专利名称：：具混合密度内存的内存系统及其抹除、文件配置管理方法
技术领域：
：本发明涉及一种内存系统，尤其涉及一种具混合密度内存(Hybriddensitymemory)的内存系统，及其相关的抹除(Wear-leveling)管理方法与文件配置管理方法。
背景技术：
：随着科技的蓬勃发展，对于数据储存容量的需求日益增加。用以储存数据的非挥发性内存(Non-volatilememory,或称为非依电性内存)中，闪存(Flashmemory)具有高储存密度、低耗电特性、有效的存取效率与合理价格成本等优点，因此，已成为时下主流的储存媒体。结构紧实的闪存利于设置于电子装置内，包括数字相机、数字录放机、数字音乐播放机、掌上型个人计算机、与定位导航装置等，或者制作为记忆卡与随身碟等储存装置。闪存虽具有诸多优点，却有两项硬件上的限制。首先，闪存以数据页(Page)为单位进行读取与编程操作，以储存区块(Block)为单位进行抹除。闪存的储存区块在重新写入数据前，必须先执行抹除动作才能再次写入，而不能直接覆写。其次，由于抹除动作须以较高电压执行，闪存能够承受的抹除次数有限。内存的抹除耐用次数一般称为内存的操作耐受次数(Endurancecycle)。当储存区块累积的抹除次数超过抹除耐用次数时，将会导致数据写入失败，使得数据存取可靠度降低。因此，有近来提出的均匀抹除(Wear-leveling)技术的提出，以通过控管闪存储存，让内存内存储器内所有储存区块的抹除次数尽可能地达到一致，借以使得内存的所有储存区块均被有效运用。内存以记忆单元(Memorycell)保存的电压值来记录储存的位值。传统的内存储存技术中，以单一记忆单元保存的电压值为高电位或零电位来记录一位数据为1或0。随着半导体工艺技术的精进，记忆单元所保存电位值被进一步作分割，以储存更多位数据。举例来说，倘若记忆单元可保存四种不同电位值，便能够储存两位数据；倘若记忆单元可保存十六种不同电位值，便能够储存四位数据。业界将传统保存单一位数据存储器工艺技术称为单级单元(Single-level-cell,SLC)工艺，将保存多位数据内存工艺技术称为多级单元(Multi-level-cell,MLC)工艺；而采用单级单元工艺技术制作的内存称为低密度内存(Lowdensitymemory)，而采用多级单元工艺技术制作的内存称为高密度内存(Highdensitymemory)。与低密度内存相较，高密度内存单位面积的数据储存容量成倍数增加。由于高密度内存占有价格与储存容量的优势，因此，时下记忆卡与随身碟等储存装置多采用高密度内存来作数据储存。多级单元工艺技术虽造就了高密度内存的高储存容量，然而却使其储存特性相对劣化，其中主要缺点包括有抹除耐用次数大幅减少与存取速率降低。内存的抹除耐用次数与工艺技术相关，目前，市面上的低密度内存的抹除耐用次数一般为十万次，而高密度内存的抹除耐用次数一般为一万次，其差异高达十倍之多。正因如此，故储存装置采用高密度内存大幅提升储存容量的同时，也面临了使用寿命大幅縮短的严重缺点。有鉴于高密度内存的优势在于储存容量高与成本低，而低密度内存的优势在于抹除耐用次数高与存取速率快，两种内存优劣互见，因此，业界近来发展出混合密度内存(Hybriddensitymemory)。顾名思义，所述的混合密度内存同时配置有高密度内存与低密度内存。而如何利用两者优点从而优化混合密度内存的效能，为近来相关业界积极投入研发的主题。US6807106案(下称106案)便提出混合密度内存的数据储存技术。请参阅图1A与图IB,该二图为106案所提出的混合密度内存的储存管理示意图。图1A与图IB显示文件数据的逻辑(Logical)位置与实体(Physical)储存位置的对应转换关系，即数据的寻址空间与实际存放内存位置的关系。如图1A所示，逻辑区块10包括有一标头区100与一数据区105。数据区105为数据的实质内容，而标头区IOO则为相关的控制信息，例如描述数据区105的数据正确性等信息。图IB显示图1A的逻辑区块10所对应的实体区块12配置。如图IB所示，逻辑区块10的标头区100与数据区105分别备配置在低密度内存区块120与高密度内存区块125。