芯片修调的方法、装置、存储介质和电子设备与流程

本公开涉及集成电路的测试领域，具体地，涉及一种芯片修调的方法、装置、存储介质和电子设备。

背景技术：

在大规模生产芯片的过程中，首先需要将完整的晶片(即晶圆，例如：硅晶片)贴在切割覆膜上，并根据晶片上规划好的划片道，将晶片切割成多个单独的芯片，然后对每个芯片逐一进行修调，最后对芯片进行封装测试，筛选出良品和不良品，以完成整个生产流程。但是，由于晶片生产工艺的偏差，整个晶片不同区域的性能参数分布不均匀，导致不同区域切割出的芯片的性能也存在偏差，使得芯片在修调过程中效率和准确度较低。

技术实现要素：

本公开的目的是提供一种芯片修调的方法、装置、存储介质和电子设备，用以解决现有技术中存在的芯片修调的效率和准确度低的问题。

根据本公开实施例的第一方面，提供一种芯片修调的方法，所述方法包括：

获取待测芯片的区域信息，所述区域信息能够指示所述待测芯片在晶片上的中央区域或边缘区域；

根据所述区域信息和目标参数对应的标准值，确定所述目标参数对应的修正初始值；

按照所述修正初始值对所述待测芯片进行测试，以获取所述待测芯片的所述目标参数对应的测量值；

根据所述测量值和所述标准值，对所述待测芯片进行修调，以使所述待测芯片的所述目标参数达到所述标准值。

可选地，在所述获取待测芯片的区域信息之前，所述方法还包括：

根据预设比例，将所述晶片划分为所述中央区域和所述边缘区域，所述中央区域的中心为所述晶片的中心，且所述中央区域的面积占所述晶片总面积的预设比例，所述边缘区域为所述晶片上除所述中央区域之外的区域；

分别将所述中央区域和所述边缘区域切割为多个所述待测芯片。

可选地，所述根据所述区域信息和目标参数对应的标准值，确定所述目标参数对应的修正初始值，包括：

若所述待测芯片在所述中央区域，根据所述标准值确定第一数值，并将所述修正初始值确定为所述第一数值；

若所述待测芯片在所述边缘区域，根据所述标准值和预设的允许偏差值，确定第二数值，并将所述修正初始值确定为所述第二数值，所述第二数值与所述第一数值不同。

可选地，所述按照所述修正初始值对所述待测芯片进行测试，以获取所述待测芯片的所述目标参数对应的测量值，包括：

将所述修正初始值对应的第一逻辑指令输入所述待测芯片；

测量所述待测芯片的所述测量值。

可选地，所述根据所述测量值和所述标准值，对所述待测芯片进行修调，以使所述待测芯片的所述目标参数达到所述标准值，包括：

根据所述测量值与所述标准值的关系，确定对应的修正逻辑指令；

将所述修正逻辑指令输入所述待测芯片；

将测量值更新为输入所述修正逻辑指令后所述待测芯片的测量值；

重复执行所述根据所述测量值与所述标志值的关系，确定对应的修正逻辑指令，至所述将测量值更新为输入所述修正逻辑指令后所述待测芯片的测量值的步骤，直至所述测量值与所述标准值满足预设条件。

可选地，所述根据所述测量值与所述标准值的关系，确定对应的修正逻辑指令，包括：

若所述测量值大于所述标准值，将所述修正逻辑指令确定为第二逻辑指令，所述第二逻辑指令用于指示所述待测芯片按照预设的步进值降低所述目标参数；

若所述测量值小于所述标准值，将所述修正逻辑指令确定为第三逻辑指令，所述第三逻辑指令用于指示所述待测芯片按照所述步进值提高所述目标参数。

根据本公开实施例的第二方面，提供了一种芯片修调的装置，所述装置包括：

第一获取模块，用于获取待测芯片的区域信息，所述区域信息能够指示所述待测芯片在晶片上的中央区域或边缘区域；

初始值确定模块，用于根据所述区域信息和目标参数对应的标准值，确定所述目标参数对应的修正初始值；

第二获取模块，用于按照所述修正初始值对所述待测芯片进行测试，以获取所述待测芯片的所述目标参数对应的测量值；

修调模块，用于根据所述测量值和所述标准值，对所述待测芯片进行修调，以使所述待测芯片的所述目标参数达到所述标准值。

可选地，所述装置还包括：

划分模块，用于在所述获取待测芯片的区域信息之前，根据预设比例，将所述晶片划分为所述中央区域和所述边缘区域，所述中央区域的中心为所述晶片的中心，且所述中央区域的面积占所述晶片总面积的预设比例，所述边缘区域为所述晶片上除所述中央区域之外的区域；

