专利名称：光记录介质及其制造方法
技术领域：
本发明涉及一种光记录介质，尤其涉及一种具有薄透光层的光记录介质。本发明还涉及一种光记录介质制造方法，尤其涉及一种具有薄透光层的光记录介质的制造方法。
背景技术：
近年来，诸如CD、DVD等的光记录介质已经被广泛用作记录数字数据的记录介质。当从这种光记录介质读出数据时，执行所谓的纠错处理，如果如此读出的数据含错误，则纠正这些错误以恢复正确的数据。通过纠错处理纠正错误的程度因算法而异，但如果数据里含有的错误程度较大，则无法纠错，因此利用前后的相邻数据来生成补偿数据。
出现这种数据错误的一个主要原因是在光记录介质内的透光层存在缺陷。透光层有缺陷的例子包括混入异物、产生气泡等。一般来说，缺陷的尺寸越大，数据中出现错误的程度越高。为此，为透光层中含有的缺陷设定一个约定的容许尺寸(临界值)，以防止出现无法通过纠错过程纠正的高级别错误，这样如果透光层含有超过这个尺寸的缺陷，将该光记录介质作为次品处理。
如果在纠错过程中透光层中含有的缺陷的最大尺寸超过约定值，则纠错变得不能完成的可能性通常急速增大。为此，在制造光记录介质时，按照惯例将透光层中含有的缺陷的尺寸的临界值设置为匹配这个约定值，这样如果透光层含有的缺陷的尺寸超过该临界值，则通常将该光记录介质作为次品处理。
然而，近年来，旨在通过将光记录介质的透光层做得极薄，并且将从光记录介质的表面到用于聚焦激光束以读出数据的物镜的距离(工作距离)设置得极短，来记录更大量的数字数据的技术已经引起了注意。如果通过这种方式将透光层做薄并且将工作距离设短，就能使激光束的有效光点比以前小得多，从而实现更高的记录密度。
然而，使透光层变薄的结果是，如果其厚度变得接近纠错过程中纠错变得不可能的缺陷尺寸，或变得更薄，则如果透光层中含有的缺陷的临界值被设置成与在纠错过程中纠错变得不能完成的缺陷尺寸相同，那么即使有缺陷从表面显著突出的光记录介质也被当作正品(非次品)处理。由于在从这种光记录介质读出数据时使用的工作距离被设得极短，如果有缺陷从表面显著突出的这种光记录介质被当作正品处理，则存在突出的缺陷与物镜或支撑它的支架接触的危险。
为防止这种情况发生，有效办法是将透光层内含有的缺陷的临界值设置成小于在纠错过程中纠错变得不能完成的可能性增大时的缺陷尺寸。例如，如果透光层的厚度比在纠错过程中纠错变得不能完成的可能性增大时的缺陷尺寸薄，如果透光层中含有的缺陷尺寸的临界值被设置成低于透光层的厚度，则有缺陷从表面显著突出的光记录介质被当作正品对待的可能性变得极小。
然而，透光层中含有的缺陷尺寸的临界值被设置得越小，则光记录介质被当作次品处理的比例就变得越大，而且这个比例急速增大，导致出现合格率急速变坏的问题。
为此，在制造光记录介质的过程中，极难做到消除有缺陷从表面显著突出的光记录介质而不大大降低合格率。为此，希望提供不大大降低合格率的光记录介质。
发明内容
因此，本发明的一个目的是提供一种在制造时合格率不会大为降低的光记录介质。
本发明的另一目的是提供一种从透光层的表面突出的缺陷减小的光记录介质。
本发明的另一目的是提供一种改进的具有薄透光层的光记录介质。
本发明的另一目的是提供一种改进的光记录介质，其中透光层的厚度比产生错误的程度在纠错过程中无法被纠正的缺陷的尺寸薄。
本发明的另一目的是提供一种不用大为降低合格率就能有效消除缺陷盘的光记录介质制造方法。
本发明的另一目的是提供一种能有效消除有缺陷从透光层表面显著突出的光记录介质的光记录介质制造方法。
本发明的另一目的是提供一种改进的具有薄透光层的光记录介质制造方法。
本发明的另一个目的是提供一种改进的光记录介质制造方法，其中透光层的厚度比产生错误的程度在纠错过程中无法被纠正的缺陷的尺寸薄。