106案着眼于标头区100的数据常被存取使用，是故将标头区100数据储存于存取速率快的低密度内存区块120，并将占用容量大的数据区105储存于高密度内存区块125，借以提升混合密度内存的数据存取效能。106案所提出的技术方案虽可提升储存于混合密度内存内部的文件数据存取效能，然而，该技术却未能符合混合密度内存均匀抹除的要求，而使得储存装置的寿命受到抹除耐用次数较少的高密度内存所箝制。106案中，文件数据一旦被更新，标头区100与数据区105数据将一并变更，连带地，低密度内存区块120与高密度内存区块125均必须进行一次抹除动作。请参阅图2，该图为106案的抹除次数示意图。图2中，区块位置L与K分别显示低密度内存区块120与高密度内存区块125的抹除次数。低密度内存区块与高密度内存区块的抹除耐用次数分别为EC2与EC1。如图2所示，储存装置使用期间，区块位置L,与仏的抹除次数同时累积上升，当两者累积的抹除次数到达高密度内存区块的抹除耐用次数EC1时，高密度内存区块便无法再作数据储存。连带地，储存装置因高密度内存区块的抹除次数到达极限而连带宣告失效。然而，当于储存装置宣告失效时，低密度内存区块的抹除次数却尚未到达其耐除耐用次数EC2。以抹除耐用次数EC2与EC1分别为十万次与一万次为例，则低密度内存区块的抹除次数仅达到其抹除耐用次数的百分之十，浪费的储存资源高达百分之九十。显而易见地，106案所提出的技术因无法符合均匀抹除的要求，将致使内存资源浪费。
发明内容因此，所要解决的技术问题在于提供一种具混合密度内存(Hybriddensitymemory)的内存系统，其依据一储存区块所属的记忆储存空间对应的权值，来记录该储存区块的抹除次数，而使得分属不同记忆储存空间的储存区块尽可能同时到达抹除耐用次数的限制。本发明的另一目的在于提供一种混合密度内存的抹除管理方法，依据记忆储存空间的抹除耐用次数比例来产生一取样表(Samplingtable)，以决定数据的储存区块位置，而使得分属不同记忆储存空间的储存区块尽可能同时到达抹除耐用次数的限制。本发明的再一目的在于提供一种文件配置管理方法，通过参照对照表来决定文件的储存区块，而将文件配置于适当的记忆储存空间作储存，从而发挥混合密度内存的效能。本发明揭示一种具混合密度内存的内存系统。所述的内存系统包括有多个具不同抹除耐用次数的记忆储存空间，以及对应该记忆储存空间与其抹除耐用次数所预设的权值。其中该系统在执行对一记忆储存空间的特定储存区块作抹除的命令之后，依据该特定储存区块所属的记忆储存空间对应的权值，记录该次抹除的执行。本发明再揭示一种混合密度内存的抹除管理方法，其适用于控管一内存系统。所述的内存系统包括有多个记忆储存空间，该记忆储存空间具有个别不同的抹除耐用次数，且每一记忆储存空间包括有多个储存区块。所述的抹除管理方法的步骤为首先，接收一数据储存命令。其次，依据该内存储存区块的抹除耐用次数比例，产生一取样表以回应该命令，其中取样表由对应抹除耐用次数的多个储存区块位置所组成。最后，选取取样表其中的至少一储存区块位置，以依据所选取的储存区块位置来配合数据储存命令储存数据。本发明再揭示一种混合密度内存的文件配置管理方法，其适用于一内存系统的文件配置。所述的内存系统包括有多个记忆储存空间，该记忆储存空间具有个别不同的抹除耐用次数，所述的文件配置管理方法的步骤为首先，接收一命令，以进行一文件的储存配置。其次，参照一对照表，以决定该文件对应的记忆储存空间。本发明的具混合密度内存的内存系统及其抹除管理方法与文件配置管理方法，针对混合密度内存的应用提出控管方案。其中，所述的抹除管理方法依据记忆储存空间的抹除耐用次数比例，产生权值来调整储存区块个别所累计的抹除次数。抹除管理方法通过取样表来选取储存区块以配合储存数据，使得分属不同记忆储存空间的储存区块尽可能同时到达抹除耐用次数限制。文件配置管理方法通过参照对照表来决定文件的储存区块，将文件储存于适当的记忆储存空间，从而提升混合内存的储存效能。以上的概述与接下来的详细说明及附图，都是为了能进一步说明本发明为达成预定目的所采取的方式、手段及功效。