分别包括PET基板层101、氧化铟锡薄膜层102和铜膜层103。
[0032]步骤302、覆干膜，使用覆膜机把用于紫外线曝光的干膜材料覆在铜膜层103的上表面，形成一层薄膜层105 ；
[0033]步骤303、曝光固化干膜层，如图5所示，将排版好的菲林106贴合在面板的干膜层105上表面，通过曝光机的紫外灯107透过菲林照射后，干膜105能够产生聚合反应形成一种稳定的物质附着于铜膜层的上表面，所设计好的非触摸区图形转印在铜膜层103上表面的干膜105上。
[0034]步骤304、非触摸区图形显像，将菲林106移离干膜层105，使用显影液将转印在干膜层105将非触摸区图形显像出来。
[0035]步骤305、蚀刻铜膜层，使用铜蚀刻液把触摸区2上没有图形部份的铜膜层103蚀刻去掉，保留了非触摸区I图形的铜膜层103 ；
[0036]步骤306、去掉干膜，把蚀刻完铜膜的面板使用脱干膜液把覆在铜膜层103上表面的干膜层105洗掉。
[0037]进一步说明，上述步骤302-306，行业俗称叫面板开视窗，是根据单个触摸屏的规格和电路布线，设计好触摸区和非触摸区的面积，把多余的铜膜去除。如图4所示，面板的周边铜膜层103保留，中心部位的铜膜层103去除，露出透明的氧化铟锡薄膜层102，形成了透明视窗的触摸区2。
[0038]步骤307、重新覆干膜，在开好视窗的铜膜层103和氧化铟锡薄膜层102的上表面再次涂覆上干膜层。
[0039]步骤308、转印电路图，将设计好电路的菲林贴合在面板的干膜层上表面，通过曝光机的紫外线透过菲林照射后，干膜能够产生聚合反应形成一种稳定的物质附着于铜膜层和氧化铟锡薄膜层的上表面，所设计好电路的线路图形一次性转印在干膜上表面。
[0040]步骤309、电路图形显像，将菲林移离干膜层，使用显影液将转印在干膜层将电路图形显像出来。
[0041]步骤310、蚀刻电路线路，把非触摸区的铜膜层电路线路使用铜蚀刻液蚀刻出来，同时利用氧化铟锡薄膜ITO蚀刻液将触摸区的导电电路蚀刻出来。实现了铜膜电路层的铜走线11间隔最小值宽度达到0.05mm,比现有的线路走线间隔最小值宽度0.1mm要求大大缩小，可制作出窄边框的触摸屏。
[0042]步骤311、涂覆防氧化层，将蚀刻完电路线路后，使用脱膜液把覆在铜膜层和氧化铟锡薄膜ITO导电层的上表面的干膜洗除，然后涂覆上防氧化层，把铜膜层和氧化铟锡薄膜ITO导电层上的电路覆盖在触摸面板中间层内。
[0043]经过上述制作工艺后，形成电容式触摸屏板，在屏板上贴合光学透明高黏胶0CA，根据设计的版面使用激光切割机进行单体触摸屏板的切割，单体触摸屏板的引线与信号处理的柔性电路相连接，形成电容式触摸屏设备，人体触摸点位置的电场与触摸区的氧化铟锡薄膜ITO导电层的电路形成以一个耦合电容，手指从接触点吸走一个很小的电流，控制处理器通过精确计算四个方位的电流比例，得出触摸点的准确位置。
[0044]以上所述的仅是本发明的优先实施方式。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，这些仅是举例说明，本发明的保护范围是由所附的权利要求书限定。且在不脱离本发明的原理和实质的前提下，还可以作出若干改进和变型，这也视为本发明的保护范围。
【主权项】
1.一种电容式触摸屏的制作工艺，在面板上的氧化铟锡薄膜层和铜膜层上分别蚀刻电路，所述面板由下向上，分别包括PET基板层、氧化铟锡薄膜层和铜膜层，其特征在于，其制作方法包括以下步骤: . 5301、开料，根据单个产品显示屏的形状、大小和及排版数量，裁切所需要尺寸的面板。 . 5302、覆干膜，使用覆膜机把用于紫外线曝光的干膜材料覆在铜膜层的上表面，形成一层薄膜层； . 5303、曝光固化干膜层，将排版好的菲林贴合在面板的干膜层上表面，通过曝光机的紫外灯透过菲林照射后，干膜产生聚合反应形成一种稳定的物质附着于铜膜层的上表面，所设计好的非触摸区图形转印在铜膜层上表面的干膜上。 . 5304、非触摸区图形显像，将菲林移离干膜层，使用显影液将转印在干膜层将非触摸区图形显像出来。 . 5305、蚀刻铜膜层，使用铜蚀刻液把触摸区上没有图形部份的铜膜层蚀刻去掉，保留了非触摸区的铜膜层； . 5306、去掉干膜，把蚀刻完铜膜的面板使用脱干膜液把覆在铜膜层上表面的干膜层洗掉，面板周边图形铜膜层保留，中心部位的铜膜层去除，露出透明的氧化铟锡薄膜层，形成了透明视窗的触摸区。 . 5307、重新覆干膜，在开好视窗的铜膜层和氧化铟锡薄膜层的上表面再次涂覆上干膜层。. 5308、转印电路图，将设计好电路的菲林贴合在面板的干膜层上表面，通过曝光机的照射后，干膜产生聚合反应形成一种稳定的物质分别附着于图形铜膜层和氧化铟锡薄膜层的上表面，所设计好电路线路图形一次性转印在干膜上表面。 . 5309、电路图形显像，将菲林移离干膜层，使用显影液将转印在干膜层将电路图形显像出来。 . 5310、蚀刻电路线路，把非触摸区的铜膜层电路线路使用铜蚀刻液蚀刻出来，然后使用氧化铟锡薄膜蚀刻液将触摸区的电极电路蚀刻出来。 . 5311、涂覆防氧化层，蚀刻完电路线路后，使用脱膜液把覆在铜膜电路层和氧化铟锡薄膜导电层的上表面的干膜洗除，然后涂覆上防氧化层，把铜膜层和氧化铟锡薄膜ITO导电层上的电路覆盖在触摸面板中间层内。
【专利摘要】本发明涉及触摸屏技术，公开了一种电容式触摸屏的制作工艺，其包括以下步骤：S301、开料；S302、覆干膜；S303、曝光固化干膜层；S304、显像非触摸区铜膜图形；S305、蚀刻铜膜层；S306、清洗掉干膜;S307、重新覆干膜;S308、转印电路路线图;S309、电路图形显像;S310、蚀刻电路线路。通过上述制作工艺的电容式触摸屏，实现了铜膜层电路走线间隔最小值宽度达到0.05mm,比现有的线路走线间隔大大缩小，可制作出窄边框的触摸屏；同时，铜膜层和氧化铟锡薄膜层上的电路线路图形一次性转印，同步蚀刻，非触控区的线路和触控区的电极图案采用两次化学蚀刻，不相互干扰，提升了产品的良品率，简化了生产工序，大大提高了生产效率。
【IPC分类】G06F3-044
【公开号】CN104850281
【申请号】CN201410054917
【发明人】谭本志
【申请人】谭本志
【公开日】2015年8月19日
【申请日】2014年2月18日