薄膜触控传感器及其制造方法与流程

本发明涉及薄膜触控传感器及其制造方法。
背景技术：
：随着触控输入方式变成下一代输入方式的焦点，正尝试在各种电子装置中引入触控输入方式。因此，也正在活跃地进行能够应用至不同环境并准确地辨识碰触的触控传感器的研发。例如，在具有触控输入型显示器的电子装置的例子中，具有改善的便携性、实现超轻重量且低功耗的超薄柔性显示器是下一代显示器的焦点，且因此需要开发可应用至这种显示器的触控传感器。柔性显示器意指在柔性基板上制造的显示器，柔性基板能够被弯曲、折迭或变形，而不降低操作特性，且其技术已开发用于制造柔性LCD、柔性OLED、电子纸等等中。为了将触控输入方式应用至这样的柔性显示器，需要具有极佳的弯曲性与回复力且具有优越的柔性与弹性的触控传感器。关于用于制造柔性显示器的薄膜触控传感器，已提出了包括有埋入透明树脂基膜中的布线的布线基板。用于制造上述布线基板的方法包括：在承载基板上形成金属布线的布线形成工艺、通过将透明树脂溶液涂布至承载基板以覆盖金属布线并进行干燥来形成透明树脂基膜的压层过程、以及从承载基板剥离透明树脂基膜的剥离过程。为了容易地执行剥离过程，上述制造方法采用在基板表面上先形成例如硅树脂或氟树脂之类的有机剥离剂，或例如类钻碳(DLC)薄膜或氧化锆薄膜之类的无机剥离剂的方法。然而，在使用无机剥离剂的例子中，当从承载基板剥离基膜以及金属布线时，基膜以及金属布线不会从其顺畅剥离，使得一部分的基膜或金属布线留在承载基板上，且用作剥离剂的有机材料粘在基膜以及金属布线的表面上。也就是说，即使使用了剥离剂，也可能无法从基板完全剥离布线基板的金属布线。为了解决上述问题，韩国授权专利第10-1191865号揭露了一种方法，其包括：在制造埋有金属布线的柔性基板期间，在基板上形成能够被光或溶剂移除的牺牲层、金属布线、以及聚合物材料(柔性基板)；以及然后使用光或溶剂移除牺牲层，以从基板剥离金属布线以及聚合物材料(柔性基板)。然而，上述方法在大尺寸中难以进行移除牺牲层工艺，且不适用于高温工艺，因此无法使用多种薄膜基材。[现有技术文献][专利文献]专利文献1：韩国授权专利第1191865号技术实现要素：技术问题因此，本发明的一目的是提供具有优异的可视性的薄膜触控传感器。此外，本发明的另一目的是提供具有低电阻导电图案的薄膜触控传感器。此外，本发明的另一目的是提供由于能够在承载基板上执行工艺而可容易地形成图案层等的薄膜触控传感器，及其制造方法。技术方案(1)一种薄膜触控传感器，其中依序设置了导电图案层以及分离层，该薄膜触控传感器包括设置在导电图案层以及分离层中的至少一个的表面上的基膜，以及设置在分离层以及导电图案层之间的覆盖层，覆盖层包括SiOxNy(0≤x≤4，y＝4-x)。(2)如上述(1)所述的薄膜触控传感器中，在SiOxNy中，x以及y可具有0<x<4以及y＝4-x的关系。(3)如上述(1)所述的薄膜触控传感器中，分离层可由聚合物制成，该聚合物选自由聚酰亚胺类聚合物、聚乙烯醇类聚合物、聚酰胺酸类聚合物、聚酰胺类聚合物、聚乙烯类聚合物、聚苯乙烯类聚合物、聚降冰片烯类聚合物、苯基马来亚酰胺共聚物类聚合物、聚偶氮苯类聚合物、聚亚苯基酞酰胺类聚合物、聚酯类聚合物、聚甲基丙烯酸甲酯类聚合物、香豆素类聚合物、苄甲内酰胺类聚合物、查尔酮类聚合物以及芳香族乙炔类聚合物组成的组。(4)如上述(1)所述的薄膜触控传感器中，薄膜触控传感器可进一步包括设置在分离层以及覆盖层之间的第一保护层。(5)如上述(1)所述的薄膜触控传感器中，导电图案层可用选自由金属氧化物、金属、金属纳米线、碳基材料以及导电聚合物组成的组中的至少一种材料制成。(6)如上述(1)所述的薄膜触控传感器中，导电图案层可由氧化铟锡(ITO)制成。(7)如上述(1)所述的薄膜触控传感器中，导电图案层可具有大约100至的厚度。