建立的命令延迟参数对应的时间量。
2.如权利要求1所述的方法，其中，所述多个存储器部分包括非易失性存储器部分。
3.如权利要求1所述的方法，其中，所述多个存储器部分包括NAND闪存存储器部分。
4.如权利要求1所述的方法，其中，所述存储装置包括一个或多个闪存存储器装置。
5.如权利要求1-4中的任意一个所述的方法，其中，在所述存储装置的多个不同存储器部分的两个或更多存储器部分中执行的所执行的存储器操作包括多个同一存储器操作类型的操作，其中，所述同一存储器操作类型是从由写入操作、读取操作和擦除操作构成的组中选出的。
6.如权利要求5所述的方法，其中，所述存储装置的多个不同存储器部分的两个或更多存储器部分中的每一个的命令延迟参数是从由用于控制写入操作的延迟的写入延迟参数、用于控制读取操作的延迟的读取延迟参数和用于控制擦除操作的延迟的擦除延迟参数构成的组中选出的。
7.如权利要求6所述的方法，其中，从由写入延迟参数、读取延迟参数或者擦除延迟参数构成的组中选出的命令延迟参数的值小于或等于其相应的存储器操作时间的平均持续时间。
8.如权利要求1-7中的任意一个所述的方法，包括，在所述存储装置的多个不同存储器部分的单个存储器部分中执行存储器操作序列时，根据对于该单个存储器部分建立的命令延迟参数而延迟所述存储器操作序列的第一存储器操作，且此后以顺序次序执行所述存储器操作序列中每个后续的存储器操作而不再延迟所述存储器操作序列中的每个所述后续的存储器操作。
9.如权利要求8所述的方法，包括在与所述单个存储器部分相关联的工作队列中检测所述存储器操作序列的存在。
10.如权利要求1-7中的任意一个所述的方法，进一步包括：
在与所述存储装置的多个不同存储器部分的第一子集相关联的工作队列中执行存储器写入操作时，并行地执行工作队列中存储器写入操作的第一子集，所述执行被延迟与对于每一个存储器部分建立的命令延迟参数对应的时间量，其中，由工作队列中存储器写入操作的第一子集将写入数据写入到所述每一个存储器部分，以及
此后执行工作队列中的每一个后续的存储器写入操作而不再延迟每一所述后续的存储器写入操作。
11.如权利要求1-10中的任意一个所述的方法，其中，一个或多个命令延迟参数被存储在非易失性存储器中。
12.如权利要求1-11中的任意一个所述的方法，进一步包括，在与所述存储装置的所述多个存储器部分不同的存储装置的附加存储器部分中，在重叠时间段期间执行存储器操作，而不延迟所述存储装置的所述附加存储器部分中所述存储器操作的执行。
13.如权利要求1-11中的任意一个所述的方法，进一步包括，在与存储装置的所述多个存储器部分不同的存储装置的附加存储器部分，建立与对于所述多个不同存储器部分建立的命令延迟参数不同的零命令延迟参数，并根据所述零命令延迟参数在重叠时间段期间在所述存储装置的所述附加存储器部分中执行存储器操作。
14.如权利要求1所述的方法，进一步包括，在所述存储装置的多个不同存储器部分中的每一个处，建立与对于所述多个不同存储器部分中的一个或多个其它存储器部分建立的命令延迟参数不同的两个或更多非零命令延迟参数，其中，所述两个或更多非零命令延迟参数至少包括用于当执行从由读取、写入和擦除命令构成的集合中选出的第一命令类型时使用的第一命令延迟参数和用于当执行与第一命令类型不同且从由读取、写入和擦除命令构成的集合中选出的第二命令类型时使用的第二命令延迟参数。
15.如权利要求1-11中的任意一个所述的方法，进一步包括：
调整与所述多个存储器部分的第一不同存储器部分对应的非零命令延迟参数的值。
16.如权利要求15所述的方法，其中，调整与所述多个存储器部分的第一不同存储器部分对应的非零命令延迟参数的值包括：
将与所述多个存储器部分的第一不同存储器部分对应的命令延迟参数的值减小到零。
