专利名称：：光记录介质的制作方法
技术领域：
：本发明涉及一种具有多层记录层的光记录介质。
背景技术：
：作为信息记录介质，CD(CompactDisc)，DVD(DigitalVersatileDisc)等光记录介质被广泛利用。而且，近年来受人注目的是，通过采用蓝色或蓝紫色激光作为照射光，能够记录比以往更大容量的信息的光记录介质。另外，光记录介质大致分为不可追加数据或擦写数据的ROM(ReadOnlyMemory)型、可擦写数据的RW(Rewritable)型、只能追加一次数据的R(Recordable)型。R型光记录介质通过激光照射记录层而形成反射率低于周围的空间部的记录标记来记录数据。并且，记录用的激光也照射到记录标记周围的空间部，但由于照射到空间部的记录用的激光的光量较少，所以空间部的反射率和激光照射之前的记录层的反射率相等。另外，R型的光记录介质利用光电检测器来检测出的由激光照射记录层所构成的记录标记的反射率和空间部的反射率的差来再生数据。这种光记录介质由于具有多层记录层，所以能够提高相应的记录容量。在具有多层记录层的R型光记录介质上记录数据时，通过调整记录用的激光的焦点使其与记录对象的记录层相吻合，能够选择性地将数据记录到记录对象的记录层。另外，通过调整再生用的激光的焦点使其与再生对象的记录层相吻合，能够选择性地从再生对象的记录层再生数据。这种具有多层记录层的R型的光记录介质利用对各记录层照射同等输出的再生用的激光，可以用光电检测器能够检测出各记录层的反射光的强度的近似值。具体地说，可以用光电检测器检测出的相邻的两层记录层的反射光的反射率为未满二倍的范围内的近似值。但是，激光通过上侧记录层照射到配置在与激光的入射面相对离开的位置的下侧记录层，由于该激光的一部分被上侧记录层所吸收，所以到达下侧记录层的激光的光量相应地减少。因此，在对下侧记录层进行照射的再生用的激光的输出和对上侧记录层的照射的再生用的激光的输出相等时，到达下侧记录层的激光的光量比到达上侧记录层的激光的光量小。进而，由于对下侧记录层照射的激光的反射光通过上侧记录层而到达光电检测器，所以反射光也被上侧记录层吸收一部分。因此，对下侧记录层照射的再生用的激光的输出和对上侧记录层照射的再生用的激光的输出相等，并且，在下侧记录层的反射率和上侧记录层的反射率相等时，光电检测器检测出的下侧记录层的反射率的值比上侧记录层的反射率的值低。对此，公知的是将上侧记录层做成比下侧记录层薄的R型的光记录介质(参照例如，JP特开2003-266936号公告)。简单地说明其作用。图6是表示单层记录层的厚度和反射率的关系的图。另外，在图6中，带有符号S的曲线是记录层的空间部的反射率，带有符号M的曲线是记录标记的反射率。如符号S曲线所示，记录层在规定的厚度时空间部的反射率最大，比规定的厚度薄或厚时，其反射率都有下降的倾向。另外，如符号M曲线所示，对于记录标记也是一样，在大致相同的厚度时反射率最大，比规定的厚度薄或厚时，反射率都有下降的倾向。另外，记录标记的反射率和空间部的反射率的差也是在这些反射率成为最大时的厚度附近为最大，比上述厚度薄或厚时，反射率的差都减少，当记录层过于厚或过于薄时，反射率的差都过于小而不能读取记录标记。因此，例如，以反射率最大时的厚度而形成下侧记录层，由于上侧记录层比该厚度薄，能够使下侧记录层的反射率比上侧记录层的反射率高。通过这样的结构，对下侧记录层照射的激光的输出和对上侧记录层照射的激光的输出相等，由此，即使到达下侧记录层的激光的光量比到达上侧记录层的激光的光量小，进而照射下侧记录层的激光的反射光的一部分被上侧记录层所吸收，然后到达光电检测器，这时光电检测器也能够检测出来自双方记录层的反射光的反射率的近似值。另外，在比反射率最大时的厚度更厚的区域，能够得到记录标记的反射率和空间部的反射率的足够的差的范围窄，而且在此范围内，由于不能相对于接近最大值的下侧记录层的反射率而充分地减少上侧记录层的反射率，所以在该点上也可以选择将上侧记录层做成比下侧记录层薄的结构。进一步，由于上侧记录层比下侧记录层薄，可以减少上侧记录层的激光吸收量，并增加到达下侧记录层的激光的光量，所以在该点上也可以选择将上侧记录层做成比下侧记录层薄的结构。但是，由于上侧记录层比下侧记录层薄，有时不能在上侧记录层形成期望的特性良好的记录标记。具体地说，如上所述，由于上侧记录层变薄，上侧记录层的记录标记的反射率以及其周围的空间部的反射率降低，同时它们的反射率的差也缩小，所以当使上侧记录层薄到能够使到达下侧记录层的激光的光量充分地增加的程度时，有可能在上侧记录层相对空间部不能够形成反射率足够低的记录标记。