切割模块，用于分别将所述中央区域和所述边缘区域切割为多个所述待测芯片。

可选地，所述初始值确定模块包括：

第一确定子模块，用于若所述待测芯片在所述中央区域，根据所述标准值确定第一数值，并将所述修正初始值确定为所述第一数值；

第二确定子模块，用于若所述待测芯片在所述边缘区域，根据所述标准值和预设的允许偏差值，确定第二数值，并将所述修正初始值确定为所述第二数值，所述第二数值与所述第一数值不同。

可选地，所述第二获取模块包括：

第一输入子模块，用于将所述修正初始值对应的第一逻辑指令输入所述待测芯片；

测量子模块，用于测量所述待测芯片的所述测量值。

可选地，所述修调模块包括：

指令确定子模块，用于根据所述测量值与所述标准值的关系，确定对应的修正逻辑指令；

第二输入子模块，用于将所述修正逻辑指令输入所述待测芯片；

更新子模块，用于将测量值更新为输入所述修正逻辑指令后所述待测芯片的测量值；

重复执行所述根据所述测量值与所述标志值的关系，确定对应的修正逻辑指令，至所述将测量值更新为输入所述修正逻辑指令后所述待测芯片的测量值的步骤，直至所述测量值与所述标准值满足预设条件。

可选地，所述指令确定子模块用于：

若所述测量值大于所述标准值，将所述修正逻辑指令确定为第二逻辑指令，所述第二逻辑指令用于指示所述待测芯片按照预设的步进值降低所述目标参数；

若所述测量值小于所述标准值，将所述修正逻辑指令确定为第三逻辑指令，所述第三逻辑指令用于指示所述待测芯片按照所述步进值提高所述目标参数。

根据本公开实施例的第三方面，提供了一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，该程序被处理器执行时实现本公开实施例的第一方面所述方法的步骤。

根据本公开实施例的第四方面，提供了一种电子设备，包括：

存储器，其上存储有计算机程序；

处理器，用于执行所述存储器中的所述计算机程序，以实现本公开实施例的第一方面所述方法的步骤。

通过上述技术方案，本公开首先获取待测芯片的区域信息，之后根据区域信息和目标参数对应的标准值，确定目标参数对应的修正初始值，并按照修正初始值对待测芯片进行测试，以获取待测芯片的目标参数对应的测量值，再根据测量值和标准值，对待测芯片进行修调，以使待测芯片的目标参数达到标准值。能够根据芯片在晶片上的不同区域，选择不同的策略对芯片进行修调，提高了芯片修调的效率和准确度。

本公开的其他特征和优点将在随后的具体实施方式部分予以详细说明。

附图说明

附图是用来提供对本公开的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与下面的具体实施方式一起用于解释本公开，但并不构成对本公开的限制。在附图中：

图1是根据一示例性实施例示出的一种芯片修调的方法的流程图；

图2是根据一示例性实施例示出的另一种芯片修调的方法的流程图；

图3是图2所示实施例示出的一种晶片切割示意图；

图4是图1所示实施例示出的一种步骤102的流程图；

图5是图1所示实施例示出的一种步骤103的流程图；

图6是图1所示实施例示出的一种步骤104的流程图；

图7是根据一示例性实施例示出的一种芯片修调的装置的框图；

图8是根据一示例性实施例示出的另一种芯片修调的装置的框图；

图9是图7所示实施例示出的一种初始值确定模块的框图；

图10是图7所示实施例示出的一种第二获取模块的框图；

图11是图7所示实施例示出的一种修调模块的框图；

图12是根据一示例性实施例示出的一种电子设备的框图。

具体实施方式

这里将详细地对示例性实施例进行说明，其示例表示在附图中。下面的描述涉及附图时，除非另有表示，不同附图中的相同数字表示相同或相似的要素。以下示例性实施例中所描述的实施方式并不代表与本公开相一致的所有实施方式。相反，它们仅是与如所附权利要求书中所详述的、本公开的一些方面相一致的装置和方法的例子。

