专利名称：高频叠加方法及使用了该方法的光盘装置的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种在对光盘装置记录时将高频分量叠加在半导体激光器的驱动电流上来在光盘上记录信息的高频叠加方法及使用了该方法的光盘装置，尤其涉及可高速、高密度记录的高频叠加方法及使用了该方法的光盘装置。
背景技术：
在记录型光盘中有仅可写入一次的一次写入型光盘(CD-R、DVD-R等)和可多次改写的可重写型光盘(CD-RW、DVD-RW等)。
作为光盘装置的数据记录时的动作，开始记录数据时，必需首先使光学头定位于期望盘上的道(纹)上，从期望的位置(切线方向位置)开始记录。必需通过读事先形成于盘上的地址信息来进行该定位。另外，为了实现与再现专用的盘(CD-ROM或DVD-ROM)进行再现互换，在用户数据上附加对应于盘上记录位置的地址信息并将其记录到盘上。
在CD-R、CD-RW的情况下，通过使纹在半径方向上进行微量蛇行(下面将此称为摆动(Wobble)，将该再现信号称为摆动信号)、并调制其频率，以帧为单位(以x1倍速再现时相当于1/75秒)形成盘上的地址信息。另外，在DVD-R、DVD-RW的情况下，虽然使纹在半径方向上进行微量蛇行、但不调制其频率，将称为LPP(脊的前置坑，Land Pre-Pit)的微小凹陷配置在上述蛇行的特定位置上，通过坑的有无来形成地址信息。
为了正确识别盘上位置并进行信息记录，即使在记录中也必需高精度读摆动(识别地址信息)。但是，半导体激光器受到来自盘的反射光的影响，半导体内部的共振状态变化，其光输出变化。由所谓返回光产生噪声。尤其是可产生高输出的半导体激光器比再现专用的低输出半导体激光器更易受到返回光的影响，更易产生噪声(高输出半导体激光器为了得到高输出而降低激光器端面的反射率，从而容易对外部产生高输出。因此，返回光容易通过该端面进入激光器内部的共振部，共振状态变化，结果，容易产生噪声)。
作为这种半导体激光器的噪声降低方法，已知在半导体激光器的驱动电流上叠加高频分量的高频叠加方法。例如，在美国特许6,421,314号公报中公开了在再现动作时的半导体激光器驱动电流上叠加高频信号，同时在记录动作时还使用共同的高频叠加电路来进行在间隔(space)时(删除时)和形成标记(mark)时最佳的频率和/或振幅的高频信号的叠加。
发明内容
如上所述，以前通过在半导体激光器驱动电流上叠加高频分量来降低由返回光产生的噪声。
但是，当以叠加高频分量后的半导体激光器驱动电流为基础来提供记录电流时，则记录电流上升沿位置或下降沿位置由于高频分量的影响而变动，结果，存在标记始端的边沿位置或终端边沿位置变动的问题。该问题由于伴随记录型光盘高密度化的坑微小化或记录速度的高速化而变为大问题。
因此，本申请的目的在于对使用了通过叠加高频分量来降低由返回光引起的噪声的方法的光盘装置提供可在记录数据时减少高频分量影响的记录方法/光盘装置。
可通过以下手段来解决上述问题，即，(1)一种通过在光盘上形成标记或间隔来记录信息的光盘装置，其中，具备驱动电流生成装置，用于提供由多个电平电流值构成、并由对应于标记长度的驱动波形构成的标记形成用半导体激光器驱动电流和至少由1个电平电流值构成的间隔形成用半导体激光器驱动电流；第一高频叠加装置，它使高频分量叠加在上述间隔形成用半导体激光器驱动电流上；和高频叠加控制装置，它控制上述高频叠加电路，以便在比从间隔形成用半导体激光器驱动电流向标记形成用半导体激光器驱动电流的切换定时领先规定时间之后就停止高频分量的叠加。
(2)一种通过照射来自激光二极管的激光在光盘上进行记录的光盘记录方法，其中，由以下步骤构成向上述激光二极管提供对第一电流进行高频叠加的电流的第一步骤；向上述激光二极管提供不进行高频叠加的第一电流的第二步骤；和向上述激光二极管提供比上述第一电流大的第二电流的第三步骤，在上述第一步骤中，再现上述光盘的地址信息，在上述第三步骤中，在上述光盘上记录数据。
图1是表示当在半导体激光器驱动电流上叠加高频分量时，则由于高频分量的相位、半导体激光器驱动电流的变化定时发生了变动的状态图。
图2是表示因高频分量和标记形成驱动电流开始定时的相位变动引起的在标记始端部上的提供光能量之差、和因半导体激光器振荡延迟引起的标记形成用光输出延迟的状态图。
图3是表示比本发明的标记形成用激光器驱动电流的开始定时(点P)领先Toff时间之后就停止高频叠加的状态的图。
图4是实施例1的结构图(在间隔期间内进行HF叠加CD-R情况)。
图5是高频分量生成电路(HFM)15的结构图。
图6是半导体激光器驱动部14的结构图。
图7是实施例1中写策略(Write Strategy)及高频叠加控制电路13-1的结构图。
图8是说明实施例1中写策略及高频叠加控制电路13-1的动作的时间图(CD-R情况)。
图9是说明实施例1中HF开/关(on/off)动作的时间图(CD-R情况)。
图10是实施例2的结构图(在间隔及标记期间内进行HF叠加)。
图11是实施例2中写策略及高频叠加控制电路13-2的结构图。
图12是说明实施例2中写策略及高频叠加控制电路13-2的动作的时间图(CD-R情况)。
图13是说明实施例2中HF开/关动作的时间图(CD-R情况)。
图14是说明实施例2中写策略及高频叠加控制电路13-2的动作的时间图(CD-RW情况)。
图15是说明实施例2中HF开/关动作的时间图(CD-RW情况)。
图16是实施例3的结构图(使HF与记录时钟同步和控制HF的占空比(Duty))。
图17是实施例3中高频分量生成电路(HFM)15-2的结构图。
图18是说明实施例3中高频分量生成电路(HFM)15-2的HF占空比控制动作的时间图。
图19是说明写策略部的存储写策略参数的RAM(1)、RAM(2)的图。
图20是说明存储HF开/关控制用定时参数的RAM(3)、RAM(4)的图。
图21是说明实施例3中HF开/关动作的时间图(CD-R情况)。
图22是说明实施例1中写策略及高频叠加控制电路13-2的动作的时间图(CD-RW情况)。
具体实施例方式
使用现有技术来推进记录型光盘的记录速度高速化、高密度化时，标记始端边沿位置或终端边沿位置的变动变为大问题。首先，考察其原因。
根据如EFM调制和8-16调制等那样把信息二值化后的调制信号来记录向盘的信息记录。二值中，一个对应于坑(标记)，另一个对应于脊(间隔)，如上述在盘上形成坑(标记)。坑(标记)和脊(间隔)的长度以记录基准时钟(以后也称为chCLK)的周期Tw为单位，在EFM调制和8-16调制的情况下，其最短长度为3Tw。必需对应于应记录的调制信号(以后也称为NRZ信号)，在盘上形成对应长度的坑(标记)。
但是，在由上述调制信号来照射激光的情况下，激光在盘面上的光斑尺寸为与上述最短标记长度(3Tw)相等的尺寸，并且如上所述，因为一次写入型盘或可重写型盘利用由激光照射引起的记录层的热变化，所以通过记录层自身具有蓄热和热扩散等特性，盘上的坑(标记)长度和坑(标记)的始端边沿位置和终端边沿位置不同于期望长度和位置。结果，再现时变为跳动，增加了再现误差率。
与之对应，在现有技术中，进行称为所谓写策略的记录时记录补偿。具体而言，根据标记长度来变化标记形成的激光照射开始定时和标记形成的激光照射终止定时，以得到期望的标记始端边沿位置和终端边沿位置。另外，还采用了下述写策略等还考虑脊(间隔)期间的热影响，利用领先间隔长度和记录标记长度的组合来补偿标记形成的激光照射开始定时，利用记录标记长度和后续的间隔长度的组合来补偿标记形成的激光照射终止定时。以记录基准时钟周期Tw的1/20-1/30为单位来进行这些定时补偿(边沿补偿)。
