一种低功耗fpga器件的制作方法

文档序号:8487440阅读:183来源:国知局
一种低功耗fpga器件的制作方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及集成电路领域,更具体地,涉及一种在待机状态下功耗极低的FPGA器件。
【背景技术】
[0002]随着越来越多的电子应用对低功耗或电池供电的需求,节能变得尤为重要。当今的某些应用必须功耗非常低。
[0003]在过去的十年时间里,IC工艺从130nm快速发展到65nm并随后很快进入当前的16nm结点,工艺技术的每一次进步都使得功率管理变得更为重要。在130nm结点时,IC生产商就开始注意到晶体管的电流泄漏问题,即使在闲置模式下,晶体管也存在由于电流泄漏而带来的功率消耗。进入纳米工艺时代,IC的工作电压进一步下降,但电流泄漏问题更加严重,在器件的总功耗中占有相当大的比重。传统上FPGA供应商的产品设计面向范围广泛的应用,器件包含大量的高速晶体管,因此FPGA器件的功耗不容小视。与其它采用最先进工艺进行设计的IC 一样,FPGA也采用了电流泄漏较大的晶体管设计。
[0004]FPGA器件的功率消耗主要有两类:静态功耗和动态功耗。静态功耗是由于晶体管的泄漏而引起的,因为即使不工作时晶体管仍然存在电流泄漏。动态功耗则是器件在执行任务时消耗的功率一一与开关结点数量以及电、频率和电容等有关。在目前工艺结点,特别是低功耗FPGA产品静态功耗已成为主要焦点。它与产品待机状态的功耗直接现关。
[0005]目前低功耗FPGA的主要设计方法是采用低功耗工艺和低功耗器件,降低整个器件的功耗。而采用低功耗器件是以牺牲器件性能为代价的,以低功耗换取低性能,这在某些应用上是可行的。但是对于高性能的应用,就力不从心了,器件的物理特性是有极限的。目前各大晶圆厂开发出来的工艺已经是非常优化了,不可能再同时提高性能及降低功耗,故一般设计人员只能在功耗和性能之间选一。

