Bl上，而所述像素电极Px形成在由选通线与数据线的交叉限定的区域中。
[0068]两者都用作公共电极COM的触摸驱动电极Txll和Txl2及Τχ21和Τχ22以及触摸非感测电极SI和S2被分别形成为对应于单元像素电极(每个单元像素电极包括表示颜色所需的多个子像素:在本发明的实施方式中为三个子像素)。
[0069]接下来，参照图3Α和图3Β，将用在触摸感测区域SAl和SA2中公共电极(触摸非感测电极)位于像素电极上的不例来描述根据本发明的第一个不例性实施方式的触摸传感器集成型显示装置。图3Α是例示在图2中的区域Rl中公共电极(触摸非感测电极)位于像素电极上的示例的俯视图。图3Β是沿着图3Α中的线Ι-Γ截取的横截面图。
[0070]为简单起见，将关注于位于包括两个触摸非感测电极SI的部分以及与所述两个触摸非感测电极SI的所述部分相邻的两个触摸感测电极Rxll和Rx21的部分在内的区域Rl中的像素电极Px给出下面的描述。在本实施方式中的图中，Px是指表示颜色所需的子像素，并且三个子像素构成一个单元像素电极被当作一个示例。在下面的描述中，将构成单元像素电极的子像素电极简单地称为像素电极。
[0071]参照图2以及图3A和图3B，根据本发明的第一个示例性实施方式的触摸传感器集成型显示装置包括:选通线GL和数据线DL，其在薄膜晶体管阵列TFTA的基板SUBl上形成为相互交叉；薄膜晶体管TFT，其形成在选通线GL和数据线DL的交叉处；像素电极Px，其形成在由选通线GL和数据线DL的交叉限定的区域中；以及公共电极C0M，其布置为与像素电极Px相对。在本发明的第一个示例性实施方式中，公共电极COM还用作触摸非感测电极SI。因此，公共电极COM还被称为触摸非感测电极SI，触摸非感测电极SI也用作公共电极，或者视情况公用电极COM也用作触摸非感测电极。
[0072]在这种结构中，选通线G形成在基板SUB上，而栅绝缘层GI形成在选通线GL的顶部上。构成薄膜晶体管TFT的有源层A、源极S和漏极D形成在栅绝缘层GI上。
[0073]薄膜晶体管TFT包括:栅极G，其从形成在基板SUB上的选通线GL延伸；有源层A，其形成在覆盖选通线GL和栅极G的栅绝缘层GI上的与栅极G相对应的区域中；源极S，其从形成在栅绝缘层GI上的数据线DL延伸并且分裂(split)以露出有源层A的部分；以及漏极D。
[0074]虽然已经关于具有栅极形成在源极/漏极下面的底栅结构的薄膜晶体管描述了本实施方式，但是本发明不限于此，并且应当理解，本发明还包括具有栅极形成在源极/漏极上面的顶栅结构的薄膜晶体管。具有顶栅结构的薄膜晶体管是公知的元件，因此将省略其详细的描述。
[0075]用于覆盖薄膜晶体管TFT和数据线DL的第一钝化层PASl形成在形成有薄膜晶体管TFT和数据线DL的栅绝缘层GI上。用于平整化的有机绝缘层INS(诸如感光性丙烯酸类材料(photoacryl))形成在第一钝化层PASl上。接触孔CH形成在有机绝缘层INS和第一钝化层PASl中以露出漏极D的部分。
[0076]像素电极Px形成在由数据线DL和选通线GL的交叉限定的像素区域中的有机绝缘层INS上。使像素电极Px经由穿过有机绝缘层INS和第一钝化层PASl的接触孔CH与薄膜晶体管TFT的漏极D接触。此外，触摸感测电极Rxll与选通线GL平行地形成在有机绝缘层INS上，并且位于沿着I轴彼此相邻的像素电极Px之间。触摸感测电极Rxll包括瓶颈(bottleneck)部分Rb，该瓶颈部分Rb的宽度在与用于随后将要描述的触摸非感测电极SI的瓶颈部分Sb交叉的区域中是窄的。触摸感测电极连接线Rcl与选通线GL平行地形成在触摸感测电极Rxll上。