(8)如上述(1)所述的薄膜触控传感器中，薄膜触控传感器可进一步包括设置在其上形成有导电图案层的覆盖层上的第二保护层。(9)如上述(1)所述的薄膜触控传感器中，基膜可为偏光片或透明薄膜。(10)一种触控面板，包括根据上述(1)至(9)任一所述的薄膜触控传感器。(11)一种图像显示设备，包括根据上述(10)所述的触控面板。(12)一种用于制造薄膜触控传感器的方法，包括：在承载基板上形成分离层、在分离层上形成包括SiOxNy(0≤x≤4，y＝4-x)的覆盖层、在覆盖层上形成导电图案层、以及将基膜附着至导电图案层。(13)一种用于制造薄膜触控传感器的方法，包括：在承载基板上形成分离层、在分离层上形成包括SiOxNy(0≤x≤4，y＝4-x)的覆盖层、在覆盖层上形成导电图案层、以及从承载基板剥离分离层并将基膜附着至分离层的从承载基板剥离的表面上。(14)如上述(12)或(13)所述的方法中，在SiOxNy中，x以及y可具有0<x<4以及y＝4-x的关系。(15)如上述(12)或(13)所述的方法中，可通过沉积方法形成覆盖层。(16)如上述(12)或(13)所述的方法可进一步包括在形成覆盖层前在分离层上形成第一保护层。(17)如上述(12)或(13)所述的方法可进一步包括在其上形成有导电图案层的覆盖层上形成第二保护层。(18)如上述(12)或(13)所述的方法中，可使用黏着层来执行基膜的附着。发明效果本发明的薄膜触控传感器在导电图案层的一侧上具有覆盖层，覆盖层包括氮氧化硅、氮化硅以及氧化硅中的至少一者，从而改善触控图案的可视性。此外，本发明的薄膜触控传感器具有上述覆盖层，因此能够增加包括ITO的导电图案层的结晶度，从而实现低电阻的导电图案层。此外，根据本发明，可通过在承载基板上执行用于实现薄膜触控传感器的图案层形成工艺之后附着基膜来防止基膜的热损坏等。附图说明图1是示意性地示出从承载基板分离之前的薄膜触控传感器的一实施方式的剖面图；图2是示意性地示出从承载基板分离之前的薄膜触控传感器的另一个实施方式的剖面图；以及图3是示意性地示出从承载基板分离后的薄膜触控传感器的一实施方式的剖面图。具体实施方式本发明的一种薄膜触控传感器，其中依序设置了导电图案层以及分离层，且基膜设置在导电图案层以及分离层中的至少一个的表面上，该薄膜触控传感器还包括设置在分离层以及导电图案层之间并包括SiOxNy(0≤x≤4，y＝4-x)的覆盖层。因此，可改善可视性，且可降低薄膜触控传感器中的导电图案层的电阻。此后，将参照附图详细地描述本发明的实施方式。然而，由于本说明书附图仅是用于例示本发明各种较佳实施方式，以有助于了解本发明的构思，其不应被理解为限制本发明。薄膜触控传感器图1是示意性地示出从承载基板分离之前的薄膜触控传感器的一实施方式的剖面图。分离层20是用于从承载基板10分离的层。分离层20充当用于覆盖以及保护导电图案层50的层、以及用于与其他层绝缘的层。因此，优选地，分离层20可由容易地从承载基板10剥离但同时不会从后述的覆盖层40或第一保护层30被剥离的材料制成。在此方面，分离层20可为聚合物有机薄膜，且可用诸如聚酰亚胺聚合物、聚乙烯醇聚合物、聚酰胺酸聚合物、聚酰胺聚合物、聚乙烯聚合物、聚苯乙烯聚合物、聚降冰片烯聚合物、苯基马来亚酰胺共聚物类聚合物、聚偶氮苯聚合物、聚亚苯基酞酰胺聚合物、聚酯聚合物、聚甲基丙烯酸甲酯聚合物、聚芳酯类聚合物、肉桂酸酯类聚合物、香豆素类聚合物、苄甲内酰胺类聚合物、查尔酮类聚合物、芳香族乙炔类聚合物等的聚合物制成，但不限于此。可单独或以两个以上的组合来使用这些化合物。只要其提供实质上不受热影响或化学处理影响的适当的强度，使得基板可在工艺期间不容易地被弯曲或变形、且可被固定，承载基板10可无特别限制地由任何材料制成。