【发明内容】

[0006]本发明为克服上述现有技术所述的至少一种缺陷(不足),提供一种在待机状态下功耗极低的FPGA器件,该FPGA器件在具有高性能的同时,具有低功耗的特点。
[0007]一种低功耗FPGA器件,包括用户定义的可编程逻辑模块和SRAM存储器,所述可编程逻辑模块设有核心电源管脚,SRAM存储器设有SRAM电源管脚,电源管理器通过SRAM电源管脚向SRAM存储器供电,电源管理器通过核心电源管脚向可编程逻辑模块供电。
[0008]该FPGA器件中的SRAM存储器使用独立的电源管脚,当器件系统进入待机状态时,电源管理器包括向SRAM存储器供电,不向可编程逻辑模块等其他模块供电,则可实现在不影响器件高性能的同时,降低功耗。
[0009]另外由于SRAM存储器供电不间断,使得所有用户编程数据流被保存,用户逻辑不会丢失。故在待机状态终止时,恢复供电后,器件可立刻进入工作状态,无需重新加载数据流文件,节省了时间及加载功耗。
[0010]本方案使可编程逻辑器件(FPGA)中SRAM存储器(编程逻辑信息部分)单独供电,对整个可编程逻辑器件(FPGA)的用户逻辑断电。
[0011]上述低功耗FPGA器件还包括用于检测SRAM存储器数据流文件的检测模块。在待机状态终止时,恢复供电后,采用检测模块检测SRAM存储器内是否存在数据流文件,如果没有则重新加载数据流文件后进入工作状态,否则无需重新加载数据流文件,直接进入工作状态,节省了时间及加载功耗,提高便利性。
[0012]上述可编程逻辑模块至少包括寄存器,所述寄存器设有电源管脚,电源管理器通过电源管脚向寄存器供电。寄存器采用独立的电源管脚供电,在系统进入待机状态时,用户寄存器中数据在进入待机状态时予以保留。
[0013]上述低功耗FPGA器件是从电源供电架构出发,在不降低FPGA器件性能的前提下,提供用户一个极低功耗的待机状态,可使FPGA从传统的应用进入到新的低功耗应用领域如手提设备,可穿戴设备等领域。
[0014]与现有技术相比,本发明技术方案的有益效果是:本发明中SRAM存储器采用独立的电源供电,当器件系统进入待机状态时,电源管理器包括向SRAM存储器供电,不向可编程逻辑模块等其他模块供电,则可实现在不影响器件高性能的同时,降低功耗及节省时间。另外由于SRAM存储器供电不间断,使得所有用户编程数据流被保存,用户逻辑不会丢失。故在待机状态终止时,恢复供电后,器件可立刻进入工作状态,无需重新加载数据流文件,节省了时间及加载功耗。
【附图说明】
[0015]图1为现有FPGA芯片中电源在整体架构中的分配示意图。
[0016]图2为一个典型FPGA逻辑阵列架构图。
[0017]图3为一个典型FPGA逻辑阵列架构图。
[0018]图4为传统FPGA上电流程图。
[0019]图5为本发明FPGA上电流程图。
【具体实施方式】
[0020]附图仅用于示例性说明,不能理解为对本专利的限制;
为了更好说明本实施例,附图某些部件会有省略、放大或缩小,并不代表实际产品的尺寸;
对于本领域技术人员来说,附图中某些公知结构及其说明可能省略是可以理解的。
[0021]下面结合附图和实施例对本发明的技术方案做进一步的说明。
[0022]实施例1
图1为一个典型的可编程器件,其中包括一个用户定义的可编程逻辑模块和一个SRAM存储器。SRAM存储器中的SRAM阵列是用来存储编程数据并对可编程逻辑模块进行实时控制,以使其形成用户定义逻辑,实现用户的功能。图1中展示了电源管脚的的分配。
[0023]由于FPGA中包含大量的高速晶体管,漏电流造成的静态功耗主要在核心逻辑及输入输出电路中。而SRAM在静态状态下漏电极小,功耗极低。
[0024]图2是将SRAM阵列的电源独立出来,使用独立的电源管脚。这样可以在系统电源管理上多了一个睡眠状态。
[0025]图3是一个系统应用的例子,是在一个系统板上的电源管理方式。FPGA与其它集成电路器件都在电源管理器件的统一管理下。由于FPGA器件有单独的电源管脚,因此当系统进入待机状态时,电源管理器件可以只保留SRAM供电,而不向FPGA的其它电源管脚供电,这样整个器件的功耗变得极低。另一方面,由于SRAM部分电源还在,所有用户编程数据流还被保存,用户逻辑不会丢失。这样当待机状态终止,芯片恢复供电后,立刻进入工作状态。省却了重新加载数据流文件的步骤,节省了时间及加载功耗。
[0026]在可编程逻辑模块(逻辑模块)中除了组合逻辑(LUT)外,还有时序电路如用户寄存器(DFF)等,在本实例中将SRAM独立电源的方法进一步推广到用户寄存器电路中。用户寄存器电路的电源采用同样的方法,可以使得用户寄存器中的数据在进入待机状态是预以保留O
[0027]所有编程数据及用户逻辑寄存器数据都保留下来,对逻辑上不间断系统的应用提供了有力的支持。出待机状态后,系统可立即以待机状态前的状态继续运行下去,而不需要用户系统从头开始运行,能够降低功耗节约时间。
[0028]在实际中,SRAM存储器包括若干个,是分布在用户逻辑中的。然而,传统的FPGA上电及加载数据流程需要改变来适应这种新的工作模式,图4为传统的FPGA上电流程示意图。
[0029]很明显这个流程在新的工作模式下会存在以下不足,当FPGA从待机状态上电时,上电复位功能会将SRAM存储的数据流文件清除,并重新加载数据流文件,整个过程耗费时间及功耗。将为用户带来不便。
[0030]本方法是在FPGA可编程逻辑模块加入检测模块,在上电过程中自动检测是否有数据流文件在SRAM中。其具体上电过程如图5所示,如果检测SRAM中没有数据流文件,则进行传统的上电流程;如果SRAM中有完整的数据流文件,则跳过上电复位及数据流加载程序,直接进入工作状态。
[0031]相同或相似的标号对应相同或相似的部件;
附图中描述位置关系的用于仅用于示例性说明,不能理解为对本专利的限制;
显然,本发明的上述实施例仅仅是为清楚地说明本发明所作的举例,而并非是对本发明的实施方式的限定。对于所属领域的普通技术人员来说,在上述说明的基础上还可以做出其它不同形式的变化或变动。这里无需也无法对所有的实施方式予以穷举。凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等,均应包含在本发明权利要求的保护范围之内。
【主权项】
1.一种低功耗FPGA器件,包括用户定义的可编程逻辑模块和SRAM存储器,其特征在于,所述可编程逻辑模块设有核心电源管脚,SRAM存储器设有SRAM电源管脚,电源管理器通过SRAM电源管脚向SRAM存储器供电,电源管理器通过核心电源管脚向可编程逻辑模块供电。
2.根据权利要求1所述的低功耗FPGA器件,其特征在于,还包括用于检测SRAM存储器数据流文件的检测模块。
3.根据权利要求1或2所述的低功耗FPGA器件,其特征在于,所述可编程逻辑模块至少包括寄存器,所述寄存器设有电源管脚,电源管理器通过电源管脚向寄存器供电。
【专利摘要】本发明公开一种低功耗FPGA器件,包括用户定义的可编程逻辑模块和SRAM存储器,可编程逻辑模块设有核心电源管脚,SRAM存储器设有SRAM电源管脚,电源管理器通过SRAM电源管脚向SRAM存储器供电,电源管理器通过核心电源管脚向可编程逻辑模块供电。SRAM存储器采用独立的电源供电,当器件进入待机状态时,电源管理器包括向SRAM存储器供电,不向可编程逻辑模块等其他模块供电,可实现在不影响器件高性能的同时,降低功耗及节省时间。由于SRAM存储器供电不间断,使得用户编程数据流被保存,用户逻辑不会丢失。在待机状态终止时,恢复供电后,器件可立刻进入工作状态,无需重新加载数据流文件,节省了时间及加载功耗。
【IPC分类】G06F1-32
【公开号】CN104808769
【申请号】CN201510192294
【发明人】朱璟辉
【申请人】广东高云半导体科技股份有限公司
【公开日】2015年7月29日
【申请日】2015年4月21日
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