发明内容本发明是鉴于这种问题而研制的，其目的在于，提供一种光记录介质，其具有多层记录层，在任意一层记录层都能够形成良好的记录标记。本发明通过一种光记录介质来实现上述目，该光记录介质包含多层记录层，在这些记录层中，使配置在相对激光的入射面近侧的记录层厚于配置在比该记录层远离激光的入射面一侧的记录层。本发明人在研制本发明的过程中，尝试使用各种材料来形成记录层时，发现使用规定的材料形成的记录层的消光系数显著地低于以往的记录层。另外，发现该记录层通过激光的照射能够形成与周围的空间部相比厚度增加的记录标记。这样，通过使上侧记录层比下侧记录层厚，能够在上侧记录层形成期望的特性良好的记录标记。另外，通过将上侧记录层的消光系数至少抑制在例如0.35或其以下的低值，即使相对激光的入射面侧配置的上侧记录层形成得厚，由于上侧记录层很难吸收对配置在比其远离激光入射面一侧的下侧记录层进行照射的激光，因此，能够提高用光电检测器检测出的下侧记录层的反射率，同时也能够在下侧记录层形成良好的记录标记。另外，形成与周围的空间部相比厚度增加的记录标记时，该记录标记的反射率相对于上述图6中表示的带有M符号的曲线所示记录标记的反射率，与只增加厚度的厚的记录层的记录标记的反射率相等。换而言之，记录层的厚度和记录标记的反射率的关系如图1所示那样，与图6相对，带有符号M的只增加厚度的厚的曲线向厚度薄的方向平行移动。由此，趋近于空间部的反射率最大时的厚度以及更厚的区域的空间部的反射率和记录标记的反射率的差变大。特别是，在比空间部的反射率最大时的厚度更厚的区域，空间部的反射率和记录标记的反射率的差大的范围被扩大。换而言之，在比空间部的反射率最大时的厚度更厚的区域，能够对记录层的厚度进行设定的范围被扩大。因此，例如，将下侧记录层的厚度设定为趋近于空间部的反射率最大时的厚度，由于使下侧记录层的反射率高于上侧记录层的反射率，所以即使上侧记录层比下侧记录层厚，也可以得到足够大的上侧记录层的记录标记的反射率和空间部的反射率的差，并且，通过这样增加上侧的记录层的厚度，能够如上所述在上侧的记录层形成期望的特性良好的记录标记。这样，本发明实现这样的光记录介质，其通过将配置在相对激光的入射面侧的上侧记录层，形成得比远离入射面一侧的下层记录层更厚，从而任意一层记录层都能得到良好的记录特性以及再生特性，与使上侧记录层的厚度和下层记录层的厚度相同或是比下侧记录层薄的常识即以往的技术相对，本发明是基于完全不同的概念而研制的。即，通过如下所述的发明可以实现上述目的。(1)一种光记录介质，其特征在于，包含多层记录层，在这些记录层中，配置在相对接近上述激光的入射面侧的记录层比配置在相比于该记录层远离上述激光的入射面侧的记录层厚。(2)如(1)所述的光记录介质，其特征在于，在上述记录层中，至少与在配置在离上述激光的入射面最远的位置上的记录层相比，配置在上述入射面侧的记录层通过激光照射而形成与周围的空间部相比厚度增加的记录标记。(3)如(1)或是(2)所述的光记录介质，其特征在于，在上述记录层中，至少与在配置在离上述激光的入射面最远的位置上的记录层相比，配置在上述入射面侧的记录层的消光系数为0.35或其以下。(4)如(3)所述的光记录介质，其特征在于，上述记录层的材料具有在规定的厚度时上述空间部的反射率最大的特性，在上述记录层中，与在配置在离上述激光的入射面最远的位置上的记录层相比，配置在上述入射面侧的至少一层记录层形成得比上述空间部的反射率最大时的厚度更厚。(5)如(1)至(4)中任意一项所述的光记录介质，其特征在于，至少与在配置在离上述激光的入射面最远的位置上的记录层相比，配置在上述入射面侧的记录层实质上由Bi及O构成，该记录层中的O原子数的比率为62％或其以上。(6)如(5)所述的光记录介质，其特征在于，在上述记录层中，与在配置在离上述激光的入射面最远的位置的记录层相比，配置在上述入射面侧的至少一层记录层实质上由Bi、O以及X(X为从Mg、Al、Si、Zn、Ge、Y、Sn、Sb、V、Dy、Ti中选择的至少一种元素)构成。(7)如(5)或是(6)所述的光记录介质，其特征在于，在上述记录层中，与在配置在离入射面最近的位置的记录层相比，配置在离开上述入射面侧的至少一层记录层实质上由Bi、O以及Z(Z为从Fe、Cu、Mo、Ag、W、Ir、Pt、Au中选择的至少一种元素)构成。另外，在本申请中所谓“记录层实质上由Bi、O构成”的意思是记录层中的Bi、O的原子数的合计值相对于构成记录层的总的原子数的比率为80％或其以上。记录层实质上由Bi、O构成时，更优选记录层中的Bi、O的原子数的合计值相对于构成记录层的总的原子数的比率为90％或其以上。记录层实质上由Bi、O构成，记录层中的Bi、O的原子数的合计值相对于构成记录层的总的原子数的比率为80％或其以上时，记录层也可以包含Bi、O以外的其他的添加元素。可以添加一种元素，也可以添加2种元素，但优选至少一种添加元素为X或是Z所包含的元素。另外，所谓“记录层实质上是由Bi、O以及X构成”的意思是记录层中的Bi、O以及X的原子数的合计值为80％或其以上。记录层实质上由Bi、O以及X构成时，更优选记录层中的Bi、O的原子数的合计值相对于构成记录层的总的原子数的比率为90％或其以上。