图1是根据一示例性实施例示出的一种芯片修调的方法的流程图，如图1所示，该方法包括：

在步骤101中，获取待测芯片的区域信息，区域信息能够指示待测芯片在晶片上的中央区域或边缘区域。

举例来说，由于晶片不同区域的性能参数分布不均匀，因此在对待测芯片进行修调之前，可以先获取待测芯片的区域信息。其中，待测芯片可以是对晶片进行切割得到的多个芯片中的任一个芯片。区域信息能够指示，对晶片进行切割时，待测芯片在晶片上的区域，例如可以是：中央区域或者边缘区域。区域信息可以是待测芯片上携带的一个标识，该标识可以包括待测芯片在晶片上的坐标值，根据坐标值、预设的中央区域的坐标范围、边缘区域的坐标范围，既可以判断待测芯片属于中央区域或者边缘区域。或者，区域信息也可以是待测芯片上携带的一个标志位，例如0表示中央区域，1表示边缘区域。在另一种实现场景中，也可以在对晶片进行切割时，直接将中央区域切割出的芯片归为第一类芯片，将边缘区域切割出的芯片归为第二类芯片，分别对第一类芯片和第二类芯片进行修调，那么此时区域信息可以是待测芯片的类型，第一类芯片表示待测芯片属于中央区域，第二类芯片表示待测芯片属于边缘区域。

在步骤102中，根据区域信息和目标参数对应的标准值，确定目标参数对应的修正初始值。

示例的，在对待测芯片的修调过程中，需要对待测芯片的多种目标参数进行修调，目标参数例如可以包括：待测芯片的基准电压、功能电压、电流和频率中的任一种，每种目标参数对应一个标准值，可以理解为待测芯片的设计指标。例如，待测芯片的基准电压对应的标准值为5v，功能电压对应的标准值为2.5v。在确定待测芯片的区域信息后，根据目标参数对应的标准值，获得区域信息所指示的区域中(即待测芯片所在的当前区域中)，目标参数对应的修正初始值。其中，中央区域与边缘区域分别对应两个不同的修正初始值。

由于晶片中央区域的性能参数较好，因此中央区域切割出的芯片的目标参数也更接近标准值，修调时能够更快的达到标准值。而晶片边缘区域的性能参数通常偏差较大，因此边缘区域切割出的芯片的目标参数也有较大的偏差，与标准值之间距离较大，修调时达到标准值的速度较慢。所以，可以根据待测芯片的区域信息，选择不同的修正初始值，使得修正初始值更接近待测芯片目标参数的实际值，从而提高待测芯片修调的效率和准确度。例如，针对中央区域切割出的芯片，可以选择与目标参数的标准值接近的值作为修正初始值，针对边缘区域切割出的芯片，可以选择与目标参数的标准值较远的值作为修正初始值。

在步骤103中，按照修正初始值对待测芯片进行测试，以获取待测芯片的目标参数对应的测量值。

具体的，可以将修正初始值对应的修调指令(即后续说明中所述的第一逻辑指令)输入到待测芯片中，测量待测芯片的目标参数的实际值，即目标参数对应的测量值。以目标参数为基准电压，对应的修正初始值为5v来举例，将基准电压为5v的修调指令输入待测芯片，预期待测芯片的基准电压也为5v，但由于生产工艺存在偏差，因此待测芯片的基准电压的测量值不一定为5v，也可能为4.98v。

