专利名称：光记录介质、光记录方法及光记录装置的制作方法
技术领域：
本发明涉及通过光(例如激光)的照射来进行信息的记录、擦除、再现的光记录介质、光记录方法及光记录装置。尤其，本发明提供了一种在光盘、光卡等可改写的相变型记录介质中，在高线速度(高倍速)下进行光记录时可以得到良好的重写特性的光记录介质、光记录方法及光记录装置。
背景技术：
所谓相变型光记录介质，例如为近年来的CD-RW、DVD-RW和DVD-RAM，是可以改写信息的介质。尤其，DVD-RW和DVD-RAM主要用于图像信息这样大信息量的信息的记录、改写。对于相变型光记录介质，除了要求好的记录特性之外，还要求好的重写特性。
相变型光记录介质的结构，是在以照射具有记录/再现或擦除用的各种功率的激光的面为底面的基板上，至少依次层叠电介质层、记录层、电介质层、反射层的结构。记录层在由溅射法等成膜之后，成为反射率低的非结晶状态。因此，在产品出厂时，为了成为反射率高的结晶状态，通过激光照射等来进行初始化。
现有的可改写相变型光记录介质的记录方法如下。在如上这样构成的相变型光记录介质中，在记录时，通过记录功率的激光向记录层施加(照射)记录脉冲后，熔融记录层，并通过急剧冷却而形成非结晶的记录标记。由于该记录标记的反射率比结晶状态的记录层的反射率低，所以，可以在光学上将该记录标记作为记录信息读取。在擦除该记录标记时，通过照射功率(擦除功率)比记录功率小的激光，将记录层设为大于等于结晶温度的温度，通过从非结晶状态变为结晶状态，来擦除记录标记，使得能够重写。
在日本专利第2962052号公报(专利文献1)中，以提高记录密度、提高重复记录特性为目的，提出了规定未记录部的反射率和记录部的反射率的初始化方法，但是没有记载对高线速度记录的光记录介质的初始化方法。另外，本发明人确认仅通过专利文献1记载的条件，向近年来的高记录密度介质在高速下进行记录的重写特性(尤其是第一次重写的特性)不充分。
日本特开2003-162821号公报(专利文献2)中，以在高线速度记录下良好的抖动特性或重写特性为目的，提出了一种光记录介质，规定了用直流激光的最佳擦除功率得到的最大擦除率与用比其小的擦除功率的擦除率之差。另外，日本特开2003-228841号公报(专利文献3)中，提出了根据以标记形式时所用的擦除功率和标记间反射率的变化的关系，规定了最佳擦除功率的记录方法和光记录介质。但是，本发明人确认仅通过专利文献3所提出的条件不能得到在高线速度记录、具体为DVD4倍速(线速度14m/s)以上的速度下的充分重写特性(尤其是第一次重写的特性)。
专利文献1日本专利2962052号公报专利文献2日本特开2003-162821号公报专利文献3日本特开2003-228841号公报如前所述，在现有的光记录介质和光记录方法中，存在重写一次时的抖动大大恶化、重写超过几百次时抖动特性恶化的问题，充分确保高线速度记录下的重写特性很困难。
发明内容
因此，本发明为解决上述问题而作出，其目的是提供一种即使记录速度为高速度(例如，DVD 4倍速(线速度14m/s)以上的高线速度记录)也可得到良好的记录特性，进一步，可以良好维持一次或多次的重写记录特性的光记录介质、光记录方法和光记录装置。
为了解决上述问题，本发明提供了下面的(a)～(h)的光记录方法、光记录装置和光记录介质。
(a)相变型光记录介质(A)中，其特征在于，包括基板(1)和具有记录信息的轨道的记录层(3)；所述记录层的材料，在接受使所述光记录介质旋转的同时在偏离轨道状态下向所述记录层照射激光时的反射光所得到的跟踪检测信号的振幅值(S0)比其饱和值(S1)小的结晶状态下，被初始化。
(b)(a)所述的光记录介质，其特征在于所述跟踪检测信号是通过由相对于所述轨道相对配置的第一和第二受光元件组(341a～341d)受光而得到的受光信号两者的差信号。
(c)(a)或(b)所述的光记录介质，其特征在于以所述饱和值除以所述振幅值厚的值比0.6大、比1.0小。
(d)相变型光记录介质(A)中，其特征在于，包括基板(1)和用于记录信息的记录层(3)；所述记录层在向所述记录层的一次也没有记录信息的未记录部施加具有预定的直流擦除功率的光后，照射再现光后得到的所述未记录部的反射率，在作为所述预定的直流擦除功率从功率0依次增大时表现出以预定的曲线变化的特性；所述预定的曲线具有反射率大致一定的直线部分、接着该直线部分的反射率增大的第一曲线部分和反射率减小的第二曲线部分；当所述直线部分和第一曲线部分的边界即拐点(Q1)的反射率为R0，所述第一曲线部分和第二曲线部分的边界即峰值点(Q2)的反射率为R1时，表现出下述(1)式0.03≤((R1-R0)/R0)≤0.15…(1)成立的特性。
(e)(d)所述的光记录介质，其特征在于以1个轨道内的反射率大致一定的结晶状态来初始化构成所述记录层的材料。
(f)在相变型记录介质(A)的记录层(3)中记录记录信息的光记录方法，其特征在于所述光记录介质的所述记录层在向所述记录层的一次也没有记录信息的未记录部施加具有预定的直流擦除功率的光后，照射再现光得到的所述未记录部的反射率，在作为所述预定的直流擦除功率从功率0开始依次增加时，表现出以预定的曲线变化的特性；所述预定的曲线具有反射率大致一定的直线部分、接着该直线部分的反射率增大的第一曲线部分和反射率减小的第二曲线部分；当所述直线部分和第一曲线部分的边界即拐点的反射率为R0，为所述第一曲线部分和第二曲线部分的边界的峰值点的反射率为R1时，表现出下述(1)式0.03≤((R1-R0)/R0)≤0.15…(1)成立的特性，所述光记录方法包括以下步骤调制步骤，调制所述记录信息来生成调制数据；标记长度生成步骤，根据所述调制数据生成预定的标记长度；记录步骤，根据所述标记长度，生成由从擦除功率(Pe)上升且比所述擦除功率大的记录功率(Pw)和比所述擦除功率小的最低功率(Pb)之间形成的记录脉冲(Ttop、Tmp)、和从所述最低功率向所述擦除功率上升的擦除脉冲(Tcl)构成的记录脉冲图形，根据所述记录脉冲图形对所述记录层照射记录光而记录表示所述记录信息的记录标记；所述记录步骤在所述记录脉冲图形的所述擦除功率为Pe、所述拐点的擦除功率为P1时，使用下述(2)式0.5≤Pe/P1≤1.0…(2)成立的擦除功率Pe。