所谓“记录层实质上由Bi、O以及Z构成”也同样如此。根据本发明，能够实现具有多层记录层、在任意一层记录层都可以形成良好的记录标记的光记录介质。图1是表示本发明第一实施方式涉及的光记录介质的记录层的厚度和反射率的关系的图。图2是模式的表示同一光记录介质的记录层周边的结构的侧剖面图。图3是模式的表示同一光记录介质的整体结构的侧剖面图。图4是模式的表示本发明的第二实施方式涉及的光记录介质的整体结构的侧剖面图。图5是模式的表示本发明的第三实施方式涉及的光记录介质的整体结构的侧面剖面图。图6是表示以往的光记录介质的记录层的厚度和反射率的关系的图具体实施方式以下，针对用于实施本发明的优选方式，参照附图详细说明。本发明的第一实施方式涉及的光记录介质10是外径约为120mm，厚度约为1.2mm的圆盘形状，如图2以及图3所示，其特征在于，包含第一记录层14和第二记录层16，配置在相对于激光的入射面18的近侧的第二记录层16厚于配置在比该第二记录层16远离激光入射面18的侧的第一记录层14。有关的其他的结构和以往的光记录介质相同，或是类似于以往的光记录介质，由于对于理解本发明并不特别重要，所以适当地省略说明。第一记录层14和第二记录层16的消光系数为0.35或其以下。另外，如图2所示，第一记录层14和第二记录层16是以这种方式构成，即通过照射激光，形成与周围的空间部11相比厚度增加了的记录标记12。第一记录层14和第二记录层16实质上由Bi、O构成，这些第一记录层14和第二记录层16中的这些O原子数的比率为62％或以上。另外，优选第一记录层14和第二记录层16中的O原子数的比率为73％或其以下。该材料的记录层的厚度和反射率的关系如图1中的带有符号S、M的曲线所示。在这里所示的反射率是记录层自身的反射率，与通过光电检测器20检测出的第二记录层16的反射率大致相等，但比通过光电检测器20检测出的第一记录层14的反射率大。如图1所示，这些第一记录层14和第二记录层16的材料具有在规定的厚度(本第一实施方式中约为40nm)下，空间部11的反射率最大的特性。以与空间部11的反射率最大时的厚度大致相等的约45nm的厚度来形成第一记录层14。另一方面，以厚于空间部11的反射率成为最大时的厚度来形成比第一记录层14更向入射面18侧靠近的第二记录层16。即，第一记录层14的反射率比第二记录层16的反射率高。另外，第一记录层14的材料可以为包含从Fe、Cu、Mo、Ag、W、Ir、Pt、Au中选择的至少一种元素的材料。通过添加这些的元素，能够得到提高记录感度的效果。另一方面，第二记录层16的材料可以为包含从Mg、Al、Si、Zn、Ge、Y、Sn、Sb、V、Dy、Ti中选择的至少一种元素的材料。通过添加这些的元素，能够取得使第二记录层16的消光系数降低、使到达第一记录层14的激光的光量增大的效果。这样，通过添加Bi、O以外的元素，对第一记录层14的记录感度、第二记录层16的消光系数进行调整，可以使比第二记录层16更薄，通过第二记录层16进行激光照射的第一记录层14的记录感度接近于第二记录层16的记录感度。另外，通过降低第二记录层16的消光系数，可以使通过第二记录层16进行激光照射的第一记录层14的、用光电检测器20检测出的反射率和第二记录层16的反射率相接近。第一记录层14以及第二记录层16形成在基板22上，在第二记录层16的基板22的相反侧形成保护层24。另外，在第一记录层14和第二记录层16之间形成间隔层26。基板22的厚度约为1.1mm，在保护层24侧的表面上形成构成沟槽的凹凸图案。另外，所谓“沟槽”一般是指为了数据的记录/再生而使用的凹部的意思，但是，在本申请中，为了方便，数据的记录/再生所使用的部位是在保护层24上突出的凸部时，也使用“沟槽”这一用语。在本第一实施方式中，向保护层24一侧突出的凸部是沟槽。另外，作为基板22的材料，可以使用聚碳酸酯树脂、丙烯酸树脂、环氧树脂、聚苯乙烯树脂、聚乙烯树脂、聚丙烯树脂、硅酮树脂、氟类树脂、ABS树脂、聚氨酯树脂等。保护层24的厚度为例如30～150μm。作为保护层24的材料，可以使用具有透光性的丙烯酸类紫外线固化性树脂、环氧类紫外线固化性树脂等的能量射线固化性树脂。这里，所谓“能量射线”的意义，是对具有使流动状态的特定的树脂固化的特性的射线、例如紫外线、电子射线等的电磁波、粒子射线的总称。另外，作为形成保护层24的方法，可以在基板上涂敷具有流动性的树脂后，照射能量射线使其固化，也可以将预先制作的透光性的薄膜粘贴在基板上。间隔层26的厚度为例如9～50μm，其两面为和基板22相同的沟槽的凹凸图案。另外，作为间隔层26的材料，可以使用和保护层24相同的，具有透光性的丙烯酸类紫外线固化性树脂、环氧类紫外线固化性树脂等的能量射线固化性树脂。仿照基板22的凹凸图案，以凹凸图案的方式形成第一记录层14。另外，仿照间隔层26的凹凸图案，以凹凸图案的方式形成第二记录层16。下面，对光记录介质10的作用进行说明。