在包括至少透光层和记录层，从而通过将激光束经所述透光层投射到所述记录层上读出和/或记录数据的一种光记录介质的制造方法中，根据本发明的所述光记录介质制造方法包括至少用于检测所述透光层内含有的内部缺陷的检查过程，并且在所述检查过程中，将在第一方向所述内部缺陷的临界值，和在不同于所述第一方向的第二方向的临界值设置为不同值。
根据本发明，对于两个不同方向分别设置内部缺陷尺寸的临界值，这样，通过适当地设置这些临界值，就能不大为降低合格率有效消除缺陷盘。
在包括至少透光层和记录层，从而通过将激光束经所述透光层投射到所述记录层上读出和/或记录数据的一种光记录介质中，根据本发明的所述光记录介质为，一个第一最大内部缺陷在一个第一方向上的长度比一个第二最大内部缺陷在一个第二方向上的长度长，所述第一最大内部缺陷是包含在所述透光层中的所有内部缺陷中在所述第一方向上最长的，而所述第二最大内部缺陷是包含在所述透光层中的所有内部缺陷中在所述第二方向上最长的。
另外，在包括至少透光层和记录层，从而通过将激光束经所述透光层投射到所述记录层上读出和/或记录数据的一种光记录介质中，根据本发明的光记录介质为，在所述透光层内含有的内部缺陷的长度容限在第一方向比在不同于所述第一方向的第二方向要长。
根据本发明，第一最大内部缺陷在第一方向上的长度比第二最大内部缺陷在第二方向上的长度长，因此制造时的合格率不会降低。
在本发明的一个优选实施例中，所述第一方向是与所述激光束的光轴基本上垂直的方向，而所述第二方向是与所述激光束的光轴基本上平行的方向。
在本发明的另一个优选实施例中，在所述第一方向上的临界值大于在所述第二方向上的临界值。
这里，在所述第一方向上的临界值优选在从大约30μm到大约500μm的范围内，更优选在从大约40μm到大约300μm的范围内，最为优选在从大约50μm到大约200μm的范围内，特别优选大约200μm。
另外，在所述第二方向上的临界值优选在从大约10μm到大约220μm的范围内，更优选在从大约30μm到大约200μm的范围内，最为优选在从大约50μm到大约100μm的范围内，特别优选大约100μm。
在本发明的另一个优选实施例中，在所述第二方向上的临界值大于所述透光层的厚度。
在本发明的另一个优选实施例中，所述透光层的厚度为大约100μm。
在包括至少透光层和记录层，从而通过将激光束经所述透光层投射到所述记录层上读出和/或记录数据的一种光记录介质的制造方法中，根据本发明的所述光记录介质制造方法包括至少突出缺陷检查过程，用于检测附着于所述透光层或从所述透光层突出的突出缺陷。
根据本发明，不大为降低合格率就有可能有效消除有缺陷从表面显著伸出的光记录介质，因此有可能消除突出缺陷与物镜或与支持它的支架接触的危险高的光记录介质。因此，该方法特别适合于在记录/读出数据时工作距离设置得短的光记录介质的制造。
在包括至少透光层和记录层，从而通过将激光束经所述透光层投射到所述记录层上读出和/或记录数据的一种光记录介质的制造方法中，根据本发明的所述光记录介质制造方法包括至少突出缺陷检查过程，用于检测附着于所述透光层或从所述透光层突出的突出缺陷，并且在所述检查过程中，在第一方向所述突出缺陷的临界值，和在不同于所述第一方向的第二方向的临界值设置为不同值。
根据本发明，有可能有效消除突出缺陷与物镜或支持它的支架接触(撞击)的可能性高的缺陷盘，而且还有可能不大为降低合格率有效消除产生错误的程度在纠错过程无法纠正的缺陷盘。
在包括至少透光层和记录层，从而通过将激光束经所述透光层投射到所述记录层上读出和/或记录数据的一种光记录介质中，根据本发明的光记录介质为，在附着于所述透光层或从所述透光层突出的突出缺陷中，离所述透光层高度最大的最大突出缺陷的高度在大约1μm和大约120μm之间。
根据本发明，突出缺陷的高度得到控制，因此在记录或读出数据期间这些缺陷与所述物镜或支持它的支架接触的可能性大为降低。因此，其特别适合于在记录/读出数据时工作距离设置得短的光记录介质的制造。
