专利名称：：光记录介质的制作方法
技术领域：
：本发明涉及一种具有多个记录层的光记录介质。
背景技术：
：作为信息记录介质，CD(CompactDisc光盘)、DVD(DigitalVersatileDisc数字通用光盘)等光记录介质被广泛利用。而且，近几年，通过采用蓝色或蓝紫色激光作为照射光，从而记录与以往相比更大容量的信息变成可能的光记录介质受到人们的关注。另外，光记录介质大体分为不能增加或改写数据的ROM(ReadOnlyMemory只读存储器)型、可以改写数据的RW(Rewritable可重写)型、只能增加一次数据的R(Recordable可记录)型。R型光记录介质是通过激光照射记录层，形成与周围的间隔部相比反射率低的记录标记来记录数据的。另外，也用记录用的激光照射记录标记周围的间隔部，但是，由于照射间隔部的记录用的激光的光量少，所以间隔部的反射率和激光照射之前的记录层的反射率相同。另外，R型的光记录介质是通过激光照射记录层而用光电检测器检测出记录标记的反射率和间隔部的反射率的差来再现数据。像这样的光记录介质由于具有多个记录层，仅此就可以相应提高记录容量。在具有多个记录层的R型光记录介质上记录数据时，通过以使记录用的激光的焦点对应到记录对象的记录层上的方式进行调整，从而能够选择性地将数据记录到记录对象的记录层。另外，通过以使再现用的激光的焦点对应到再现对象的记录层上的方式进行调整，能够选择性地将再现对象的记录层的数据再现。像这样的具有多个记录层的R型光记录介质优选通过对各记录层照射同等输出的再现用的激光，而在光电检测器中以接近的值检测出各记录层的反射光的强度。具体地说，优选在光电检测器中以未满2倍的范围内的接近的值检测出相邻2个记录层的反射光的反射率。但是，激光经由上侧记录层来照射配置在与激光的入射面相对远离侧的下侧记录层，由于该激光的一部分被上侧记录层所吸收，因此，到达下侧记录层的激光的光量相应地减少。因此，当照射下侧记录层的再现用激光的输出和照射上侧记录层的再现用的激光输出相同时，到达下侧记录层的激光的光量比到达上侧记录层的激光的光量小。进而，由于照射下侧记录层的激光的反射光是经由上侧记录层到达光电检测器的，所以一部分的反射光也被上侧记录层吸收。因此，当照射下侧记录层的再现用的激光的输出和照射上侧记录层的再现用的激光的输出相同，且，下侧记录层的反射率和上侧记录层的反射率相同时，由光电检测器检测的下侧记录层的反射率的值比上侧记录层的反射率的值低。对此，公知有使上侧记录层比下侧记录层薄的R型光记录介质(例如参照JP特开2003-266936号公报)。简单地说明其作用。图6是表示单层记录层的厚度和反射率的关系的曲线图。另外，在图6中，带有附图标记S的曲线是记录层的间隔部的反射率，带有附图标记M的曲线是记录标记的反射率。如附图标记S曲线所示，记录层在规定的厚度时，间隔部的反射率最大，比规定的厚度薄或厚，其反射率都有下降的趋势。另外，如附图标记M曲线所示，对于记录标记也是一样，在大致相同的厚度时其反射率最大，比上述厚度薄或厚，其反射率都有下降的趋势。另外，记录标记的反射率和间隔部的反射率的差也是在这些反射率成为最大时的厚度附近为最大，比上述厚度薄或厚，反射率的差都减少，如果记录层过厚或过薄，那么反射率的差会过小而不能读取记录标记。因此，例如通过以使反射率为最大时的厚度形成下侧记录层，而上侧记录层比该厚度薄，从而能够使下侧记录层的反射率比上侧记录层的反射率高。通过这样的构造，即使照射下侧记录层的激光的输出和照射上侧记录层的激光的输出相同，由此到达下侧记录层的激光的光量比到达上侧记录层的激光的光量小，更进一步，照射下侧记录层的激光的反射光的一部分被上侧记录层吸收再到达光电检测器时，在光电检测器中也能够以接近值检测出来自双方的记录层的反射光的反射率。另外，在比使反射率为最大时的厚度还厚的区域，能够得到记录标记的反射率和间隔部的反射率的足够的差的范围窄，而且在此范围内，相对于接近最大值的下侧记录层的反射率，由于不能充分地减少上侧记录层的反射率，所以在这点上也选择上侧记录层比下侧记录层薄的构成。进一步，由于还能得到以下效果通过使上侧记录层比下侧记录层薄，从而可以减少上侧记录层中的激光吸收量，增加到达下侧记录层的激光的光量，因此在这点上也选择上侧记录层比下侧记录层薄的构成。另外，公知有上侧记录层的折射率比下侧记录层的折射率低的R型光记录介质(例如参照JP特开平9-198709号公报)。简单地说明其作用。图7是表示以记录层的折射率为参数表示单层记录层的厚度和反射率的关系的曲线图。另外，n1＞n2，在图7中，带有附图标记S1的曲线是折射率为n1时的记录层的间隔部的反射率，带有附图标记S2的曲线是折射率为n2时的记录层的间隔部的反射率。另外，带有附图标记M1的曲线是折射率为n1时的记录层的记录标记的反射率，带有附图标记M2的曲线是折射率为n2时的记录层的记录标记的反射率。如图7所示，如果记录层的厚度相等，那么折射率越低，对于间隔部及记录标记中的任意一个，反射率也越低。因此，通过使下侧记录层的折射率为n1，上侧记录层的折射率为n2，使上侧记录层的反射率比下侧记录层的反射率低，由此在光电检测器中能够以接近的值检测出来自双方记录层的反射光的反射率。但是，由于记录层越薄越难形成记录标记，因此，由于使上侧记录层的厚度比下侧记录层的厚度薄，从而有时在上侧记录层不能形成期望的特性良好的记录标记。另外，记录层的折射率越低，间隔部的反射率和记录标记的反射率的差越小，因此，由于使上侧记录层的折射率比下侧记录层的折射率低，有时上侧记录层得不到期望的再现精度。