由于光记录介质10的第二记录层16比第一记录层14厚，所以，在第二记录层16上形成期望的特性良好的记录标记。另外，由于第二记录层16的消光系数为0.35或其以下，因此即使较厚地形成第二记录层，照射在配置于远离激光入射面18侧的第一记录层14上的激光也很难被第二记录层16吸收，由此，在第一记录层14也可以形成良好的记录标记，同时可以提高光用电检测器20检测出的第一记录层14的反射率。另外，如图1所示，通过激光的照射，在第一记录层14以及第二记录层16上，形成与周围的空间部11相比厚度增加了的记录标记12，因此，空间部11的反射率和记录标记12的反射率的差大的厚度的范围变广，在趋近空间部11的反射率最大时的厚度以及更厚的区域，空间部11的反射率和记录标记12的反射率的差大。特别是，在比空间部11的反射率最大时的厚度更厚的区域，空间部11的反射率和记录标记12的反射率的差大的范围广。即，可设定的记录层的厚度的范围广。因此，将第一记录层14的厚度设定为趋近空间部11的反射率最大时的厚度，从而由于第一记录层14的反射率高于第二记录层16的反射率，所以，即使第二记录层16的厚度设定得比第一记录层14厚，也可以在第二记录层16上得到足够大的记录标记12的反射率和空间部11的反射率的差，并且，通过这样加厚第二记录层16的厚度，能够如上所述在第二记录层上形成期望的特性良好的记录标记。下面，对本发明的第二实施方式进行说明。如图4所示，本发明的第二实施方式涉及的光记录介质30相对于上述第一实施方式涉及的光记录介质10，除了具有上述第一记录层14、第二记录层16之外，还具有第三记录层32、第四记录层34。有关的其他结构，和上述第一实施方式相同，所以对于相同的结构使用和第一实施方式相同的符号，适当地省略其说明。第一记录层14、第二记录层16、第三记录层32、第四记录层34按这样的次序并列配置在从基板22向激光的入射面18的方向上。在第一记录层14、第二记录层16、第三记录层32以及第四记录层34之间分别配置有间隔层26。另外，第四记录层34连接着保护层24。第三记录层32、第四记录层34的材料和第一记录层14以及第二记录层16的材料同样实质上由Bi以及O构成，这些第三记录层32、第四记录层34中的O原子数的比率为62％或其以上。第三记录层32比第二记录层16厚，第四记录层34比第三记录层32厚。即，光记录介质30是这样的结构，在从基板22向激光入射面18的方向上，并列配置的第一记录层14、第二记录层16、第三记录层32以及第四记录层34，并按这样的次序逐层变厚。由此，光记录介质30成为这样的结构，第四记录层34、第三记录层32、第二记录层16、第一记录层14在从基板22向激光入射面18的方向上反射率(记录层自身的反射率)按这样次序逐层变高。由于光记录介质30和光记录介质10同样，其第二记录层16、第三记录层32以及第四记录层34比第一记录层14厚，所以能够在第二记录层16、第三记录层32以及第四记录层34上形成期望的特性良好的记录标记。另外，由于第二记录层16、第三记录层32、第四记录层34的消光系数为0.35或其以下，所以即使较厚地形成第二记录层16、第三记录层32、第四记录层34，照射到第一记录层14、第二记录层16、第三记录层32上的激光也很难被第二记录层16、第三记录层32以及第四记录层34吸收，因此，也能够在第一记录层14、第二记录层16、第三记录层32上形成良好的记录标记，同时能够提用高光电检测器20检测出的第一记录层14、第二记录层16、第三记录层32的反射率。另外，通过激光的照射而在第一记录层14、第二记录层16、第三记录层32以及第四记录层34上，形成比周围的空间部11厚度增加了的记录标记12，因此，空间部11的反射率和记录标记12的反射率的差大的厚度的范围变广，在趋近空间部11的反射率最大时的厚度以及更厚的区域，空间部11的反射率和记录标记12的反射率的差大。特别是，在比空间部11的反射率最大时的厚度更厚的区域，空间部11的反射率和记录标记12的反射率的差大的范围广。即，可以设定的记录层的厚度的范围广。因此，将第一记录层14的厚度设定为趋近空间部11的反射率最大时的厚度，由于使第一记录层14的反射率比第二记录层16、第三记录层32以及第四记录层34的反射率高，所以即使将第二记录层16、第三记录层32以及第四记录层34设定得比第一记录层14厚，也可以在第二记录层16、第三记录层32以及第四记录层34上得到足够大的记录标记12的反射率和空间部11的反射率的差，并且，通过这样加厚第二记录层16、第三记录层32以及第四记录层34的厚度，能够如上所述在第二记录层16、第三记录层32以及第四记录层34上形成期望的特性良好的记录标记。下面，对本发明的第三实施方式进行说明。如图5所示，本发明的第三实施方式涉及的光记录介质40相对于上述第二实施方式涉及的光记录介质30，除了具有上述第一记录层14、第二记录层16、第三记录层32、第四记录层34之外，还具有第五记录层42、第六记录层44。