在本发明的一个优选实施例中，所述透光层的厚度为50-150μm。
这里，所述突出缺陷的高度的临界值优选在从大约1μm到大约120μm的范围内，更优选在从大约2μm到大约100μm的范围内，最为优选在从大约5μm到大约50μm的范围内。
在本发明的一个优选实施例中，该方法还包括用于检测所述透光层内含有的内部缺陷的内部缺陷检查过程，而且在所述内部缺陷检查过程中，在第一方向所述内部缺陷的临界值以及在不同于所述第一方向的第二方向的临界值设置为不同值。
根据本发明的这个优选实施例，对于两个方向分别设置内部缺陷尺寸的临界值，而且通过适当地设置这些临界值，有可能不大为降低合格率有效消除缺陷盘。
在本发明的一个优选实施例中，所述第一方向是与所述激光束的光轴基本上垂直的方向，而所述第二方向是与所述激光束的光轴基本上平行的方向。
在本发明的另一个优选实施例中，在所述第一方向上的临界值大于在所述第二方向上的临界值。
在本发明的另一个优选实施例中，所述透光层的厚度为大约50-150μm。
图1是示意膜形成过程的原理流程图。
图2是借助膜形成过程制作的光记录介质的结构的截面简图。
图3是示意检查过程的原理流程图。
图4(a)-(d)是光记录介质的部分截面，每个截面有一个突出缺陷11-14。
图5(a)是具有内部缺陷21的光记录介质的部分顶视图，而图5(b)是其部分截面。
图6(a)是具有内部缺陷22的光记录介质的部分顶视图，而图6(b)是其部分截面。
图7(a)是具有内部缺陷23的光记录介质的部分顶视图，而图7(b)是其部分截面。
图8(a)是具有内部缺陷24的光记录介质的部分顶视图，而图8(b)是其部分截面。
图9是示意根据本发明的另一优选检查过程的原理流程图。
图10是示意根据本发明的另一优选检查过程的原理流程图。
具体实施例方式
现在参照附图解释本发明的优选实施例。
根据本发明的优选实施例的光记录介质制造方法被大致划分为膜形成过程和检查过程。膜形成过程是用于形成构成光记录介质的多个层次的过程，而检查过程是用于检查在膜形成过程中制造的光记录介质是否有缺陷的过程。下面描述这些过程。
图1是示意膜形成过程的原理流程图。
如图1所示，在膜形成过程中，首先，通过在一个表面上提供的凹槽和在其中心提供的中心孔4制作基片1(步骤S1)。这里基片1可以用装有具有对应该凹槽的凹入和凸出的模板的模子，并将融化的材料注入这个模子来制作。基片1所用的材料并没有特别限制，但优选聚碳酸酯。这里基片1的厚度也没有特别限制，但在此优选实施例中，厚度被设置为大约1.1毫米。
接着，在上面具有凹槽的基片1的表面上形成记录层2(步骤S2)。优选使用溅射法来形成记录层2。另外，记录层2的构成没有特别限制，但优选具有包括至少相变膜的多层构成。在此情况下，优选包含介电薄膜作为相变膜的保护膜。然而，不是要求记录层2必须包括相变膜，而是该构成可包括各种已知的可记录层，它也可以是预先用信息记录的只读记录层。这里，记录层2的厚度没有特别限制，但在此实施例中它被设置为大约40纳米。
接着，在记录层2上形成透光层3(步骤S3)。透光层3所用的材料没有特别限制，但优选使用紫外线可固化树脂，这种树脂优选通过旋涂工艺形成。另外，透光层3可为单层结构或为带有硬涂层膜的多层结构。这里，透光层3的厚度没有特别限制，但在此优选实施例中被设置为50-150μm，优选100μm。
图2是借助上述的膜形成过程制作的光记录介质的结构的截面图。
如图2所示，由上述的膜形成过程制作的光记录介质可用于通过在基本上垂直于记录层2的方向上从形成透光层3的一侧发射激光束读出和/或记录数据。用于在此光记录介质上读出和/或记录数据的激光束没有特别限制，但可以使用例如波长大约为405纳米的激光束。