在步骤104中，根据测量值和标准值，对待测芯片进行修调，以使待测芯片的目标参数达到标准值。

举例来说，对待测芯片进行修调的目的是将待测芯片的目标参数修正为对应的标准值，因此可以根据目标参数对应的标准值和测量值，对待测芯片进行修调，以使待测芯片的目标参数修正为对应的标准值。例如，当测量值大于标准值时，可以将待测芯片的目标参数修正为较小的值，当测量值小于标准值时，可以将待测芯片的目标参数修正为较大的值，不断重复步骤104的过程，直至测量值等于标准值(或者测量值与标准值差的绝对值小于预设阈值)时，即完成了对待测芯片的修调。

需要说明的是，本公开所提出的实施例可以是在对待测芯片进行封装和测试之前完成的，在步骤104之后，还可以将对芯片进行修调的指令烧写进芯片中，以使待测芯片的目标参数稳定为步骤104修调后的结果(即保存对待测芯片中元器件的修正)。之后再对待测芯片进行封装和测试。

综上所述，本公开首先获取待测芯片的区域信息，之后根据区域信息和目标参数对应的标准值，确定目标参数对应的修正初始值，并按照修正初始值对待测芯片进行测试，以获取待测芯片的目标参数对应的测量值，再根据测量值和标准值，对待测芯片进行修调，以使待测芯片的目标参数达到标准值。能够根据芯片在晶片上的不同区域，选择不同的策略对芯片进行修调，提高了芯片修调的效率和准确度。

图2是根据一示例性实施例示出的另一种芯片修调的方法的流程图，如图2所示，在步骤101之前，该方法还包括：

在步骤105中，根据预设比例，将晶片划分为中央区域和边缘区域，中央区域的中心为晶片的中心，且中央区域的面积占晶片总面积的预设比例，边缘区域为晶片上除中央区域之外的区域。

在步骤106中，分别将中央区域和边缘区域切割为多个待测芯片。

举例来说，要获得待测芯片，需要先将完整的晶片贴在切割覆膜上，并通过划片道进行切割，以得到多个待测芯片(即晶片)。可以按照预设比例，先将晶片划分为中央区域和边缘区域，再对中央区域和边缘区域分别进行切割，得到多个待测芯片。其中预设比例可以是根据需求来设定，也可以是预先确定的比例。

其中，根据大量的测试数据和生产数据可以得到，晶片的性能参数符合正态分布特性，因此可以根据正态分布来确定预设比例。例如，以晶片的基准电压的标准值为5v，允许的误差在±1％(即4.5v至5.5v之间为良品，超出该范围为不良品)，根据正态分布可以确定满足±1％误差的比例为52％，其余为48％。那么将以晶片中心点为中心，占据晶片总面积52％的区域作为中央区域，其他部分则为边缘区域。如图3所示，可以将晶片按照切割线切割成a和b两个区域，其中a为中央区域，b为边缘区域。

图4是图1所示实施例示出的一种步骤102的流程图，如图4所示，该方法步骤102包括下面几个步骤：

在步骤1021中，若待测芯片在中央区域，根据标准值确定第一数值，并将修正初始值确定为第一数值。

在步骤1022中，若待测芯片在边缘区域，根据标准值和预设的允许偏差值，确定第二数值，并将修正初始值确定为第二数值，第二数值与第一数值不同。

具体的，由于晶片中央区域和边缘区域的性能参数不同，所以不同区域切割出的芯片的目标参数可以对应不同的修正初始值。例如，若区域信息指示待测芯片为晶片上的中央区域，那么可以根据目标参数对应的标准值，确定第一数值，并将第一数值作为修正初始值。例如，第一数值可以是与目标参数对应的标准值接近的值，或者第一数值也可以设定为目标参数对应的标准值(即设计指标)，还可以设置为晶片对应目标参数的性能参数的分布特征曲线(例如：正态分布曲线)的中心值。比如，假设基准电压对应的标准值设定为5v，基准电压对应的修正初始值可以定为5v，也可以定为与5v接近的值，例如：4.95v或者5.05v。