发明内容本发明是鉴于上述问题而提出的，其目的在于提供一种具有多个记录层而在所有的记录层上都能够形成良好的记录标记、且能够得到所期望的再现精度的光记录介质。本发明是通过这样一种光记录介质来实现上述目的其包含有通过照射激光而形成与周围的间隔部相比增加了厚度的记录标记的多个记录层，在这些记录层中，配置在相对接近上述激光的入射面一侧的记录层的折射率低于与该记录层相比配置在远离上述激光的入射面一侧的记录层的折射率。另外，本发明是通过这样一种光记录介质来实现上述目的其包含有通过照射激光而形成与周围的间隔部相比增加了厚度的记录标记的多个记录层，在这些记录层中，配置在相对接近上述激光的入射面一侧的记录层的消光系数低于与该记录层相比配置在远离上述激光的入射面一侧的记录层的消光系数。本发明人在研究本发明的过程中，尝试使用各种材料来形成记录层时发现，规定材料的记录层，通过照射激光而能够形成与周围的间隔部相比增加了厚度的记录标记。另外还发现该记录层的消光系数显著地低于以往的记录层。由于与周围相比记录标记部分的厚度增加，所以该记录标记的反射率相对于上述图7中以带有附图标记M1及M2的曲线表示的记录标记的反射率，是与仅加厚了厚度增加量的记录层的记录标记的反射率是相等的。换句话说，记录标记的反射率相对于记录层的厚度的关系如图1所示那样变为以下关系相对于图7，附图标记M1及M2的曲线只以厚度增加量向厚度薄的方向平行移动。由此，在间隔部的反射率成为最大的厚度附近以及与其相比更厚的区域中，间隔部的反射率和记录标记的反射率的差变大。因此，例如，将下侧记录层及上侧记录层的厚度均设定为接近于使间隔部的反射率成为最大的厚度，由于上侧记录层的反射率比下侧记录层的反射率低，因此即使上侧记录层的折射率比下侧记录层的折射率低，也可以使上侧记录层的记录标记的反射率和间隔部的反射率的差足够大，并且，通过使上侧记录层的厚度和下侧记录层的厚度相等，或者使上侧记录层比下侧记录层厚，从而能够在上侧的记录层形成期望的特性良好的记录标记。另外，通过将记录层的消光系数控制在例如0.35或其以下的低值，即使相对的配置在激光入射面侧的上侧记录层的厚度和下侧记录层的厚度相等或比其厚，由于上侧记录层很难吸收照射到下侧记录层的激光，因此，能够提高光电检测器检测出的下侧记录层的反射率，同时，在下侧记录层也能够形成良好的记录标记。另外，通过使上侧记录层的消光系数小于下侧记录层的消光系数，能够使下侧记录层的记录灵敏度和光电检测器检测出的反射率接近于上侧记录层的记录灵敏度和反射率，进一步，通过使上侧记录层的厚度和下侧记录层的厚度相等，或者，使上侧记录层比下侧记录层厚，从而在上侧的记录层能够形成期望的特性良好的记录标记。本发明是这样一种光记录介质，其通过使用形成与间隔部相比增加了厚度的记录标记的材料来至少构成上侧的记录层，从而使即使上侧记录层的折射率比下侧记录层的折射率低，也能够得到足够大的上侧记录层的记录标记的反射率和间隔部的反射率的差，与以往的技术相比，本发明是基于完全不同的概念而研制的。另外，本发明是这样一种光记录介质，其使用形成与间隔部相比增加了厚度的记录标记的材料来至少构成上侧的记录层，通过使上侧记录层的消光系数比下侧记录层的消光系数小，从而使下侧记录层的记录灵敏度和光电检测器检测出的反射率接近上侧记录层的记录灵敏度和光电检测器检测的反射率，同时，可以在上侧记录层形成期望的特性良好的记录标记，与以往的技术相比，本发明是基于完全不同的概念而研制的。即，通过如下所述的发明可以实现上述目的。(1)一种光记录介质，其特征在于，包含有通过照射激光而形成与周围的间隔部相比增加了厚度的记录标记的多个记录层，在这些记录层中配置在相对接近上述激光的入射面一侧的记录层的折射率低于与该记录层相比配置在远离上述激光的入射面一侧的记录层的折射率。(2)一种光记录介质，其特征在于，包含有通过照射激光而形成与周围的间隔部相比增加了厚度的记录标记的多个记录层，在这些记录层中配置在相对接近上述激光的入射面一侧的记录层的消光系数低于与该记录层相比配置在远离上述激光的入射面一侧的记录层的消光系数。(3)如(1)或是(2)所述的光记录介质，其特征在于，包含有3层或3层以上的记录层，在这些记录层中，至少与配置在最远离激光入射面的位置的记录层相比而配置在上述激光的入射面侧的多个记录层，是通过照射上述激光而形成与周围的间隔部相比增加了厚度的记录标记的记录层。(4)如(1)至(3)中任意一项所述的光记录介质，其特征在于，上述多个记录层的厚度相等。(5)如(1)至(3)中任意一项所述的光记录介质，其特征在于，在上述多个记录层中，配置在相对接近上述激光的入射面一侧的记录层厚于与该记录层相比配置在远离上述激光的入射面一侧的记录层。(6)如(1)至(5)中任意一项所述的光记录介质，其特征在于，在上述多个记录层中，最接近于上述激光的入侧面而配置的记录层的折射率比最远离上述激光的入侧面而配置的记录层的折射率低0.1～0.6。(7)如(1)至(6)中任意一项所述的光记录介质，其特征在于，在上述多个记录层中，最接近于上述激光的入侧面而配置的记录层的消光系数比最远离上述激光的入侧面而配置的记录层的消光系数小0.01～0.20。(8)如(1)至(7)中任意一项所述的光记录介质，其特征在于，上述记录层的材料具有根据厚度而上述间隔部的反射率发生变化、并且在规定的厚度下上述间隔部的反射率成为最大的特性，各记录层是以使其间隔部的反射率成为最大的厚度而形成的。(9)如(1)至(8)中任意一项所述的光记录介质，其特征在于，在上述多个记录层中，与配置在最远离上述激光的入射面的位置的记录层相比而配置在上述激光的入射面侧的至少一个记录层实质上是由Bi及O构成的，该记录层中的O原子数的比率为62％或其以上。(10)如(9)所述的光记录介质，其特征在于，在上述多个记录层中，与配置在最远离上述激光的入射面的位置的记录层相比而配置在上述入射面侧的至少一个记录层实质上是由Bi、O及X(X为从Mg、Al、Si、V、Zn、Ge、Y、Sn、Sb、Dy中选择的至少一种元素)构成。