有关的其他结构，和上述第二实施方式相同，因此对于相同的结构使用和第一实施方式相同的符号，适当地省略其说明。第一记录层14、第二记录层16、第三记录层32、第四记录层34、第五记录层42、第六记录层44按这样的顺序并列配置在从基板22向激光的入射面18的方向上。在第一记录层14、第二记录层16、第三记录层32、第四记录层34、第五记录层42以及第六记录层44之间分别配置有间隔层26。另外，第六记录层44连接着保护层24。第五记录层42、第六记录层44的材料和第一记录层14的材料同样实质上由Bi以及O构成，这些第五记录层42、第六记录层44中的O原子数的比率为62％或其以上。第五记录层42比第四记录层34厚，第六记录层44比第五记录层42厚。即，光记录介质40具有这样的结构，第一记录层14、第二记录层16、第三记录层32、第四记录层34、第五记录层42以及第六记录层44按这样的次序并列配置在从基板22向激光入射面18的方向上，并按此次序逐层变厚。由此，光记录介质40具有这样的结构，第六记录层44、第五记录层42、第四记录层34、第三记录层32、第二记录层16、第一记录层14的反射率(记录层自身的反射率)按这样的次序在从基板22向激光入射面18的方向上逐层变高。由于光记录介质40也和光记录介质30同样，其第二记录层16、第三记录层32、第四记录层34、第五记录层42、第六记录层44比第一记录层14厚，所以能够在第二记录层16、第三记录层32、第四记录层34、第五记录层42以及第六记录层44上形成期望的特性良好的记录标记。另外，由于第二记录层16、第三记录层32、第四记录层34、第五记录层42、第六记录层44的消光系数为0.35或其以下，所以即使第二记录层16、第三记录层32、第四记录层34、第五记录层42、第六记录层44形成得厚，对第一记录层14、第二记录层16、第三记录层32、第四记录层34、第五记录层42照射的激光也很难被第二记录层16、第三记录层32以及第四记录层34、第五记录层42、第六记录层44吸收，因此，也能够在第一记录层14、第二记录层16、第三记录层32、第四记录层34、第五记录层42上形成良好的记录标记，同时能够提高用光电检测器20检测出的第一记录层14、第二记录层16、第三记录层32、第四记录层34、第五记录层42的反射率。另外，由于通过激光照射在第一记录层14、第二记录层16、第三记录层32、第四记录层34、第五记录层42、第六记录层44上，形成与周围的空间部11相比厚度增了加的记录标记12，所以空间部11的反射率和记录标记12的反射率的差大的厚度的范围广，在趋近于空间部11的反射率最大时的厚度以及更厚的区域，空间部11的反射率和记录标记12的反射率的差大。特别是，在比空间部11的反射率最大时的厚度更厚的区域，空间部11的反射率和记录标记12的反射率的差大的范围广。即，可以设定的记录层的厚度的范围广。因此，将第一记录层14的厚度设定为趋近空间部11的反射率为最大时的厚度，由于使第一记录层14的反射率比第二记录层16、第三记录层32、第四记录层34、第五记录层42以及第六记录层44的反射率高，所以即使第二记录层16、第三记录层32、第四记录层34、第五记录层42以及第六记录层44的厚度设定得比第一记录层14厚，也可以在第二记录层16、第三记录层32、第四记录层34、第五记录层42以及第六记录层44上得到足够大的记录标记12的反射率和空间部11的反射率的差，并且，通过这样加厚第二记录层16、第三记录层32、第四记录层34、第五记录层42以及第六记录层44的厚度，能够如上所述在第二记录层16、第三记录层32、第四记录层34、第五记录层42以及第六记录层44上形成期望的特性良好的记录标记。另外，在上述第一～第三实施方式中，以和空间部11的反射率为最大时的厚度大致相等的厚度来形成第一记录层14，也能够在第一记录层14上得到足够大的记录标记12的反射率和空间部11的反射率的差，并且只要是记录层的反射率在从激光的入射面18向基板22的方向上逐层变高，则第一记录层14的厚度比空间部11的反射率最大时的厚度薄或厚都可以。另外，在上述第一～第三实施方式中，第一记录层14、第二记录层16、第三记录层32、第四记录层34、第五记录层42、第六记录层44的材料为空间部11的反射率最大时的厚度约40nm的材料，但作为第一记录层14、第二记录层16、第三记录层32、第四记录层34、第五记录层42、第六记录层44的材料，既可以使用比空间部11的反射率最大时的厚度40nm厚的材料，也可以使用比40nm薄的材料。另外，在上述第一～第三实施方式中，第一记录层14、第二记录层16、第三记录层32、第四记录层34、第五记录层42、第六记录层44的材料实质上是由Bi以及O构成，但只要材料的消光系数为例如0.35或其以下的较小的数值，则都可以使用其他的材料作为第一记录层14、第二记录层16、第三记录层32、第四记录层34、第五记录层42、第六记录层44的材料。