触摸屏绑定区金属接触结构、制备方法及显示装置与流程

本发明涉及触摸显示技术领域，尤其涉及触摸屏绑定区金属接触结构、制备方法及显示装置。

背景技术：

随着触控技术的不断发展，越来越多的电子产品上都增加了触控功能。在众多的触控技术中，OGS(One Glass Solution，一体化触控)技术即在单层玻璃上直接形成ITO(Indium Tin Oxides，氧化铟锡)导电膜层实现触控的技术，因其结构简单、透光性好、工艺流程简短，同时可以省掉一片玻璃基板,利于降低生产成本、提高产品良率等特点，正得到越来越广泛的应用。

因为OGS触摸屏是通过Bonding(绑定)方式与FPC(Flexible Printed Circuit，柔性电路板)连接，所以在绑定区的金属接触结构(包括金手指和从触控感应区延伸的ITO导电膜层)会直接镀在BM(Black Matrix，黑色遮光层)上面，从触控感应区上延伸的ITO导电膜层可以形成在金属接触结构与BM之间，也可以覆盖在金属接触结构上，从而实现金手指与触控感应区线路的电连接。

当ITO导电膜层形成在金手指与BM之间时，金手指裸露在空气中，使得金手指容易接触到空气中的水分而发生腐蚀，另外，当ITO导电膜层覆盖在金手指上时，由于形成金手指的金属层厚度太大，ITO导电膜层比较硬，爬坡金属层时容易发生断裂而导致接触不良，同时由于金属层厚度的存在，ITO导电膜层与BM之间形成较大的空气缝隙，导致空气中的水分从空气缝隙进入，接触到金手指而发生腐蚀。

技术实现要素：

本发明的目的在于提供一种触摸屏绑定区金属接触结构、制备方法及显示装置，解决了现有金属接触结构中的金手指与从触控感应区延伸出的ITO导电膜电连接时容易发生水汽腐蚀以及ITO导电膜断裂的问题。

为了实现上述目的，本发明提供如下技术方案：

本发明的第一方面提供一种触摸屏绑定区金属接触结构，形成在遮光层上，包括金手指及ITO导电膜层，其中，所述遮光层上形成有凹槽，所述金手指部分嵌入在所述凹槽中，所述ITO导电膜层覆盖所述金手指及所述金手指周围的所述遮光层表面。

基于上述触摸屏绑定区金属接触结构的技术方案，本发明的第二方面提供一种触摸屏绑定区金属接触结构的制备方法，包括：

在绑定区的遮光层上形成凹槽；

形成金手指，所述金手指部分嵌入在所述凹槽中；

形成ITO导电膜层，覆盖所述金手指及所述金手指周围的所述遮光层表面。

基于上述触摸屏绑定区金属接触结构的技术方案，本发明的第三方面提供一种显示装置，包括上述的触摸屏绑定区金属接触结构。

本发明实施例提供的触摸屏绑定区金属接触结构、制备方法及显示装置中，由于金手指部分嵌入在遮光层的凹槽中，使得金手指表面与遮光层表面之间的距离小于金手指的厚度，当覆盖ITO导电膜层时，爬坡的高度降低，可有效避免ITO导电膜层断裂，从而避免接触不良的发生；另外由于金手指表面与遮光层表面之间的距离减小，覆盖金手指和遮光层的ITO导电膜层与遮光层之间的空气缝隙非常小，可有效防止水分从空气缝隙进入，进而避免了水分腐蚀金手指。

附图说明

此处所说明的附图用来提供对本发明的进一步理解，构成本发明的一部分，本发明的示意性实施例及其说明用于解释本发明，并不构成对本发明的不当限定。在附图中：

图1为本发明实施例提供的一种触摸屏绑定区金属接触结构的示意图；

图2为本发明实施例提供的另一种触摸屏绑定区金属接触结构的示意图；

图3a～图3d为本发明实施例提供的一种触摸屏绑定区金属接触结构的制备方法各步骤形成的结构示意图；

图4a～图4d为本发明实施例提供的另一种触摸屏绑定区金属接触结构的制备方法各步骤形成的结构示意图。

具体实施方式

为便于理解，下面结合说明书附图，对本发明实施例提供的触摸屏绑定区金属接触结构、制备方法及显示装置进行详细描述。

实施例1

请参阅图1，本实施例提供的触摸屏绑定区金属接触结构形成在遮光层11上，包括金手指12及ITO导电膜层13，其中，遮光层11上形成有凹槽14，金手指12部分嵌入在凹槽14中，并且，ITO导电膜层13覆盖金手指12及金手指12周围的遮光层11表面。