另外，在本申请中所谓“记录层的厚度相等”的意思是在没有形成记录标记的状态下，相对于最厚的记录层的厚度，最薄的记录层的厚度为10％以内，并不限定于记录层的厚度完全一致的状况。另外，在本申请中所谓“记录层实质上是由Bi、O构成”的意思是指记录层中的Bi、O的原子数的合计值相对于构成记录层的总的原子数的比率为80％或其以上。记录层实质上是由Bi、O构成时，更优选是记录层中的Bi、O的原子数的合计值相对于构成记录层的总的原子数的比率为90％或其以上。记录层实质上是由Bi、O构成，记录层中的Bi、O的原子数的合计值相对于构成记录层的总的原子数的比率为80％或其以上时，记录层也可以含有Bi、O以外的其他的添加元素。添加元素可以是一种元素，也可以是两种或其以上的元素。另外，所谓“记录层实质上是由Bi、O以及X构成”的意思是指记录层中的Bi、O以及X的原子数的合计值为80％或其以上。记录层实质上是由Bi、O以及X构成时，更优选是记录层中的Bi、O以及X的原子数的合计值相对于构成记录层的总的原子数的比率为90％或其以上。根据本发明，能够实现具有多个记录层、在所有的记录层都可以形成良好的记录标记、且能够确实地再现该记录标记的光记录介质。图1是以记录层的折射率为参数来表示本发明第一实施方式涉及的光记录介质的记录层的反射率相对于记录层的厚度的关系的曲线图。图2是示意地表示该光记录介质的记录层周边的结构的侧剖面图。图3是示意地表示该光记录介质的整体结构的侧剖面图。图4是示意地表示本发明第二实施方式涉及的光记录介质的整体结构的侧剖面图。图5是示意地表示本发明第三实施方式涉及的光记录介质的整体结构的侧剖面图。图6是表示以往的光记录介质的记录层的反射率相对于记录层的厚度的关系的曲线图。图7是以记录层的折射率为参数来表示以往的光记录介质的记录层的反射率相对于记录层的厚度的关系的曲线图。具体实施例方式以下，针对实施本发明的最佳形式，参照附图进行详细说明。本发明的第一实施方式涉及的光记录介质10是外径约为120nm，厚度约为1.2mm的圆盘形状，其特征在于，如图2以及图3所示，包含有通过照射激光而形成有与周围的间隔部11相比增加了厚度的记录标记12的第一记录层14及第二记录层16，配置在相对接近激光的入射面18一侧的第二记录层16的折射率n2，比与该第二记录层相比配置在远离激光的入射面18一侧的第一记录层14的折射率n1低。关于其他结构和以往的光记录介质相同，或是类似于以往的光记录介质，对于理解本发明来说并不特别重要，因此，适当地省略说明。第一记录层14和第二记录层16实质上是由Bi及O构成的，这些第一记录层14和第二记录层16中的O原子数的比率为62％或其以上。另外，优选第一记录层14和第二记录层16中的O原子数的比率为73％或其以下。第二记录层16的材料包含从Mg、Al、Si、V、Zn、Ge、Y、Sn、Sb、Dy中选择的至少一种元素，由此使第二记录层16的折射率n2比第一记录层14的折射率n1低。另外，通过添加这些元素，也能够得到降低第二记录层16的消光系数，增大到达第一记录层14的激光的光量的效果。如此，通过添加Bi、O以外的元素而降低第二记录层16的消光系数，从而能够使隔着第二记录层16照射激光的第一记录层14的反射率接近于第二记录层16的反射率。另外，也能够使第一记录层14的记录灵敏度接近于第二记录层16的记录灵敏度。另外，作为第一记录层14的材料实质上由Bi及O构成，进而，通过使用含有从Fe、Cu、Mo、Ag、W、Ir、Pt、Au中选择的至少一种元素的材料，能够增加第一记录层14的消光系数，提高第一记录层14的记录灵敏度(使记录标记容易地形成)，由此也能够使第一记录层14的记录灵敏度接近于第二记录层16的记录灵敏度。由这些材料构成的第一记录层14、第二记录层16的厚度和反射率的关系如上述图1中带有附图标记S1、S2、M1、M2的曲线所示。在此所示的反射率为记录层自身的反射率，第二记录层16的自身反射率和用光电检测器20检测出的反射率大体相等，但是，第一记录层14的自身反射率比用光电检测器20检测出的反射率高。这些第一记录层14及第二记录层16的材料如图1所示，间隔部11的反射率具有在规定的厚度(在本第一实施方式中约为40nm)时反射率为最大的特性。第一记录层14及第二记录层16均以与使间隔部11的反射率为最大的厚度大致相等的厚度约45nm来形成。如上所述，第二记录层16的折射率n2比第一记录层14的折射率n1低，从而使第二记录层16的反射率，无论是间隔部的，还是记录标记12的，都比第一记录层14的反射率低。另外，优选第二记录层16的折射率n2比第一记录层14的折射率n1低0.1～0.6，更优选是低0.2～0.5。另外，第一记录层14和第二记录层16的消光系数为0.35或其以下。优选第二记录层16的消光系数比第一记录层14的消光系数小0.01～0.20，更优选是小0.02～0.14。这些第一记录层14和第二记录层16形成在基板22上，在第二记录层16与基板22相反一侧形成有保护层24。另外，在第一记录层14和第二记录层16之间形成有间隔层26。基板22的厚度约为1.1mm，其在保护层24一侧的面上形成有构成槽的凹凸图案。另外，所谓“槽”一般是指为了数据的记录/再现而使用的凹部，但是，在本申请中，为了方便，将用于数据的记录/再现的部位，即使是向保护层24侧突出的凸部也使用用语“槽”来表示。在本第一实施方式中，向着保护层24侧突出的凸部为槽。另外，作为基板22的材料可以使用聚碳酸酯树脂、丙烯酸树脂、环氧树脂、聚苯乙烯树脂、聚乙烯树脂、聚丙烯树脂、硅酮树脂、氟类树脂、ABS树脂、聚氨酯树脂等。保护层24的厚度例如为30～150μm。