(g)在相变型光记录介质(A)的记录层(3)中记录记录信息的光记录装置，其特征在于，所述光记录介质的所述记录层在向所述记录层的一次也没有记录信息的未记录部施加具有预定的直流擦除功率的光后，照射再现光得到的所述未记录部的反射率，在作为所述预定的直流擦除功率从功率0开始依次增加时，表现出以预定的曲线变化的特性；所述预定的曲线具有反射率大致一定的直线部分、接着该直线部分的反射率增大的第一曲线部分和反射率减小的第二曲线部分；当所述直线部分和第一曲线部分的边界即拐点(Q1)的反射率为R0，将所述第一曲线部分和第二曲线部分的边界即峰值点(Q2)的反射率为R1时，表现出下述(1)式0.03≤((R1-R0)/R0)≤0.15…(1)成立的特性；所述光记录装置包括编码器(42)，调制所述记录信息来生成调制数据；标记长度生成部(41)，根据所述调制数据生成希望的标记长度；记录部(400)，根据所述标记长度，生成由从擦除功率(Pe)上升且比所述擦除功率大的记录功率(Pw)和比所述擦除功率小的最低功率(Pb)之间形成的记录脉冲(Ttop，Tmp)、和从所述最低功率向所述擦除功率上升的擦除脉冲(Tcl)构成的记录脉冲图形，根据所述记录脉冲图形对所述记录层照射记录光而记录表示所述记录信息的记录标记；所述记录部在所述记录脉冲图形的所述擦除功率为Pe、所述拐点的擦除功率为P1时，使用下述(2)式0.5≤Pe/P1≤1.0…(2)成立的擦除功率Pe。
(h)(g)所述的光记录装置，其特征在于，包括存储部(451)，存储表示所述擦除功率Pe的识别信息；所述记录部使用基于所述存储部中所存储的所述识别信息的擦除功率。
发明效果如下。
即使记录速度高速化，也可得到良好的记录特性，进一步即使进行一次或多次的重写，也可良好维持记录特性。
图1是表示相变型光记录介质的制造设备300或由制造设备300进行的制造/初始化工程的图。
图2是表示本发明的光记录介质的一实施方式的放大剖面图。
图3是表示本发明的光记录介质的一实施方式的平面图。
图4是表示记录脉冲图形的第一例的图。
图5是表示记录脉冲图形的第二例的图。
图6是表示本发明的光记录装置的一实施方式的框图。
图7是表示4分割受光元件的一实施方式的放大剖面图。
图8是由示波器观测偏离轨道(off-track)状态下的差信号振幅的图。
图9是表示与对于初始化功率的偏离轨道状态中的差信号振幅的关系的图。
图10是表示抖动对DOW次数的关系的DOW抖动特性图。
图11是表示记录介质A的反射率变化的最好一例的图。
图12是示意性表示反射率曲线的一例的图。
图13是表示光记录介质A的反射率变化不好的一例的图。
图14是表示实施例4～实施例6和比较例3～比较例5的DOW抖动特性的图。
图15是表示实施例4～实施例6和比较例3～比较例5的RF信号对擦除功率Pe的关系的图。
图16是表示实施例4、实施例7、实施例8和比较例6、比较例7的DOW抖动特性的图。
图17是表示本发明的光记录介质的其他实施方式的放大剖面图。
具体实施例方式
图1是表示制造相变型光记录介质用的制造设备300或由制造设备300进行的制造/初始化工序的图。在制造装置100(制造工序)中，制造相变型光记录介质，在初始化装置200(初始化工序)中，初始化相变型光记录介质。将经过了初始化工序后的相变型光记录介质作为光记录介质A来出厂。
作为相变型光记录介质，可举出有DVD-RW等相变型光盘、光卡等可反复重写信息的介质。在下面的说明中，作为相变型光记录介质的一实施方式，使用了相变型光盘(光记录介质A)，但当然对于除此之外的光卡等具有相同结构的相变型光记录介质也可适用本发明。
《光记录介质的结构》图2是表示作为本发明一实施方式的光记录介质A的放大剖面图。光记录介质A的基本结构如下在以记录/再现或擦除用激光入射的入射面1a为底面的基板1上，依次层叠了第一保护层2、记录层3、第二保护层4、反射层5和第三保护层6。
作为基板1的材料，可以使用各种透明的合成树脂、透明玻璃等。为了避免灰尘的附着和基板1的伤害等的影响，使用透明基板1，而通过被聚光的激光将信息从基板1的入射面1a侧记录在记录层3上。作为这种基板1的材料，例如可以举出有玻璃、聚碳酸酯、聚甲基丙烯酸甲酯、聚烯烃树脂、环氧树脂、聚酰亚胺树脂等。尤其，从光学双折射和吸湿性小、成形容易来说最好是聚碳酸酯树脂。
并不特别限定基板1的厚度，但是若考虑与DVD的互换性，最好为0.01mm～0.6mm，其中最好是0.6mm(DVD的整个厚度为1.2mm)。这是因为若基板1的厚度小于0.01mm，在由从基板1的入射面1a侧会聚的激光来记录的情况下，容易受到灰尘的影响。另外，若光记录介质的整个厚度没有限制，则在实用上可以在0.01mm～5mm的范围内。若为5mm以上，则变大物镜的数值孔径很困难，这是因为，由于照射激光的点大小变大，所以提高记录密度很困难。
基板1可以是柔性基板，也可以是刚性基板。柔性基板1用在带状、薄片状、卡状的光记录介质中。刚性基板1用在卡状或盘状的光记录介质中。
第1保护层2及第2保护层4起到保护基板1、记录层3不受热的效果，例如防止在记录时基板1、记录层3等受热变形而使记录特性恶化等，或者起到通过光学干涉效应来改善再现时的信号对比度的效果。
第一保护层2和第二保护层4最好分别对记录/再现或擦除用的激光是透明的，且折射率n处于1.9≤n≤2.3的范围。进一步，第一保护层2和第二保护层4的材料从热特性方面来看，最好是SiO2、SiO、ZnO、TiO2、Ta2O5、Nb2O5、Nb2O5、ZrO2、MgO等氧化物、ZnS、IN2S3、TaS4等硫化物、SiC、TaC、WC、TiC等碳化物的单质和混合物。尤其，由于ZnS和SiO2的混合膜即使反复进行记录、擦除，也很难造成记录灵敏度、C/N、擦除率等的劣化，所以特别理想。
此外，第1保护层2及第2保护层4可以不是同一材料、组成，由不同材料构成也无妨。