其中，在CD-R情况下，几年前为1-4倍速的记录速度，现在为10-16倍速的记录速度，认为今后可实现24-32倍速的记录速度的高速化。另外，在DVD的情况下，现在虽然为1-2倍速，但设想今后高速化至4-8倍速。这些记录基准时钟的频率fchCLK(周期Tw)在CDx10倍速下fchCLK＝43.218MHz(Tw＝23ns)，在x32倍速下为138.3MHz(7.2ns)，在DVDx1倍速下fchCLK＝26.16MHz(Tw＝38.2ns)，在x4倍速下为104.6MHz(9.6ns)，在x8倍速下为209.3MHz(4.8ns)。在这种记录速度的情况下，所谓写策略的记录脉冲边沿补偿的1step(1个步骤)时间(Tw/20的情况)在CDx10倍速下为1.2ns，在CDx32倍速下为0.36ns，在DVDx1倍速下为1.9ns，在DVDx4倍速下为0.48ns，在DVDx8倍速下为0.24ns。由此，推进高速化，当记录脉冲的边沿补偿的1step时间变短时，则不能忽视此前在低速记录下不成问题的记录脉冲边沿的变动。
记录脉冲边沿变动的一个重要原因是记录中叠加的高频分量的影响。该高频分量的影响有以下三个。
1)驱动半导体激光器的记录电流的边沿变动2)半导体激光器的振荡延迟引起的记录用光脉冲的边沿变动3)高频叠加引起的光脉冲和记录用光脉冲时间间隔变动引起的在标记始端部处的提供光能量的变动。
因为这些影响中的任一个都是由于高频分量的最佳频率和记录基准时钟频率不同而来，所以都由于高频分量的相位对于标记形成用记录电流的边沿位置发生变动而产生的。
图1表示上述1)驱动半导体激光器的记录电流边沿变动状态。该例中，表示不是交流而是直流地相加高频分量的实例。图1(a)表示不叠加高频分量的情况下的半导体激光器驱动电流。图中点P处驱动电流变化，为了记录标记而增加电流(该点P也称为记录电流的上升沿)。与之相对，图1(b)和(c)表示叠加了高频分量情况下的记录电流的变化。该图是多重曝光下的照片，电流波形因高频分量和标记记录电流边沿(点P)的相位变化而具有某一宽度。(b)是点P处高频分量的值最小的情况(变为最小的频度高的情况)，(c)是点P处最大的情况(变为最大的频度高的情况)。通过(b)和(c)的比较可知，高频分量叠加后的电流波形的上升沿位置因点P处的高频分量的相位变化而变动。在(b)和(c)的比较中，边沿位置变动为约1ns pp(峰-峰)，为上述写策略中的边沿补偿的1step时间(在CDx32下为0.36ns，在DVDx8下为0.24ns)以上的大变动量。变动量的高频分量的振幅越大、且高频分量的频率越低，该变动量就越变大。在该图中，虽然说明了标记记录的开始时刻，但终止时刻也产生同样的变动。
用图2来说明半导体激光器振荡延迟引起的记录用光脉冲的边沿变动(上述2)和3))。其中，表示CD-R和DVD-R从间隔变化为标记形成时的半导体激光器驱动电流和光输出的关系。另外，表示交流叠加了高频分量的情况。(a)表示点P(标记形成用记录电流上升沿位置)处高频分量从负侧返回零的相位情况，(b)表示点P处高频分量从正侧返回零的相位情况。在点P以后(标记形成区间)是停止叠加高频分量的情况。
下面说明点P以前(间隔区间)的动作(高频叠加产生的窄光脉冲串)。在CD-R和DVD-R中的点P以前的间隔(脊)区间内，为了以良好的S/N(信噪比)得到上述摆动信号、地址信息再现和伺服信号，而进行高频叠加并驱动半导体激光器以使平均光功率与通常再现时相等。此时，当将半导体激光器的振荡阈值电流假设为Ith时，通过叠加高频分量，使半导体激光器的驱动电流从Ith以下的电流变化到Ith以上的电流，之后再变为Ith以下，由此来产生窄的光脉冲。
具体而言，当使驱动电流从Ith以下高速变化到Ith以上时，半导体激光器伴随着振荡延迟开始振荡。(即使变到Ith以上也不马上振荡)。变为Ith以下的驱动电流值越小时(叠加的高频分量的振幅越大)振荡延迟时间就越变长。通常，振荡延迟时间为1-2ns的量级。另外，高输出的半导体激光器在振荡开始时伴随缓和的振动来振荡。此时的光谱不是单一频率(被称为单模)，而具有多个频率分量(被称为多模)。缓和振动后变为单模。高频叠加通过利用振荡延迟在缓和振动期间中停止振荡(发光)，使具有多个频率分量的窄的脉冲发光，从而降低返回光的影响。
下面说明点P以后(标记形成区间)的光输出(记录用光脉冲的边沿延迟)。如上所述，半导体激光器在驱动电流从Ith以下高速变化到Ith以上的情况下，伴随振荡延迟开始振荡(即光输出)。从而，根据标记形成用驱动电流开始时刻之前的电流值相位在Ith以下或Ith以上多少，振荡延迟时间不同，标记形成用光输出的开始(振荡、光输出开始)定时变动了。
在图2(a-1)、(a-2)的情况下，因为从Ith以下变化到IPw，所以与高频叠加时一样产生振荡延迟，延迟标记形成用光输出的开始时间。(b-1)、(b-2)的情况下，因为从Ith变化到IPw，所以半导体激光器线性动作(发光与驱动电流成正比的光输出)，不产生(a-1)、(a-2)那种振荡延迟。
因为标记形成用驱动电流的开始时间(点P)与高频分量的相位不同步，所以点P和其前的高频分量的值随机变化，结果，标记形成用光输出的开始定时随机变动。
这里，说明由高频叠加的光脉冲与记录用光脉冲之间的时间间隔变动而产生的标记始端部的供给光能量的变动。图2中，当从标记形成用光输出的开始定时附近的供给光功率的点看时，在(a-1)、(a-2)的情况下，高频叠加的光脉冲与标记形成用光脉冲的间隔宽，(b-1)(b-2)的情况下，由高频叠加的光脉冲与标记形成用光脉冲的间隔窄，高频叠加的光脉冲与标记形成用光脉冲相邻(最接近)。这就变为标记形成开始时向盘提供光能量之差，表示盘上形成的标记始端边沿位置对应于高频分量的相位随机变化。特别是在(a-1)、(a-2)情况下，随着提供能量小，通过振荡延迟延迟了标记形成用光脉冲的开始定时，由此与(b-1)、(b-2)的情况相比，盘上的标记始端边沿位置在时间上偏后。
上面表示了由于高频分量叠加，盘上的标记开始位置通过高频分量和标记形成用驱动电流的开始位置的随机相位变化而变动。即，(1)若在标记形成用驱动电流的开始位置附近(前后)叠加高频分量，则标记形成用驱动电流自身的上升沿变动。即使在标记形成用驱动电流的开始位置处停止高频分量叠加，(2)振荡延迟因此前的高频分量值而变化，标记形成用光输出的开始定时也变动。另外，(3)标记形成用光输出的开始定时附近的光提供功率通过高频分量与标记记录用驱动电流的相位变动而变化。这些变动使盘上的标记开始位置随机变动，使再现时产生跳动恶化。特别是，在高速记录时跳动恶化的影响变大。另外，可以说以上的情况对标记终止位置也一样。
下面用附图来说明本发明的实施例。
(实施例1)实施例1是在记录中的间隔期间内叠加高频分量的例子，是通过第一高频叠加控制电路(HF开/关控制电路)控制高频分量的叠加开始、停止的实施例。例如是假定CD-R记录的实施例。
图4中表示实施例1的结构图。1是控制器(DSP)，2是柔性电缆，3-1是内置了写策略的半导体激光器驱动电路。4是半导体激光二极管，5是监视半导体激光二极管的输出功率用的前监视器用受光元件，6是将前监视器用受光元件5的输出电流变换为电压的电流、电压变换电路，7是以规定定时采样/保持上述电流、电压变换电路6的输出的采样/保持电路，8是将采样/保持电路7的输出值控制到规定电平(再现电平)状态的自动读功率控制电路，9是由受光来自盘的反射光的多个受光元件构成的盘反射光受光元件，10是将盘反射光受光元件9的各输出电流变换为电压的电流、电压变换电路。
在该实施例中表示上述控制器1和自动读功率控制电路8配置在光盘装置的主板侧(固定侧)，内置了写策略的半导体激光器驱动电路3-1、半导体激光二极管4、受光元件5、9、电流、电压变换电路6、10和采样/保持电路7安装在光学头上的实例。对光学头的控制信号和光学头的输入输出信号通过柔性电缆2与主板侧连接。