作为保护层24的材料可以使用具有透光性的丙烯类紫外线固化性树脂、环氧类紫外线固化性树脂等能量射线固化性树脂。在此，所谓“能量射线”，是对具有使流动状态的特定的树脂固化的性质的、如紫外线、电子射线等电磁波、粒子射线的总称。另外，作为形成保护层24的材料的方法，可以将具有流动性的树脂涂敷在基板上后，再照射能量射线使其固化，也可以将预先制作的透光性的薄膜粘贴在基板上。间隔层26的厚度例如为9～50μm左右，其两面为和基板22相同的槽状的凹凸图案。另外，作为间隔层26的材料可以和保护层24相同，使用具有透光性的丙烯类紫外线固化性树脂、环氧类紫外线固化性树脂等能量射线固化性树脂。第一记录层14是仿照基板22的凹凸图案，而以凹凸图案形成。另外，第二记录层16也是仿照间隔层26的凹凸图案，以凹凸图案形成。下面，对光记录介质10的作用进行说明。光记录介质10通过照射激光，而在第一记录层14和第二记录层16上形成与周围的间隔部11相比增加了厚度的记录标记12，因此如图1所示，在间隔部11的反射率成为最大的厚度附近以及与其相比更厚的区域中，间隔部11的反射率和记录标记12的反射率的差大。因此，将第一记录层14及第二记录层16的厚度均设定在使间隔部11的反射率最大的厚度附近，由于第二记录层16的反射率比第一记录层14的反射率低，因此，即使将第二记录层16的折射率设定得比第一记录层14的折射率低，也可以在第二记录层16得到记录标记12的反射率和间隔部11的反射率的足够的差，且由于第二记录层16具有和第一记录层14相等的厚度，所以，能够在第二记录层上形成所期望的特性良好的记录标记。另外，第二记录层16的消光系数为0.35或其以下，因此，即使第二记录层16具有和第一记录层14相等的厚度，第二记录层16也很难吸收照射到第一记录层14的激光，从而可以提高光电检测器20检测出的第一记录层14的反射率，同时，也可以在第一记录层14上形成良好的记录标记。下面，对本发明的第二实施方式进行说明。如图4所示，相对于上述第一实施方式涉及的光记录介质10，本第二实施方式涉及的光记录介质30是在上述第一记录层14、第二记录层16的基础之上还具有第三记录层32、第四记录层34的四层记录式介质。有关其他的结构，和上述第一实施方式相同，因此，对于相同的结构，使用和第一实施方式相同的附图标记，适当地省略其说明。第一记录层14、第二记录层16、第三记录层32、第四记录层34的厚度相同，并且以从基板22向激光的入射面18的方向按次序地并列配置。在第一记录层14、第二记录层16、第三记录层32以及第四记录层34之间分别配置间隔层26。另外，第四记录层34相接于保护层24。第三记录层32、第四记录层34的材料和第一记录层14以及第二记录层16的材料同样，实质上是由Bi以及O构成，这些第三记录层32、第四记录层34中的O原子数的比率为62％或其以上。第三记录层32的折射率n3比第二记录层16的折射率n2低，第四记录层34的折射率n4比第三记录层32的折射率n3低。即，光记录介质30是第一记录层14、第二记录层16、第三记录层32、第四记录层34的折射率的关系为n1＞n2＞n3＞n4的结构。从而使光记录介质30的第四记录层34、第三记录层32、第二记录层16、第一记录层14的(记录层自身的)反射率按该次序从激光入射面18向基板22的方向逐层变高。光记录介质30与光记录介质10相同，通过照射激光而在第一记录层14、第二记录层16、第三记录层32以及第四记录层34上形成与周围的间隔11相比增加了厚度的记录标记12，因此，在使间隔部11的反射率成为最大的厚度附近以及与其相比更厚的区域中，间隔部11的反射率和记录标记12的反射率的差大。因此，将第一记录层14、第二记录层16、第三记录层32以及第四记录层34的厚度均设定在使间隔部11的反射率成为最大的厚度附近，由于第二记录层16、第三记录层32以及第四记录层34的反射率比第一记录层14的反射率低，因此，即使第二记录层16、第三记录层32以及第四记录层34的折射率n2、n3、n4比第一记录层14的折射率n1低，也可以使第二记录层16、第三记录层32以及第四记录层34的记录标记12的反射率和间隔部11的反射率的差足够大，且由于第二记录层16、第三记录层32以及第四记录层34具有和第一记录层14相等的厚度，所以，能够在第二记录层16、第三记录层32以及第四记录层34上形成所期望的特性良好的记录标记。另外，由于第二记录层16、第三记录层32、第四记录层34的消光系数为0.35或其以下，因此，即使第二记录层16、第三记录层32以及第四记录层34具有和第一记录层14同样的厚度，第二记录层16、第三记录层32、第四记录层34也很难吸收照射到第一记录层14、第二记录层16、第三记录层32上的激光，从而可以提高光电检测器20检测出的第一记录层14、第二记录层16、第三记录层32的反射率，同时，也可以在第一记录层14、第二记录层16、第三记录层32上形成良好的记录标记。下面，对本发明的第三实施方式进行说明。如图5所示，相对于上述第二实施方式涉及的光记录介质30，本第三实施方式涉及的光记录介质40是在上述第一记录层14、第二记录层16、第三记录层32、第四记录层34的基础之上，还具有第五记录层42、第六记录层44的六层记录式介质。有关其他的结构，和上述第一以及第二实施方式相同，因此，对于相同的结构，使用和第一以及第二实施方式相同的附图标记，适当地省略其说明。第一记录层14、第二记录层16、第三记录层32、第四记录层34、第五记录层42、第六记录层44的厚度相同，并且以从基板22向激光的入射面18的方向按次序地并列配置。第一记录层14、第二记录层16、第三记录层32、第四记录层34、第五记录层42以及第六记录层44之间分别配置有间隔层26。