例如，可使用玻璃、石英、硅晶圆、SUS(不锈钢)等等，且可较佳地使用玻璃。覆盖层40是包括氮氧化硅、氮化硅或氧化硅中的至少一者(SiOxNy)的层、且可通过调整导电图案层50以及其他层之间的折射率差来减少导电图案层50可见度。因此，当耦合至图像显示设备时，覆盖层40可改善图像的可视性。此外，当导电图案层50由导电金属氧化物(例如氧化铟锡(ITO)类)制成时，可降低其结晶作用所需的活化能，以在较低的退火温度下激活结晶作用，并因此可实现导电图案层中的低电阻。导电图案层中的这种低电阻可带来触控信号敏感度的改善。根据本发明实施方式的包括SiOxNy(0≤x≤4，y＝4-x)的覆盖层40可为取决于x和y的比例而包括氮氧化硅、氮化硅或氧化硅中的至少一者的层。当此层是氧化硅(y＝0)时，改善可视性的效果可变得较大，且当此层是氮氧化硅(0<x<4，y＝4-x)时，降低导电图案层50电阻的效果可变得较大。包括SiOxNy的层可通过相关技术中已知的方法来形成，且可通过例如沉积法来形成。导电图案层50可包括用于感测碰触的感测电极以及平板(pad)电极。感测电极以及平板电极可分别位于分离层上的感测区以及平板区中。然而，由于感测电极以及平板电极必须彼此电连接，至少一部分的感测电极可位于平板区中，且至少一部分的平板电极可位于感测区中。在本文中，感测区指的是与薄膜触控传感器中施加碰触的显示器部分对应的区域，且平板区指的是与平板部分对应的区域。也就是说，在分离层上的感测区指的是与分离层上的显示器部分对应的区域，且平板区指的是与分离层上的平板部分对应的区域。导电图案层50可使用任何材料而无特别限制，只要其为导电材料。例如，导电图案层50可由从下列类选出的材料制成：从由氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化铟锌锡(IZTO)、氧化铝锌(AZO)、氧化镓锌(GZO)、掺氟氧化锡(FTO)、氧化铟锡-银-氧化铟锡(ITO-Ag-ITO)、氧化铟锌-银-氧化铟锌(IZO-Ag-IZO)、氧化铟锌锡-银-氧化铟锌锡(IZTO-Ag-IZTO)以及氧化铝锌-银-氧化铝锌(AZO-Ag-AZO)组成的组选出的金属氧化物；从由金(Au)、银(Ag)、铜(Cu)、钼(Mo)以及APC组成的组选出的金属；从由金、银、铜以及铅组成的组选出的金属纳米线；从由纳米碳管(CNT)以及石墨烯组成的组选出的碳基材料；以及从由聚(3,4-乙烯二氧噻吩)(PEDOT)以及聚苯胺(PANI)组成的组选出的导电聚合物材料。可单独或以两个以上的组合来使用这些材料，且较佳地，可使用氧化铟锡。此外，可使用结晶氧化铟锡以及非结晶氧化铟锡。导电图案层50的厚度不特别受限，但考虑到薄膜触控传感器的柔性，较佳尽可能使用薄膜。例如，导电图案层50可具有大约100至的厚度。同时，随着导电图案50采用薄膜，电阻可能会增加。然而，由于本发明的薄膜触控传感器包括上述覆盖层40，因此能够防止电阻增加，从而维持极佳的敏感度。导电图案层50的各个单位图案可独立地为多角形图案，例如三角形、四边形、五角形、六角形或七角形或更多。此外，导电图案层50可包括规律的图案。规律的图案意指图案的形式具有规律性。例如，各单位图案可独立地包括诸如长方形或正方形的网状图案，或具有诸如六角形的形状的图案。此外，导电图案层50可包括不规则的图案。不规则的图案意指图案的形式没有规律性。当导电图案层50是由例如金属纳米线、碳基材料、聚合物材料等的材料形成时，导电图案层50可具有网状结构。当导电图案层50具有网状结构时，由于信号可被依序地转移至彼此接触的邻接图案，可获得具有高敏感度的图案。可在单层或多层中形成导电图案层50。例如，当为了感测碰触位置而在两个彼此不同的方向中形成电极时，导电图案层50可在两层中形成，以将不同的方向的电极彼此绝缘。