而有关本发明的其它目的及优点，将在后续的说明及附图中加以阐述。图1A、图1B为现有技术的混合密度内存的储存管理示意图；图2为现有技术的抹除次数示意图；图3为本发明所揭示混合密度内存的管理系统的系统架构示意图；图4A及图4B分别为图3的低密度记忆储存空间与高密度记忆储存空间的示意图；图5为本发明的权值产生方法的步骤流程图；图6为本发明混合密度内存的抹除管理方法的第一实施例的步骤流程图；图7为本发明的混合密度内存的抹除管理方法的第二实施例的步骤流程图；图8为本发明的混合密度内存的文件配置管理方法的步骤流程图；以及图9为本发明的对照表编辑方法的步骤流程图。其中，附图标记10:逻辑区块105:资料区120:低密度内存区块20:混合密度内存的管理系统24:内存系统28:暂存模块32:低密度记忆储存空间LUH,Hn:储存区块EC1、EC2:抹除耐用次数100:标头区12:实体区块125:高密度内存区块22:主机26:控制模块30:储存模块34:高密度记忆储存空间Cuu、CH1CHN:抹除次数具体实施方式本发明提出具混合密度内存(Hybriddensitymemory)的内存系统及相关的抹除管理方法与文件配置管理方法。所述的混合密度内存同时配置有采用单级单元(Single-level-cell)工艺技术制作的低密度内存(Lowdensitymemory)，以及采用多级单元(Multi-level-cell)工艺技术制作的高密度内存(Highdensitymemory)。其中，低密度内存的储存容量低、抹除耐用次数(Endurance)高且存取速率快；高密度内存的储存容量高、抹除耐用次数少且存取速率低。本发明以内存的均匀抹除(Wear-leveling)管理与文件配置管理两大方向来使得混合密度内存的储存效能充分发挥，与优化混合密度内存的应用效能。本发明所提出的第一具体实施例如图3所示，管理系统20包括一主机22以及一具混合密度内存的内存系统24。主机22耦接于该内存系统24，其中主机22为可作数据存取的应用系统，例如计算机、通信装置、数字相机、数字影音播放机等数字装置。内存系统24为主机22的储存单元。例如记忆卡、随身碟等储存装置。所述内存系统24还包括有一控制模块26、一暂存模块28以及一储存模块30。暂存模块28为随机存取内存，用以暂存数据，储存模块30为闪存所构成的非挥发性内存(Non-volatilememory,或称为非依电性内存)，用以储存数据。控制模块26耦接于主机22、暂存模块28与储存模块30。主机22安装有操作系统与硬件驱动程序，以对内存系统24作硬件控制与数据传输。控制模块26接受主机22端的数据存取命令控制，进行读写位置对照转换，对暂存模块28与储存模块30作存取动作。储存模块30由混合密度内存所构成，包括有一低密度记忆储存空间32与一高密度记忆储存空间34。低密度记忆储存空间32采用单级单元(Single-level-cell,SLC)工艺技术所制作，高密度记忆储存空间34采用多级单元(Multi-level-cell,MLC)工艺技术所制作。低密度记忆储存空间32与高密度记忆储存空间34具有个别不同的抹除耐用次数。请同时参阅图4A及图4B，其分别为图3的低密度记忆储存空间32与高密度记忆储存空间34的示意图。如图4A及图4B所示，低密度记忆储存空间32具有多个储存区块(Block)L,Lm，高密度记忆储存空间34具有多个储存区块H,IU其中，M、N分别为一大于l的整数。附带一提的是，所述的低密度记忆储存空间32与高密度记忆储存空间34可形成于同一内存芯片，或分别由一或多个内存芯片所形成。储存区块LiLM、H,仏除了储存使用者的数据之外，尚分割出一块储存区来储存额外信息，以记录个别储存区块的硬件描述、储存数据，及抹除次数。如图4A及图4B所示，储存区块L、…、LM、Hb…、^分别储存有个别的抹除次数Cu、…、Clm、CH1、…、CHN。当主机22开机、储存文件数据或指定进行抹除管理的时机，控制模块26将每一储存区块L,、…、LM、仏、…、Hw个别的抹除次数Cu、、ClM、CH1、…、CHw读出，借以取得各个储存区块的抹除次数，以便依据储存区块的抹除次数多少，来运用储存区块，达到均匀抹除的目的。