利用具有这种结构的光记录介质，为实现高密度记录，必须将用于聚焦激光束的物镜的NA(数值孔径)设置成例如大于或等于0.8，使得投射到记录层2上的激光束的有效光点极小，使得透光层3的厚度如上所述极薄(大约100μm)，而且将到光记录介质的距离(工作距离)设置极短，例如，大约130μm。
下面描述检查过程。
图3是示意检查过程的原理流程图。
如图3所示，在检查过程中，首先进行的检查确定是否存在从透光层3突出的任何缺陷(突出缺陷)，这里突出部分的高度超过第一临界值(步骤S4)。这里，缺陷被定义为在透光层3中出现的异质物体，在透光层3的内部产生或夹带的气泡，或阻碍激光束直接通过透光层3的任何其他成分。如果该检查的结果确定存在超出第一临界值的突出缺陷，则将该光记录介质作为次品处理(步骤S5)。应指出，利用表面形状测量显微镜也能进行步骤S4的突出缺陷检查，但这没有特别限制。
考虑工作距离为大约130μm的情况，第一临界值优选在从大约1μm到大约120μm的范围内选择。如果第一临界值被设置为小于1μm，则出现程度实际上不会影响到数据的读出和/或记录的突出缺陷将导致光记录介质被当作次品处理，导致合格率急剧下降的危险。如果第一临界值被设置为超过120μm的值，则存在在实际使用期间由于工作距离的变动突出缺陷与物镜或支持它的支架接触(撞击)的可能性高的光记录介质被作为正品(非次品)处理的危险。另外，第一临界值优选在从大约2μm到大约100μm的范围内选择。如果第一临界值是在这个范围内选择的，则有可能有效防止出现撞击，同时还能提高合格率。此外，特别优选在从大约5μm到大约50μm的范围内选择第一临界值。如果第一临界值是在这个范围内选择的，则有可能更为有效地防止出现撞击，同时还能更加提高合格率。
图4(a)-(d)是光记录介质的部分截面，每个截面都有一个突出缺陷11-14。
图4(a)所示的突出缺陷11有部分被埋入透光层3，而其余部分则从光记录介质的表面突出。然而，图4(a)所示的突出缺陷11的高度小于第一临界值，因此在步骤S4不存在确定该光记录介质为次品的依据。
图4(b)所示的突出缺陷12也有部分被埋入透光层3中，而其余部分从光记录介质的表面突出，但这个突出缺陷12的高度超过第一临界值，因此该光记录介质在步骤S4被确定为次品。
另一方面，图4(c)所示的突出缺陷13没有被埋入透光层3，而是附着在光记录介质3的表面上。然而，图4(c)所示的突出缺陷13的高度小于第一临界值，因此在步骤S4不存在确定该光记录介质为次品的依据。
图4(d)所示的突出缺陷14也没有被埋入透光层3，而是附着在光记录介质3的表面上，但这个突出缺陷14的高度超过第一临界值，因此在步骤S4该光记录介质被确定为有缺陷。
如果在步骤S4确定不存在超过第一临界值的突出缺陷，则接着进行检查确定是否存在被部分或完全埋入透光层3的任何缺陷(内部缺陷)，这个内部缺陷超过第二临界值或第三临界值(步骤S6)。如果检查结果确定存在超过第二或第三临界值中至少一个的内部缺陷，则该光记录介质被作为次品处理(步骤S5)。应指出，通过将用于检查的激光束从倾斜方向投射到透光层3上以及测量反射的光量能实现在步骤S6对内部缺陷的检查，当然这并没有特别限制。
这里，第二临界值是内部缺陷的长度的临界值，即，在垂直于激光束的光轴方向(平行于光记录介质的表面方向)上的长度的临界值。另一方面，第三临界值类似地定义为内部缺陷的长度，但它是在平行于激光束的光轴方向(垂直于光记录介质的表面方向)上的长度的临界值。通过这种方式，在两个方向分别定义了内部缺陷的尺寸的临界值。
这里，第二和第三临界值的设置优选考虑导致纠错过程无法纠正错误的可能性增大的缺陷尺寸。具体来说，在使用典型的纠错过程时增大无法纠正错误的可能性的缺陷尺寸大约为200μm。然而，在此优选实施例中，接受检查的光记录介质的透光层3很薄(大约100μm)，因此在步骤S4就消除了内部缺陷的长度在平行于激光束光轴方向(垂直于光记录介质的表面方向)上的大部分光学存储介质。因此，在此优选实施例中，有可能将第二临界值设置成大于无法纠正错误的可能性增大的缺陷尺寸的值。