内置了写策略的半导体激光器驱动电路3-1由以下构成要素构成。12是根据由控制器1提供的NRZ信号和后述的写策略及由HF开/关控制器13-1提供的记录时钟chCLK来检测标记长度、间隔长度和标记、间隔变化定时等的标记及间隔长度检测电路，13-1是在低倍由控制器1提供的时钟CLK后生成记录时钟chCLK的同时，输出根据标记及间隔长度检测电路12的输出信号来控制高频分量的叠加开/关的控制信号HF1_cont和选择控制半导体激光二极管4的输出电平(记录功率输出电平Pw、删除功率输出电平Per、偏置功率电平Pb)的电平的控制信号OUTE_Pw、OUTE_Per、OUTE_Pb的写策略和HF开/关控制器，14是对应于控制信号OUTE_Pw、OUTE_Per、OUTE_Pb来将对应于输出电平Pw、Per、Pb的电流和对应于来自自动读功率控制器8的电流Iapc_in的电流相加后输出的半导体激光器驱动部，15-1是生成对应于频率FREQ和振幅AMP的高频分量的高频分量生成电路，17-1是设定高频分量频率的频率设定用寄存器(FREQ1寄存器)，18-1是设定高频分量振幅值AMP1的振幅设定用寄存器，21-1是生成通过写策略和HF开/关控制器13-1提供的HF1_cont信号和控制器1提供的控制信号/WR(H＝Read，L＝Write)来开/关控制高频分量生成电路15-1的输出信号的HF控制逻辑电路，16是将半导体激光器驱动部14和高频分量生成电路15-1的输出电流相加的加法电路，11是为了在内置了写策略的半导体激光器驱动电路3-1内部的各寄存器中设定值而将来自控制器1的串行数据变换为并行数据的串行接口电路。
下面说明实施例1各部分的结构和动作。图6表示半导体激光器驱动部14的结构。141是设定半导体激光二极管4的输出功率Pw的Pw寄存器，142是设定功率Per的Per寄存器，143是设定功率Pb的Pb寄存器。144是记录电流用DA变换电路，145是电流放大输入电流Iapc_in后输出电流Iread的电流放大amp，146是将记录电流用DA变换电路144的输出电流Iwrite和电流放大amp145的输出电流Iread相加的加法电路。Pw寄存器141、Per寄存器142和Pb寄存器143分别具有OE(输出允许)端子，分别由写策略和HF开/关控制器13-1提供的控制信号OUTE_Pw、OUTE_Per和OUTE_Pb来控制。通过这些控制信号将任一寄存器的输出提供给记录电流用DA变换电路144。记录电流用DA变换电路144输出对应于输入值的电流，通过加法电路146来驱动半导体激光二极管4。另外，记录电流用DA变换电路144在控制信号/WR(H＝读，L＝写)为读模式时其输出变为禁止状态(输出电流＝零)。另外，Pw寄存器141、Per寄存器142和Pb寄存器143的设定值通过串行接口11由控制器1来设定。
图5表示高频分量生成电路(HFM)15-1的结构。151是输出对应于设定高频分量频率的FREQ信号(FREQ1寄存器17-1的输出)的控制电压或控制电流的频率设定用DA变换电路，152是输出对应于设定高频分量振幅值的AMP信号(AMP1寄存器18-1的输出信号)的控制电压或控制电流的振幅设定用DA变换电路，153是发生高频分量的高频分量用振荡电路。由频率设定用DA变换电路151的输出来控制该高频分量用振荡电路153的振荡频率。154为可变电流增益放大电路，电流放大高频分量用振荡电路153的输出后输出。若该输出电流为Ihf，则由振幅设定用DA变换电路152的输出来控制Ihf的电流振幅。
另外，可变电流增益放大电路154通过写策略和HF开/关控制器13-1提供的控制信号HF_开/关_cont来控制其输出电流的开/关(输出允许/禁止)。在HF_开/关_cont高时，输出电流Ihf(开)，在低时断开(关)。
图7表示实施例1中写策略和HF开/关控制器13-1的结构。写策略和HF开/关控制器13-1由131的写策略部和132的第一高频叠加控制电路构成。
写策略部131由以下构成要素构成。131-4是由相位比较器和带分接头的VCO(压控振荡器)构成的PLL(锁相环)。相位比较器对控制器1提供的时钟CLK和带分接头的VCO输出信号chCLK进行频率和相位比较，用其相位误差来控制带分接头VCO的振荡频率和相位。该带分接头VCO的输出信号chCLK作为记录时钟。另外，带分接头VCO由40个可变延迟元件构成，通过形成一个闭环来构成振荡电路(环形振荡器)。将各可变延迟元件的输出作为分接头来输出。当把该分接头输出作成从subclk0～subclk39时，subclkn和subclkn+1的时间差变为记录时钟chCLK的周期Tw的1/40。该子时钟subclk0-39被提供给后述的计时器，能够以Tw/40为单位来进行对OUTE_Pw、OUTE_Per、OUTE_Pb和HF1_cont信号的控制。
131-1对应于标记间隔长度检测电路12的检测结果来以每个记录时钟chCLK的周期Tw为单位输出预定的地址信号address_1、address_2和address_3。提供该地址信号作为后述的RMA(1)131-1、RAM(2)131-3和第一高频叠加控制电路132的RAM(3)132-1的地址。
RAM(1)131-2和RAM(2)131-3是RAM(随机存取存储器)，存储写策略用参数。在本实施例中，如图19所示，RAM(1)131-2存储Tsfp(第一脉冲的开始定时)、Tslp(最后脉冲的开始定时)和Tecp(冷却脉冲结束的定时)各16个参数和Tsmp(多个脉冲的开始定时)一个参数，共计49个参数。
Tsfp参数由领先的间隔长度3T、4T、5T和6T以上4种和记录的标记长度3T、4T、5T和6T以上的4种组合构成的16个参数构成。其中，所谓Tsfp(3s-4m)表示领先的间隔长度为3T、记录的标记长度为4T的情况下的第一脉冲的开始定时(距规定的基准定时的时间)。同样，Tslp(4m-5s)表示记录的标记长度为4T、后续的间隔长度为5T情况下的最后脉冲的开始定时(距规定的基准定时的时间)。
RAM(2)131-3存储Tefp(第一脉冲结束的定时)和Telp(最后脉冲结束的定时)各16个参数和Temp(多个脉冲结束的定时)一个参数，共计33个参数。Tefp(3s-4m)表示领先的间隔长度为3T、记录的标记长度为4T的情况下的第一脉冲结束的定时，Telp(4m-5s)表示记录的标记长度为4T、后续的间隔长度为5T情况下的最后脉冲结束的定时。
RAM(1)131-2和RAM(2)131-3通过上述地址信号address_1、address_2来选择对应的参数，输出其定时数据。定时数据是以Tw/40为单位的距各规定的基准定时的时间。
Tsfp表示设定定时后功率向功率Pw迁移，Tefp表示设定定时后功率向功率Pb迁移，以下同样，Tslp表示向Pw迁移，Telp表示向Pb迁移，Tecp表示向Per迁移，Tsmp表示向Pw迁移，Temp表示向Pb迁移。因此，RAM(1)131-2对应于address_1的值输出表示由address_1选择了的参数向Pw迁移或向Per迁移的信号Pw/Per。另一方面，RAM(2)131-3的定时参数因为是表示全部向Pb迁移的参数，所以不输出对应于Pw/Per的信号。
RAM(1)131-2和RAM(2)131-3在对应于定时参数的地址值的情况下输出对应的定时参数值，而在输入了定时参数以外的地址的情况下输出数据＝00h。
计时器(1)131-5以Tw为单位，对于由RAM(1)131-2提供的定时数据检测其值是否有00h。检测结果在00H的情况下不开始任何动作。在00h以外的情况下，使内部计时器动作，在对应的定时来输出超时信号。
内置计时器测量将chCLK(Tw周期)和subclk0-39(Tw/40级)设定为基础的定时。