第1保护层2的厚度大致处于5nm～500nm的范围内。再者，为了难以从基板1或记录层3剥离，难以产生裂纹等缺陷，第1保护层2的厚度处于20nm～300nm的范围内较理想。如果比20nm薄，则难以确保盘的光学特性；如果比300nm厚，则生产率低。其中，更理想的是30nm～80nm的范围。
第二保护层4的厚度从C/N、擦除率等记录特性好，可以稳定地进行多次改写来看，最好为5nm～40nm的范围。若比5nm薄，由于记录层3的热确保变难，所以最佳记录功率上升，若比40nm厚，则招致重写特性的劣化。更好为8nm～20nm的范围。
记录层3是在Ag-In-Sb-Te合金和Ge-In-Sb-Te合金、或Ge-In-Sb-Te合金中至少含有一种Ag或Si、Al、Ti、Bi、Ga其中之一的合金层。记录层3的层厚最好是10nm～25nm。若层厚比10nm薄，则结晶速度降低、高速记录特性变差，若比25nm厚，则记录时需要大的激光功率。
也可设置与记录层3的单面、或双面接触的界面层。作为界面层的材料，不含有硫物很重要。若将含有硫物的材料作为界面层使用，则通过反复进行重写，界面层中含有的硫向记录层3中扩散，记录特性劣化，所以不好。另外，从擦除特性不好的方面来看也不好。
作为界面层的材料，最好是含有氮化物、氧化物、碳化物中的至少一种的材料，具体的，最好是含有氮化锗、氮化硅、氮化铝、氧化铝、氧化锆、氧化钽、氧化铬、碳化硅、碳中的至少一种的材料。另外，也可以使这些材料中含有氧、氮、氢等。前述的氮化物、氧化物、碳化物也可以不是化学计量成分，氮、氧、碳也可以过剩或不足。由此，有界面层很难剥离、保存持久性等提高等界面层的特性提高的情况。
作为反射层5的材料，有具有光反射性的Al、Au、Ag等金属，以这些金属为主成分、包含由1种以上的金属或半导体组成的添加元素的合金，以及向这些金属中混合了Al、Si等金属氮化物、金属氧化物、金属硫族化物等金属化合物而成的材料等。
尤其是Al、Au、Ag等金属、及以这些金属为主成分的合金，光反射性高，而且能够提高导热系数，所以较理想。作为合金的例子，一般有向Al中混合了Si、Mg、Cu、Pd、Ti、Cr、Hf、Ta、Nb、Mn、Zr等中的至少1种元素而成的合金，或者向Au或Ag中混合了Cr、Ag、Cu、Pd、Pt、Ni、Nd、In、Ca等中的至少1种元素而成的合金。但是在考虑到高线速度记录的情况下，从记录特性方面来看，以导热系数较高的Ag为主成分的金属或合金较理想。
其中，在反射层5采用了纯银或银合金的情况下，为了抑制AgS化合物的生成，与反射层5相接的层采用不含S的材料较理想。
反射层5的厚度根据形成反射层5的材料的热传导率的大小而变化，但是最好是50nm～300nm。若反射层5的厚度为50nm以上，则反射层5在光学上不发生变化，不对反射率的值产生影响，但是若反射层5的厚度增加，则对冷却速度的影响变大。另外，形成超过300nm的厚度在制造上需要时间。因此，通过使用热传导率高的材料，而将反射层5的层厚尽量控制在最佳范围内。
这里，在第二保护层4使用了ZnS和SiO2的化合物，反射层5使用了Ag或Ag合金的情况下，最好在第二保护层4和反射层5之间插入扩散防止层(图中未示)。这是为了抑制因第二保护层4中的S与反射层5中的Ag的化学反应而生成的AgS化合物引起的反射率的降低。
作为扩散防止层的材料，与上述界面层同样，是不含硫的材料很重要，具体材料与界面层的材料相同。
《光记录介质的制造方法》接着，描述制造装置100的光记录介质的制造方法。
作为在基板1上层叠第一保护层2、记录层3、第二保护层4和反射层5等的方法，可以举出有公知的在真空中的薄膜形成法。例如，为真空蒸镀法(电阻加热型和电子束型)、离子喷镀法、溅射法(直流和交流溅射、反应性溅射)，尤其，从成分、层厚的控制容易来看，溅射法最好。
而且，使用在真空槽内同时成膜多个基板1的分批(batch)法和一个接着一个地处理基板1的片叶式成膜装置最好。形成的第一保护层2、记录层3、第二保护层4、反射层5等的层厚的控制，通过控制溅射电源的接通功率和时间、或由石英振荡型膜厚计来监视沉积状态来容易进行。
另外，第一保护层2、记录层3、第二保护层4、反射层5等的形成也可在固定、或移动、旋转基板1的状态的其中一种状态下进行。从层厚的面内均匀性好来说，最好使基板1自转，更好进一步与公转组合。若根据需要进行基板1的冷却，则可以使基板1的翘曲量减小。
在不显著损害本发明的效果的范围内，也可在形成了反射层5等后，为防止已经形成的各层的变形等，根据需要设置使用了ZnS、SiO2等电介质层或使用了紫外线固化树脂等的树脂保护层作为第三保护层6。
之后，同样也可准备另一个形成各层的基板1，用粘接剂等粘合两个基板1，而成为双面的光记录介质。
接着，光记录介质经过初始装置200的初始化工序后，作为光记录介质A出厂。初始化通过向记录层3照射激光、氙光灯等的光后加热，使记录层3的构成材料结晶。从再现噪声小来说，最好由激光进行初始化。
图3是表示光记录介质A的平面图。光记录介质A具有中心孔51和在其外围的夹持区域52。在夹持区域52的外围，在同心圆上设置信息区域(读入区域)53，进一步，其外围区域是记录图像信息和声音信息等实际数据用的记录区域54。这里，读入区域53也可以是ROM状态或RAM状态的其中之一。除此之外，有通过在得到跟踪信号用的激光引导槽上形成高频的摆动和凹坑，而作为再现专用的记录信息存储的方法。
《光记录介质的记录方法》图4表示在光记录介质A上记录信息时使用的记录脉冲图形。根据记录脉冲图形用三值(记录功率Pw、擦除功率Pe、最低(bottom)功率Pb)的激光强度来调制激光，对应于记录信号的标志长度使脉冲数进行增减，而在记录层3上形成希望的标记长度的记录标记。激光强度中记录功率Pw最大，以擦除功率Pe、最低功率Pb的顺序减小。
记录脉冲图形如图4所示，由下述脉冲组成先头脉冲Ttop，从擦除功率Pe上升，最初以记录功率Pw向记录层3施加激光；多脉冲Tmp，接着先头脉冲Ttop，交替施加记录功率Pw和最低功率Pb；以及擦除脉冲Tcl，位于末端，使激光从最低功率Pb上升来施加擦除功率Pe。先头脉冲Ttop和多脉冲Tmp是用于在记录层3上形成记录标记的记录脉冲。其中，有时也没有多脉冲Tmp，只用先头脉冲Ttop来形成记录脉冲。