具体来说，第二临界值优选在从大约30μm到大约500μm的范围内选择。如果将第二临界值设置成小于30μm，则出现程度实际上不会影响到数据的读出/记录的内部缺陷将导致光记录介质被作为次品处理，导致出现合格率急剧下降的危险。如果将第二临界值设置成超过500μm的值，则存在含有程度无法被纠错过程纠正的缺陷的光记录介质被作为正品(非次品)处理的危险。另外，第二临界值优选在从大约40μm到大约300μm的范围内选择。如果第一临界值是在这个范围内选择的，则有可能有选防止出现无法纠正的错误，同时也能提高合格率。此外，特别优选在从大约50μm到大约200μm的范围内选择第二临界值。如果第二临界值是在这个范围内选择的，则有可能更有效地防止出现无法纠正的错误，同时也更好地提高合格率。
应指出，更为优选的是，将第二临界值设置成基本上等于增大无法被纠错过程纠正错误的可能性的缺陷尺寸，因此在此优选实施例中，最优选将其设置成大约200μm。
另一方面，第三临界值优选在从大约10μm到大约220μm的范围内选择。如果将第三临界值设置成小于10μm，则存在合格率急剧下降的危险。如果将第三临界值设置成超过220μm，则存在含有程度无法被纠错过程纠正的缺陷的光记录介质被作为正品(非次品)处理的危险。另外，第三临界值优选在从大约30μm到大约200μm的范围内选择。如果第三临界值是在这个范围内选择的，则有可能有选防止出现无法纠正的错误，同时也能提高合格率。此外，特别优选在从大约50μm到大约100μm的范围内选择第三临界值。如果第三临界值是在这个范围内选择的，则有可能更为有效地防止出现无法纠正的错误，同时也更好地提高合格率。
应指出，更为优选的是，将第三临界值设置成基本上等于透光层3的厚度，因此在此优选实施例中，最优选将其设置成大约100μm。另外，考虑到合格率，第三临界值可设置成大于透光层3的厚度。
图5(a)是具有内部缺陷21的光记录介质的部分顶视图，而图5(b)是其部分截面图。
对于图5(a)和5(b)所示的内部缺陷21，在垂直于激光束光轴的方向上其长度的最大值超过第二临界值，而且在平行于激光束光轴的方向上其长度的最大值超过第三临界值。因此，具有这种内部缺陷21的光记录介质在步骤S6被确定为次品。
图6(a)是具有内部缺陷22的光记录介质的部分顶视图，而图6(b)是其部分截面。
对于图6(a)和6(b)所示的内部缺陷22，在垂直于激光束光轴的方向上其长度的最大值超过第二临界值，但在平行于激光束光轴的方向上其长度的最大值不超过第三临界值。因此，具有这种内部缺陷22的光记录介质在步骤S6也被确定为次品。
图7(a)是具有内部缺陷23的光记录介质的部分顶视图，而图7(b)是其部分截面。
对于图7(a)和7(b)所示的内部缺陷23，在垂直于激光束光轴的方向上其长度的最大值不超过第二临界值，但在平行于激光束光轴的方向上其长度的最大值超过第三临界值。因此，具有这种内部缺陷23的光记录介质在步骤S6也被确定为次品。
图8(a)是具有内部缺陷24的光记录介质的部分顶视图，而图8(b)是其部分截面。
对于图8(a)和8(b)所示的内部缺陷24，在垂直于激光束光轴的方向上其长度的最大值不超过第二临界值，而且在平行于激光束光轴的方向上其长度的最大值也不超过第三临界值。这种内部缺陷24不能成为在步骤S6确定这个光记录介质为次品的基础。
通过这种方式，在步骤S6分别确定两个方向上的内部缺陷的尺寸的临界值，因此在垂直于激光束光轴的方向上的长度的临界值(第二临界值)被设置成比在平行于激光束光轴方向上的长度的临界值(第三临界值)要长。为此，不大为降低合格率就有可能有效消除缺陷盘。