在定时数据不是00h，Pw/Per信号表示Pw的情况下(例如Tsfp)，从Pw输出端子输出超时_Pw信号。在Pw/Per信号表示Per的情况下(例如Tecp)，从Per输出端子输出超时_Per信号。计时器(2)131-5也同样，对来自RAM(2)131-3的定时数据检测是否为00h，在检测结果不是00h的情况下，使内部计时器动作，在对应的定时来输出超时_Pb信号。
输出允许信号生成电路131-7根据计时器(1)131-5和计时器(2)131-6提供的超时_Pw、超时_Per和超时_Pb信号，生成OUTE_Pw、OUTE_Per和OUTE_Pb的控制信号。利用超时_Pw信号使OUTE_Pw变高(允许)，使其它控制信号变低(禁止)。另外，利用超时_Per信号使OUTE_Per变高，使其它控制信号变低。同样，利用超时_Pb信号，使OUTE_Pb变高，使其它控制信号变低。由此，进行动作，使一个输出允许信号变为允许，其它变为禁止，来选择一个功率(Pw、Per、Pb之一)。
用图22来说明写策略部131的具体动作定时。图22表示CD-RW或DVD-RW记录时的动作。写策略部131通过对应于对应的记录媒体来设定定时参数，得到期望的半导体激光器驱动电流，在CD-RW及DVD-RW的情况下，最复杂地、且各定时参数都有效地进行动作。在CD-R的情况下，仅通过特定的定时参数的动作就可得到期望的半导体激光器驱动电流。因此，这里通过CD-RW或DVD-RW记录时的动作来说明写策略部131的动作定时。
图22的(1)是记录时钟chCLK，(2)是/WR信号，(3)是由写策略部131的内部定时信号将控制器1提供的NRZ信号(H＝标记，L＝间隔)延迟一定时间(以Tw为单位)后的信号。(4)表示期望的半导体激光器驱动电流。(10-1)表示计时器(1)131-5的动作，(10-2)表示计时器(2)131-6的动作。(11-1)表示超时Pw信号，(11-2)表示超时Per信号，(11-3)表示超时Pb信号。另外，(5-1)表示OUTE_Pw控制信号，(5-2)表示OUTE_Per控制信号，(5-3)表示OUTE_Pb控制信号。
在图22中，如(3)所示，T3-T5这3T区间和T9-T12这4T区间对应于标记。写策略部131以(3)所示延迟了的NRZI信号为基准而动作。
如图22(10-1)所示，计时器(1)131-5在T2区间的开始定时上取入Tsfp的定时数据，在T4的开始定时上取入Tslp的定时数据，在T5的开始定时上取入Tecp的定时数据。这些定时数据为不是00h的有效数据。同样，在T8、T10、T11、T12的各开始定时上取入Tsfp、Tsmp、Tslp、Tecp的有效数据。在上述之外的T区间中，由RAM(1)131-2提供变为00h的无效数据，但作为无效数据，不取入。
在T2区间的开始，若取入有效数据(非00h)的Tsfp，则使内部计时器开始动作，如(11-1)所示，在与定时数据一致的定时上(以Tw/40为单位)输出超时_Pw信号。在该图中，用箭头表示内部计时器的动作。箭头的始端表示计时器开始，终端表示超时。如(11-1)和(11-2)所示，若计时器(1)131-5变为超时，则输出由脉冲构成的超时_Pw信号和超时_Per信号。
同样，如(10-2)所示，计时器(2)131-6在T2、T4、T8、T10和T11的开始定时上取入Tefp、Telp、Tefp、Temp和Telp的有效数据，使内部计时器开始动作，如(11-3)所示，在与定时数据一致的定时处输出超时_Pb信号。
这里，Tsfp、Tefp、Tslp、Telp和Tecp分别是对应于领先间隔长度、标记长度和后续的间隔长度的组合的参数值。在图中，为了避免麻烦，不记入标记与间隔的组合值。
在图22中，表示了标记长度为3T和4T的情况，在5T的情况下，把T10区间中表示的多个脉冲状态(Tsmp、Temp)插入1T区间。在6T标记的情况下，将其插入2T区间。同样，若标记长度变长，则重复该多个脉冲状态，从延迟了的NRZI的标记终止2T前继续为(Tslp、Telp)状态、(Tecp)状态。
输出允许信号生成电路131-7对应于(11-1)、(11-2)、(11-3)所示超时信号，如(5-1)、(5-2)和(5-3)所示，应选择对应的输出电平(Pw、Per、Pb)，使对应的功率控制信号变高(允许)，其它控制信号变低(禁止)。
将该控制信号OUTE_Pw、OUTE_Per和OUTE_Pb供给半导体激光器驱动部14，使其输出电流变化。
图8中表示实施例1中的写策略部131的动作和其动作定时。图中的(1)、(2)、(30与上述图22相同，表示记录时钟chCLK、/WR信号和延迟了的NRZI信号。(4)表示CD-R记录时期望的半导体激光器驱动电流。(10-1)和(10-2)同样表示计时器(1)131-5和计时器(2)131-6的动作。图中的定时参数的表示中，字体用斜体表示的参数表示其值变为00H的无效数据。从而没有表示计时器动作的箭头。
在CD-R记录的情况下，如(4)所示，由一个记录脉冲来形成标记。利用标记和间隔组合来微小调整该标记形成用半导体激光器驱动电流的开始定时和终止定时，调整记录电流波形以使盘上的标记变为规定长度和规定开始、终止位置。通过标记和间隔长度的组合来改变各定时参数设定值的值，由此来进行该调整。因此，如(10-1)所示，使Tsfp和Tecp的定时参数变为有效数据，其它参数全部变为00h的无效数据。
Tsfp对应于标记记录电流的开始定时，Tecp对应于标记记录电流的终止定时。
当计时器(1)131-5用Tsfp变为超时时，则输出由脉冲构成的超时_Pw信号。当计时器(1)131-5因Tecp变为超时时，则输出由脉冲构成的超时_Per信号。对应于该超时信号，如图中(5-1)和(5-2)所示，输出OUTE_Pw信号和OUTE_Per信号。
图7表示第一高频叠加控制电路132的结构。RAM(3)132-1为与上述RAM(1)131-2和RAM(2)131-3一样的RAM，存储HF叠加开始、终止的定时参数HF1_on和HF1_off。RAM(3)132-1由地址生成电路131-1提供的地址信号address_3控制，将对应的地址存储值作为定时数据输出，同时，address_3通过HF1_on的地址值或HF1_off的地址值来输出HF_1开/关信号。
计时器(3)132-2是与计时器(1)131-5相同结构的计时器。根据PLL131-4提供的subclk0-39的子时钟(Tw/40级)和记录时钟chCLK(Tw周期)来进行设定时间的测量，若与设定值一致(若超时)，则输出脉冲。内部计时器对HF1_off的定时数据开始动作后，若与设定定时一致，则变为超时，从HF1_off端子输出脉冲。内部计时器对HF1_on的定时数据开始动作后，若与设定定时一致，则变为超时，从HF1_on端子输出脉冲。HF1_on和HF1_off的定时数据是与上述写策略部131一样以Tw/40为单位的设定值。
132-3是RS触发器，由HF1_on端子的脉冲置位，由HF1_off端子的脉冲复位。该RS触发器132-3输出为HF1_cont信号。
图8的(12-1)和(6-1)中表示第一高频叠加控制电路132的动作定时。在本实施例中，例如在T1区间的开始定时处将HF1_off的定时参数取入计时器(3)132-2中，开始内部计时器的动作。在本实施例中，因为在Tsfp的定时(标记记录电流的开始定时)之前停止高频分量的叠加，所以使HF1_off的定时参数的取入定时比Tsfp的取入定时领先1T。因为比Tecp的定时(标记记录电流终止定时)延迟来开始高频分量的叠加，所以使Tecp与HF1_on的定时参数的取入定时相同。如(6-1)所示，由HF1_off的超时来复位HF1_cont信号，由HF1_on的超时来置位(高)该信号。