当在单层中形成导电图案层50时，设置在任一方向中的电极可经由桥电极彼此电连接，同时维持与设置在另一方向中的电极电绝缘。根据本发明的一个实施方式，薄膜触控传感器可选地进一步包括设置在分离层20以及覆盖层40之间的第一保护层30。图2示意性地示出进一步包括第一保护层30的薄膜触控传感器的示例。类似于分离层20，第一保护层30也可覆盖导电图案层50以保护导电图案层50、且可防止分离层20在本发明薄膜触控传感器的制造过程期间曝露至用于形成导电图案层50的蚀刻剂。相关技术中已知的聚合物可用于第一保护层30而无其特别限制，且第一保护层30例如可形成为有机绝缘层。第一保护层30可覆盖分离层20的侧面的至少一部分，以在例如针对导电图案进行图案化的工艺期间最小化分离层20的侧面曝露至蚀刻剂。第一保护层30可覆盖分离层20的整个侧面，以完全地保护分离层20的侧面。如图3中所示，本发明的薄膜触控传感器可进一步包括位于形成有导电图案层50的覆盖层40上的第二保护层60。第二保护层60可起到基膜以及钝化层的作用。此外，第二保护层60可防止导电图案层50被腐蚀，且可通过使表面平坦化，在附着至基膜70时抑制微气泡的发生。第二保护层60可起到黏着层的作用。当第二保护层60起基膜或钝化层的作用时，其可由下列形成：硅基聚合物，例如聚二甲基硅氧烷(PDMS)、聚有机硅氧烷(POS)等等；聚酰亚胺类聚合物；聚氨基甲酸乙酯类聚合物等等，但不限于此。这些可单独或以两个以上的组合来使用。当第二保护层60起黏着层的作用时，可使用相关技术中已知的任何热固性、光固化黏着剂或黏结剂，而无其特别限制。例如，可使用聚酯、聚醚、氨基甲酸乙酯、环氧树脂、硅树脂、丙烯酸类的黏着剂或黏结剂等等。如图3中所示，本发明的薄膜触控传感器可进一步包括附着至第二保护层60上的基膜70。当第二保护层60是黏着层时，可将基膜70可直接附着在第二保护层60上。或者，如图3中所示，可经由第二保护层60上的黏着层将基膜70附着。根据本发明的一个实施方式，可朝向分离层20附着基膜70。此时，在将分离层20从承载基板10分离之后，可将基膜70附着至分离层20的从承载基板10剥离的表面上。作为基膜70，可使用包括相关技术中广泛使用的材料的透明薄膜，而无其特别限制。例如，基膜70可为使用从由下列材料组成的组选出的任一者或其组合制成的薄膜：纤维素酯(例如三醋酸纤维素、丙酸纤维素、丁酸纤维素、醋酸丙酸纤维素以及硝基纤维素)、聚酰亚胺、聚碳酸酯、聚酯(例如聚乙烯对苯二甲酸酯、聚萘二甲酸乙二酯、聚-1,4-环己烷二甲烯对苯二甲酸酯、聚乙烯1,2-二苯氧乙烷-4,4’-二甲酸酯以及聚丁烯对苯二甲酸酯、聚苯乙烯(例如间规聚苯乙烯)、聚烯烃(例如聚丙烯、聚乙烯，以及聚甲基戊烯)、聚砜、聚醚砜、聚芳酯、聚醚-酰亚胺、聚甲基丙烯酸甲酯、聚醚酮、聚乙烯醇、以及聚乙烯氯或其混合物，其可单独或以两个以上的组合来使用。此外，透明薄膜可为等向性薄膜或相位延迟薄膜。当透明薄膜是等向性薄膜时，平面内相位延迟(Ro，Ro＝[nx-ny]×d]，nx以及ny代表薄膜平面的主折射率，nz代表薄膜厚度方向中的折射率，以及d代表薄膜的厚度)是40nm或更少，较佳为15nm或更少，且在厚度方向中的相位延迟(Rth，Rth＝[(nx+ny)/2-nz]×d)为-90nm至+75nm，较佳为-80nm至+60nm，且更佳为-70nm至+45nm。相位延迟薄膜可为通过包括聚合物薄膜的单轴拉伸或双轴拉伸、聚合物涂层、以及液体晶体涂层的过程制造出的薄膜，且可一般用以提升并控制光学特性，例如用于视角的补偿、颜色敏感度的提升、光漏的提升、显示器中色味的控制。偏光片也可用作基膜70。偏光片可为偏光片保护薄膜附着至聚乙烯醇偏光片的一个表面或两个表面而成的类型。保护薄膜也可用作基膜70。