此时，也优选使用通过激光照射可以形成与周围的空间部相比厚度增加的记录标记的材料。例如，可以使用含有Bi、Ge以及N的材料。另外，在上述第一～第三实施方式中，第一记录层14、第二记录层16、第三记录层32、第四记录层34、第五记录层42、第六记录层44含有相同的构成元素(Bi以及O)，但是，第一记录层14也可以不含有和第二记录层16、第三记录层32、第四记录层34、第五记录层42、第六记录层44相同的构成元素。例如作为第一记录层14的材料，也可以使用消光系数值大于0.35的材料。另外，作为第一记录层14的材料也可以使用通过激光照射没有形成与周围的空间部相比厚度增加的记录标记的材料。另外，在上述第二实施方式中，光记录介质30具有这样的结构，第一记录层14、第二记录层16、第三记录层32以及第四记录层34按这样的次序在从基板22向激光入射面18的方向上逐层变厚，第四记录层34、第三记录层32、第二记录层16、第一记录层14的反射率(记录层自身的反射率)在从激光入射面18向基板22的方向上按次序逐层变高；在上述第三实施方式中，光记录介质40具有这样的结构，第一记录层14、第二记录层16、第三记录层32、第四记录层34、第五记录层42、第六记录层44按此次序在从基板22向激光入射面18的方向上逐层变厚，第六记录层44、第五记录层42、第四记录层34、第三记录层32、第二记录层16、第一记录层14的反射率(记录层自身的反射率)从激光入射面18向基板22的方向上按次序逐层变高，但是，只要这些记录层中的任意两层的组合的结构是上侧记录层厚于下侧记录层，则对于其他的组合，厚度也可以不满足这种关系，上述上侧记录层相对配置在激光入射面18的近侧，上述下侧记录层配置在比上述上侧记录层远离激光入射面18的那一侧。此时也可以得到一定的提高相对配置在激光的入射面18的近侧的上侧记录层的记录感度的效果。另外，在上述第一实施方式的图2中，虽然记录标记12是整体厚度相同的形状，但只要至少一部分比周围的空间部厚，则对记录标记的形状没有特别的限定，也可以全部比周围的空间部厚，并且也可以厚度根据部位而不同，也可以只有一部分比周围的空间部厚，其他的部位和空间部同样厚等。例如，可以为中心附近最厚，远离中心逐渐变薄的形状。实际上，以这种形状形成的记录标记较多。另外，记录标记中的各个部位的厚度可以通过使用TEM(TransmissionElectronMicroscope)观察记录标记的剖面来确认。另外，在上述第一～第三实施方式中，光记录介质10、光记录介质30、光记录介质40都是以第一记录层14、第二记录层16、第三记录层32、第四记录层34、第五记录层42、第六记录层44直接与基板22、保护层24、间隔层26的任意一层相接触的方式而构成，但是，例如也可以在第一记录层14和基板22的之间设置反射层。作为反射层的材料可以使用Al、Ag、Au、Cu、Mg、Ti、Cr、Fe、Co、Ni、Zn、Ge、Pt、Pd或这些金属的合金等。在这些金属中，从能够得到高反射率这点考虑，优选使用Al、Ag、Au、Cu、AgPdCu等的合金。另外，也可以使用电介质材料作为反射层的材料。另外，也可以在部分或是全部的记录层的一侧或是两侧设置电介质层。作为电介质材料可以使用例如，SiO2、Al2O3、ZnO、CeO2、Ta2O5等氧化物，SiN、AlN、GeN、GeCrN、TiO2等氮化物，ZnS等硫化物，还有例如，像ZnS和SiO2的混合物那样的，以这些化合物的组合材料为主要成分的材料。另外，上述第一实施方式中的光记录介质10具有两层记录层，上述第二实施方式中的光记录介质30具有4层记录层，另外，上述第三实施方式中的光记录介质40具有6层记录层，但本发明也适用于具有3层记录层的光记录介质和具有5层记录层的光记录介质，甚至适用于具有7层记录层的光记录介质。另外，在上述第一～第三实施方式中，光记录介质10、30、40为只具有单面记录层的单面记录方式，但当然本发明也能够适用于具有双面记录层的双面记录方式的光记录介质。另外，在上述第一～第三实施方式中，光记录介质10、30、40的结构是保护层24比基板22薄，但本发明也能够适用于如同DVD那样基板和保护层具有相同厚度的光记录介质。另外，此时，基板以及保护层的形状大致相等，但在本申请中，将记录/再生用的激光照射的一侧称为保护层。(实施例1)制作了五种与第一实施方式的光记录介质10结构相同的两层记录方式的光记录介质。这五种光记录介质的第二记录层16的厚度各不相同，除了第二记录层16以外，结构是相同的。具体地说，使用由Bi以及O构成的材料作为第一记录层14、第二记录层16的材料，这些第一记录层14、第二记录层16中的O原子数的比率为(62％以上)68％、Bi的原子数的比率为32％，并没有添加其他元素。