例如在DVD-RW中，标记长度有3T、4T、5T、6T、7T、8T、9T、10T、11T、14T这10种。在标记长度为nT的情况下，多脉冲Tmp的数目一般是(n-1)或(n-2)。在图4中示出了(n-2)的情况。这里，所谓T，是单位时钟，在DVD-RW中，在DVD 1倍速时(记录线速度3.5m/s)1T＝38.2ns，在DVD 4倍速时(记录线速度14.0m/s)1T＝9.6ns。
此外，随着近年的高速化记录，单位时钟T缩短至数ns量级，考虑到激光脉冲的上升/下降响应限度，也可以采用图5所示的以2T为基准的记录脉冲图形。在图5中示出用于形成记录脉冲A具有3T的标记长度、记录脉冲B具有11T的标记长度、记录脉冲C具有14T的标记长度的记录标记的记录脉冲图形。
《光记录装置》图6表示作为向光记录介质A照射具有希望的记录脉冲图形的激光用的本发明一实施方式的光记录装置。
首先，主轴电机31使光记录介质A旋转。旋转控制部32进行控制，使得主轴电机31的转速为与目的记录速度对应的记录线速度。另外，沿光记录介质A的半径方向，自由移动地设置用于光记录介质A的记录/再现或擦除的半导体激光器(LD)33、具有使LD33的激光聚集照射的物镜(图中未示)和4分割受光元件341(图7所示)的光头34。
另外，作为用于本实施方式的光记录介质的记录用的光源，最好是如激光、闪光灯光等高强度光源。尤其，从光源可以小型化、消耗功率小、调制容易看，半导体激光最好。
光头34的4分割受光元件341接受从LD33向光记录介质A照射的激光的反射光。4分割受光元件341根据所接受的光，生成推挽(push pull)信号后，输出到摆动检测部36中。另外，4分割受光元件341根据所接受的光向驱动控制器44输出聚焦出错信号和跟踪出错信号。进一步，将作为4分割接收信号341的合成信号的再现信号输出到反射率检测部46中。
驱动控制器44根据所供给的聚焦出错信号和跟踪出错信号控制致动器控制部35。致动器控制部35控制光头34向光记录介质A的聚焦和跟踪。反射率检测部46根据所供给的再现信号检测出反射率，并将检测结果输出到系统控制器45。
摆动检测部36包括可编程的带通滤波器(BPF)361，并将所检测出的摆动信号输出到地址解调电路37中。地址解调电路37从所检测出的摆动信号中解调出地址后输出。输入解调后的地址的记录时钟生成部38具有PLL合成器电路381，生成记录通道(channel)时钟后输出到记录脉冲生成部39和脉冲数控制部40中。
记录时钟生成部38通过驱动控制器44进行控制。驱动控制器44还控制旋转控制部32、致动器控制部35、摆动检测部36、地址解调电路37和系统控制器45。
驱动控制器44将由摆动检测部36供给的摆动信号输出到记录时钟生成部38中。另外，将由地址解调电路37供给的地址信息输出到系统控制器45中。
系统控制器45具有存储器451，控制EFM+编码器42、标记长度计数器41、脉冲数控制部40和LD驱动部43。EFM+编码器42对输入的记录信息进行8-16调制而成为调制数据，输出到记录脉冲生成部39和标记长度计数器41中。标记长度计数器41作为根据调制数据来计数预定的标记长度的标记长度生成部动作，并将该计数值输出到记录脉冲生成部39和脉冲数控制部40中。脉冲数控制部40根据所供给的计数值和记录通道时钟来控制记录脉冲生成部39，使得记录脉冲为预定的脉冲。
记录脉冲生成部39包括先头脉冲控制信号生成部39t、多脉冲控制部信号生成部39m和擦除脉冲控制信号生成部39c。先头脉冲控制信号生成部39t生成先头脉冲控制信号，多脉冲控制信号生成部39m生成多脉冲控制信号，擦除脉冲控制信号生成部39c生成擦除脉冲控制信号。将各个控制信号供给LD驱动部43，开关部431根据供给记录功率Pw的驱动电流源431w、擦除功率Pe的驱动电流源431e、最低功率Pb的驱动电流源431b的控制信号进行开关，从而生成记录脉冲图形。
Pw驱动电流源431w、Pe驱动电流源431e和Pb驱动电流源431b根据在系统控制器45的存储器451中存储的记录功率Pw、擦除功率Pe和最低功率Pb向光头34供给电流。这三值是使光记录介质A的记录特性良好的最佳值，表示该最佳值的识别信息也可预先存储在存储器451中，或通过更新来进行存储、或利用反射率检测部46求出后进行存储。另外，存储器451例如为ROM(Read Only Memory)或可记录的RAM(Random Access Memory)。
但是，本实施方式的光记录装置用于可以对应于光记录介质的高线速度(高倍速)化，设定从多个记录线速度中选出的记录线速度。系统控制器45若输入了选择记录线速度(倍速模式)用的指示信号，与上述相同地根据存储器451中存储的所指示的记录线速度的识别信息来控制Pw驱动电流源431w、Pe驱动电流源431e和Pb驱动电流源431b。如上所述，在存储器451中存储多个记录线速度的识别信息。
将所生成的记录脉冲图形输入到光头34中。光头34进行控制，使LD33输出希望的记录脉冲图形和功率比ε(Pw/Pe)的LD发光波形，由此将记录信息记录在光记录介质A上。
记录脉冲生成部39、LD驱动部43和光头34，根据由脉冲长度计数器41生成的脉冲长度，生成由从擦除功率Pe上升、比擦除功率Pe大的记录功率Pw和比擦除功率Pe小的最低功率Pb之间形成的记录脉冲和从最低功率Pb上升到擦除功率Pe的擦除脉冲构成的记录脉冲图形，作为根据记录脉冲图形从LD33向记录层3照射记录光来记录表示记录信息的记录标记的记录部400动作。
《初始化功率的研究》本发明人估计初始化装置200中初始化光记录介质时，初始化用激光的功率(初始化功率)是否对光记录介质A的记录和重写特性产生影响，根据下述的实施例1～3和比较例1、比较例2发现该估计正确，具有记录和重写特性最佳的初始化功率。
