一种电容式触摸屏的制作方法

本发明属于显示设备技术领域，特别是涉及一种电容式触摸屏。

背景技术：

随着现代社会技术和经济的发展，智能化的水平越来越高，并且已经渗透到了我们日常生活的很多方面，给我们的日常生活带来了巨大便利，全方位智能化体验是未来发展的趋势。目前主流的触摸屏类型有R触摸屏(电阻屏)和C触摸屏(电容屏)，并且C触摸屏已逐渐取代R触摸屏占据了主要市场。对于C触摸屏产品，ITO是目前首选的导电材料，但是在制作ITO pattern，也就是在玻璃上溅镀一层透明电极时，由于ITO折射率与玻璃折射率不同，因此ITO区域与非ITO区域存在明显的视觉差，也就是说刻蚀痕可见。

现有技术是在ITO膜和玻璃之间镀上一层IM膜(index matching，指具有消影作用的透明光学层)，该膜在可见光区域的反射率与镀制ITO膜后的反射率接近，使ITO膜与刻蚀区的色差减小，以达到消影效果。但是采用此技术仅能在一定程度上减小底影影响，尤其是在对屏有AR(anti reflection，降反增透)处理的前提下，这种消影效果达不到人们对触摸屏的要求。

技术实现要素：

为解决上述问题，本发明提供了一种电容式触摸屏，能够避免ITO膜与刻蚀区的色差，避免底影的出现，满足人们对于触摸屏的要求。

本发明提供的一种电容式触摸屏，包括在基底的下表面设置的第一消影层，在所述第一消影层的下表面制作透明电极，所述透明电极的下表面还设置有至少一个第二消影层。

优选的，在上述电容式触摸屏中，所述第二消影层包括二氧化硅层和位于所述二氧化硅层下表面的氮化硅层或五氧化二铌层。

优选的，在上述电容式触摸屏中，所述第二消影层的数量为一个。

优选的，在上述电容式触摸屏中，所述第一消影层包括二氧化硅层和位于所述二氧化硅层上表面的氮化硅层或五氧化二铌层。

优选的，在上述电容式触摸屏中，所述第二消影层的下表面还设置有第一降反增透膜。

优选的，在上述电容式触摸屏中，所述基底为玻璃。

优选的，在上述电容式触摸屏中，所述基底的上表面还设置有第二降反增透膜。

优选的，在上述电容式触摸屏中，所述第二降反增透膜的上表面还设置有防指纹膜。

通过上述描述可知，本发明提供的上述电容式触摸屏，由于包括在基底的下表面设置的第一消影层，在所述第一消影层的下表面制作透明电极，所述透明电极的下表面还设置有至少一个第二消影层，因此能够避免ITO膜与刻蚀区的色差，避免底影的出现，满足人们对于触摸屏的要求。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据提供的附图获得其他的附图。

图1为本申请实施例提供的第一种电容式触摸屏的示意图；

图2为本申请实施例提供的第五种电容式触摸屏的示意图。

具体实施方式

本发明的核心思想在于提供一种电容式触摸屏，能够避免ITO膜与刻蚀区的色差，避免底影的出现，满足人们对于触摸屏的要求。

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

本申请实施例提供的第一种电容式触摸屏如图1所示，图1为本申请实施例提供的第一种电容式触摸屏的示意图，该电容式触摸屏包括在基底1的下表面设置的第一消影层2，这里所说的消影层(IM，index matching)指的是具有消影作用的透明光学层，一般为双层结构，通过控制双层膜的厚度，利用高低折射率不同的材料之间的干涉原理，使刻蚀之后形成的透明电极和非透明电极区域的反射率非常接近，以减弱视觉反差，达到消除ITO电极底影的目的，反射率之差(|R1-R2|，表征底影效果)一般能控制在1％以内，在所述第一消影层2的下表面制作透明电极3，该透明电极可以是但不限于是ITO，但是，对于一些要求高的触摸屏而言，这种结构也达不到人们对底影的要求，因此，所述透明电极3的下表面还设置有至少一个第二消影层4，通过调整第一消影层和第二消影层的膜系设计，可以使反射率之差(|R1-R2|)小于0.5％，甚至更小，使人眼看不到透明电极蚀刻痕。

