本实用新型涉及触摸技术，尤其涉及一种金属网格触摸屏。
背景技术：
随着触摸屏向大屏化的趋势发展，原ITO sensor的触摸屏由于ITO的阻值较大难以驱动，所以各大厂商开始研究金属sensor的触摸屏，但是金属sensor不仅不透明，还会反光，其规则排列形成的直条间隙容易产生底影效果和摩尔条纹。
在一份公开号为CN106990858A的专利文件中公开了可消除莫瑞效应的触控面板，其通过将上下两层电极制作成不规则多边形的金属网格，打乱了现有的金属网格规则排列形成的直条间隙，降低了金属网格触摸屏的底影效果和摩尔条纹，但是不规则多边形的网格排列方式会导致各通道区域上的阻值不同，驱动电压对不同的触摸点驱动效果不同，增加了驱动的困难，而且单位面积上的感应点较少，不利于触摸感应。
技术实现要素：
为了解决上述现有技术的不足，本实用新型提供一种金属网格触摸屏，其在消除底影效果和摩尔条纹的基础上，各通道区域的阻值相同，驱动较为简单，且单位面积上的感应点较多，触摸性能较好。
本实用新型所要解决的技术问题通过以下技术方案予以实现：
一种金属网格触摸屏，包括上下相贴合的第一触摸层和第二触摸层，所述第一触摸层包括第一电极，所述第一电极包括由多个第一正多边形和多个第二正多边形以边交错相接组成的第一金属网格，所述第二触摸层包括第二电极，所述第二电极包括由多个第一正多边形和多个第二正多边形以边交错相接组成的第二金属网格；所述第一金属网格的第一正多边形的中心，对应重叠于所述第二金属网格的第二正多边形的中心。
进一步地，一个第二正多边形的每条边上均对应相接有一个第一正多边形。
进一步地，所述第一正多边形为正八边形。
进一步地，所述第二正多边形为正四边形。
进一步地，所述第一电极还包括图案与所述第一金属网格相同的第一ITO网格，所述第一ITO网格和所述第一金属网格相重叠导通。
进一步地，所述电极还包括图案与所述第二金属网格相同的第二ITO网格，所述第二ITO网格和所述第二金属网格相重叠导通。
进一步地，所述第一触摸层还包括第一衬底，所述第一电极设置在所述第一衬底上。
进一步地，所述第二触摸层还包括第二衬底，所述第二电极设置在所述第二衬底上。
本实用新型具有如下有益效果：该金属网格触摸屏将上下两层电极制作成由第一正多边形和第二正多边形交错相接组成的金属网格，不仅可以打乱现有的金属网格规则排列形成的直条间隙，降低金属网格触摸屏的底影效果和摩尔条纹，而且还能保证各通道区域上的阻值相同，驱动电压对不同的触摸点驱动效果相同，驱动较为简单，且单位面积上的感应点较多，触摸性能较好。
附图说明
图1为本实用新型提供的金属网格触摸屏的示意图。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本实用新型进行详细的说明。
如图1所示，一种金属网格触摸屏3，包括上下相贴合的第一触摸层1和第二触摸层2，所述第一触摸层1包括第一电极，所述第一电极包括由多个第一正多边形和多个第二正多边形以边交错相接组成的第一金属网格11，所述第二触摸层2包括第二电极，所述第二电极包括由多个第一正多边形和多个第二正多边形以边交错相接组成的第二金属网格21；所述第一金属网格11的第一正多边形的中心，对应重叠于所述第二金属网格21的第二正多边形的中心。
该金属网格触摸屏3将上下两层电极制作成由第一正多边形和第二正多边形交错相接组成的金属网格，不仅可以打乱现有的金属网格规则排列形成的直条间隙，降低金属网格触摸屏3的底影效果和摩尔条纹，而且还能保证各通道区域上的阻值相同，驱动电压对不同的触摸点驱动效果相同，驱动较为简单，且单位面积上的感应点较多，触摸性能较好。
所述第一电极沿第一方向延伸，用于感应第一方向上的触摸位置，所述第二电极沿第二方向延伸，用于感应第二方向上的触摸位置；第一方向垂直于第二方向；所述第一金属网格11和第二金属网格21优选但不限于为银网格。
所述第一金属网格11和第二金属网格21上的一个第二正多边形的每条边上均对应相接有一个第一正多边形；优选地，所述第一正多边形为正八边形，所述第二正多边形为正四边形，则所述第一金属网格11和第二金属网格21上的一个正四边形的四条边上均对应相接有一个正八边形。
所述第一电极还包括图案与所述第一金属网格11相同的第一ITO网格，所述第一ITO网格和所述第一金属网格11相重叠导通。
为了避免不透光的金属网格影响到显示效果，需要将金属网格的线宽严格控制在5μm或以下，这就导致金属网格的线容易断开造成不良，而在所述第一金属网格11上重叠第一ITO网格和在所述第二金属网格21上重叠第二ITO网格，透明的ITO网格的线宽可以做得大一点，这样即使金属网格在局部断开，也可以通过重叠导通的ITO网格来传导触摸感应产生的电流，降低不良率。
ITO网格可以重叠在对应金属网格的上方或下方。
所述第一触摸层11还包括第一衬底，所述第一电极设置在所述第一衬底上；所述第二触摸层22还包括第二衬底，所述第二电极设置在所述第二衬底上。
以上所述实施例仅表达了本实用新型的实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对本实用新型专利范围的限制，但凡采用等同替换或等效变换的形式所获得的技术方案，均应落在本实用新型的保护范围之内。