本实施方式中，以偏离轨道(off track)状态下的差信号(跟踪检测信号)的振幅来研究光记录介质A的初始化状态。所谓偏离轨道状态是指向光记录介质A照射再现用的激光，由该激光形成的点光不追踪轨道的状态(所谓的脉冲没有在轨道上的状态)。
如图7所示，4分割受光元件341由受光元件341a～341d构成。配置由受光元件341a、341b构成的第一受光元件组、由受光元件341c、341d构成的第二受光元件组，使其相对轨道相对置(即，沿半径方向)。由光记录介质A反射向光记录介质A照射的点光，而由受光元件341a～341d接受。在通过受光元件341a、341b、341c、341d受光而输出的受光信号(电流值)分别为Ia、Ib、Ic、Id的情况下，差信号振幅可以由下述的(1)式来定义。(1)式中AC表示式的右边是交流。
差信号的振幅＝|(Ia+Ib)-(Ic+Id)|AC…(1)通常在边使光记录介质A旋转边再现信息时，LD33向光记录介质A的基板上按螺旋状(或直线状)形成的轨道(槽)上照射具有再现功率Pr的激光，并使聚焦了该激光的点光追踪轨道。将该状态称为轨上(on track)状态。并且，在点光在轨上状态下以槽或嵴中心进行追踪时，向4分割受光元件341返回的光量(Ia+Ib)和(Ic+Id)相等，差信号(跟踪检测信号)的值为0，得不到振幅。即，4分割受光元件的输出一定。
但是，在边使光记录介质A旋转，边再现信息时，在来自LD33的点光不跟踪轨道，光头34为固定在一定位置上的状态(偏离轨道状态)的情况下，4分割受光元件的返回光量产生差，差信号(跟踪检测信号)的振幅输出表示为图8所示的周期变化。图8由示波器来观测偏离轨道状态下的差信号。该变化是由于光记录介质A上按螺旋状刻槽，相对点光的槽的位置根据光记录介质A的旋转而周期性变化而产生。
图9表示初始化时，对向光记录介质照射的直流激光的激光功率(初始功率)在偏离轨道状态下的差信号振幅。若依次变大对预定的光记录介质照射的初始化功率，则差信号振幅为描出图中所示曲线的特性。该曲线存在即使初始化功率增大，差信号振幅也不会变大的饱和点SI。成为图9所示的特性，是因为因初始化功率的强度(大小)，构成记录层3的材料的结晶结构变化了。另外，根据差信号振幅是否为饱和点S1，记录层3的结晶结构不同。
另外，在设用差信号振幅没有达到饱和点S1的初始化功率P0来初始化的状态的光记录介质A的差信号振幅为S0，向该状态的记录层3照射具有比P0大的功率的直流激光的情况下，差信号振幅随图9的曲线增大。考虑这些是因为通过再次照射直流激光，记录层3的结晶化程度提高。
根据本发明人的实验/研究结果，判断出在由差信号振幅没有达到饱和点S1的初始化功率P0进行初始化的光记录介质A中，用最佳条件进行记录时，记录一次(第一次)后(DOW0Direct Over Write)的抖动好，进一步，重写一次后的(DOW1)抖动和反复重写后的抖动也得到了良好的特性。
另一方面，判断出在用差信号振幅达到饱和点S1的初始化功率P1以上来初始化光记录介质A的情况下，虽然DOW0抖动好，但是DOW1抖动非常差，故不能得到良好的重写特性。
这里所述的重写是1束重写，是指用一次的激光扫描擦除之前形成的记录标记，而新形成记录标记。并且，DOW0是指向初始化后的光记录介质A的未记录部形成记录标记的初次记录，DOW1是指进一步向其形成记录标记的第一次重写。另外，抖动将对出错率影响小的10％以下的值设为良好，将从DOW0到DOW1000(从初次记录到重写一千次)可稳定得到10％以下的抖动定义为良好的DOW抖动特性。
但是，即使在初始化光记录介质A时所施加的初始化功率未知的情况下，可以如下来判断光记录介质A是由达到差信号振幅的饱和点S1的初始化功率P1以上的初始化功率来初始化，还是由为没有满足饱和点S1的S0的初始化功率P0来初始化。首先，对于初始化后的光记录介质A，测量偏离轨道状态的差信号振幅。接着，也可以向光记录介质A施加超过要得到由测量得到的差信号振幅的初始化功率的初始化功率的直流激光，来测量偏离轨道状态的差信号振幅，比较两者的差信号振幅。
本实施方式的特征在于，进行初始化后的偏离轨道状态下的差信号的振幅比其饱和值S1还小。其实现手段的最佳一例是用于初始化时的激光的初始化功率小到没有达到为饱和值S1的初始化功率P1的程度。
在下面的各实施例和各比较例中，使用装载了波长为658nm的激光二极管，NA＝0.60的光学透镜的パルステツク公司制造的光盘驱动测试器(DDU1000)进行记录(1束/重写)和再现。
以记录线速度使用14m/s(相当于DVD-RW标准4倍速)、记录信号使用8-16(EFM+)调制随机图形进行记录再现评价。单位时钟T是9.6ns(DVD4倍速)、比特长度为0.267μm/比特。这样，对光记录介质A进行与DVD-ROM相同密度的记录。这种情况下的光记录介质A的容量是4.7G字节。另外，在对光记录介质A的最佳条件下包含相邻轨道，重写了10次后，在该再现信号的振幅中心进行切割(slice)，来测量时钟·到·数据·抖动(clock to data jitter)。另外，再现光的激光功率(再现功率)Pr是0.7mW，是固定的。
另外，记录策略(strategy)使用了基于图4所示DVD-RW版本1.1的规定的分割脉冲序列。
(实施例1)在直径为120nm、板厚为0.6nm的聚碳酸酯树脂制的基板1上形成后述的各层。在基板1上形成轨道间距为0.74μm的空槽。该槽深为25nm，槽(groove)宽和嵴(land)宽的比大约为40∶60。另外，槽从记录/再现或擦除用激光的记录方向看为凸状。
首先，在真空容器内排气到3×10-4Pa后，在2×10-1Pa的Ar气体环境气中使用添加了20mol％ SiO2的ZnS靶(target)，通过磁控管溅射法，而在基板1上形成了层厚为70nm的第一保护层2。
接着，依次进行层叠，使得记录层3由Ge-In-Sb-Te的4种元素单一合金靶构成，层厚为16nm，接着，第二保护层4由与第一保护层2相同的材料构成，层厚为16nm，反射层5由Ag-Pd-Cu靶构成，层厚为120nm。
