技术特征：
技术总结
本发明提供一种SOI NMOS总剂量辐射多偏置点电流模型建模方法，包括：通过测试获取SOI NMOS侧壁晶体管在不同漏端偏置下的转移特性数据及在不同剂量辐照及不同漏端偏置下的转移特性数据；筛选数据、提取参数；在侧壁晶体管电流模型中引入漏致势垒降低效应的阈值电压模型、辐射效应的阈值电压偏移模型、侧壁晶体管总剂量辐射效应的等效栅压模型，修正总计量辐射效应的等效零偏阈值电压；形成SOI NMOS总剂量辐射电流模型。本发明适用于不同的漏端偏置电压下的总剂量辐射仿真；可以更准确地拟合出SOI NMOS受总剂量辐射效应影响时在不同漏端偏置下的转移特性曲线，更适用于集成电路的总剂量辐射效应仿真。
技术研发人员：陈静;许灵达;柴展;王硕
受保护的技术使用者：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
技术研发日：2018.02.08
技术公布日：2018.08.10