另外，第六记录层44相接于保护层24。第五记录层42、第六记录层44的材料和第一记录层14以及第二记录层16等相同，实质上是由Bi以及O构成的，这些第五记录层42、第六记录层44中的O原子数的比率为62％或其以上。第五记录层42的折射率n5比第四记录层34的折射率n4低，第六记录层44的折射率n6比第五记录层42的折射率n5低。即，光记录介质40是第一记录层14、第二记录层16、第三记录层32、第四记录层34、第五记录层42、第六记录层44的折射率的关系为n1＞n2＞n3＞n4＞n5＞n6的结构。从而使光记录介质40的第六记录层44、第五记录层42、第四记录层34、第三记录层32、第二记录层16、第一记录层14的(记录层自身的)反射率按该次序从激光入射面18向基板22的方向逐层变高。光记录介质40也与光记录介质10相同，通过照射激光而在第一记录层14、第二记录层16、第三记录层32、第四记录层34、第五记录层42以及第六记录层44上形成与周围的间隔部11相比增加了厚度的记录标记12，因此，在使间隔部11的反射率成为最大的厚度附近以及与其相比更厚的区域，间隔部11的反射率和记录标记12的反射率的差大。因此，将第一记录层14、第二记录层16、第三记录层32、第四记录层34、第五记录层42以及第六记录层44的厚度均设定在使间隔部11的反射率成为最大的厚度附近，由于第二记录层16、第三记录层32、第四记录层34、第五记录层42以及第六记录层44的反射率比第一记录层14的反射率低，因此，即使第二记录层16、第三记录层32、第四记录层34、第五记录层42以及第六记录层44的折射率n2、n3、n4、n5、n6比第一记录层14的折射率n1低，也可以得到使第二记录层16、第三记录层32、第四记录层34、第五记录层42以及第六记录层44的记录标记12的反射率和间隔部11的反射率的足够的差，且由于第二记录层16、第三记录层32、第四记录层34、第五记录层42以及第六记录层44具有和第一记录层14相等的厚度，所以，能够在第二记录层16、第三记录层32、第四记录层34、第五记录层42以及第六记录层44上形成所期望的特性良好的记录标记。另外，由于第二记录层16、第三记录层32、第四记录层34、第五记录层42以及第六记录层44的消光系数为0.35或其以下，因此，即使第二记录层16、第三记录层32、第四记录层34、第五记录层42以及第六记录层44具有和第一记录层14同样的厚度，第二记录层16、第三记录层32、第四记录层34、第五记录层42以及第六记录层44中也很难吸收照射到第一记录层14、第二记录层16、第三记录层32、第四记录层34、第五记录层42上的激光，从而可以提高光电检测器20检测出的第一记录层14、第二记录层16、第三记录层32、第四记录层34、第五记录层42的反射率，同时，也可以在第一记录层14、第二记录层16、第三记录层32、第四记录层34、第五记录层42上形成良好的记录标记。另外，在上述第一～第三实施方式中，是以和使间隔部11的反射率成为最大的厚度大致相等的厚度来形成第一记录层14、第二记录层16、第三记录层32、第四记录层34、第五记录层42、第六记录层44的，但是，如果关于第一记录层14、第二记录层16、第三记录层32、第四记录层34、第五记录层42、第六记录层44，是能够得到记录标记12的反射率和间隔部11的反射率之间的足够的差、且从激光的入射面18向基板22的方向记录层自身的反射率逐层变大的结构，那么第一记录层14、第二记录层16、第三记录层32、第四记录层34、第五记录层42、第六记录层44的厚度可以比使反射率成为最大的厚度薄，也可以比其厚。在既能够加大记录标记12的反射率和间隔部11的反射率的差，又能够提高记录灵敏度这一点上，优选厚于使反射率成为最大的厚度。另外，在上述第一～第三实施方式中，第一记录层14、第二记录层16、第三记录层32、第四记录层34、第五记录层42、第六记录层44的材料为使间隔部11的反射率成为最大的厚度约是40nm的材料，但是，作为第一记录层14、第二记录层16、第三记录层32、第四记录层34、第五记录层42、第六记录层44的材料，可以使用比使间隔部11的反射率成为最大的厚度40nm厚的材料，也可以使用比使间隔部11的反射率成为最大的厚度40nm薄的材料。另外，在上述第一～第三实施方式中，第一记录层14、第二记录层16、第三记录层32、第四记录层34、第五记录层42、第六记录层44的厚度相等，但是，在这些记录层中，也可以为以下结构使配置在相对接近激光的入射面18一侧的记录层厚于与该记录层相比配置在远离激光的入射面18一侧的记录层。这样，通过使配置在相对接近激光的入射面18一侧的记录层变厚，从而能够提高其记录灵敏度。另外，在上述第一～第三实施方式中，第一记录层14、第二记录层16、第三记录层32、第四记录层34、第五记录层42、第六记录层44的材料实质上是由Bi以及O构成，但只要是通过照射激光而形成与周围的间隔部相比增加了厚度的记录标记的材料即可，也可以使用其他的材料作为第一记录层14、第二记录层16、第三记录层32、第四记录层34、第五记录层42、第六记录层44的材料。这种情况下，优选使用消光系数为0.35或其以下的材料。例如可以使用含有Bi、Ge以及N的材料。另外，在上述第一～第三实施方式中，第一记录层14、第二记录层16、第三记录层32、第四记录层34、第五记录层42、第六记录层44含有共同的构成元素(Bi以及O)，但是，第一记录层14也可以不含有和第二记录层16、第三记录层32、第四记录层34、第五记录层42、第六记录层44共同的构成元素。例如作为第一记录层14的材料，也可以使用消光系数为大于0.35的材料。