在显示装置中，金属接触结构是将触摸屏器件与控制电路电连接的重要组件，本发明实施例提供的触摸屏绑定区金属接触结构中，由于金手指12部分嵌入在遮光层11的凹槽14中，使得金手指12表面与遮光层11表面之间的距离小于金手指12的厚度，当覆盖ITO导电膜层13时，爬坡的高度降低，可有效避免ITO导电膜层13断裂，从而避免接触不良的发生；另外由于金手指12表面与遮光层11表面之间的距离减小，覆盖金手指12和遮光层11的ITO导电膜层13与遮光层11之间的空气缝隙非常小，可有效防止水分从空气缝隙进入，进而避免了水分腐蚀金手指12。同时，还能有效减少静电击穿现象的发生。

上述实施例中，金手指12的可以具有图1所示的结构，即金手指12由下至上依次包括第一Mo(钼)层121′、Al(铝)层122′和第二Mo层123′，这种在两层Mo层中间夹一层Al层的结构中，由于Al材料的导电性比钼材料好，价格便宜，因此夹层结构的金手指12比单纯使用Mo材料的金手指12的导电性好，方阻小，且价格低。

图1所示的金手指12结构中，第一Mo层121′、Al层122′和第二Mo层123′的宽度一致，图2示出了另一种金手指12结构，该结构在图2的结构基础上增加了第三Mo层124，该第三Mo层124覆盖Al层122′侧表面及Al层122′周围的遮光层11表面。第二Mo层123′的表面高于第三Mo层124的表面。

采用图2所示的金手指12结构，使得第三Mo层124覆盖了Al层122′侧表面及Al层122′周围的遮光层11表面，并且第二Mo层123′覆盖了Al层122′的上表面，因此形成了Mo层包裹Al层122′的结构，可以进一步减小Al层122′接触空气的几率，防止腐蚀的发生；另外，第二Mo层123′和第三Mo层124的表面形成了高度不同的阶梯状结构，可降低ITO导电膜层爬坡的坡度角，也使得ITO导电膜层与遮光层之间的空气缝隙进一步减小。

上述实施例描述的金手指12均采用多层金属结构，当然，金手指12也可以采用由Mo制成。Mo材料具有好的抗腐蚀性，因此，采用Mo制成的金手指12也具有较好的抗腐蚀性。

实施例2

本实施例提供了一种触摸屏绑定区金属接触结构的制备方法，该方法包括如下步骤。

步骤一、在绑定区的遮光层上形成凹槽。

步骤二、形成金手指，该金手指部分嵌入在该凹槽中。

步骤三、形成ITO导电膜层，覆盖该金手指及金手指周围的遮光层表面。

本发明实施例提供的触摸屏绑定区金属接触结构的制备方法中，由于形成的金手指部分嵌入在遮光层的凹槽中，使得金手指表面与遮光层表面之间的距离小于金手指的厚度，当覆盖ITO导电膜层时，爬坡的高度降低，可有效避免ITO导电膜层断裂，从而避免接触不良的发生；另外由于金手指表面与遮光层表面之间的距离减小，覆盖金手指和遮光层的ITO导电膜层与遮光层之间的空气缝隙非常小，可有效防止水分从空气缝隙进入，进而避免了水分腐蚀金手指。同时，还能有效减少静电击穿现象的发生。

实施例3

根据不同的金手指结构，本实施例提供了另一种触摸屏绑定区金属接触结构的制备方法，如图3a～3d所示，该方法包括如下步骤。

步骤一、在绑定区的遮光层上形成凹槽。

如图3a所示，可以利用刻蚀的方法，在遮光层11上形成凹槽14。

步骤二、在凹槽及其周围的遮光层上依次形成第一Mo层，Al层和第二Mo层。

如图3b所示，可以利用溅射的方法，在凹槽14及其周围的遮光层11上依次形成第一Mo层121，Al层122和第二Mo层123。形成第一Mo层121时，第一Mo层121填充部分凹槽14，凹槽14外的第一Mo层121表面高于凹槽14内的第一Mo层121表面。形成Al层122时，形成在凹槽14上方Al层122的表面低于凹槽14外的Al层122表面。形成第二Mo层123时，形成在凹槽14上方第二Mo层123的表面低于凹槽14外的第二Mo层123表面。通过设计凹槽14的深度以及第一Mo层121、Al层122的厚度，可以使第一Mo层121覆盖Al层122的侧表面。

步骤三、通过刻蚀将凹槽周围遮光层上的第二Mo层及Al层去除，并去除遮光层上远离所述凹槽的部分第一Mo层以形成第三Mo层，第三Mo层覆盖剩余Al层侧表面。

剩余的第二Mo层的表面高于第三Mo层的表面；第三Mo层、凹槽上方剩余的第一Mo层、第二Mo层及Al层形成金手指。

如图3c所示，依次刻蚀去除凹槽14周围遮光层11上的第二Mo层123及Al层122后，再刻蚀去除遮光层11上的部分第一Mo层121以形成第三Mo层124，并且形成的第三Mo层124覆盖剩余Al层122′侧表面，保护Al层122′侧表面不受腐蚀，最终形成由凹槽上方剩余的第一Mo层121′、第二Mo层123′及Al层122′，还有第三Mo层124构成的金手指12。