若区域信息指示待测芯片为晶片上的边缘区域，那么可以根据标准值和预设的允许偏差值来确定第二数值，并将第二数值作为对应的修正初始值。第二数值与标准值之间的距离大于第一数值与标准值之间的距离。其中，预设的允许偏差值为待测芯片为良品时，目标参数对应的最大允许范围的偏差值。例如，可以先确定标准值和预设的允许偏差值之差的绝对值，再将标准值和预设的允许偏差值之间的中间值作为第二数值，并将第二数值作为修正初始值。还可以将标准值和预设的允许偏差值之间黄金分割点处的值作为第二数值，并将第二数值作为修正初始值。比如，假设基准电压对应的标准值设定为5v，基准电压对应允许偏差值为4.5v和5.5v(即允许基准电压的最大偏差为0.5v)。那么修正初始值可以设置为标准值和预设的允许偏差值之间的中间值：4.75v和5.25v，还可以设置为标准值和预设的允许偏差值之间黄金分割点处的值：4.78v(即4.5v+(4.95v-4.5v)*61.8％)和5.22v(即5.5v-(5.5v-5.05v)*61.8％)。

图5是图1所示实施例示出的一种步骤103的流程图，如图5所示，该方法步骤103包括下面几个步骤：

在步骤1031中，将修正初始值对应的第一逻辑指令输入待测芯片。

在步骤1032中，测量待测芯片的测量值。

具体的，在对待测芯片进行测试时，首先可以根据修正初始值确定对应的第一逻辑指令，第一逻辑指令可以理解为在对待测芯片的设计时，预期将第一逻辑指令输入待测芯片，待测芯片的目标参数将达到修正初始值。第一逻辑指令中可以包括对待测芯片上的元器件的具体操作指令，例如：将熔丝熔断、将修调二极管击穿、调整电阻值或电容值等操作，从而实现对待测芯片的目标参数的修调。之后将第一逻辑指令输入到待测芯片中，测量待测芯片的目标参数，即为测量值。

图6是图1所示实施例示出的一种步骤104的流程图，如图6所示，该方法步骤104包括下面几个步骤：

在步骤1041中，根据测量值与标准值的关系，确定对应的修正逻辑指令。

在步骤1042中，将修正逻辑指令输入待测芯片。

在步骤1043中，将测量值更新为输入修正逻辑指令后待测芯片的测量值。

重复执行步骤1041至步骤1043，直至测量值与标准值满足预设条件。

举例来说，由于生产工艺存在偏差，输入第一逻辑指令，待测芯片的测量值可能与标准值之间存在偏差。因此可以根据测量值和标准值的关系，来对待测芯片进行修调。若测量值大于标准值，那么可以输入能够降低待测芯片的目标参数的修正逻辑指令，若测量值小于标准值，那么可以输入能够提高待测芯片的目标参数的修正逻辑指令。重复对待测芯片的修调，直至测量值和标准值满足预设条件，则表明待测芯片修调成功或者不需要修调。其中，预设条件可以为测量值和标准值相等，也可以是测量值与标准值之差的绝对值小于预设的阈值。

需要说明的是，由于修正逻辑指令对待测芯片的修调范围是有限的，即修正逻辑指令能够降低(或提高)待测芯片的目标参数的范围是有限的，因此若测量值与标准值的差值超过了预设的偏差阈值，表示待测芯片的性能较差，通过修正逻辑指令也无法将待测芯片的目标参数修调为标准值，那么无需再重复执行步骤1041至步骤1043，可以直接判断待测芯片为不良品。

具体的，步骤1041的实现方式可以包括下面两个步骤：

步骤a)若测量值大于标准值，将修正逻辑指令确定为第二逻辑指令，第二逻辑指令用于指示待测芯片按照预设的步进值降低目标参数。

步骤b)若测量值小于标准值，将修正逻辑指令确定为第三逻辑指令，第三逻辑指令用于指示待测芯片按照步进值提高目标参数。

示例的，根据输出的新的测量值判断是否满足测量值和标准值的预设条件，如果满足则修调成功或不需要修调，如果不满足则比较新的测量值和标准值的大小关系，如果新的测量值大于标准值，则给芯片将输入第二逻辑指令输入待测芯片，其中第二逻辑指令能够指示待测芯片按照预设的步进值降低目标参数。如果新的测量值小于标准值，则将第三逻辑指令输入待测芯片，其中第三逻辑指令能够指示待测芯片按照步进值提高目标参数。