另外，作为第一记录层14的材料也可以使用通过照射激光并没有形成与周围的间隔部相比增加了厚度的记录标记的材料。另外，在上述第二实施方式中，光记录介质30是第一记录层14、第二记录层16、第三记录层32以及第四记录层34按此次序从基板22向激光入射面18的方向折射率逐层变低的结构，并且是按照第四记录层34、第三记录层32、第二记录层16、第一记录层14的顺序从激光的入射面18向基板22的方向(记录层自身的)反射率逐层变高的结构，在上述第三实施方式中，光记录介质40是第一记录层14、第二记录层16、第三记录层32、第四记录层34、第五记录层42、第六记录层44按此次序从基板22向激光的入射面18的方向折射率逐层变低的结构，并且是按照第六记录层44、第五记录层42、第四记录层34、第三记录层32、第二记录层16、第一记录层14的顺序从激光的入射面18向基板22的方向(记录层自身的)反射率逐层变高的结构，但是，针对这些记录层中的任意2层的组合，如果是配置在相对接近激光的入射面18一侧的上侧记录层的折射率低于与该记录层相比配置在远离激光的入射面18一侧的下层记录层的折射率的结构，那么关于其他的组合，折射率不满足这种关系也可以。这种情况下也可以得到由光电检测器检测出的这些记录层的反射率相接近的一定的效果。另外，在上述第一实施方式的图2中，记录标记12为厚度整体相同的形状，但是，只要是至少记录标记12的一部分比周围的间隔部厚的形状即可，对记录标记的形状没有特别限定，既可以是整体比周围的间隔部厚、且厚度根据部位而不规则的形状，也可以是只有一部分比周围的间隔部厚而其他的部位和间隔部厚度相等的形状。还可以是例如中心附近最厚、而离开中心则逐渐变薄的形状。实际上形成这种形状的记录标记较多。另外，记录标记中的各个部位的厚度可以通过使用TEM(TransmissionElectronMicroscopy透射电子显微镜)观察记录标记的剖面来确认。另外，上述第一～第三实施方式中，光记录介质10、光记录介质30、光记录介质40中，第一记录层14、第二记录层16、第三记录层32、第四记录层34、第五记录层42、第六记录层44都是直接与基板22、保护层24、间隔层26的任意一层相接的结构，但是，也可以例如在第一记录层14和基板22的之间设置反射层。作为反射层的材料可以使用Al、Ag、Au、Cu、Mg、Ti、Cr、Fe、Co、Ni、Zn、Ge、Pt、Pd或它们的合金等。在这些金属中，在能够得到高反射率这一点上优选使用Al、Ag、Au、Cu、AgPdCu等的合金。另外，也可以使用电介质材料作为反射层的材料。另外，也可以在一部分或是全部的记录层的一侧或是两侧设置电介质层。作为电介质层的材料可以使用例如SiO2、Al2O3、ZnO、CeO2、Ta2O5、TiO2等氧化物，SiN、AlN、GeN、GeCrN等氮化物，ZnS等硫化物，另外还可以使用例如像ZnS和SiO2的混合物那样的、以上述化合物的组合材料为主要成分的材料。另外，在上述第一实施方式中，光记录介质10是配置在相对接近激光的入射面18一侧的第二记录层16的折射率n2比与该第二记录层16相比配置在远离激光的入射面18一侧的第一记录层14的折射率n1低的结构，在上述第二实施方式中，光记录介质30是第一记录层14、第二记录层16、第三记录层32、第四记录层34的折射率的关系为n1＞n2＞n3＞n4的结构，在上述第三实施方式中，光记录介质40是第一记录层14、第二记录层16、第三记录层32、第四记录层34、第五记录层42、第六记录层44的折射率的关系为n1＞n2＞n3＞n4＞n5＞n6的结构，但是，即使记录层的折射率不满足这样的关系，如果是这样的构成，即，含有通过照射激光而形成与周围的间隔部相比增加了厚度的记录标记的多个记录层，并且，在这些记录层中，如果配置在相对接近上述激光的入射面一侧的记录层的消光系数低于与该记录层相比配置在远离上述激光的入射面一侧的记录层的消光系数，那么是可以使下侧记录层的记录灵敏度和光电检测器检测出的反射率接近于上侧记录层的记录灵敏度和光电检测器检测出的反射率，同时，可以在上侧记录层形成所期望的特性良好的记录标记。另外，上述第一实施方式中，光记录介质10具有2层记录层，上述第二实施方式中，光记录介质30具有4层记录层，另外，上述第三实施方式中，光记录介质40具有6层记录层，但是，本发明也适用于具有3层记录层的光记录介质和具有5层记录层的光记录介质，甚至具有7层或其以上的记录层的光记录介质。另外，在上述第一～第三实施方式中，光记录介质10、30、40为只在单面具有记录层的单面记录式介质，但是，本发明当然也能够适用于双面具有记录层的双面记录式的光记录介质。另外，在上述第一～第三实施方式中，光记录介质10、30、40是保护层24比基板22薄的结构，但是，本发明当然也能够适用于如同DVD那样的基板和保护层具有相同厚度的光记录介质。另外，这时，基板以及保护层的形状大致相等，但是，在本申请中，将照射记录/再现用的激光的一侧称为保护层。(实施例1)制作了14种与上述第一实施方式的光记录介质10结构相同的2层记录式的光记录介质。这14种光记录介质为第二记录层16的组成互不相同的结构，而第二记录层16以外的结构是相同的。具体地说，使用了含有Bi以及O的材料作为第一记录层14、第二记录层16的材料。第一记录层14中的O原子数的比率为68％、Bi原子数的比率为32％，未添加其他元素。另一方面，在第二记录层16中添加了Si、Al、Mg、V、Zn、Ge、Y、Sn、Sb、Dy，使其折射率比第一记录层14的折射率低。另外，第一记录层14、第二记录层16的厚度均为接近于用这些材料使反射率最大时的厚度，约为45nm。针对这些14种光记录介质测定了第一记录层14、第二记录层16的折射率、消光系数、(未记录部分的)反射率、记录灵敏度以及8TC/N值。