由于低密度记忆储存空间32与高密度记忆储存空间34的抹除耐用次数不同，现有技术忠实地依据抹除次数作累计，即抹除次数Cu、…、C,M、CH1、…、U为反应出储存区块L,、…、LM、H,、…、仏进行过的抹除次数累计值，当控制模块26作抹除控管时，将会对抹除次数少的储存区块增加运用比例，以便使得各个储存区块的抹除次数尽可能一致。如此一来，将致使抹除耐用次数少的高密度记忆储存空间34的储存区块H卜…、Hw提早面临失效。因此，本发明以记忆储存空间的抹除耐用次数比例的反比，来产生每一记忆储存空间个别的抹除次数权值。当控制模块26将抹除次数写回储存区块时，会依照该储存区块所属记忆储存空间的权值对该次抹除加权后累计于原抹除次数中。换言之，储存区块L、…、LM、Ht、…、Hw个别的抹除次数Cu、…、U、CH1、…、(^并非实际的抹除次数，而是经过权值所调整的等效抹除次数，以期反映出其实质寿命。如此一来，便可依据储存区块已消耗的寿命比率来作均匀抹除控管，而非仅就抹除次数来作抹除控管。在此，进一步以一实例来说明上述机制。假设图3的低密度记忆储存空间32与高密度记忆储存空间34的抹除耐用次数分别为十万次与一万次，则其比例为10:1。依据抹除耐用次数比例的相反值1:10，可决定低密度记忆储存空间32与高密度记忆储存空间34个别的抹除次数权值。例如，将低密度记忆储存空间32与高密度记忆储存空间34个别的权值定义为1与10。则累计低密度记忆储存空间32的储存区块LU的抹除次数时，每次将抹除次数加1;而累计高密度记忆储存空间34的储存区块^&的抹除次数时，每次将抹除次数加10。如此一来，储存区块H仏的抹除次数将以较快速度上升，而控制模块26便会逐渐减少高密度记忆储存空间34的储存区块仏A的使用比例，从而防止储存区块仏HN提早达到抹除耐用次数的限制而早夭失效。以下便详细说明本发明所揭示抹除管理方法的第一实施例。请参阅图5，该图为记忆储存空间的权值产生方法的步骤流程图。此权值产生方法用以产生记忆储存空间个别的权值，以便管理系统20作均匀抹除管理。如图5所示，此权值产生方法包括有下列步骤首先，控制模块26根据所属内存密度识别内存系统24的各个记忆储存空间个别的抹除耐用次数(步骤S500);以及其次，依据各个记忆储存空间的抹除耐用次数比例，产生对应的权值，使得各个记忆储存空间的权值的比例与对应该记忆储存空间的抹除耐用次数的比例相反(步骤S502)。于一具体实施例中，步骤S502所产生的权值被记录于储存模块30内部的一储存区块内，当主机22运作时，可被控制模块26从储存模块30中存取至暂存模块28储存，以利控制模块26执行抹除管理的演算存取。接着，请参阅图6，该图为本发明的混合密度内存的抹除管理方法的步骤流程图。如图6所示，此方法包括有下列步骤首先，分别提供该记忆储存空间具有一权值，其中该记忆储存空间的权值的比例与该记忆储存空间的抹除耐用次数的比例成反比(步骤S600);其次，控制模块26接收一命令，以对一特定储存区块作抹除(步骤S602);随后，控制模块26识别该特定储存区块所属的记忆储存空间(步骤S604);以及最后，执行该命令，对该特定储存区块进行抹除，并依据该特定储存区块所属的记忆储存空间对应的权值，记录该次抹除的执行(步骤S606)。其中，步骤S600依据之前所揭示的权值产生方法所产生。于一具体实施例中，每一储存区块储存有个别的抹除次数。于步骤S606中，当控制模块26执行命令，对该特定储存区块作抹除时，包括有下列步骤首先，读出该特定储存区块的抹除次数；其次，抹除该特定储存区块所记忆的内容；随后，依据该特定储存区块所属的记忆储存空间对应的权值，累计抹除次数；以及最后，将经过累计的抹除次数写入该特定储存区块。附带一提的是，图3为以一高密度记忆储存空间34为例，储存模块30可进一步包括具有另一抹除耐用次数的高密度记忆储存空间。举例来说，倘若储存模块30具有抹除耐用次数为1000次的另一高密度记忆储存空间，则低密度记忆储存空间32、高密度记忆储存空间34与所述的另一高密度记忆储存空间的抹除耐用比例即为100:10:1，据此，将可推得而该三记忆储存空间的权值比例为100:10:1的相反值，也就是1:10:100。