举个例子，以待测芯片的区域信息指示为中央区域，目标参数为基准电压，基准电压对应的标准值为5v，修正初始值也为5v，预设的步进值为±5mv来举例。将基准电压5v对应的第一逻辑指令输入待测芯片，测量待测芯片的基准电压的测量值为4.9v，那么测量值小于标准值，此时输入第三逻辑指令，指示待测芯片将目标参数提高5mv，然后再测量输入了第三逻辑指令之后，待测芯片的基准电压的测量值，若新的测量值为4.91v，依然小于标准值，那么重复执行上述步骤，直至待测芯片的基准电压的测量值与标准值5v之差的绝对值小于0.05v为止，表示待测芯片完成修调。

综上所述，本公开首先获取待测芯片的区域信息，之后根据区域信息和目标参数对应的标准值，确定目标参数对应的修正初始值，并按照修正初始值对待测芯片进行测试，以获取待测芯片的目标参数对应的测量值，再根据测量值和标准值，对待测芯片进行修调，以使待测芯片的目标参数达到标准值。能够根据芯片在晶片上的不同区域，选择不同的策略对芯片进行修调，提高了芯片修调的效率和准确度。

图7是根据一示例性实施例示出的一种芯片修调的装置的框图，参见图7，该芯片修调的装置200包括：

第一获取模块201，用于获取待测芯片的区域信息，区域信息能够指示待测芯片在晶片上的中央区域或边缘区域。

初始值确定模块202，用于根据区域信息和目标参数对应的标准值，确定目标参数对应的修正初始值。

第二获取模块203，用于按照修正初始值对待测芯片进行测试，以获取待测芯片的目标参数对应的测量值。

修调模块204，用于根据测量值和标准值，对待测芯片进行修调，以使待测芯片的目标参数达到标准值。

图8是根据一示例性实施例示出的另一种芯片修调的装置的框图，参见图8，该芯片修调的装置200还包括：

划分模块205，用于在获取待测芯片的区域信息之前，根据预设比例，将晶片划分为中央区域和边缘区域，中央区域的中心为晶片的中心，且中央区域的面积占晶片总面积的预设比例，边缘区域为晶片上除中央区域之外的区域。

切割模块206，用于分别将中央区域和边缘区域切割为多个待测芯片。

图9是图7所示实施例示出的一种初始值确定模块的框图，参见图9，初始值确定模块202，包括：

第一确定子模块2021，用于若待测芯片在中央区域，根据标准值确定第一数值，并将修正初始值确定为第一数值。

第二确定子模块2022，用于若待测芯片在边缘区域，根据标准值和预设的允许偏差值，确定第二数值，并将修正初始值确定为第二数值，第二数值与第一数值不同。

图10是图7所示实施例示出的一种第二获取模块的框图，参见图10，第二获取模块203，包括：

第一输入子模块2031，用于将修正初始值对应的第一逻辑指令输入待测芯片。

测量子模块2032，用于测量待测芯片的测量值。

可选地，图11是图7所示实施例示出的一种修调模块的框图，参见图11，修调模块204，包括：

指令确定子模块2041，用于根据测量值与标准值的关系，确定对应的修正逻辑指令。

第二输入子模块2042，用于将修正逻辑指令输入待测芯片。

更新子模块2043，用于将测量值更新为输入修正逻辑指令后的待测芯片的测量值。

重复执行上述根据测量值与标志值的关系，确定对应的修正逻辑指令，至将测量值更新为输入修正逻辑指令后的待测芯片的测量值的步骤，直至测量值与标准值满足预设条件。

可选地，指令确定子模块2041用于：

若测量值大于标准值，将修正逻辑指令确定为第二逻辑指令，第二逻辑指令用于指示待测芯片按照预设的步进值降低目标参数。

若测量值小于标准值，将修正逻辑指令确定为第三逻辑指令，第三逻辑指令用于指示待测芯片按照步进值提高目标参数。

关于上述实施例中的装置，其中各个模块执行操作的具体方式已经在有关该方法的实施例中进行了详细描述，此处将不做详细阐述说明。

综上所述，本公开首先获取待测芯片的区域信息，之后根据区域信息和目标参数对应的标准值，确定目标参数对应的修正初始值，并按照修正初始值对待测芯片进行测试，以获取待测芯片的目标参数对应的测量值，再根据测量值和标准值，对待测芯片进行修调，以使待测芯片的目标参数达到标准值。能够根据芯片在晶片上的不同区域，选择不同的策略对芯片进行修调，提高了芯片修调的效率和准确度。