[0077]第二钝化层PAS2形成在形成有像素电极Px、触摸感测电极Rxll和触摸感测电极连接线Rcl的有机绝缘层INS上。
[0078]触摸非感测电极连接线Scl在第二钝化层PAS2上形成为与数据线DL交叠。触摸非感测电极连接线Scl被布置成穿过触摸感测电极Rxll的瓶颈部分Rb。
[0079]还用作公共电极的触摸非感测电极SI形成在形成有触摸非感测电极连接线Scl的第二钝化层PAS2上，以便覆盖该触摸非感测电极连接线Scl。触摸非感测电极SI与像素电极Px交叠。触摸非感测电极SI (向触摸非感测电极SI提供了公共电压)中的每个都包括多个狭缝SL，以便于在显示驱动操作期间在像素电极Px之间形成水平电场。因此，当形成在有机绝缘层INS上的像素电极Px被配置成不具有狭缝时，形成在第二钝化层PAS2上的触摸非感测电极SI被配置成具有狭缝。
[0080]接下来，参照图4A和图4B，将使用在触摸感测区域SAl和SA2中像素电极位于公共电极(触摸非感测电极)上的示例来描述根据本发明的第一个示例性实施方式的修改的触摸传感器集成型显示装置。图4A是例示在图2中的区域Rl中像素电极位于公共电极(触摸非感测电极)上的示例的俯视图。图4B是沿着图4A中的线ΙΙ-ΙΓ截取的横截面图。
[0081]参照图2以及图4A和图4B，根据本发明的第一个示例性实施方式的修改的触摸传感器集成型显示装置包括:选通线GL和数据线DL，其在薄膜晶体管阵列TFTA的基板SUBl上形成为相互交叉；薄膜晶体管TFT，其形成在选通线GL和数据线DL的交叉处；像素电极Px，其形成在由选通线GL和数据线DL的交叉限定的区域中；以及公共电极C0M，其布置为与像素电极Px相对。在本发明的第一个示例性实施方式的修改中，像本发明的第一个示例性实施方式一样,公共电极COM也用作触摸非感测电极SI。因此，公共电极COM也被称为触摸非感测电极SI，触摸非感测电极SI也用作公共电极，或者视情况公用电极COM也用作触摸非感测电极。
[0082]在这种结构中，选通线G形成在基板SUB上，而栅绝缘层GI形成选通线GL的顶部上。构成薄膜晶体管TFT的有源层A、源极S和漏极D形成在栅绝缘层GI上。
[0083]薄膜晶体管TFT包括:栅极G，其从形成在基板SUB上的选通线GL延伸；有源层A，其形成在覆盖选通线GL和栅极G的栅绝缘层GI上的与栅极G相对应的区域中；源极S，其从形成在栅绝缘层GI上的数据线DL延伸并且分裂以露出有源层A的部分；以及漏极D。
[0084]虽然已经关于具有栅极形成在源极/漏极下面的底栅结构的薄膜晶体管描述了本实施方式，但是本发明不限于此，并且应当理解，本发明还包括具有栅极形成在源极/漏极上面的顶栅结构的薄膜晶体管。具有顶栅结构的薄膜晶体管是公知的元件，因此将省略其详细的描述。
[0085]用于覆盖薄膜晶体管TFT和数据线DL的第一钝化层PASl形成在形成有薄膜晶体管TFT和数据线DL的栅绝缘层GI上。用于平整化的有机绝缘层INS(诸如感光性丙烯酸类材料)形成在第一钝化层PASl上。第一接触孔CHl形成在有机绝缘层INS中以露出在与漏极D的部分相对应的位置处的第一钝化层PAS1。