通过上述描述可知，本申请实施例提供的上述第一种电容式触摸屏，由于包括在基底的下表面设置的第一消影层，在所述第一消影层的下表面制作透明电极，所述透明电极的下表面还设置有至少一个第二消影层，因此能够避免ITO膜与刻蚀区的色差，避免底影的出现，满足人们对于触摸屏的要求。

本申请实施例提供的第二种电容式触摸屏，是在上述第一种电容式触摸屏的基础上，还包括如下技术特征：

所述第二消影层包括二氧化硅层和位于所述二氧化硅层下表面的氮化硅层或五氧化二铌层。

需要说明的是，SiO₂的折射率是1.46，Nb₂O₅的折射率是2.3，Si₃N₄的折射率是2.06，通过高折射率和低折射率的材料之间的干涉作用(如干涉相消，当然在纳米级别厚度时，可能不只包括干涉)来实现的，所以对应消影层各材料的厚度需根据溅镀的透明电极而进行调整，对于不同厚度的透明电极，对应的消影膜系的设计也是不同的，均在纳米尺度范围内。

本申请实施例提供的第三种电容式触摸屏，是在上述第二种电容式触摸屏的基础上，还包括如下技术特征：

所述第二消影层的数量为一个。

需要说明的是，至少具有一个第二消影层结构才能与第一消影层配合，以使可见光波段的反射曲线尽量平滑，当然更多层也是可以的，但是层数越多价格越贵，因此此处优选为一层，能够在成本较低的前提下实现较好的消影目的。

本申请实施例提供的第四种电容式触摸屏，是在上述第三种电容式触摸屏的基础上，还包括如下技术特征：

所述第一消影层包括二氧化硅层和位于所述二氧化硅层上表面的氮化硅层或五氧化二铌层。

需要说明的是，SiO₂的折射率是1.46，Nb₂O₅的折射率是2.3，Si₃N₄的折射率是2.06，通过高折射率和低折射率的材料之间的干涉作用(如干涉相消，当然在纳米级别厚度时，可能不只包括干涉)来实现的，所以对应消影层各材料的厚度需根据溅镀的透明电极而进行调整，对于不同厚度的透明电极，对应的消影膜系的设计也是不同的，均在纳米尺度范围内。

本申请实施例提供的第五种电容式触摸屏，是在上述第一种至第四种电容式触摸屏中任一种的基础上，还包括如下技术特征：

参考图2，图2为本申请实施例提供的第五种电容式触摸屏的示意图，所述第二消影层4的下表面还设置有第一降反增透膜5，可以降低玻璃一面的反射率，这层AR膜(降反增透膜)需要根据整个触摸屏以及触摸屏与LCD之间的胶水来设计结构。

本申请实施例提供的第六种电容式触摸屏，是在上述第五种电容式触摸屏的基础上，还包括如下技术特征：

所述基底为玻璃，这是一种较易获得且成本低的基底，具有足够的强度，因此适合作为此处的基底。

本申请实施例提供的第七种电容式触摸屏，是在上述第六种电容式触摸屏的基础上，还包括如下技术特征：

继续参考图2，所述基底1的上表面还设置有第二降反增透膜6，这就能够进一步降低玻璃另一面的反射率，增强用户体验。

本申请实施例提供的第八种电容式触摸屏，是在上述第七种电容式触摸屏的基础上，还包括如下技术特征：

继续参考图2，所述第二降反增透膜6的上表面还设置有防指纹膜7，该防指纹膜即AF(Anti-Fingerprint)层，其作用在于通过淡化、分解指纹油脂的可见度，起到防指纹的作用。

综上所述，在透明电极，如ITO pattern的两面同时溅镀消影层，即双层IM，实现了在不增加触摸屏整体反射率的前提下，达到消除底影的目的，改善触摸屏的服务质量。对于不同的触摸屏，要求的透明电极的面电阻不同，面电阻跟透明电极的厚度有关，也就是说溅镀的透明电极的厚度是不同的，这就需要不同的消影层体系来进行消影，所以两个消影层中的两种材料的厚度随不同的触摸屏要求而定。

对所公开的实施例的上述说明，使本领域专业技术人员能够实现或使用本发明。对这些实施例的多种修改对本领域的专业技术人员来说将是显而易见的，本文中所定义的一般原理可以在不脱离本发明的精神或范围的情况下，在其它实施例中实现。因此，本发明将不会被限制于本文所示的这些实施例，而是要符合与本文所公开的原理和新颖特点相一致的最宽的范围。