如上所述，对于这个优选实施例，在检查过程中，进行检查确定是否存在突出部分超过第一临界值的任何突出缺陷(步骤S4)，因此能有效消除突出缺陷变得与物镜或支持它的支架接触(撞击)可能性高的缺陷盘。
另外，对于本优选实施例，在内部缺陷检查(步骤S6)中，利用相互之间值不同的第二和第三临界值进行确定，因此就有可能不大为降低合格率有效消除含有可能导致错误程度无法通过纠错过程纠正的内部缺陷的缺陷盘。
下面描述检查过程的另一个例子。
图9是示意另一个优选的检查过程的原理流程图，其可代替参考图3描述的检查过程来执行。
如图9所示，在本例的检查过程中，从图3所示的检查过程中省略对于突出缺陷的检查(步骤S4)。即使在使用这种检查过程时，也分别确定两个方向上的内部缺陷的尺寸的临界值，因此不大为降低合格率也能有效消除缺陷盘。应指出，如果通过这种方式简化检查过程，则能消除仅由突出缺陷导致的缺陷盘，但由于在步骤S6分别确定在两个方向内部缺陷的尺寸的临界值，因此就有可能消除含有在步骤S4被确定为缺陷盘的大突出缺陷的大部分光记录介质。
应指出，在本例中，最为优选的是，将第二临界值设置成基本上等于透光层3的厚度，但在本例中，不检查突出缺陷，因此第二临界值也优选设置成大于透光层3的厚度。
当以这种方式使用图9所示的检查过程代替图3所示的检查过程时，有可能不大为降低合格率消除缺陷盘。
下面描述检查过程的另一个例子。
图10是示意另一个优选的检查过程的原理流程图，其可以代替或附加上参考图3描述的检查过程来执行。
如图10所示，在此检查过程中，进行检查确定是否存在至少有部分从透光层3突出的任何突出缺陷，在这里，突出缺陷超过第四临界值或第五临界值(步骤S8)。如果这个检查结果确定存在超过第四或第五临界值中至少一个的内部缺陷，则该光记录介质被作为次品处理(步骤S5)，但如果确定不存在超过第四或第五临界值中至少一个的内部缺陷，则该光记录介质被作为非次品处理(步骤S7)。应指出，利用表面形状测量显微镜可实现步骤S8对突出缺陷的检查，尽管这并没有特别限制。
这里，第四临界值被定义为突出缺陷的突出部分的高度的临界值。另一方面，第五临界值被类似定义为突出缺陷的突出部分的长度，即垂直于激光束光轴的方向(平行于光记录介质表面的方向)上的长度的临界值。通过这种方式，能分别确定在两个方向上此检查过程中的内部缺陷尺寸的临界值。
通过与上述的第一临界值相同的方式，第四临界值优选在从大约1μm到大约120μm的范围内选择，更优选在从大约2μm到大约100μm的范围内选择，特别优选在从大约5μm到大约50μm的范围内选择。另外，通过与上述的第二临界值相同的方式，第五临界值优选在从大约30μm到大约500μm的范围内选择，更优选在从大约40μm到大约300μm的范围内选择，特别优选在从大约50μm到大约200μm的范围内选择。
通过这种方式，分别确定在两个方向上此检查过程中突出部分的尺寸的临界值(步骤S8)，因此就可能有效消除突出缺陷与物镜或支持它的支架接触(撞击)可能性高的缺陷盘，同时还有效消除含有导致错误程度无法通过纠错过程纠正的突出缺陷的缺陷盘，而不会大为降低合格率。
本发明无论如何不局限于前面提到的实施例，而是可以在权利要求书陈述的本发明的范围内做各种修改，这些修改自然都包含在本发明的范围内。
例如，在前面提到的优选实施例中，为选择作为第一临界值的值确定优选范围，并且基于工作距离确定这个值，但本发明无论如何不局限于此。因此，如果工作距离与前面提到的优选实施例不同，则可根据这个工作距离适当地选择第一临界值。
另外，在前面提到的优选实施例中，为选择作为第二和第三临界值的值确定优选范围，并且基于可能导致程度无法通过纠错过程纠正的错误的内部缺陷的尺寸确定这些值，但本发明无论如何不局限于此。因此，如果可能导致程度无法通过纠错过程纠正的错误的内部缺陷的尺寸与前面提到的前述优选实施例不同，则可根据这个尺寸适当地选择第二和第三临界值。