第一记录层14的厚度规定为接近该材料的反射率最大时的厚度约45nm。另一方面，第二记录层16的厚度比第一记录层14厚，这五种分别为47nm、53nm、68nm、72nm、74nm。针对这五种光记录介质，测定了第一记录层14、第二记录层16的(未记录部分的)反射率、记录感度、8TC/N值以及消光系数。测定结果如表1所示。另外，同时将第一记录层14、第二记录层16的组成以及成膜条件记入表1。另外，在第一记录层14的反射率、第二记录层16的反射率的测定中，使用了相同输出的再生用激光。表1所示的反射率是通过光电检测器20检测出的反射率。另外，使用下述方法测定了记录感度。首先，对各光记录介质照射各种功率的激光从而形成了记录标记12。接着，通过记录/再生装置测量了各记录标记12的起伏值。由于在起伏值最低的记录标记12的形成中所用的激光的输出最适合作为该光记录介质的激光的输出，所以扑捉该输出来作为记录感度。另外，所谓激光输出是指将到达入射面18的激光的强度换算为功率的输出。并显示出，表示记录感度的激光的输出越低，越容易形成记录标记，记录感度越敏感。表1(实施例2)与上述实施例1相对，使用由Bi、O以及Ge构成的材料作为第一记录层14、第二记录层16的材料，制作了一种光记录介质，该光记录介质的第一记录层14、第二记录层16中的Bi、O以及Ge的原子数的比率各不相同的。具体地说，按表2所示的比率设定第一记录层14、第二记录层16中的Bi、O以及Ge的原子数的比率。第一记录层14的厚度和上述实施例1同样约为45nm。另外，第二记录层16的厚度为(比第一记录层14厚)68nm。针对该光记录介质，测定了第一记录层14、第二记录层16的反射率、记录感度、8TC/N值以及消光系数。测定结果如表2所示。另外，同时将第一记录层14、第二记录层16的成膜条件记入表2。表2(实施例3)与上述实施例1相对，使用了不同的材料来作为第一记录层14、第二记录层的材料，制作了12种光记录介质。具体地说，作为第一记录层14的材料，使用了由Bi以及O构成的材料、和在Bi以及O中添加了Fe而形成的材料。另外，作为第二记录层16的材料，使用了由Bi以及O构成的材料、和在Bi以及O中添加了Al、Mg、Zn、Ge、Y、Sn、Sb、V、Dy、Ti而形成的材料。针对该12种光记录介质，测定了第一记录层14、第二记录层16的反射率、记录感度、8TC/N值以及消光系数。测定结果如表3所示。另外，同时将第一记录层14、第二记录层16的组成以及成膜条件记入表3。表3(实施例4)制作了和上述第二实施方式的光记录介质30结构相同的4层记录方式的光记录介质。具体地说，使用由Bi、O以及Ge构成的材料作为第一记录层14、第二记录层16、第三记录层32、第四记录层34的材料，制作了的一种光记录介质，其第一记录层14、第二记录层16、第三记录层32、第四记录层34中的Bi、O以及Ge的原子数的比率各不相同。第一记录层14的厚度为接近其材料的反射率最大时的厚度48nm。对此，第二记录层16、第三记录层32、第四记录层34的厚度比第一记录层14厚，分别为62nm、68nm、73nm。针对该光记录介质，测定了第一记录层14、第二记录层16、第三记录层32、第四记录层34的反射率、记录感度、8TC/N值以及消光系数。测定结果如表4所示。另外，同时将第一记录层14、第二记录层16、第三记录层32、第四记录层34的组成以及成膜条件记入表4。表4(实施例5)制作了和上述第三实施方式的光记录介质40相同的六层记录方式的光记录介质。具体地说，第一记录层14是由Si和Cu以层叠方式而构成。另外，Cu层位于基板22侧，Si位于保护层24侧。另外，使用由Bi、O以及Ge构成的材料作为第二记录层16、第三记录层32、第四记录层34、第五记录层42、第六记录层44的材料，制作了一种光记录介质，其第二记录层16、第三记录层32、第四记录层34、第五记录层42、第六记录层44中的Bi、O以及Ge的原子数的比率各不相同。第一记录层14的Si层、Cu层的厚度均为6nm，第一记录层14的厚度合计为12nm。另外，在第一记录层14的两侧设置有ZnS和SiO2混合物(混合比(分子数)ZnS∶SiO2＝80∶20)的电介质层。各电介质层的厚度为40nm。另外，在基板22侧的电介质层和基板22之间设置了材料为AgPdCu合金的反射层。反射层的厚度为100nm。另一方面，第二记录层16、第三记录层32、第四记录层34、第五记录层42、第六记录层44的厚度分别为33nm、37nm、40nm、43nm、46nm。另外，在第二记录层16、第三记录层32、第四记录层34、第五记录层42、第六记录层44的两侧，设置有材料为TiO2的电介质层。第二记录层16的两侧的电介质层的厚度分别为10nm。第三记录层32、第四记录层34、第五记录层42两侧的电介质层的厚度分别为14nm。第六记录层16两侧的电介质层的厚度分别为15nm。