图9表示实施例1的HF开/关控制动作。图9的(1)、(2)、(3)、(4)、(5)和(6-1)与图8相同。在OUTE_Pw高时，半导体激光器驱动电流变为Ipw(变为Pw寄存器选择状态，在记录电流Iw上加上读电流Iread后的电流值)，在OUTE_Per高时，变为IPread(变为Per寄存器选择状态，在记录电流Ier上加上Iread后的电流值)。CD-R时，通过将Per寄存器的设定值设为00h，则Ier＝0，使通常再现时的电流Iread与记录中的间隔区间的电流Iread+Ier为相同值。
(7-1)是根据HF1_cont信号和/WR，用HF控制逻辑电路21-1生成的HF_开/关_cont信号。该信号进行高频分量生成电路(HFM)15-1的输出电流的开/关控制。(8)表示高频分量生成电路(HFM)15-1的输出电流Ihf的开/关状态。这里，用Thf1_turn_off和Thf1_turn_on来表示输出电流Ihf对HF_开/关_cont信号的控制延迟时间。通常，大的电流(数十mA量级的电流)的开/关控制产生不少控制延迟。
(4)所示Thf1_off时间表示截断高频分量Ihf之后到标记记录开始定时(OUTE_Pw的开始边沿)的时间。另外，所示Thf1_on表示从标记记录终止定时(正确地说，当假定标记记录电流的下降时间为Tf时，它是从OUTE_Pw终止开始经Tf时间之后)到高频分量叠加开始的时间。
在本实施例中，考虑到Tsfp值(标记记录开始的定时)的变化范围来设定上述HFf1_off的定时参数值，以使Thf1_turn_off时间+Thf1_off时间在规定值以上。同样，考虑到Tecp值(标记记录终止的定时)的变化范围来设定HFf1_on的定时参数值，以使Thf1_on时间在零以上。结果，Thf1_turn_off时间和Thf1_on时间可在零以上，可避免现有技术中所述的因高频分量叠加引起的标记边沿的变动。
图3表示Thf1_off时间在高频分量周期Tosc一半以上的情况。是对点P在点Q停止高频分量叠加的实例。图中的虚线是在图2所示实例中在点P停止高频叠加的情况。在(a)、(b)的情况下，因为从点Q开始停止点P的区间高频分量的叠加，所以从点Q开始点P区间的半导体激光器驱动电流都相同，在相同的定时上开始标记形成用光输出。在图2(a)的情况下，产生振荡延迟并延迟，在(b)的情况下，没有振荡延迟就开始了标记形成用光输出。
另外，通过变长Toff期间(Thf_off期间)，可减小(a)和(b)的高频分量与标记形成驱动电流的开始定时的相位变动引起的在标记始端部处的提供光能量的变动。
在以上说明的实例中，如图20(1-2)所示，RAM(3)132-1a中存储的参数是HF1_off和HF1_on这两个定时参数的情况。由此，若标记开始定时随标记、间隔长度而变化，则高频叠加的停止时间Thf1_on和Thf1_off时间变化。有必要将停止时间的最小值设定在标记始端和终端部处的提供光能量变动小且盘上的标记边沿变动可忽视的程度。
如图20(1-1)所示，也可以把RAM(3)132-1a中存储的HF1_off和HF1_on的定时参数，与写策略的定时参数一样，对应于领先的间隔长度和记录的标记长度的组合来将HF1_off设为16个参数，另外，对应于记录的标记长度和后续的间隔长度的组合将HF1_on设为16个参数。此时，RAM(3)132-1a的地址信号address_3与写策略部的RAM(1)131-2、RAM(2)131-3一样，从地址生成电路131-1提供对应于标记、间隔长度的地址值。
由此，可以把HF1_off(as-bm)作成为，对应于Tsfp(as-bm)(这里，a表示间隔长度，b表示标记长度)的设定值，对于间隔、标记长度的组合，经常使停止时间Thf1_off成为恒定。具体而言，这可以通过设定HF1_off(as-bm)以便在对应的间隔、标记长度的组合中两者的设定值之差为恒定值来实现。结果，可以使全部长度的标记始端边沿的高频分量产生的影响相同。同样，可以把HF1_on(bm-as)作成为对应于Tecp(bm-as)的设定值，对于标记、间隔长度的组合经常使停止时间Thf1_on成为恒定。结果，可以使全部长度的标记终端边沿的高频分量产生的影响相同。
另外，通过将特定时间参数值HF1_on(bm-as)设定为00h，可停止特定间隔长度下的高频分量的叠加。例如，可在间隔长度短的情况下停止高频分量的叠加。由此，在间隔长度短的情况下也可以增大Thf1_off和Thf1_on的期间，可更降低高频分量叠加产生的影响(在标记始端、终端部上的光提供能量的变动)。
如上所述，在实施例1中，对于在CD-R等的间隔期间内叠加高频分量的高频叠加方法，领先于标记形成用半导体激光器驱动电流的开始定时而停止Thf1_off时间高频分量的叠加，同时，在标记形成用半导体激光器驱动电流终止定时后在Thf1_on时间后开始叠加高频分量，所以可避免标记形成用半导体激光器驱动电流和标记形成用光输出的开始时和终止时的高频分量的影响(源于高频分量控制延迟等的重叠所产生的影响和振荡延迟变动的影响)。另外，通过增大Thf1_off和Thf1_on时间，可进一步减少高频分量的影响(在标记始端、终端部处的提供光能量的变动)。
(实施例2)实施例2是在记录中的间隔期间和标记期间内叠加高频分量的实例，是利用第一高频叠加控制电路控制间隔期间高频分量的叠加开始、停止，利用第二高频叠加控制电路控制标记期间高频分量的叠加开始、停止的实施例。例如，是假设在再现时和记录中在间隔期间内的高频叠加、和把与其不同的条件的高频分量在标记期间内进行叠加的CD-R记录的实施例。另外，是假设进行再现时的高频分量叠加和记录时的在间隔期间内的高频分量叠加，两者高频分量的频率或振幅不同的CD-RW等的记录的实施例。
图10表示实施例2的结构图。具有与实施例1相同的功能的装置标以相同号码。与实施例1不同之点是追加了设定第二条件高频分量的频率的FREQ2寄存器17-2；选择FREQ1寄存器17-1和FREQ2寄存器17-2的输出之一的切换电路19；设定第二条件高频分量振幅的AMP2寄存器18-2；以及选择AMP1寄存器18-1和AMP2寄存器18-2的输出之一的切换电路20。还有一点是，在写策略和HF开/关控制器13-1中设置第二HF开/关电路，作成了写策略和HF开/关控制器13-2以便同时输出HF1_cont信号和HF2_cont信号。另外一点是，把HF控制逻辑电路作成了HF控制逻辑电路21-2，它利用WR信号、HF1_cont信号及追加的HF2_cont信号输出HF_1/2_选择信号来控制上述切换电路19和20，同时，输出HF_开/关_cont信号来控制高频分量生成电路(HFM)15-1的高频分量Ihf的输出开始、停止。
图11表示实施例2的写策略和HF开/关控制器13-2的结构。与实施例1的写策略和HF开/关控制器13-1的不同之点是，追加了第二高频叠加控制电路133。
如图11所示，第二高频叠加控制电路133的结构是与第一高频叠加控制电路132相同的结构。RAM(4)133-1存储第二条件的HF叠加开始、终止定时参数HF2_on和HF2_off。在本实施例中，如图20(2-1)所示，HF2_on和HF2_off参数是分别对应于标记、间隔长度的组合的16种参数。另外，如图20(1-1)所示，在第一高频叠加控制电路的RAM(3)132-1中存储的HF1_on和HF1_off的参数是分别对应于标记、间隔长度的组合的16种参数。
RAM(4)133-1与RAM(3)132-1一样，由地址生成电路131-1提供的地址信号address_4控制，将对应的地址的存储值作为定时数据输出，同时，address_4根据是HF2_on的地址值还是HF2_off的地址值来输出HF2开/关信号。