测定结果如表1所示。另外，同时将第一记录层14、第二记录层16的组成以及成膜条件记入表1。另外，使用下述方法来测定记录灵敏度。首先，将不同功率的激光照射在各个光记录介质上形成记录标记12。其次，通过记录/再现装置测定各记录标记12的时基误差值。由于把用于形成时基误差值最低的记录标记12的激光输出作为适合于该光记录介质的激光的输出，因此，作为记录灵敏度去捕捉该输出。另外，所谓激光的输出是指将到达入射面18的激光的强度换算成功率。显示出表示记录灵敏度的激光的输出越低，越容易形成记录标记，记录灵敏度越敏感。表1所示的第一记录层14、第二记录层16的反射率是将再现用激光照射于在各个记录层上照射与其记录灵敏度相当的输出的记录用激光而形成的记录标记12，由光电检测器20来检测出的。另外，照射在第一记录层14、第二记录层16上的再现用激光的输出相同。表1(实施例2)相对于上述实施例1，制作了一种在第一记录层14中添加了Fe，在第二记录层16中添加了Al的两层记录方式的光记录介质。这些第一记录层14、第二记录层16的厚度均大约为55nm。其他的结构与实施例1相同。针对该光记录介质测定了第一记录层14、第二记录层16的折射率、消光系数、反射率、记录灵敏度以及8TC/N值。测定结果如表2所示。另外，同时将第一记录层14、第二记录层16的组成以及成膜条件记入表2。表2(实施例3)制作了与上述第二实施方式的光记录介质30相同的四层记录式的光记录介质。另外，第一记录层14、第二记录层16、第三记录层32、第四记录层34的厚度按此顺序逐层变厚。具体地说，使用由Bi、O以及Ge构成的材料作为第一记录层14、第二记录层16、第三记录层32、第四记录层34的材料，制作了一种使这些第一记录层14、第二记录层16、第三记录层32、第四记录层34中的Bi、O以及Ge的原子数的比率在各记录层各不相同的光记录介质。第一记录层14的厚度接近以该材料反射率成为最大的厚度为48nm。对此，第二记录层16、第三记录层32、第四记录层34的厚度比第一记录层14厚，分别为62nm、68nm、73nm。测定了该光记录介质的第一记录层14、第二记录层16、第三记录层32、第四记录层34的折射率、消光系数、反射率、记录灵敏度以及8TC/N值。测定结果如表3所示。另外，同时将第一记录层14、第二记录层16、第三记录层32、第四记录层34的组成以及成膜条件记入表3。表3(实施例4)制作了与上述第三实施方式的光记录介质40相同的六层记录方式的光记录介质。另外，第一记录层14、第二记录层16、第三记录层32、第四记录层34、第五记录层42、第六记录层44的厚度按此顺序逐层变厚。具体地说，第一记录层14是由Si层和Cu层层叠而成，照射激光而形成的记录标记并没有比周围的间隔部厚。Cu层在基板22侧，Si层在保护层24侧。另外，Cu层的折射率为0.2，Si层的折射率为3.3，但是，没能测出第一记录层14整体的折射率n1。另外，使用由Bi、O以及Ge构成的材料作为第二记录层16、第三记录层32、第四记录层34、第五记录层42、第六记录层44的材料，制作了一种使这些第二记录层16、第三记录层32、第四记录层34、第五记录层42、第六记录层44中的Bi、O以及Ge的原子数的比率在各记录层各不相同的光记录介质。第二记录层16、第三记录层32、第四记录层34、第五记录层42、第六记录层44的折射率的关系为n2＞n3＞n4＞n5＞n6。第一记录层14的Si层、Cu层的厚度均为6nm，第一记录层14的总厚度为12nm。另外，在第一记录层14的两侧设置有材料为ZnS和SiO2的混合物(ZnS∶SiO2＝80∶20)的电介质层。各电介质层的厚度为40nm。另外，在基板22侧的电介质层和基板22之间，设置有材料为AgPdCu合金的反射层。反射层的厚度为100nm。另一方面，第二记录层16、第三记录层32、第四记录层34、第五记录层42、第六记录层44的厚度分别为33nm、37nm、40nm、43nm、46nm。另外，在第二记录层16、第三记录层32、第四记录层34、第五记录层42、第六记录层44的两侧设置有材料为TiO2的电介质层。第二记录层16两侧的电介质层的厚度分别为10nm。第三记录层32、第四记录层34、第五记录层42两侧的电介质层的厚度分别为14nm。第六记录层44两侧的电介质层的厚度分别为15nm。测定了该光记录介质的第一记录层14、第二记录层16、第三记录层32、第四记录层34、第五记录层42、第六记录层44的折射率、反射率、记录灵敏度、8TC/N值以及消光系数、。测定结果如表4所示。另外，同时将第二记录层16、第三记录层32、第四记录层34、第五记录层42、第六记录层44的组成以及成膜条件记入表4。表4(比较例)相对于上述实施例1，制作了第二记录层16的折射率和第一记录层14的折射率相等的光记录介质。具体地说，制作了一种使第二记录层16的组成和上述实施例1的第一记录层14的组成相同的光记录介质。测定了该光记录介质的第一记录层14、第二记录层16的折射率、消光系数、反射率、记录灵敏度以及8TC/N值。测定结果如表5所示。另外，同时将第一记录层14、第二记录层16的组成以及成膜条件记入表5。表5如表1～4所示，实施例1～4的光记录介质均是各记录层的8TC/N值均在50或其以上为良好。即，确认了在实施例1～4的光记录介质的各记录层上形成的记录标记12均为良好。另外，实施例1～4的光记录介质均是将相邻的2层记录层的记录标记12的反射率在光电检测器20中以未满2倍的范围内的接近的值检测出，为良好。实施例1～3的任意一个光记录介质的多个记录层的主要组成元素均以Bi以及O为共同的元素，最接近激光的入射面18而配置的记录层的折射率比第一记录层14的折射率低0.1～0.6。