17.如权利要求15所述的方法，其中，调整与所述多个存储器部分的第一不同存储器部分对应的非零命令延迟参数的值包括：
将与所述多个存储器部分的第一不同存储器部分对应的命令延迟参数的值改变为新的非零值。
18.如权利要求1-17中的任意一个所述的方法，其中，所述存储装置包括一个或多个三维(3D)存储器装置和与一个或多个3D存储器装置中的存储器元件的操作相关联的电路。
19.如权利要求18所述的方法，其中，所述一个或多个3D存储器装置的各个3D存储器装置中的电路和一个或多个存储器元件在同一衬底上。
20.一种存储装置，包括：
用于将所述存储装置耦接到主机系统的接口；
非易失性存储器，包括所述非易失性存储器的多个不同存储器部分；和
一个或多个存储控制器的集合，具有一个或多个处理器，所述一个或多个存储控制器的集合配置为：
在所述存储装置的非易失性存储器的多个不同存储器部分中的每一个处，建立与对于所述多个不同存储器部分中的一个或多个其它存储器部分建立的命令延迟参数不同的非零命令延迟参数；和
在所述多个不同存储器部分中的每一个中建立非零命令延迟参数之后，在重叠时间段期间在所述多个不同存储器部分的两个或更多存储器部分中执行存储器操作，所述执行包括在所述多个存储器部分的每个存储器部分中、将各个存储器操作的执行延迟与对于该存储器部分建立的命令延迟参数对应的时间量。
21.如权利要求20所述的存储装置，其中，所述多个存储器部分包括NAND闪存存储器部分。
22.如权利要求20-21中的任意一个所述的存储装置，其中，在所述存储装置的多个不同存储器部分的两个或更多存储器部分中执行的所执行的存储器操作包括多个同一存储器操作类型的操作，其中，所述同一存储器操作类型是从由写入操作、读取操作和擦除操作构成的组中选出的。
23.如权利要求22所述的存储装置，其中，所述存储装置的多个不同存储器部分的两个或更多存储器部分中的每一个的命令延迟参数是从由用于控制写入操作的延迟的写入延迟参数、用于控制读取操作的延迟的读取延迟参数和用于控制擦除操作的延迟的擦除延迟参数构成的组中选出的。
24.如权利要求20所述的存储装置，其中，所述一个或多个存储控制器的集合配置为，在所述存储装置的多个不同存储器部分中的每一个处，建立与对于多个不同存储器部分中的一个或多个其它存储器部分建立的命令延迟参数不同的两个或更多非零命令延迟参数，其中，所述两个或更多非零命令延迟参数至少包括用于当执行从由读取、写入和擦除命令构成的集合中选出的第一命令类型时使用的第一命令延迟参数和用于当执行与第一命令类型不同且从由读取、写入和擦除命令构成的集合中选出的第二命令类型时使用的第二命令延迟参数。
25.如权利要求20所述的存储装置，其中，所述一个或多个存储控制器的集合进一步配置为执行如权利要求1-19中的任意一个所述的方法。
26.一种非瞬时计算机可读存储介质，存储用于由存储装置的一个或多个处理器执行的一个或多个程序，所述一个或多个程序包括用于以下的指令：
在所述存储装置的多个不同存储器部分中的每一个处，建立与对于所述多个不同存储器部分中的一个或多个其它存储器部分建立的命令延迟参数不同的非零命令延迟参数；
在所述存储装置的多个不同存储器部分中的每一个中建立非零命令延迟参数之后，在重叠时间段期间在所述存储装置的多个不同存储器部分的两个或更多存储器部分中执行存储器操作，所述执行包括在所述多个存储器部分的每个存储器部分中、将各个存储器操作的执行延迟与对于该存储器部分建立的命令延迟参数对应的时间量。
27.如权利要求26所述的非瞬时计算机可读存储介质，其中，所述一个或多个程序包括指令，所述指令当被执行时，使得所述存储装置执行如权利要求2-19中的任意一个所述的方法。