步骤四、形成ITO导电膜层，覆盖该金手指及金手指周围的遮光层表面。

如图3d所示，最终形成的结构中，第二Mo层123′覆盖Al层122′上表面，第三Mo层124覆盖Al层122′侧表面，形成了Mo层包裹Al层122′的结构，可以进一步减小Al层122′接触空气的几率，防止腐蚀的发生；另外，第二Mo层123′的表面与第三Mo层124的表面形成了高度不同的阶梯状结构，可降低ITO导电膜层13爬坡的坡度角，也使得ITO导电膜层13与遮光层11之间的空气缝隙进一步减小。同时，还能有效减少静电击穿现象的发生。

本实施例提供的触摸屏绑定区金属接触结构的制备方法中，由于形成的金手指部分嵌入在遮光层的凹槽中，使得金手指表面与遮光层表面之间的距离小于金手指的厚度，当覆盖ITO导电膜层时，爬坡的高度降低，可有效避免ITO导电膜层断裂，从而避免接触不良的发生；另外由于金手指表面与遮光层表面之间的距离减小，覆盖金手指和遮光层的ITO导电膜层与遮光层之间的空气缝隙非常小，可有效防止水分从空气缝隙进入，进而避免了水分腐蚀金手指。同时，还能有效减少静电击穿现象的发生。

实施例4

根据不同的金手指结构，本实施例提供了又一种触摸屏绑定区金属接触结构的制备方法，如图4a～4d所示，该方法包括如下步骤。

步骤一、在绑定区的遮光层上形成凹槽。

如图4a所示，可以利用刻蚀的方法，在遮光层11上形成凹槽14。

步骤二、在凹槽及其周围的遮光层上形成导电层。

如图4b所示，形成导电层41时，可以是如图所示的，由下至上依次形成第一Mo层121，Al层122和第二Mo层123；也可以是仅形成一个Mo层。

步骤三、通过刻蚀将凹槽周围的遮光层上的导电层去除，剩余的导电层形成金手指。

如图4c所示，刻蚀后，剩余的导电层包括剩余的第一Mo层121′，Al层122′和第二Mo层123′，形成部分嵌入在凹槽14中的金手指12。

步骤四、形成ITO导电膜层，覆盖金手指及金手指周围的遮光层表面。

如图4d所示，最终形成的包含ITO导电膜层13的结构中，由于只在凹槽14上方形成了金手指12，可以尽量减少金手指12所占绑定区的面积，从而有利于提升绑定区的集成度。而且，当导电层41的材料仅包含Mo，可以提高金手指12的抗腐蚀性，当导电层41的材料包含由下至上依次形成的第一Mo层121，Al层122和第二Mo层123时，由于在Mo层中增加了Al层，Al材料的导电性好，可以克服Mo材料方阻大及价格昂贵的问题。

本实施例提供的触摸屏绑定区金属接触结构的制备方法中，由于形成的金手指部分嵌入在遮光层的凹槽中，使得金手指表面与遮光层表面之间的距离小于金手指的厚度，当覆盖ITO导电膜层时，爬坡的高度降低，可有效避免ITO导电膜层断裂，从而避免接触不良的发生；另外由于金手指表面与遮光层表面之间的距离减小，覆盖金手指和遮光层的ITO导电膜层与遮光层之间的空气缝隙非常小，可有效防止水分从空气缝隙进入，进而避免了水分腐蚀金手指。同时，还能有效减少静电击穿现象的发生。

上述各实施例中，凹槽14的深度可以为240nm，第一Mo层的厚度可以为60nm、Al层的厚度可以为200nm，第二Mo层的厚度可以为80nm。

实施例5

本实施例还提供了一种显示装置，该显示装置包括上述各实施例所描述的触摸屏绑定区金属接触结构。

由于该显示装置包括了该触摸屏绑定区金属接触结构，使得金手指能部分嵌入在遮光层的凹槽中，因此金手指表面与遮光层表面之间的距离小于金手指的厚度，当覆盖ITO导电膜层时，爬坡的高度降低，可有效避免ITO导电膜层断裂，从而避免接触不良的发生；另外由于金手指表面与遮光层表面之间的距离减小，覆盖金手指和遮光层的ITO导电膜层与遮光层之间的空气缝隙非常小，可有效防止水分从空气缝隙进入，进而避免了水分腐蚀金手指。

在上述实施方式的描述中，具体特征、结构、材料或者特点可以在任何的一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。

以上所述，仅为本发明的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。