计时器(4)133-2是与计时器(3)132-2相同结构的计时器。根据PLL131-4提供的subclk0-39的子时钟(Tw/40)和记录时钟chCLK(Tw周期)，进行设定时间的测量，若与设定值一致(若超时)，则输出脉冲。对于HF2_off的定时数据，若与设定定时一致，则超时，并从HF2_off端子输出脉冲。对于HF2_on的定时数据，若与设定定时一致，则超时，并从HF2_on端子输出脉冲。HF2_on和HF2_off的定时数据与上述写策略部131一样是以Tw/40为单位的设定值。133-3是RS触发器，由HF2_on端子的脉冲来置位，由HF2_off端子的脉冲来复位。该RS触发器133-2的输出为HF2_cont信号。
下面以在间隔期间(和读期间)及标记期间内叠加不同条件的高频分量为例，示出将实施例2适用于CD-R记录中的实例。
图12表示将实施例2适用于CD-R记录的情况下的写策略和HF开/关控制器13-2的动作定时。与实施例1的写策略和HF开/关控制器13-1的动作定时不同之点是追加了图中(12-2)所示的第二高频叠加控制电路133的动作、和(6-2)所示的输出信号HF2_cont。
本实施例中，例如在T2区间的开始定时上将HF2_on的定时参数取入计时器(4)133-2中，开始内部计时器的动作。第二高频叠加控制电路控制标记期间的高频分量的叠加开始、停止。为了在Tsfp的超时后开始高频叠加，在与Tspf相同的定时上取入HF2_on定时参数。由于标记期间中的高频分量的停止领先于Tecp(标记记录电流终止定时)进行，所以比Tecp的取入定时领先1T取入HF2_off的定时参数。
如图中(6-2)所示状态，由HF2_off的超时(图中箭头的终端时间)来复位HF2_cont信号，由HF2_on的超时来置位(高)该信号。图中表示在T2开始定时上的HF2_on引起的计时器(4)133-2动作的箭头为虚线，这一点表示把在该定时上的标记、间隔长度的组合HF2_off(as-bm)的定时参数值作成00h，使计时器(4)133-2不动作。若将该定时参数值设定为00h以外的有效值，则进行例如虚线所示的动作。
这表明，对应于标记、间隔长度的组合，通过将HF2_on(as-bm)的值设为00h或有效值，可控制是否对特定标记进行高频叠加。例如可仅对6T以上的标记进行高频叠加。另外，与实施例1相同，通过设定HF1_(bm-as)的时间参数值(00h或有效数据)，可控制是否对特定间隔进行高频叠加。
由此，停止在规定值以下的标记期间或间隔期间中的高频分量的叠加，可更降低高频分量叠加产生的影响(在标记始端部、终端部处的光提供能量的变动)。
图13表示将实施例2适用于CD-R记录情况下的HF开/关控制动作。与实施例1的不同之点是，在标记期间叠加了第二条件的高频分量。图13的(1)、(2)、(3)、(5)和(6-1)与实施例1的图9相同。如上所述，(6-1)是第一高频叠加控制电路132的输出信号HF1_cont，(6-2)是本实施例中追加了的第二高频叠加控制电路133的输出信号HF2_cont。(7-1)和(7-2)是图10所示HF控制逻辑电路21-2的输出信号。HF控制逻辑电路21-2根据HF1_cont信号、HF2_cont信号及/WR信号生成(7-1)所示的HF_开/关_cont信号和(7-2)所示的HF_1/2_选择信号。该HF_开/关_cont信号进行高频分量生成电路(HFM)15-1的输出电流Ihf的开/关控制。另外，如图10所示，HF_1/2_选择信号控制切换电路19和20。在HF_1/2_选择信号为高的情况下，选择FREQ1寄存器17-1的输出和AMP1寄存器18-1的输出，并使高频分量生成电路(HFM)15-1生成第一条件的高频信号。另外，在HF_1/2_选择信号为低的情况下，选择FREQ2寄存器17-2的输出和AMP2寄存器18-2的输出，并使高频分量生成电路(HFM)15-1生成第二条件的高频信号。间隔期间为第一条件的高频分量叠加，标记期间为第二条件的高频分量叠加。
图13(8)表示高频分量生成电路(HFM)15-1的输出电流Ihf的开/关状态。间隔期间的第一高频分量叠加与实施例1相同。对于第二高频分量叠加，用Thf2_turn_off和Thf2_turn_on表示输出电流Ihf对HF_开/关_cont信号的控制延迟时间。
该图的(4)所示的Thf2_off时间表示截断第二高频分量Ihf之后到标记记录终止定时的时间。另外，Thf2_on时间表示从标记记录开始定时开始到第二高频分量叠加开始的时间。
在间隔期间内的第一高频分量叠加中，用于使Thf1_turn_off时间+Thf1_off时间在规定值以上的HF1_off的定时参数HF1_off(as-bm)的设定和用于使Thf1_on时间在零以上的Thf1_on的定时参数HF1_on(bm-as)的设定与实施例1相同。
另外，即使在标记期间内的第二高频分量叠加中，也可对应于Tecp值(标记记录终止定时)来设定HF2_off的定时参数HF2_off(bm-as)的设定值，以便Thf2_turn_off时间+Thf2_off时间在规定值以上。另外，对应于Tsfp值(标记记录开始的定时)来设定Thf2_on的定时参数HF2_on(as-bm)的设定值，以便Tht2_on时间在零以上。
结果，在标记记录开始定时之前Thf1_off时间和其后Thf2_on时间之间停止高频分量的叠加。另外，在标记记录终止定时之前Thf2_off时间和其后Thf1_on时间之间停止高频分量的叠加。
如上所述，在实施例2的在CD-R等间隔期间和标记期间内叠加不同条件的高频分量的方法中，在标记形成用半导体激光器驱动电流的开始定时前后的Thf1_off时间和Thf2_on时间之间停止高频分量的叠加，同时，在标记形成用半导体激光器驱动电流的终止定时前后的Thf2_off时间和Thf1_on时间之间停止高频分量的叠加，所以可避免标记形成用半导体激光器驱动电流和标记形成用光输出的开始和终止时高频分量的影响(源于高频分量控制延迟等的重叠所产生的影响和振荡延迟变动的影响)。另外，通过扩大上述高频叠加停止区间，可进一步减少高频分量的影响(在标记始端、终端部处的提供光能量的变动)。
另外，在间隔长度不足规定值的情况下不进行高频分量的叠加。因此，可避免在间隔长度短的情况下高频分量对后续标记形成用半导体激光器驱动电流开始的影响。结果，可增大Thf1_off、Thf1_on的值，避免高频分量的影响。
另外，在标记长度不足规定值的情况下不进行高频分量的叠加。因此，在标记长度短的情况下，停止在标记形成区间内的高频分量的叠加，可避免标记形成时的高频分量的影响。结果，可增大Thf2_off、Thf2_on的值，避免标记形成时叠加的高频分量的影响。
下面，作为在读期间和间隔期间内叠加不同条件的高频分量的实例，表示将实施例2适用于CD-RW记录的实例。
图14表示将实施例2适用于CD-RW记录中的情况下的写策略和HF开/关控制器13_2的动作定时。图中(10)、(11)和(5)表示对图中(4)所示的期望半导体激光器驱动电流的写策略部131的动作。(10-1)是计时器(1)131-5的动作，(10-2)是计时器(2)131-6的动作，(11-1)和(11-2)是计时器(1)131-5输出的超时_Pw信号和超时_Per信号，(11-3)是计时器(2)输出的超时_Pb信号。(5-1)的OUTE_Pw、(5-2)的OUTE_Per和(5-3)的OUTE_Pb信号是写策略部131的输出信号。前面已详细描述了该CD-RW时的动作。
图14(12)表示本实施例中HF_开/关控制电路的动作。(12-1)表示第一高频叠加控制电路132的动作，(12-2)表示第二高频叠加控制电路133的动作。(12-1)所示的第一高频叠加控制电路132的动作与上述适用于CD-R记录情况下的动作(图12)相同。
在CD-RW情况下，因为仅在记录中的间隔期间内进行高频分量的叠加，所以将其设定值HF2_on和HF2_off的参数值全部设定为00h，停止/WR＝L(写)中第二HF_开/关控制电路133的动作。