此外，在前面提到的优选实施例的膜形成过程中，在基片1上按顺序形成记录层2和透光层3，相反，也可以在透光层3上按顺序形成记录层2和基片1。
另外，在前面提到的优选实施例的检查过程中，在完成对突出缺陷的检查(步骤S4)后执行对内部缺陷的检查(步骤S6)，但这两个过程的执行顺序可以颠倒。
如上所述，利用本发明，不大为降低合格率可有效消除缺陷盘，例如，含有从透光层的表面显著突出的突出缺陷的缺陷盘。这里，从透光层的表面突出是在记录/读出时工作距离设置很短情况下在光记录介质中出现的特殊问题，因此本发明特别适合于具有薄透光层的光记录介质及其制造方法。
权利要求
1.一种包括至少透光层和记录层，从而通过将激光束经所述透光层投射到所述记录层上读出和/或记录数据的光记录介质的制造方法，其中所述光记录介质制造方法包括至少用于检测所述透光层内含有的内部缺陷的检查过程，并且在所述检查过程中，将在第一方向所述内部缺陷的临界值，和在不同于所述第一方向的第二方向的临界值设置为不同值。
2.根据权利要求1的光记录介质制造方法，其中所述第一方向是与所述激光束的光轴基本上垂直的方向，而所述第二方向是与所述激光束的光轴基本上平行的方向。
3.根据权利要求2的光记录介质制造方法，其中在所述第一方向上的临界值大于在所述第二方向上的临界值。
4.根据权利要求3的光记录介质制造方法，其中在所述第一方向上的临界值在从大约30μm到大约500μm的范围内选择。
5.根据权利要求4的光记录介质制造方法，其中在所述第一方向上的临界值在从大约40μm到大约300μm的范围内选择。
6.根据权利要求5的光记录介质制造方法，其中在所述第一方向上的临界值在从大约50μm到大约200μm的范围内选择。
7.根据权利要求6的光记录介质制造方法，其中在所述第一方向上的临界值为大约200μm。
8.根据权利要求3的光记录介质制造方法，其中在所述第二方向上的临界值在从大约10μm到大约220μm的范围内选择。
9.根据权利要求8的光记录介质制造方法，其中在所述第二方向上的临界值在从大约30μm到大约200μm的范围内选择。
10.根据权利要求9的光记录介质制造方法，其中在所述第二方向上的临界值在从大约50μm到大约100μm的范围内选择。
11.根据权利要求10的光记录介质制造方法，其中在所述第二方向上的临界值为大约100μm。
12.根据权利要求11的光记录介质制造方法，其中所述透光层的厚度为大约100μm。
13.根据权利要求3的光记录介质制造方法，其中在所述第二方向上的临界值大于所述透光层的厚度。
14.一种包括至少透光层和记录层，从而通过将激光束经所述透光层投射到所述记录层上读出和/或记录数据的光记录介质，其中所述光记录介质为，一个第一最大内部缺陷在一个第一方向上的长度比一个第二最大内部缺陷在一个第二方向上的长度长，所述第一最大内部缺陷是包含在所述透光层中的所有内部缺陷中在所述第一方向上最长的，而所述第二最大内部缺陷是包含在所述透光层中的所有内部缺陷中在所述第二方向上最长的。
15.根据权利要求14的光记录介质，其中所述第一方向是与所述激光束的光轴基本上垂直的方向，而所述第二方向是与所述激光束的光轴基本上平行的方向。
16.根据权利要求15的光记录介质，其中所述第一最大内部缺陷的所述第一方向上的长度在从大约30μm到大约500μm的范围内。
17.根据权利要求16的光记录介质，其中所述第一最大内部缺陷的所述第一方向上的长度在从大约40μm到大约300μm的范围内。
18.根据权利要求17的光记录介质，其中所述第一最大内部缺陷的所述第一方向上的长度在从大约50μm到大约200μm的范围内。