保护薄膜可为在由聚合物树脂形成的薄膜的至少一表面上形成有黏着层的薄膜、或具有例如聚丙烯之类的自黏特性的薄膜，且可用于保护薄膜触控传感器的表面并提升可工作性。较佳地，基膜70可具有85％或更高的透光度，且较佳为90％或更高。此外，基膜70可具有10％或更低的总雾值，且较佳为7％或更低，其是由JISK7136测量。基膜70的厚度不受限，但可较佳为大约30至150μm，且更佳为大约70至120μm。在本发明薄膜触控传感器的制造工艺期间，承载基板10从分离层20的底部分离，且第二基膜80可附着至其从承载基板10分离的位置。第二基膜80可采用与前述的第一基膜70实质上相同或类似的薄膜。如上所述，当第一基膜70附着至分离层20侧时，第二基膜80可附着在第二保护层60上。具有上述配置的本发明薄膜触控传感器可在从承载基板10剥离后用作薄膜触控传感器。制造薄膜触控传感器的方法此外，本发明提供一种用于制造薄膜触控传感器的方法。根据本发明一个实施方式，用于制造薄膜触控传感器的方法可包括：在承载基板上形成分离层；在分离层上形成包括SiOxNy(0≤x≤4，y＝4-x)的覆盖层；在覆盖层上形成导电图案层；以及将基膜附着至导电图案层。根据本发明另一个实施方式，用于制造薄膜触控传感器的方法可包括：在承载基板上形成分离层；在分离层上形成包括SiOxNy(0≤x≤4，y＝4-x)的覆盖层；在覆盖层上形成导电图案层；以及从承载基板剥离分离层并将基膜附着至分离层的从承载基板剥离的表面上。以下，将详细地描述根据本发明一个实施方式的用于制造薄膜触控传感器的方法。根据本发明的用于制造薄膜触控传感器的方法的一个实施方式，首先在承载基板10上形成分离层20。承载基板可采用任何材料而无特别限制，只要其可提供适当的强度且不受热以及化学处理的影响，以使基板在工艺期间可固定而不易于弯曲或变形。例如，可使用玻璃、石英、硅晶圆、SUS等等，且可较佳地使用玻璃。分离层可由上述聚合物材料形成。由于分离层可容易地从承载基板剥离，因此在从承载基板剥离期间减少了施加至触控传感器的冲击，从而可避免电极图案层的损坏。用于形成分离层的方法不特别受限，可通过使用相关技术中已知的任何传统方法来形成分离层，例如狭缝式涂布、刮刀涂布、旋转涂布、铸造、微凹版涂布、凹版涂布、棒式涂布、滚轴涂布、线棒涂布、浸沾式涂布、喷雾涂布、网版印刷、凹版印刷、柔版印刷、平版印刷、喷墨涂布、分配器印刷、喷嘴涂布、毛细管涂布等等。在通过上述方法形成分离层之后，在其上可进一步执行固化过程。分离层的固化方法不特别受限，可包括光固化、热固化或两个过程的组合。在组合执行光固化以及热固化过程两者的例子中，过程的顺序不特别受限。固化条件的特定例，热固化可在约50至300℃下执行1分钟至60分钟，且较佳地，在约100至200℃下执行5分钟至30分钟。至于光固化，可通过以具有约0.01至10J/cm2强度的UV射线照射分离层达1秒至500秒来执行，且较佳以具有约0.05至1J/cm2强度的UV射线照射1秒至120秒，但不限于此。接下来，在分离层20上形成包括SiOxNy(0≤x≤4，y＝4-x)的覆盖层40。可经由沉积法来形成覆盖层40，且例如可通过化学气相沉积或物理气相沉积来形成。可通过调整沉积法中源材料的比例来调整氧(O)以及氮(N)的比例(x以及y)。根据本发明的一个实施方式，如果必要的话，该方法可进一步包括在形成覆盖层40之前在分离层20上形成第一保护层30。此时，可在第一保护层30上形成覆盖层40。第一保护层30例如可由用于形成第一保护层的组合物形成，包括：丙烯酸共聚物、多官能丙烯酸单体、光引发剂、固化增强剂、溶剂等等。用于形成第一保护层30的方法不特别受限、且可包括与用于形成分离层的方法相同的方法。第一保护层可由在例如将在下面描述的图案的图案化工艺期间不被劣化的材料形成，使得当应用至产品时可显著地降低缺陷率。