如图中(6-1)和(6-2)所示，与上述CD-R情况不同之点是，在/WR＝H(读)期间内，以HF1_cont信号为低(禁止)，HF2_cont信号为高(允许)的方式改变了/WR＝H期间两者的电平设定。在前者CD-R情况下，如图12的(6-1)和(6-2)所示，与CD-RW情况相反，在/WR＝H期间内，作成HF1_cont信号为高(允许)，HF2_cont信号为低(禁止)。
通过利用未图示的HF_cont信号电平设定电路，根据/WR信号来置位、复位输出HF1_cont和HF2_cont信号的RS触发器132-3和133-3来进行该/WR＝H区间的HF1_cont和HF2_cont的电平设定，从控制器1通过串行接口设定其模式、由此来进行置位某一方或复位另一方。
通过该模式设定，在上述CD-R情况下，在/WR＝H(读)期间和间隔期间内进行第一条件的高频分量的叠加，并在标记期间内进行第二条件的高频分量的叠加。与之相反，在上述CD-RW情况下，在/WR＝H(读)期间内叠加第二条件的高频分量，在间隔期间内叠加第一条件的高频分量。
图15表示将实施例2适用于CD-RW记录情况下HF开/关控制动作。图中(8)表示HF开/关控制结果的高频分量生成电路(HFM)15-1的输出电流Ihf的状态。间隔期间的第一高频分量叠加与上述CD-R情况相同。关于将Thf1_on和Thf1_off设定为规定时间以上，其意义与CD-R的情况相同。但是，因为对于功率Per叠加高频分量，所以作为第一高频分量条件(设定值)的FREQ1和AMP1的设定值、与在功率Pread中高频叠加的CD-R的高频分量设定值不同。
如上所述，即使在将实施例2适用于CD-RW的情况下，由于领先于标记形成用半导体激光器驱动电流的开始定时就停止Thf_off时间高频分量的叠加，同时，在标记形成用半导体激光器驱动电流终止定时后、在Thf1_off时间后才开始叠加高频分量，所以可减少高频分量的影响(源于高频分量控制延迟等的重叠产生的影响和在标记始端、终端部处的提供光能量的变动)。
(实施例3)实施例3是对实施例2，通过从控制器提供的时钟CLK低倍频来生成高频分量使之与记录时钟同步、并使该低倍数N和高频分量信号的占空比可变，来实现最佳高频叠加条件的实施例。
图16表示实施例3的结构图。具有与实施例1和实施例2相同功能的装置标以相同号码。与实施例2的不同之点是，变更了高频分量生成电路(HFM)的内部结构(后述)。还有一点是追加了设定第一低倍数N1的分频N1寄存器22-1、设定第二低倍数(N2)的分频N2寄存器22-2和选择一个寄存器输出的切换电路25。另外一点是追加了设定第一高频分量信号占空比的占空比1寄存器23-1、设定第二高频分量信号占空比的占空比2寄存器23-2和选择一个寄存器输出的切换电路24。再有一点是，删除实施例2中设定第二高频分量频率的FREQ2寄存器17-2(图10)，成为仅有设定第一高频分量的频率的FREQ1寄存器17-1。
图17表示实施例3中的高频分量生成电路(HFM)15-2的结构。151是输出对应于设定高频分量频率的FREQ1信号(FREQ1寄存器17-1输出)的控制电压或控制电流的频率设定用DA变换电路，152是输出对应于设定高频分量振幅值的AMP信号(切换电路20(图16)的输出)的控制电压或控制电流的振幅设定用DA变换电路，与实施例1和实施例2中的高频分量生成电路(HFM)15-1(图10)相同。
155是比较控制器1提供的时钟CLK与HF用分频电路157输出的频率和相位的相位比较电路，158是选择频率设定用DA变换电路151和相位比较电路155一方输出的切换电路，156是对应于来自切换电路158的输出电压或输出电流来改变其振荡频率的HF用VCO(或ICO电流控制振荡器)。该HF用VCO与构成用于写策略部131的PLL131-4的带分接头的VCO结构相同，例如将8个可变延迟元件连成环形来形成环形振荡器。159是对应于占空比设置信号(切换电路24的输出)，根据HF用VCO156的各分接头输出信号分接头0-分接头-7来控制高频分量信号的占空比的HF占空比控制电路。154是可变电流增益放大电路，与上述的高频分量生成电路(HFM)15-1相同。
下面说明实施例3的高频分量生成电路(HFM)15-2的动作。在切换电路158根据同步/非同步_sel信号选择了频率设定用DA变换电路151的输出时，HF用VCO156与实施例1一样在对应于FREQ1寄存器17-1的输出值的频率下振荡。在选择了那个HF用相位比较器155的输出的情况下，在对应于该HF用相位比较器155输出值的频率下振荡。由HF用分频电路157对该HF用VCO156的输出信号进行分频。由分频N1寄存器22-1、分频N2寄存器22-2来设定分频数N。分频数为正的整数值，HF用VCO156的振荡频率与N成正比地变大。被N分频了的信号在HF用相位比较器中与CLK的相位进行比较，由对应于相位差的输出来控制HF用VCO的振荡频率。构成了所谓PLL。结果，HF用VCO的输出信号与来自控制器1的时钟CLK同步的同时，变为N倍的频率。
HF用VCO156将构成VCO的8个可变延迟元件的各元件输出作为分接头输出，输出从分接头_0至分接头_7的信号，提供给HF占空比控制电路159。
图18表示HF占空比控制电路159的动作定时。图中(1)表示分接头信号分接头_0至分接头_7。(2)表示HF占空比控制电路159的输出信号实例。(2-1)是原样输出分接头_0信号的情况，此时的占空比为50％。(2-2)是通过分接头_0与分接头_1的AND逻辑生成的，占空比＝37.5％。(2-3)是通过分接头_0与分接头_2的AND逻辑生成的，占空比＝25％。(2-4)是通过分接头_0与分接头_3的AND逻辑生成的，占空比＝12.5％。
(2-5)至(2-7)是还使用分接头_4至分接头_7的信号生成的，(2-5)为占空比＝75％下的倍频信号，(2-6)为占空比＝50％下的倍频信号，(2-7)为占空比＝25％下的倍频信号。它们的生成逻辑如图所示。如(2-5)至(2-7)所示，因为可生成HF用VCO156的振荡频率倍频的高频分量，所以可扩大频率的可变范围。
通过图16所示占空比1寄存器23-1和占空比2寄存器23-2的设定值来选择输出(2-1)至(2-7)中的哪一个。
通过使高频分量占空比可变，而使半导体激光二极管4的振荡阈值Ith以上的驱动电流的时间tover可变。这与通常使占空比50％的高频分量的频率可变而改变tover时间的情况基本等价。
图21表示将实施例3适用于在间隔期间和标记期间内叠加高频分量的上述CD-R记录中的情况的动作定时。在本例中，如图中(9)所示，当/WR信号在高(读)区间内时、使同步/非同步sel信号为高(非同步)，当/WR信号在低(写)区间内时、使之为低(时钟同步)。因此，在读期间中，与现有技术一样进行对应于FREQ1寄存器17-1设定值的频率的高频分量的叠加。在写期间中，HF用VCO156由HF用相位比较器155控制，输出与控制器提供的时钟信号CLK同步的信号。写策略部131还使用由PLL131-4低倍来自控制器1的时钟信号CLK后的记录时钟chCLK进行动作。因此，通过CLK来同步记录时钟和高频分量的信号。
如图21的(7-1)和(7-2)所示，在HF_开/关_cont信号为高(HF开)、HF_1/2_选择信号为高(HF1)的情况下，选择分频N1寄存器22-1、占空比1寄存器23-1和AMP1寄存器18-1，由高频分量生成电路(HFM)15-2输出对应的频率、占空比和振幅值的高频分量，叠加在半导体激光器驱动电流上。另外，在HF_1/2_选择信号为低(HF2)的情况下，选择分频N2寄存器22-2、占空比2寄存器23-2和AMP2寄存器18-2，将对应的频率、占空比和振幅值的高频分量叠加在半导体激光器驱动电流上。
