金属网格透明导电体、其制备方法与电容式触摸屏的制作方法
【技术领域】
[0001 ] 本申请涉及技术领域，具体而言，涉及一种金属网格透明导电体、其制备方法与电 容式触摸屏。
【背景技术】
[0002] 作为n〇(Indium Tin Oxide，掺锡氧化铟）薄膜的替代改良产品，金属网格透明导 电薄的开发逐渐兴起。
[0003] 现有技术中金属网格透明导电膜的制备方法有两种：第一种是利用银，铜等金属 材料或者氧化物等易于得到且价格低廉的导电层的原料，在PET等塑胶薄膜上压制形成的 金属网格图案，然后将导电层的原料填充到金属网格图案中，形成金属网格透明导电膜；第 二种是制备导电层，然后刻蚀导电层（通常采用黄光刻蚀或者激光刻蚀），形成金属网格式 透明导电薄膜。
[0004] 上述的两种制备工艺很难做到金属线的宽度具有数微米、甚至数百纳米级别的金 属网格透明导电膜。金属线的宽度一般比较宽，在30 μπι以上，有的甚至达到100 μπι，并且 金属线的宽度不均匀，金属线的宽度越小，不均匀现象越严重。这样的两层金属网格透明导 电膜形成的金属网格透明导电体的可视性差。
[0005] 造成上述结果的原因有很多，例如在第二种制备方法中，原因为：导电层主要成分 大多是不透明的金属及其氧化物，或者透明的金属及其氧化物的粒子、纤维，或者是有机导 电高分子等所构成，如果刻蚀采用黄光蚀刻，会因为导电层中成分的反射与散乱，或者蚀刻 药剂浓度及蚀刻程度控制等因素的影响，造成蚀刻后金属线的宽度不均匀，在金属线的宽 度小于50 μπι微米以下的产品中，该现象尤其严重。在保持较高良率的情况下，金属线的宽 度在微米数量级，并且产品具有高可视性的与高良品率这一目标在传统黄光蚀刻工艺中很 难实现。
[0006] 如果刻蚀采用的是激光蚀刻制程，则会因为散乱、吸收、热传导等影响因素，造成 金属线的宽度小于5 0 μ m以下的产品的金属线的宽度的不均匀，影响最终产品的触控性 能。并且激光蚀刻的效率不高，提高了产品的制备成本。
[0007] 如果金属线的宽度（越细，可视性越好）都在微米级别，个别情况下达到纳米级 另IJ，则能够大幅提升产品的可视性。可是，金属线越细，使得产品加工变得越困难，经常会出 现因为金属线路的印刷加工不良而出现的断线或者是金属线间的短路造成产品触控不良， 降低产品的良率。
【发明内容】
[0008] 本申请旨在提供一种金属网格透明导电体、其制备方法与电容式触摸屏，以解决 现有技术中不能量产得到线宽在微米级、数纳米级且线宽较均匀的金属网格透明导电体的 问题。
[0009] 为了实现上述目的，根据本申请的一个方面，提供了一种金属网格透明导电体的 制备方法，该方法包括：形成第一层的金属网格透明导电膜；形成第二层的金属网格透明 导电膜；形成中间层，上述中间层包括第一表面与第二表面，上述第一表面与第一层的上述 金属网格透明导电膜的远离透明基材层的表面接触，上述第二表面与第二层的上述金属网 格透明导电膜的远离透明基材层的表面接触。其中，上述金属网格透明导电膜的制备工艺 包括：步骤S1，在透明基材层的表面形成绝缘层；步骤S2,对上述绝缘层进行刻蚀，形成凹 槽；以及步骤S3,在上述凹槽中设置导电层，形成金属网格透明导电膜。
[0010] 进一步地，上述步骤Sl包括：步骤S11，在透明基材层的表面设置绝缘感光胶水 层；以及步骤S12,对上述绝缘感光胶水层进行曝光，形成上述绝缘层。
[0011] 进一步地，上述步骤Sll包括：步骤Slll，在上述绝缘感光胶水层的表面设置具 有预定图案的遮光板；以及步骤S112,对设置有上述遮光板的上述绝缘感光胶水层进行曝 光，形成上述绝缘层。
[0012] 进一步地，上述遮光板为具有上述预定图案的镂空遮光板。
[0013] 进一步地，上述镂空遮光板中非镂空部分的线宽在0. 1~100 μπι之间，优选在 1~50 μ m之间；非镂空部分的线宽在2~5000 μ m，优选在20~3000 μ m之间。