19.根据权利要求15的光记录介质，其中所述第二最大内部缺陷的所述第二方向上的长度在从大约10μm到大约220μm的范围内。
20.根据权利要求19的光记录介质，其中所述第二最大内部缺陷的所述第二方向上的长度在从大约30μm到大约200μm的范围内。
21.根据权利要求20的光记录介质，其中所述第二最大内部缺陷的所述第二方向上的长度在从大约50μm到大约100μm的范围内。
22.根据权利要求15的光记录介质，其中所述透光层的厚度为大约100μm。
23.一种包括至少透光层和记录层，从而通过将激光束经所述透光层投射到所述记录层上读出和/或记录数据的光记录介质，其中所述光记录介质为，在所述透光层内含有的内部缺陷的长度容限在第一方向比在不同于所述第一方向的第二方向要长。
24.根据权利要求23的光记录介质，其中所述第一方向是与所述激光束的光轴基本上垂直的方向，而所述第二方向是与所述激光束的光轴基本上平行的方向。
25.一种在包括至少透光层和记录层，从而通过将激光束经所述透光层投射到所述记录层上读出和/或记录数据的光记录介质的制造方法，其中所述光记录介质制造方法包括至少突出缺陷检查过程，用于检测附着于所述透光层或从所述透光层突出的突出缺陷。
26.根据权利要求25的光记录介质制造方法，其中所述透光层的厚度为50-150μm。
27.根据权利要求25的光记录介质制造方法，其中突出缺陷的高度的临界值在从大约1μm到大约120μm的范围内选择。
28.根据权利要求27的光记录介质制造方法，其中所述高度的临界值在从大约2μm到大约100μm的范围内选择。
29.根据权利要求28的光记录介质制造方法，其中所述高度的临界值在从大约5μm到大约50μm的范围内选择。
30.一种包括至少透光层和记录层，从而通过将激光束经所述透光层投射到所述记录层上读出和/或记录数据的光记录介质，其中所述光记录介质为，在附着于所述透光层或从所述透光层突出的突出缺陷中，离所述透光层的高度最大的最大突出缺陷的高度在大约1μm到大约120μm之间。
31.根据权利要求30的光记录介质，其中所述透光层的厚度为50-150μm。
32.一种包括至少透光层和记录层，从而通过将激光束经所述透光层投射到所述记录层上读出和/或记录数据的光记录介质的制造方法，其中所述光记录介质制造方法包括至少用于检测附着于所述透光层或从所述透光层突出的突出缺陷的突出缺陷检查过程，而且在所述检查过程中，将在第一方向所述突出缺陷的临界值，和在不同于所述第一方向的第二方向上的临界值设置为不同值。
33.根据权利要求32的光记录介质制造方法，其中所述透光层的厚度为50-150μm。
34.根据权利要求32的光记录介质制造方法，其中所述第一方向是与所述激光束的光轴基本上垂直的方向，而所述第二方向是与所述激光束的光轴基本上平行的方向。
35.根据权利要求34的光记录介质制造方法，其中在所述第一方向上的临界值大于在所述第二方向上的临界值。
全文摘要
本发明的目的是提供一种不大为降低合格率就能有效消除缺陷盘的光记录介质制造方法。本发明是一种包括至少透光层3和记录层2，从而通过将激光束经所述透光层3投射到所述记录层2上读出和/或记录数据的光记录介质的制造方法，其中所述光记录介质制造方法包括至少用于检测所述透光层3内含有的内部缺陷的检查过程。在所述检查过程中，将在第一方向所述内部缺陷的临界值，和在不同于所述第一方向的第二方向的临界值设置为不同值。通过这种方式在两个方向分别定义内部缺陷的尺寸的临界值，这样通过适当地设置这些临界值，就能不大为降低合格率有效消除缺陷盘。
文档编号G11B7/00GK1554085SQ0281765
公开日2004年12月8日 申请日期2002年7月31日 优先权日2001年8月10日
发明者田中敏文, 须沢和树, 树 申请人:Tdk株式会社