从真空容器中取出基板1后，在该反射层5上旋涂丙稀基系紫外线固化树脂(索尼化学制SK5110)后，通过紫外线照射使其固化，而形成膜厚为3μm的第三保护层6。这样，作成了未初始化的光记录介质。
对于未初始化的光记录介质的记录层3使用日立计算机设备制POP120来作为初始化装置200，使用半径方向激光宽度为250μm、扫描方向激光宽度为1.0μm的激光，以扫描线速度为7.0m/s、运送间距为200μm的初始化条件进行初始化，而得到图2所示的光记录介质A。这里，利用初始化装置200预先检测出光记录介质A的差信号振幅的饱和点S1。光记录介质A的差信号振幅在照射了2400mW的激光功率时，达到饱和点S1，其值为5.2V。
作为实施例1，准备由激光功率2000mW来初始化未初始化的光记录介质的光记录介质A，测量偏离轨道状态的差信号振幅S0的点为5.04V。因此，实施例1的振幅比S0/S1为0.97。表1表示各个值。
这里所示的S0和S1各个值是根据光记录介质和测量装置变化的值。除振幅比S0/S1之外，都并不限定本发明。其在其他的实施例和比较例中也相同。
接着，在光记录介质A上从基板1侧向记录层3的槽进行记录。
作为对光记录介质A最佳记录的条件的记录脉冲图形，在线速度为14m/s(DVD4倍速)中，为Ttop＝0.6[T]，Tmp＝0.5[T]、Tcl＝0.0[T]。另外，激光的激光强度使用了记录功率Pw＝17.0[mW]、擦除功率Pe＝5[mW]、最低功率Pb＝0.5[mW]的三值。该最佳记录条件在下面的实施例2、实施例3和比较例1、比较例2中也相同。
初始和重写记录特性如表1所示，初次记录(DOW0)抖动为6.5％，重写一次(DOW1)抖动为9.1％，重写9次(DOW9)为7.9％，重写1000次(DOW1000)抖动为8.8％，重写特性非常稳定，故记录特性良好。
表1(实施例2)作为实施例2，准备由激光功率1800mW初始化未初始化的光记录介质的光记录介质A，测量偏离轨道状态的差信号振幅S0的点为4.06V。因此，实施例2的振幅比S0/S1为0.78。其他条件与实施例1相同。
初始和重写记录特性如表1所示，DOW0抖动为6.4％，DOW1抖动为8.6％，DOW9抖动为7.8％，DOW1000抖动为8.0％，重写特性非常稳定，故记录特性良好。
(实施例3)作为实施例3，准备由激光功率1600mW初始化未初始化的光记录介质的光记录介质A，测量偏离轨道状态的差信号振幅S0的点为3.28V。因此，实施例3的振幅比S0/S1为0.63。其他条件与实施例1相同。
初始和重写记录特性如表1所示，DOW0抖动为6.7％，DOW1抖动为8.9％，DOW9抖动为7.8％，DOW1000抖动为8.6％，重写特性非常稳定，故记录特性良好。
(比较例1)作为比较例1，准备了由激光功率2400mW初始化未初始化的光记录介质的光记录介质A。其他条件与实施例1相同。测量偏离轨道状态的差信号振幅S0的点为5.2V。因此，比较例1的S0和S1相等，振幅比S0/S1为1.0。
初始和重写记录特性如表1所示，DOW0抖动为7.2％，DOW1抖动为14.3％，DOW9抖动为10.8％，DOW1000抖动为11.0％，尤其DOW1抖动差，得不到良好的抖动特性。
这样，若使用振幅比S0/S1为1.0，即，偏离轨道状态的差信号振幅达到饱和值S1的初始化功率，可以看出DOW1抖动差，不能得到良好的重复记录特性。与此相对，若S0/S1比1小，即，由没有达到饱和值S1的初始化功率进行初始化，则可以得到良好的DOW抖动特性。
(比较例2)除了将初始化功率变为1400mW之外，其他与实施例1相同，来制作光记录介质。但是，在比较例2中，记录层3仍在非结晶状态下，在初始化工序200中不能得到结晶状态，不能进行初始化。
从比较例2和实施例3看出，若降低初始化功率的输出，偏离轨迹状态的差信号的振幅为饱和值S1以下，则得到了良好的DOW抖动特性，但在初始化功率过小时，不能进行初始化。其界限的振幅比S0/S1为0.6，若比其小，光记录介质的初始化困难。
从以上的实施例1～实施例3和比较例1、比较例2判断出若振幅比S0/S1比0.6大、比1.0小，可以得到良好的DOW抖动特性，还防止了DOW1抖动的恶化。若振幅比S0/S1为0.6以下，光记录介质的初始化困难，另一方面，若为1.0，DOW1抖动恶化，不能得到良好的反复记录特性。
若考虑满足由DVD-RW标准规定的反射率18％以上，更优选振幅比S0/S1大于0.8、小于1.0。
另外，本发明的特征对与用高线速度(DVD4倍速以上)的记录相对应的光记录介质A尤其有效。
根据表1的值将以上结果示于图10。从该图也可以看出通过用没有达到饱和值S1程度的初始化功率进行光记录介质的初始化，DOW1抖动得到了良好的值。
《最佳擦除功率的研究》接着，本发明人估计擦除功率Pe是否对光记录介质的记录和重写特性产生影响。根据下述的实施例4～8和比较例3～7，发现该估计是正确的，具有记录和重写特性最佳的最佳擦除功能。
(实施例4)作为实施例4，准备了由扫描线速度4.5m/s、激光功率1600mW、进给间距为220μm来初始化未初始化的光记录介质的光记录介质A。其他条件与实施例1相同。另外，如图11所示，由该初始化条件初始化的光记录介质A在1个轨道内的反射率变化小，反射率大致一定。接着，求出向光记录介质A的记录区域54中一次都没有记录信息的未记录部，从LD33照射具有再现功率Pr(0.7mW)的再现光时的未记录部的反射率R0。边改变擦除功率Pe，边向该未记录部照射具有擦除功率Pe的激光，通过从LD33照射再现用的激光来测量各个擦除功率Pe的未记录部的反射率R时，在图12中描绘出由实线表示的反射率曲线C1。
反射率曲线C1中，擦除功率Pe从0mW的开始点到拐点Q1的斜率可用大致为0的直线来近似。将拐点Q1的擦除功率设为P1。另外，从开始点(功率0)到拐点Q1的反射率与未记录部的反射率R0相等。若反射率曲线C1超过拐点Q1，擦除功率比P1大，则反射率随着擦除功率的增加依次增大，达到峰值点Q2。峰值点Q2的擦除功率为P2，将这时的反射率设为最大反射率R1。若达到峰值点Q2，则即使照射比擦除功率P2大的擦除功率，反射率也减小了。