换句话说，优选如果最接近激光的入射面18而配置的记录层的折射率比第一记录层14的折射率低0.1～0.6，那么光电检测器20检测出的多个记录层的反射率的差将被控制在4％以内，是优选的。进一步，如果最接近激光的入射面18而配置的记录层的折射率比第一记录层14的折射率低0.2～0.5，那么光电检测器20检测出的多个记录层的反射率的差将被控制在3％以内，是更加优选的。另外，如上所述，在实施例4中，未能测出第一记录层14整体的折射率，但是，在激光照射形成比周围间隔部厚的记录标记的第二记录层16、第三记录层32、第四记录层34、第五记录层42、第六记录层44中，最接近激光入射面18而配置的第六记录层44的折射率和最远离激光入射面18而配置的第二记录层16的折射率的差为(0.2～0.5的范围内的)0.5，这些五层记录层的反射率的差被控制在3％以内。另外，实施例1～4的光记录介质均是各记录层的记录灵敏度为5mW以内的接近值，是良好的。实施例1～3任意一个的光记录介质的多个记录层的主要组成元素均以Bi以及O为共同的元素，最接近激光的入射面18而配置的记录层的消光系数比第一记录层14的消光系数小0.02～0.14。换句话说，当多个记录层的主要组成元素共同时，如果最接近激光入射面18而配置的记录层的消光系数比第一记录层14的消光系数小0.02～0.14，那么各记录层的记录灵敏度的差将被控制在5mW以内，是优选的。进一步，如果最接近激光入射面18而配置的记录层的消光系数比第一记录层14的消光系数小0.02～0.07，那么各记录层的记录灵敏度的差将被控制在3mW以内，是更加优选的。另外，如上所述，在实施例4中，第一记录层14的主要组成元素不同于其他记录层的主要组成元素，第一记录层14的消光系数比其他记录层的消光系数明显的高，因此，如果包含第一记录层14，那么上述的关系就不成立，但是，在实施例4中也同样，在组成元素相同的第二记录层16、第三记录层32、第四记录层34、第五记录层42、第六记录层44中，最接近激光入射面18而配置的第六记录层44的消光系数比最远离激光入射面18而配置的第二记录层16的消光系数小(0.02～0.14的范围内的)0.08，这些主要组成元素共同的五层记录层的记录灵敏度的差被控制在5mW以内。相对于此，对于第二记录层16的折射率和第一记录层14的折射率相等的比较例的光记录介质，无论怎样在第一记录层14上进行激光对焦，还是将焦点对到了第二记录层16，没有能够在第一记录层上形成记录标记。即，不能对第一记录层14进行评价。可以认为，这是由于光电检测器检测出的第一记录层14的反射率相对于第二记录层16的反射率过低的缘故。本发明可以用于具有多个记录层的光记录介质。权利要求1.一种光记录介质，其特征在于，包含有通过照射激光而形成与周围的间隔部相比增加了厚度的记录标记的多个记录层，在这些记录层中配置在相对接近上述激光的入射面一侧的记录层的折射率低于与该记录层相比配置在远离上述激光的入射面一侧的记录层的折射率。2.一种光记录介质，其特征在于，包含有通过照射激光而形成与周围的间隔部相比增加了厚度的记录标记的多个记录层，在这些记录层中配置在相对接近上述激光的入射面一侧的记录层的消光系数低于与该记录层相比配置在远离上述激光的入射面一侧的记录层的消光系数。3.如权利要求1所述的光记录介质，其特征在于，包含有3层或3层以上的记录层，在这些记录层中，至少与配置在最远离激光入射面的位置的记录层相比而配置在上述激光的入射面侧的多个记录层，是通过照射上述激光而形成与周围的间隔部相比增加了厚度的记录标记的记录层。4.如权利要求2所述的光记录介质，其特征在于，包含有3层或3层以上的记录层，在这些记录层中，至少与配置在最远离激光入射面的位置的记录层相比而配置在上述激光的入射面侧的多个记录层，是通过照射上述激光而形成与周围的间隔部相比增加了厚度的记录标记的记录层。5.如权利要求1所述的光记录介质，其特征在于，上述多个记录层的厚度相同。6.如权利要求1所述的光记录介质，其特征在于，在上述多个记录层中，配置在相对接近上述激光的入射面一侧的记录层厚于与该记录层相比配置在远离上述激光的入射面一侧的记录层。7.如权利要求1所述的光记录介质，其特征在于，在上述多个记录层中，最接近于上述激光的入侧面而配置的记录层的折射率比最远离上述激光的入侧面而配置的记录层的折射率低0.1～0.6。8.如权利要求2所述的光记录介质，其特征在于，在上述多个记录层中，最接近于上述激光的入侧面而配置的记录层的消光系数比最远离上述激光的入侧面而配置的记录层的消光系数小0.01～0.20。9.如权利要求1所述的光记录介质，其特征在于，上述记录层的材料具有根据厚度而上述间隔部的反射率发生变化、并且在规定的厚度下上述间隔部的反射率成为最大的特性，各记录层是以使其间隔部的反射率成为最大的厚度而形成的。10.如权利要求1至9中任意一项所述的光记录介质，其特征在于，在上述多个记录层中，与配置在最远离上述激光的入射面的位置的记录层相比而配置在上述激光的入射面侧的至少一个记录层实质上是由Bi及O构成的，该记录层中的O原子数的比率为62％或62％以上。全文摘要本发明提供一种具有多个记录层、针对任意一个记录层都能够形成良好的记录标记、且能够得到期望的再现精度的光记录介质。光记录介质(10)包含有通过照射激光而形成与周围的间隔部(11)相比增加了厚度的记录标记(12)得第一记录层(14)以及第二记录层(16)，配置在相对接近激光入射面(18)一侧的第二记录层(16)的折射率(n文档编号G11B7/242GK1897134SQ20061010584公开日2007年1月17日申请日期2006年7月13日优先权日2005年7月15日发明者三岛康儿,由德大介申请人:Tdk股份有限公司