图12是根据一示例性实施例示出的一种电子设备300的框图。参见图12，该电子设备300可以包括：处理器301，存储器302。该电子设备300还可以包括多媒体组件303，输入/输出(i/o)接口304，以及通信组件305中的一者或多者。

其中，处理器301用于控制该电子设备300的整体操作，以完成上述的芯片修调的方法中的全部或部分步骤。存储器302用于存储各种类型的数据以支持在该电子设备300的操作，这些数据例如可以包括用于在该电子设备300上操作的任何应用程序或方法的指令，以及应用程序相关的数据，例如联系人数据、收发的消息、图片、音频、视频等等。该存储器302可以由任何类型的易失性或非易失性存储设备或者它们的组合实现，例如静态随机存取存储器(staticrandomaccessmemory，简称sram)，电可擦除可编程只读存储器(electricallyerasableprogrammableread-onlymemory，简称eeprom)，可擦除可编程只读存储器(erasableprogrammableread-onlymemory，简称eprom)，可编程只读存储器(programmableread-onlymemory，简称prom)，只读存储器(read-onlymemory，简称rom)，磁存储器，快闪存储器，磁盘或光盘。多媒体组件303可以包括屏幕和音频组件。其中屏幕例如可以是触摸屏，音频组件用于输出和/或输入音频信号。例如，音频组件可以包括一个麦克风，麦克风用于接收外部音频信号。所接收的音频信号可以被进一步存储在存储器302或通过通信组件305发送。音频组件还包括至少一个扬声器，用于输出音频信号。i/o接口304为处理器301和其他接口模块之间提供接口，上述其他接口模块可以是键盘，鼠标，按钮等。这些按钮可以是虚拟按钮或者实体按钮。通信组件305用于该电子设备300与其他设备之间进行有线或无线通信。无线通信，例如wi-fi，蓝牙，近场通信(nearfieldcommunication，简称nfc)，2g、3g或4g，或它们中的一种或几种的组合，因此相应的该通信组件305可以包括：wi-fi模块，蓝牙模块，nfc模块。

在一示例性实施例中，电子设备300可以被一个或多个应用专用集成电路(applicationspecificintegratedcircuit，简称asic)、数字信号处理器(digitalsignalprocessor，简称dsp)、数字信号处理设备(digitalsignalprocessingdevice，简称dspd)、可编程逻辑器件(programmablelogicdevice，简称pld)、现场可编程门阵列(fieldprogrammablegatearray，简称fpga)、控制器、微控制器、微处理器或其他电子元件实现，用于执行上述的芯片修调的方法。

在另一示例性实施例中，还提供了一种包括程序指令的计算机可读存储介质，该程序指令被处理器执行时实现上述的芯片修调的方法的步骤。例如，该计算机可读存储介质可以为上述包括程序指令的存储器302，上述程序指令可由电子设备300的处理器301执行以完成上述的芯片修调的方法。

以上结合附图详细描述了本公开的优选实施方式，但是，本公开并不限于上述实施方式中的具体细节，在本公开的技术构思范围内，可以对本公开的技术方案进行多种简单变型，这些简单变型均属于本公开的保护范围。

另外需要说明的是，在上述具体实施方式中所描述的各个具体技术特征，在不矛盾的情况下，可以通过任何合适的方式进行组合。为了避免不必要的重复，本公开对各种可能的组合方式不再另行说明。

此外，本公开的各种不同的实施方式之间也可以进行任意组合，只要其不违背本公开的思想，其同样应当视为本公开所公开的内容。