实施例4中所用的光记录介质A的未记录部的反射率R0为19.5，拐点Q1的擦除功率P1为6.5mW，最大反射率R1为21.1。因此，反射率比((R1-R0)/R0)为0.08。
接着，在光记录介质A上从基板1侧向记录层3的槽进行记录。
作为对实施例4的光记录介质A的最佳记录条件的记录脉冲图形在线速度14m/s(DVD4倍速)中，为Ttop＝0.6[T]、Tmp＝0.5[T]、Tcl＝0.0[T]。另外，激光的激光强度使用了记录功率Pw＝17.0[mW]、擦除功率Pe＝4.6[mW]、最低功率Pb＝0.5[mW]的三值。擦除功率比(Pe/P1)为0.7。将所测量的值整理为表2来表示。
初始化特性和重写记录特性如表2所示，初次记录(DOW0)抖动为6.5％、重写一次(DOW1)抖动为8.4％，重写9次(DOW9)抖动为8.1％。重写大约一千次(DOW1000)的抖动为8.8％，即使进行重写特性也非常稳定，记录特性良好。
表2(实施例5)使用将实施例4的第二保护层4的层厚改变为12nm的光记录介质A。R0为21.0，拐点Q1的擦除功率P1为7.5mW、R1为21.7，反射率比为0.03。
将实施例4的记录条件中的记录功率Pw改变为17.5mW，将擦除功率Pe改变为6.0mW，来进行记录/评价。擦除功率比为0.8。
初始特性和重写记录特性如表2所示，DOW0抖动为6.8％，DOW1抖动为8.8％，DOW9抖动为7.8％。DOW1000的抖动为0.8，即使进行重写特性也非常稳定，记录特性良好。
(实施例6)使用将实施例4的记录层3的层厚改变为12nm的光记录介质A。R0为16.0，拐点Q1的擦除功率P1为6.0mW、R1为18.4，反射率比为0.15。
将实施例4的记录条件中的记录功率Pw改变为16.0mW，擦除功率Pe改变为4.2mW，来进行记录/评价。擦除功率比为0.7。
如表2所示，初始特性和重写记录特性与实施例4相同，得到了良好的特性。
(实施例7)使用与实施例4相同的光记录介质A，将实施例4的记录条件中擦除功率Pe变为3.0mW来进行记录/评价。拐点Q1的擦除功率P1与实施例4相同，为6.5mW，擦除功率比为0.5。
如表2所示，虽然DOW1抖动为9.2％，取稍微大的值，但是与实施例4相同，得到了良好的特性。
(实施例8)使用与实施例4相同的光记录介质A，将实施例4的记录条件中擦除功率Pe变为6.5mW来进行记录/评价。拐点Q1的擦除功率P1与实施例4相同，为6.5mW，擦除功率比为1.0。
如表2所示，虽然DOW1000抖动为9.4％，取稍微大的值，但是与实施例4相同，得到了良好的特性。
(比较例3)使用增加了用于实施例4的记录层3的Ge-In-Sb-Te的4元素单一合金靶的Sb/Te比的光记录介质A。生成了比较例3的光记录介质A的反射率曲线，没有拐点Q1和峰值点Q2，在图12中描绘了由虚线所示的反射率变化小的反射率曲线C2。因此，不能得到拐点Q1的擦除功率P1，但是未记录部的反射率R0为21.6、反射率曲线C2的最大值为最大反射率R1＝22.0，与上述相同，算出的反射率比为0.02。
由与实施例4的记录条件相同的条件进行记录/评价。
初始特性和重写记录特性如表2所示，虽然DOW0和DOW9抖动良好，但是DOW1抖动很差，不能得到良好的DOW抖动特性。
(比较例4)使用减小了用于实施例4的记录层3的Ge-In-Sb-Te的4元素单一合金靶的Sb/Te比的光记录介质A。与比较例3相同，反射率曲线描绘为C2，虽然不能得到拐点Q1的擦除功率P1，但是未记录部的反射率R0为19.1、反射率曲线C2的最大值为最大反射率R1＝19.4，与上述相同，算出的反射率比为0.02。
将实施例4的记录条件中的记录功率Pw变为15.0mW，擦除功率Pe变为4.2mW，来进行记录/评价。
初始特性和重写记录特性如表2所示，虽然DOW0抖动良好，但是DOW1、DOW9和DOW1000抖动很差，不能得到良好的DOW抖动特性。
(比较例5)使用了由激光功率2200mW来初始化与实施例4相同结构的光记录介质的光记录介质A。如图13所示，由该初始化条件初始化的光记录介质A在1个轨道内的反射率变化大。R0为17.5、拐点Q1的擦除功率P1为5.0mW，R1为21.0。反射率比为0.20。
由与实施例4相同的记录条件进行记录/评价，如表2所示，DOW0、DOW1和DOW1000抖动变差，不能得到良好的DOW抖动特性。另外，擦除功率比为0.9。
(比较例6)使用与实施例4相同的光记录介质A，将实施例4的记录条件中擦除功率Pe变为2.5mW来进行记录/评价。拐点Q1的擦除功率P1与实施例4相同，为6.5mW。擦除功率比为0.4。
如表2所示，从DOW0抖动，抖动表示10％以上，不能得到良好的DOW抖动特性。
(比较例7)使用与实施例4相同的光记录介质A，将实施例4的记录条件中擦除功率Pe变为7.5mW来进行记录/评价。拐点Q1的擦除功率P1与实施例4相同，为6.5mW。擦除功率比为1.2。
如表2所示，虽然从DOW0抖动到DOW9抖动得到了良好的值，但是DOW1000表示10％以上，不能得到良好的DOW抖动特性。
从上面可以判断出若反射率比((R1-R0)/R0)满足下面的(2)式，则光记录介质得到了良好的DOW抖动特性。
0.03≤(R1-R0)/R0≤0.15 … (2)图14表示实施例4～实施例6和比较例3～比较例5的DOW抖动特性。在反射率比比0.03小，即反射率不随擦除功率的增加而增加的情况下，DOW1抖动为10％以上，记录特性恶化。另一方面，在反射率比比0.15大的情况下，由于1个轨道中由反射率大的部分和小的部分混合的条件来进行初始化，所以从DOW0开始不能得到良好的记录和重写特性。
图15表示实施例4～实施例6和比较例3～比较例5的对于擦除功率Pe的RF信号的关系。
进一步如表2所示，判断出最好擦除功率比(Pe/P1)满足以下的(3)式。