[0014] 进一步地，上述步骤S3包括：步骤S31，在上述凹槽中设置导电层，上述导电层同 时延伸至上述绝缘层的表面；以及步骤S32,对上述导电层进行表面平坦化，形成金属网格 透明导电膜。
[0015] 进一步地，上述中间层的材料折射率与上述绝缘层的材料折射率的差值在0~ 0. 03之间。
[0016] 进一步地，在上述步骤Sl之前，上述制备方法还包括：对上述透明基材层进行耐 热低收缩处理。
[0017] 进一步地，用于实施上述曝光的光波的波长小于380nm，且上述绝缘层的厚度在 1~100 μ m之间，优选在5~30 μ m之间。
[0018] 进一步地，上述导电层为透明的有机导电高分子化合物层、无机金属氧化物层、不 透明有机导电化合物层、金属或金属氧化物层。
[0019] 进一步地，透明基材层包括透明基材原膜，上述透明基材原膜的光透过率大于 85 %，厚度在10~500 μ m之间，优选在20~200 μ m之间。
[0020] 进一步地，上述金属网格透明导电膜中导电层的厚度在1~120 μ m之间。
[0021] 为了实现上述目的，根据本申请的另一方面，提供了一种金属网格透明导电体，上 述金属网格透明导电体采用上述的制备方法形成。
[0022] 为了实现上述目的，根据本申请的另一方面，提供了一种电容式触摸屏，上述电容 式触摸屏包括金属网格透明导电体，上述金属网格透明导电体采用上述的制备方法形成。
[0023] 应用本申请的制备方法中，在形成第一层的金属网格透明导电膜与第二层的金属 网格透明导电膜的过程中，首先在透明基材层的表面上设置绝缘层，然后对其进行刻蚀，形 成凹槽，绝缘层的材料一般为感光胶水，相比于导电层的材料更容易形成细微的结构，所以 对绝缘层刻蚀形成的凹槽的线宽在微米级、甚至可以到达数百纳米级别。并且，由于绝缘层 的材料对刻蚀的影响较小，不存在散乱与反射等现象，刻蚀得到的凹槽的线宽较均匀，进而 得到线宽较均匀的金属网格透明导电膜。将两层金属网格透明导电膜通过中间层设置为一 体，形成金属网格透明导电体。采用该方法制备得到的金属网格透明导电体的可视性较好， 能够更好地应用到双面触摸屏中。并且该制备方法适合金属网格透明导电体的量产，并且 能够提尚金属网格透明导电体的良率。
【附图说明】
[0024] 构成本申请的一部分的说明书附图用来提供对本申请的进一步理解，本申请的示 意性实施例及其说明用于解释本申请，并不构成对本申请的不当限定。在附图中：
[0025] 图1示出了本申请一种典型实施方式提出的金属网格透明导电体的制备方法的 流程示意图；
[0026] 图2示出了一种优选实施例提供的在透明基材层的表面形成绝缘层后的剖面结 构示意图；
[0027] 图3示出了对图2所示的绝缘层进行刻蚀后形成的结构的剖面示意图；
[0028] 图4a示出了在图3所示的凹槽中设置导电层后形成的结构的剖面示意图；
[0029] 图4b示出了一种实施例中提供的金属网格透明导电膜的结构剖面示意图；
[0030] 图5示出了一种实施例提供的金属网格透明导电体的剖面结构示意图；
[0031] 图6示出了在绝缘感光胶水层的表面上设置遮光板后形成的结构的剖面示意图；
[0032] 图7示出了一种实施例提供的透明导电层的剖面结构示意图；以及
[0033] 图8示出了一种实施例提供的透明导电层的剖面结构示意图。
【具体实施方式】
[0034] 应该指出，以下详细说明都是例示性的，旨在对本申请提供进一步的说明。除非另 有指明，本文使用的所有技术和科学术语具有与本申请所属技术领域的普通技术人员通常 理解的相同含义。
[0035] 需要注意的是，这里所使用的术语仅是为了描述【具体实施方式】，而非意图限制根 据本申请的示例性实施方式。如在这里所使用的，除非上下文另外明确指出，否则单数形式 也意图包括复数形式，此外，还应当理解的是，当在本说明书中使用术语"包含"和/或"包 括"时，其指明存在特征、步骤、操作、器件、组件和/或它们的组合。
[0036] 正如【背景技术】所介绍的，现有技术中的制备金属网格透明导电膜的方法难以制备