然后，在覆盖层40上形成导电图案层50。可通过将导电化合物涂布至覆盖层40上以形成薄膜并在大约200至300℃热处理该薄膜10至40分钟来执行导电图案层50的形成。此时，可形成具有大约100至最终厚度的导电图案层。可使用包括例如氧化铟锡(ITO)的导电化合物来执行导电图案层的形成，以具有在上述范围内的厚度。可在适当范围内的温度下对导电图案层进行退火，从而可制备出具有低电阻以及高透光度的导电图案层，还可用以防止第一保护层中的劣化。更特别地，可通过将包括氧化铟锡(ITO)的导电化合物涂布至第一保护层来执行形成薄膜的步骤。可通过例如物理气相沉积(PVD)、化学气相沉积(CVD)等的各种薄膜沉积技术来执行该步骤。可在含水(H2O)气氛或含氧(O2)气氛下执行沉积过程。考虑到随后的结晶度、图案蚀刻工艺中的蚀刻剂的类型等等，可较佳地在含水(H2O)气氛下执行沉积过程。如上所述，在第一保护层上形成导电化合物的薄膜之后，可在约200至300℃下执行热处理10至40分钟，以制备导电图案层。经由热处理过程，可使导电化合物结晶成，使得氧化铟锡(ITO)可满足所需范围的低电阻以及高透光度。如果在低于200℃的温度下执行热处理，由于导电化合物没有充分地结晶，难以获得具有低电阻以及高透光度的导电图案层。如果在超过300℃的温度下执行热处理，在下部第一保护层或分离层中可能会发生劣化，由此造成光学特性的劣化以及剥离强度的增加。在此方面，热处理的温度可较佳为大约180至230℃。如果执行热处理少于10分钟，导电化合物没有充分地结晶，因此难以得到具有低电阻以及高透光度的导电图案层。如果执行热处理多于40分钟，在下部第一保护层或分离层中可能会发生劣化，由此造成光学特性征的劣化以及剥离强度的增加。在此方面，热处理的时间可较佳为大约15至35分钟。可在下面将要描述的形成光阻层的步骤之前、或也可在下面将要描述的蚀刻步骤之后，执行本发明中的热处理。然后，为了形成所需的图案，可执行在导电化合物薄膜的上表面上形成光阻层的步骤。用于形成光阻层的感光树脂组合物不特别受限，且可使用相关技术中典型使用的任何感光树脂组合物。在将感光树脂组合物涂布至导电化合物薄膜上之后，通过加热以及干燥来去除例如溶剂之类的挥发性成分，从而提供平滑的光阻层。可经由用于形成所需图案的掩模，使用UV射线来照射(曝光)上述获得的光阻层。此时，为了以平行光束均匀地照射整个曝光部分并正确地执行掩模以及基板之间的定位，可较佳地使用例如掩模对准器或步进器之类的装置。当以UV射线照射薄膜时，被照射的部分会固化。如上所述的UV射线可包括g光束(波长：436nm)、h光束、i光束(波长：365nm)等等。可根据需要适当地选择UV射线照射的量，本发明对此不特别限定。在固化之后制备出的光阻层可与显影溶液接触，以溶解并显影未曝光的部分，由此形成所需的图案。本文中使用的显影方法可包括包含液体加入、浸渍、喷洒等等的任一方法。此外，在显影期间可以任何角度倾斜基板。显影溶液可为含有碱性化合物以及界面活性剂的水溶性溶液，且可使用相关技术中通常使用的任何材料，没有其特别的限制。然后，为了形成可与光阻图案比较的导电图案，可执行蚀刻工艺。蚀刻工艺中使用的蚀刻剂组合物不特别受限，且可使用相关技术中通常使用的任何蚀刻剂组合物，且可较佳地使用过氧化氢类蚀刻剂组合物。经由蚀刻工艺，可形成所需形状的导电图案层。接下来，此方法可进一步包括在其上形成有导电图案层50的覆盖层40上形成第二保护层60。第二保护层60本身可起到基膜以及钝化层的作用。此外，第二保护层60可防止导电图案层50被腐蚀，并通过使表面平坦化，在附着至基膜70时抑制微气泡的发生，且也可起到黏着层的作用。第二保护层60可由上述聚合物或上述黏着剂或黏结剂形成。此外，此方法可进一步包括在第二保护层60上附着基膜70。