0.5≤Pe/P1≤1.0….(3)图16表示实施例4、实施例7、实施例8和比较例6、比较例7的DOW抖动特性。若擦除功率比比0.5小，由于擦除功率Pe小，不能充分擦除记录标记，所以从DOW0开始不能得到良好的记录和重写特性。另一方面，若擦除功率比比1.0大，DOW9以后的抖动为10％以上，记录特性恶化。
进一步，判断出光记录介质A的初始化条件也影响记录和重写特性。如图13所示，在由1个轨道内的反射率变化变大的初始化条件来初始化的光记录介质A不能得到良好的记录和重写特性。因此，光记录介质A最好由1个轨道内的反射率实质上不变化的最佳初始化条件来初始化。
不仅上述所述的DVD～RW等的相变型光记录介质，且图17所示的超高密度的相变型记录介质的结构也有同样的效果。图17所示的光记录介质B为在以记录/再现或擦除用的激光的入射面17a为底面的保护层17上依次层叠第一保护层12、记录层13、第二保护层14、反射层15和基板11的结构。
表1
0.6＜A0/A1＜1.0表2
0.03≤(R1-R0)/R0≤0.150.5≤Pe/Pei≤1.0
权利要求
1.一种相变型光记录介质，其特征在于，包括基板；及记录层，具有用于记录信息的轨道；所述记录层的材料，在接受使所述光记录介质旋转的同时在偏离轨道状态下向所述记录层照射激光时的反射光所得到的跟踪检测信号的振幅值比其饱和值小的结晶状态下，被初始化。
2.根据权利要求1所述的光记录介质，其特征在于所述跟踪检测信号是通过由相对于所述轨道相对配置的第一和第二受光元件组接受所述反射光而得到的受光信号两者的差信号。
3.根据权利要求1或2所述的光记录介质，其特征在于以所述饱和值除以所述振幅值后的值比0.6大、比1.0小。
4.一种相变型光记录介质，其特征在于，包括基板；及记录层，用于记录信息；所述记录层在向所述记录层的一次也没有记录信息的未记录部施加具有预定的直流擦除功率的光后，照射再现光后得到的所述未记录部的反射率，在作为所述预定的直流擦除功率从功率0依次增大时表现出以预定的曲线变化的特性；所述预定的曲线具有反射率大致一定的直线部分、接着该直线部分的反射率增大的第一曲线部分和反射率减小的第二曲线部分；当所述直线部分和第一曲线部分的边界即拐点的反射率为R0，所述第一曲线部分和第二曲线部分的边界即峰值点的反射率为R1时，表现出下述(1)式0.03≤((R1-R0)/R0)≤0.15…(1)成立的特性。
5.根据权利要求4所述的光记录介质，其特征在于以1个轨道内的反射率大致一定的结晶状态，来初始化构成所述记录层的材料。
6.一种光记录方法，在相变型记录介质的记录层中记录记录信息，其特征在于所述光记录介质的所述记录层在向所述记录层的一次也没有记录信息的未记录部施加具有预定的直流擦除功率的光后，照射再现光得到的所述未记录部的反射率，在作为所述预定的直流擦除功率从功率0开始依次增加时，表现出以预定的曲线变化的特性；所述预定的曲线具有反射率大致一定的直线部分、接着该直线部分的反射率增大的第一曲线部分和反射率减小的第二曲线部分；当所述直线部分和第一曲线部分的边界即拐点的反射率为R0，所述第一曲线部分和第二曲线部分的边界即峰值点的反射率为R1时，表现出下述(1)式0.03≤((R1-R0)/R0)≤0.15 … (1)成立的特性；所述光记录方法包括以下步骤调制步骤，调制所述记录信息来生成调制数据；标记长度生成步骤，根据所述调制数据生成希望的标记长度；及记录步骤，根据所述标记长度，生成由从擦除功率上升且在比所述擦除功率大的记录功率和比所述擦除功率小的最低功率之间形成的记录脉冲、和从所述最低功率向所述擦除功率上升的擦除脉冲构成的记录脉冲图形，根据所述记录脉冲图形对所述记录层照射记录光而记录表示所述记录信息的记录标记；所述记录步骤在所述记录脉冲图形的所述擦除功率为Pe、所述拐点的擦除功率为P1时，使用下述(2)式0.5≤Pe/P1≤1.0 … (2)成立的擦除功率Pe。
7.一种光记录装置，在相变型光记录介质的记录层中记录记录信息，其特征在于所述光记录介质的所述记录层在向所述记录层的一次也没有记录信息的未记录部施加了具有预定的直流擦除功率的光后，照射再现光得到的所述未记录部的反射率，在作为所述预定的直流擦除功率从功率0开始依次增加时，表现出以预定的曲线变化的特性；所述预定的曲线具有反射率大致一定的直线部分、接着该直线部分的反射率增大的第一曲线部分和反射率减小的第二曲线部分；当所述直线部分和第一曲线部分的边界即拐点的反射率为R0，所述第一曲线部分和第二曲线部分的边界即峰值点的反射率为R1时，表现出下述(1)式0.03≤((R1-R0)/R0)≤0.15(1)成立的特性；所述光记录装置包括编码器，调制所述记录信息来生成调制数据；标记长度生成部，根据所述调制数据生成希望的标记长度；及记录部，根据所述标记长度，生成由从擦除功率上升且在比所述擦除功率大的记录功率和比所述擦除功率小的最低功率之间形成的记录脉冲、和从所述最低功率向所述擦除功率上升的擦除脉冲构成的记录脉冲图形，根据所述记录脉冲图形对所述记录层照射记录光而记录表示所述记录信息的记录标记；所述记录部在所述记录脉冲图形的所述擦除功率为Pe、所述拐点的擦除功率为P1时，使用下述(2)式0.5≤Pe/P1≤1.0…(2)成立的擦除功率Pe。
8.根据权利要求7所述的光记录装置，其特征在于，包括存储部，存储表示所述擦除功率Pe的识别信息；所述记录部使用基于所述存储部中所存储的所述识别信息的擦除功率。
全文摘要
提供了一种即使记录速度高速化，也可得到良好的记录特性，进一步即使进行一次或多次的重写也可良好维持记录特性的光记录介质。相变型光记录介质(A)包括基板(1)和具有用于记录信息的轨道的记录层(3)。构成记录层的材料，在利用由相对轨道相对配置的第一和第二受光元件组，接受使所述光记录介质旋转的同时在偏离轨道状态下向记录层照射激光时的反射光所得到的受光信号两者的差信号(跟踪检测信号)的振幅值比其饱和值小的结晶状态下，被初始化。
文档编号G11B7/24GK1649008SQ20051000595
公开日2005年8月3日 申请日期2005年1月31日 优先权日2004年1月30日
发明者下舞贤一, 米原和男, 松本郁夫, 德井健二, 田畑浩 申请人:日本胜利株式会社