图21的(8)表示高频分量生成电路(HFM)15-2的输出电流Ihf的状态。另外，(4)表示在半导体激光器驱动电流上叠加了Ihf的状态。
如上所述，在实施例3中，因为使高频分量的信号与记录时钟同步，所以没有实施例1和2那种高频分量与标记记录开始位置和终止位置的相位发生变动的情况，总是一定的相位关系，高频分量对标记形成的始端和终端的影响总是恒定的。因此，除实施例2的效果外，还可避免伴随高频分量非同步性的在标记记录开始和终止位置处的光提供功率的变动。
另外，对于高频分量与记录时钟的同步化，因为可作成为基准时钟CLK的低倍数N可变、高频分量信号的占空比可变，所以可得到期望的光输出的脉冲宽度。因此，可等价地得到与设定为最佳频率等价的光脉冲，可设定与现有的高频分量发生方法等同的最佳条件。
另外，与现有技术相比，通过在低的频率下来减小占空比可等价得到与高的频率叠加同等的效果，所以与现有技术相比，可降低高频分量发生电路自身的动作频率。另外，即使作为光盘装置，也可通过设定低频率的高频分量来减轻装置功率和不必要的辐射等。
(实施例4)在实施例1-3中，说明了为第一和第二高频叠加控制电路而分别重新设置HF开/关控制用计时器的实例，但也可利用写策略部的计时器来等价进行HF开/关控制。
另外，可使用写策略部的输出信号在读区间和Per区间内进行HF叠加，也可以领行于标记记录开始定时，以与Per相同的功率电平插入与Per不同的功率状态(例如Pb或Per1等)，在间隔区间中进行HF的停止控制。
同样，也可以在标记记录终止定时后的规定时间内、以与Per相同的功率电平插入与Per不同的功率状态(例如Pb或Per2等)，在间隔区间中进行HF的叠加开始控制。此时，也可形成HF控制逻辑电路，以便在Per期间内进行HF叠加，在Pb或Per1或Per2期间内使HF叠加停止。
因此，由于不必增加必需的计时器数量就可进行HF开/关控制，结果，可降低计时器电路的电路规模。
如上所述，根据本发明，可避免高频分量叠加产生的标记始端和终端在盘上位置的变动。结果，可防止高速记录中的跳动恶化。
权利要求
1.一种光盘记录方法，照射来自激光二极管的激光，在光盘上形成标记和间隔，对信息进行记录，其特征在于，在间隔形成期间中，向上述激光二极管提供进行了高频叠加的驱动电流，相对于从间隔形成期间向标记形成期间变化的定时，提前一个规定的期间停止上述高频叠加。
2.一种光盘记录方法，照射来自激光二极管的激光，在光盘上形成标记和间隔，对信息进行记录，其特征在于，在间隔形成期间中，向上述激光二极管提供进行了高频叠加的驱动电流，相对于从标记形成期间向间隔形成期间变化的定时，在规定的期间之后开始上述高频叠加。
3.一种光盘装置，在光盘上形成标记和间隔，对信息进行记录，其特征在于，具备照射激光的激光二极管、驱动上述激光二极管的激光二极管驱动部、以及控制上述激光二极管驱动部的控制部，上述控制部进行如下控制在间隔形成期间中，向上述激光二极管提供上述激光二极管驱动部进行了高频叠加的驱动电流，此外，相对于从间隔形成期间向标记形成期间变化的定时，提前一个规定的期间停止上述提供。
4.一种光盘装置，在光盘上形成标记和间隔，对信息进行记录，其特征在于，具备照射激光的激光二极管、驱动上述激光二极管的激光二极管驱动部、以及控制上述激光二极管驱动部的控制部，上述控制部进行如下控制在间隔形成期间中，向上述激光二极管提供上述激光二极管驱动部进行了高频叠加的驱动电流，此外，相对于从标记形成期间向间隔形成期间变化的定时，在规定的期间之后停止上述提供。
5.一种光盘装置，在光盘上形成标记和间隔，对信息进行记录，其特征在于，具有照射激光的激光二极管、驱动上述激光二极管并具有输出高频电流的高频电流输出单元和输出直流电流的直流电流输出单元的激光二极管驱动部、检测上述激光二极管的输出功率的前监视器、将上述前监视器的输出电流变换成电压的第1电流电压变换电路、检测来自上述光盘的反射光的盘反射光检测元件、将上述盘反射光检测元件的输出电流变换成电压的第2电流电压变换电路、控制上述激光二极管驱动部的控制部、以及连接上述激光器驱动电路和上述控制部的柔性电缆，上述控制部进行如下控制在间隔形成期间中，向上述激光二极管提供上述激光二极管驱动部进行了高频叠加的驱动电流，此外，相对于从间隔形成期间向标记形成期间变化的定时，提前一个规定的期间停止上述提供。
6.一种光盘装置，在光盘上形成标记和间隔，对信息进行记录，其特征在于，具有照射激光的激光二极管、驱动上述激光二极管并具有输出高频电流的高频电流输出单元和输出直流电流的直流电流输出单元的激光二极管驱动部、检测上述激光二极管的输出功率的前监视器、将上述前监视器的输出电流变换成电压的第1电流电压变换电路、检测来自上述光盘的反射光的盘反射光检测元件、将上述盘反射光检测元件的输出电流变换成电压的第2电流电压变换电路、控制上述激光二极管驱动部的控制部、以及连接上述激光器驱动电路和上述控制部的柔性电缆，上述控制部进行如下控制在间隔形成期间中，向上述激光二极管提供上述激光二极管驱动部进行了高频叠加的驱动电流，此外，相对于从标记形成期间向间隔形成期间变化的定时，在规定的期间之后停止上述提供。
7.一种光盘记录方法，通过照射来自激光二极管的激光从而在光盘上进行记录，其特征在于，包括向上述激光二极管提供对第一电流进行了高频叠加的电流的第一步骤、向上述激光二极管提供未进行高频叠加的第一电流的第二步骤、以及向上述激光二极管提供比上述第一电流大的第二电流的第三步骤，上述第一步骤、第二步骤和第三步骤在将标记和间隔形成于上述光盘上的记录工作期间进行。
8.根据权利要求7所述的光盘记录方法，其特征在于，在上述第三步骤后，设置向上述激光二极管提供对上述第二电流进行了高频叠加的电流的第四步骤。
9.根据权利要求7或8所述的光盘记录方法，其特征在于，在上述第一步骤中，在上述光盘上形成间隔，在上述第三步骤中，在上述光盘上形成标记。
10.一种光盘记录方法，通过照射来自激光二极管的激光从而在光盘上进行记录，其特征在于，包括向上述激光二极管提供第一电流的第一步骤、向上述激光二极管提供比上述第一电流小且未进行高频叠加的第二电流的第二步骤、以及向上述激光二极管提供对上述第二电流进行了高频叠加的电流的第三步骤，上述第一步骤、第二步骤和第三步骤在将标记和间隔形成于上述光盘上的记录工作期间进行。
11.根据权利要求10所述的光盘记录方法，其特征在于，在向上述激光二极管提供对上述第一电流进行了高频叠加的电流的第四步骤之后实施上述第一步骤。
12.根据权利要求10或11所述的光盘记录方法，其特征在于，在上述第一步骤中，在上述光盘上形成标记，在上述第三步骤中，在上述光盘上形成间隔。
13.根据权利要求7至12的任何一项所述的光盘记录方法，其特征在于，在提供上述第二电流时使用的高频分量周期的1/2期间或更长期间持续进行上述第二步骤。
全文摘要
在数据记录中，在间隔形成期间或间隔和标记形成期间在半导体激光器驱动电流上叠加高频分量来降低半导体激光器噪声的情况下，存在下述问题，因高频叠加的控制电路延迟等、在标记形成开始定时和标记形成终止定时处高频分量重叠起来，或当此前进行了叠加时，则在盘上形成的标记始端和终端的边沿因高频分量信号与记录时钟的不同步性而变动。本发明设置了高频叠加控制装置，在比标记形成用半导体激光器驱动电流的终止定时领先了规定时间后就停止叠加高频分量，并在比标记形成用半导体激光器驱动电流的开始定时滞后了规定时间后才开始叠加高频分量。由此可避免高频分量叠加引起的标记始端和终端在盘上的变动。结果可防止高速记录中的跳动恶化。
文档编号G11B7/006GK1801337SQ200510119490
公开日2006年7月12日 申请日期2002年11月5日 优先权日2001年12月20日
发明者浅田昭广, 榑林正明 申请人:株式会社日立制作所, 日立乐金资料储存股份有限公司