针对该光记录介质，测定了第一记录层14、第二记录层16、第三记录层32、第四记录层34、第五记录层42、第六记录层44的反射率、记录感度、8TC/N值以及消光系数。测定结果如表5所示。另外，同时将第二记录层16、第三记录层32、第四记录层34、第五记录层42、第六记录层44的组成以及成膜条件记入表5。表5(比较例)与上述实施例1相对，制作了第二记录层的厚度和第一记录层14的厚度相等的光记录介质、以及第二记录层的厚度比第一记录层14的厚度薄的光记录介质。具体地说，制作了两种光记录介质，它们的第一记录层14的厚度和上述实施例1同样为45nm，而第一种光记录介质的第二记录层16的厚度和第一记录层14的厚度相同为45nm，第二种光记录介质的第二记录层16的厚度比第一记录层14薄，厚度为20nm。针对这两种光记录介质，测定了第一记录层14、第二记录层16的反射率、记录感度、8TC/N值以及消光系数。测定结果如表6所示。另外，同时将第一记录层14、第二记录层16的组成以及成膜条件记入表6。表6如表1～5所示，实施例1～5的光记录介质的各记录层的8TC/N值均在50以上为良好。即，在实施例1～5的光记录介质的各记录层上形成的记录标记12均为良好。另外，通过光电检测器20检测出的实施例1～5的光记录介质的相邻的两层记录层的反射率均为未满两倍的范围内的近似值。进一步，在实施例3中，通过使用含有不同构成元素的材料作为第一记录层14、第二记录层16的材料，能够使各记录层的反射率大致相等，对于部分的光记录介质，能够使第一记录层14、第二记录层16的记录感度也大致相等。另外，在实施例2、实施例4中，通过使用构成元素相同但组成比率不同的材料作为各记录层的材料，能够使各记录层的反射率以及记录感度为大致相等的值。这样，由于记录层的构成元素相同，从而能够将共通的成膜装置用于各记录层的成膜，从而得到降低设备成本的效果。对此，在比较例的两种光记录介质中，第二记录层16的厚度比第一记录层14薄的光记录介质的第二记录层的8TC/N值为40，在其第二记录层上形成的记录标记12没有得到期望的再生性能。可以认为，这是由于第二记录层16的厚度过薄而造成的。另外，对于第二记录层16的厚度和第一记录层14的厚度相等的光记录介质，无论怎样在第一记录层14上进行激光对焦，焦点还是对到了第二记录层16上，没有能够在第一记录层14上形成记录标记。即，不能对第一记录层14进行评价。可以认为，这是由于由光电检测器20检测出的第一记录层14的反射率相对第二记录层16的反射率过低的原因造成的。工业实用性本发明可以用于具有多层记录层的光记录介质。权利要求1.一种光记录介质，其特征在于，含有多层记录层，这些记录层中，配置在相对接近激光的入射面侧的记录层比配置在相比于该记录层远离上述激光的入射面侧的记录层厚。2.如权利要求1所述的光记录介质，其特征在于，上述记录层中，与配置在离上述激光的入射面最远的位置上的记录层相比，至少配置在上述入射面侧的记录层能够通过激光的照射而形成与周围的空间部相比厚度增加的记录标记。3.如权利要求1所述的光记录介质，其特征在于，上述记录层中，与配置在离上述激光的入射面最远的位置上的记录层相比，至少配置在上述入射面侧的记录层的消光系数为0.35或其以下。4.如权利要求2所述的光记录介质，其特征在于，上述记录层中，与配置在离上述激光的入射面最远的位置上的记录层相比，至少配置在上述入射面侧的记录层的消光系数为0.35或其以下。5.如权利要求3所述的光记录介质，其特征在于，上述记录层的材料具有在规定的厚度时上述空间部的反射率成为最大的特性，在上述记录层中，与配置在离上述激光的入射面最远的位置上的记录层相比，配置在上述入射面侧的至少一层记录层形成得比上述空间部的反射率最大时的厚度更厚。6.如权利要求4所述的光记录介质，其特征在于，上述记录层的材料具有在规定的厚度时上述空间部的反射率成为最大的特性，在上述记录层中，与配置在离上述激光的入射面最远的位置的记录层相比，配置在上述入射面侧的至少一层记录层形成得比上述空间部的反射率为最大时的厚度更厚。7.如权利要求1至6中的任意一项所述的光记录介质，其特征在于，在上述记录层中，与配置在离上述激光的入射面最远的位置的记录层相比，至少配置在上述入射面侧的记录层实质上由Bi、O构成，该记录层中的O的原子数的比率为62％或其以上。全文摘要本发明提供一种光记录介质，其具有多层记录层，在任意一层记录层都能够形成良好的记录标记。光记录介质(10)含有第一记录层(14)以及第二记录层(16)，相对配置在激光的入射面(18)近侧的第二记录层(16)厚于配置在比该第二记录层(16)更远离激光的入射面(18)的一侧的第一记录层(14)。文档编号G11B7/00GK1897133SQ20061010584公开日2007年1月17日申请日期2006年7月13日优先权日2005年7月15日发明者三岛康儿,由德大介申请人:Tdk股份有限公司