基膜70可为薄膜、偏光片、相位延迟薄膜或由上述材料形成的保护薄膜、且可为单一薄膜或层叠两层以上的上述薄膜而成的叠层薄膜。偏光片可为偏光片保护薄膜附着至聚乙烯醇偏光片的一个表面或两个表面而成的类型。当第二保护层60作为基膜或钝化层时，基膜70可经由黏着剂附着在第二保护层60上。可通过施加压力来附着基膜70，且压力范围不特别受限，且可为例如1至200Kg/cm2、且较佳为10至100Kg/cm2。当附着基膜70时，为了改善基膜70以及第二保护层60之间的附着，可对第二保护层60的表面执行表面处理，例如电晕处理、火焰处理、电浆处理、UV照射、底漆涂布处理、皂化作用等等。接下来，将承载基板10从包括分离层20、第一保护层30、覆盖层40以及导电图案层50的上层板剥离。从承载基板10剥离的过程顺序不特别受限，但可在形成第二保护层60之后执行此过程。可在第二保护层60上附着具有比分离层20以及承载基板10之间的黏着度高的黏着度的黏着剂薄膜之后，当在黏着剂薄膜被固定后执行剥离过程时，可从承载基板10容易地剥离上层板。之后，可移除黏着剂薄膜，并将基膜70附着在第二保护层60上。在剥离之后，分离层20可不被移除，并维持在薄膜触控传感器中，使得分离层20可通过覆盖来与第一保护层30一起保护导电图案层50。可通过如上述实施方式中所述相同的程序来执行根据本发明一个实施方式的用于制造薄膜触控传感器的方法，直到形成导电图案层的步骤。此外，可通过如上述实施方式中所述相同的程序来执行从承载基板10剥离分离层20的过程，且除了将基膜70附着至分离层20而非上述实施方式中的第二保护层60之外，也可通过如上述实施方式中所述相同的程序来执行将基膜70附着在分离层20上的过程。触控面板以及图像显示设备此外，本发明提供了一种包括上述薄膜触控传感器的触控面板、以及一种包括该触控面板的图像显示设备。本发明触控面板可应用于典型的液晶显示设备以及各种图像显示设备，例如触控屏幕、电致发光显示设备、电浆显示设备、电子发射显示设备等等。特别地，触控面板可有效地应用至具有柔性特性的图像显示设备。以下，提出了较佳的实施例以更具体地描述本发明。然而，下述实施例仅被给出以用于阐明本发明，且本领域中具有通常知识者将显而易见地了解，在本发明的范围以及精神内，各种改变以及修饰是可能的。这样的改变以及修饰被充分地包括在所附的申请专利范围中。实施例1在第一保护层(制成)上形成SiOxNy(0≤x≤4，y＝4-x)层，然后在水气氛下形成具有厚度的ITO层，并在230℃执行热处理20分钟。实施例2除了在第一保护层(制成)上形成SiOx(x＝2)层之外，执行如实施例1中所述的相同过程以形成ITO层。比较例除了在第一保护层(制成)上直接形成ITO层而没有形成SiOxNy层之外，执行如实施例1中所述的相同过程以形成ITO层。实验例1.表面电阻测量实施例以及比较例中制造的ITO层的表面电阻(九次测量的平均值)，并在下面表1中列出了其结果。2.图案的可视性在实施例以及比较例中制造的ITO层上形成与彼此相同的触控图案之后，通过与彼此相同的方法，将第二保护层(钝化层)以及偏光片附着于此。然后，使100人测量团队以如下基准评价触控图案的可见度。◎：所看见的人数为5人以下○：所看见的人数多于5人但不多于10人△：所看见的人数多于10人但不多于50人X：所看见的人数多于50人〔表1〕实施例1实施例2比较例平均表面电阻(Ω/□)93.5163286可视性◎◎X参照表1，可确认的是，根据本发明的薄膜触控传感器具有比比较例显著低的表面电阻以及图案可见度。同样地，可确认的是，氮氧化硅降低表面电阻的效果更优于氧化硅。【附图标记说明】10：承载基板20：分离层30：第一保护层40：覆盖层50：导电图案层60：第二保护层70：基膜80：第二基膜当前第1页1 2 3