[0086]通过瓶颈部分Sb相互连接并且也用作公共电极COM的触摸非感测电极SI形成在具有第一接触孔CHl的有机绝缘层INS上。也就是说，两个触摸非感测电极SI与数据线DL平行并且形成在有机绝缘层INS上，以便通过至少一个瓶颈部分Sb相连接。触摸非感测电极连接线Scl形成在触摸非感测电极SI上以与数据线DL交叠。触摸非感测电极连接线Scl被布置成穿过所述瓶颈部分Sb。
[0087]第二钝化层PAS2形成在形成有触摸非感测电极SI和触摸非感测电极连接线Scl的有机绝缘层INS上。将薄膜晶体管TFT的漏极D的部分露出的第二接触孔CH2形成在经由有机绝缘层INS的第一接触孔CHl露出的第一钝化层PASl、和第二钝化层PAS2中。
[0088]像素电极Px形成在由数据线DL和选通线GL的交叉限定的像素区域中的具有第二接触孔CH2的第二钝化层PAS2上。在沿着数据线DL(即，y轴)彼此相邻的两个像素电极Px之间，在与选通线GL平行的方向(X轴方向)上在第二钝化层PAS2上形成触摸感测电极连接线Re I。触摸感测电极Rx与选通线平行地形成在形成有触摸感测电极连接线Rcl的第二钝化层PAS2上，以便覆盖该触摸感测电极连接线Rcl。触摸感测电极RxlI在跨越瓶颈部分Sb的区域中具有瓶颈部分，该瓶颈部分Sb连接相邻的触摸非感测电极SI。
[0089]像素电极Px与触摸非感测电极SI交叠。所述像素电极Px中的每个都包括多个狭缝SL，以便于在显示驱动操作期间在提供了公共电压的触摸非感测电极SI之间形成水平电场。因此，当形成在有机绝缘层INS上的触摸非感测电极SI被配置成不具有狭缝时，形成在第二钝化层PAS2上的像素电极Px被配置成具有狭缝。
[0090]接下来，参照图5A和图5B，将使用在触摸驱动区域TAl和TA2中公共电极(触摸驱动电极)位于像素电极上的不例来描述根据本发明的第一个不例性实施方式的触摸传感器集成型显示装置。图5A是例示在图2中的区域R2中公共电极(触摸驱动电极)位于像素电极上的示例的俯视图。图5B是沿着图5A中的线ΙΙΙ-ΙΙΓ截取的横截面图。
[0091]参照图2以及图5A和图5B，根据本发明的第一个示例性实施方式的触摸传感器集成型显示装置包括:选通线GL和数据线DL，其在薄膜晶体管阵列TFTA的基板SUBl上形成为相互交叉；薄膜晶体管TFT，其形成在选通线GL和数据线DL的交叉处；像素电极Px，其形成在由选通线GL和数据线DL的交叉限定的区域中；以及公共电极C0M，其布置为与像素电极Px相对。在本发明的第一个示例性实施方式中，公共电极COM也用作触摸驱动电极Txl2。因此，公共电极COM也被称为触摸驱动电极Τχ12，触摸驱动电极Τχ12也用作公共电极，或者视情况公用电极COM也用作触摸驱动电极。
[0092]在这种结构中，选通线G形成在基板SUB上，而栅绝缘层GI形成选通线GL的顶部上。构成薄膜晶体管TFT的有源层Α、源极S和漏极D形成在栅绝缘层GI上。
[0093]薄膜晶体管TFT包括:栅极G，其从形成在基板SUB上的选通线GL延伸；有源层Α，其形成在覆盖选通线GL和栅极G的栅绝缘层GI上的与栅极G相对应的区域中；源极S，其从形成在栅绝缘层GI上的数据线DL延伸并且分裂以露出有源层A的部分；以及漏极D。
[0094]虽然已经关于具有栅极形成在源极/漏极下面的底栅结构的薄膜晶体管描述了本实施方式，但是本发明不限于此，并且应当理解本发明还包括具有栅极形成在源极/漏极上面的顶栅结构的薄膜晶体管。具有顶栅结构的薄膜晶体管是公知的元件，因此将省略其详细的描述。
[0095]用于覆盖薄膜晶体管TFT和数据线DL的第一钝化层PASl形成在形成有薄膜晶体管TFT和数据线DL的栅绝缘