依据上述权值比例，可定义出每一记忆储存空间个别的权值。另外也可依所述的抹除耐用比例任意将三记忆储存空间的权值分别定义为l、10、100，或者为10、100、1000。此外，也可分别提供高密度记忆储存空间34及低密度记忆储存空间32各有一权值，且并使高密度记忆储存空间34的权值大于低密度储存空间的权值32。如此一来，此实施方式中，高密度记忆储存空间34的储存区块的抹除次数将仍以较快的速度上升。本发明的第二实施例，在接收到数据储存命令时，依据记忆储存空间的抹除耐用次数比例，产生一取样表(Samplingtable)，此取样表由对应抹除耐用次数的储存区块位置所组成。当主机22向控制模块26提出数据储存需求时，控制模块26便产生一取样表，选取取样表内至少一储存区块位置来配合数据储存命令储存数据。取样表内所配置的每一记忆储存空间具有的储存区块位置的数量与该储存区块的抹除耐用次数成正比。举例来说，倘若储存模块30中，低密度记忆储存空间32与高密度记忆储存空间34的抹除耐用次数比例为10:1，可将取样表的样本组成比例预设为具有十个低密度记忆储存空间32的储存区块位置，以及一个高密度记忆储存空间34的储存区块位置。如此一来，而控制模块26便会依据规划好的样本数的比例产生取样表，再随机选取其中样本来决定数据储存位置。请参阅图7，该图为本发明的混合密度内存的抹除管理方法的步骤流程图。如图7所示，该方法包括有下列步骤首先，控制模块26接收一数据储存命令(步骤S700);其次，依据记忆储存空间的抹除耐用次数比例，产生一取样表以回应该命令，该取样表由对应该抹除耐用次数的多个储存区块位置所组成(步骤S702);以及最后，选取该取样表中的至少一储存区块位置，以依据所选取的储存区块位置来配合该数据储存命令储存数据(步骤S704)。其中，取样表中所配置每一记忆储存空间具有的储存区块位置的数量与记忆储存空间的抹除耐用次数成正比。如此一来，便可通过样本数的不平均分配与随机选取，达到对混合密度内存均匀抹除的目的。另外，由于实践应用中，记忆储存空间的储存容量有所不同，因此，于一具体实施例中，取样表所配置的每一记忆储存空间的储存区块位置数量进一步与记忆储存空间的储存容量成正比，从而使得对照表的样本根据内存系统24的内存容量配置，而更准确地达到均匀抹除的目的。除上述两实施例之外，在实践应用中，文件数据的特性不同，对于内存的储存特性需求也有所不同。混合密度内存中，高密度内存在于提供高容量储存空间，而低密度内存所提供的储存空间储存容量虽较小，但其存取效能与可靠度均较高。因此，如程序执行文件、视频音频文件等储存容量高而不常作修改的文件，可储存于高密度内存储存空间。而像文件系统(Filesystem)、页式文件(Pagefile)与快取文件(Cachefile)等文件常被存取与修改，并且与主机系统的运作息息相关，对于数据存取速率与可靠度的需求较高，便可储存于低密度内存储存空间。本发明所揭示的文件配置管理方法将文件数据储存于符合其操作特性的内存中，以进一步优化混合密度内存的效能。图3中，储存模块30储存有一文件系统，所述的文件系统可为依据FAT12、FAT16、FAT32或NTFS文件系统所规范的系统架构，以对储存模块30所储存的文件数据作管理。文件数据的逻辑地址与实体位置的对应关系通过逻辑区块地址(Logicalblockaddressing)作映像转换。请参阅图8，该图为本发明的文件配置管理方法的步骤流程图。如图8所示，所述的文件配置管理方法包括有下列步骤首先，提供一对照表(步骤S800);其次，接收一命令，以进行一文件的储存配置(步骤S802);以及最后，参照对照表，以依据文件的特性，决定该文件对应的记忆储存空间(步骤S804)。所述的对照表记载文件特性所对应的记忆储存空间。所述的文件特性可为文件类型，例如，以文件数据的扩展名列出所对应的记忆储存空间，借此，便可将对储存效能要求较高的文件系统、页式文件与快取文件配置于低密度记忆储存空间32储存，而将储存容量需求高，但数据少有变动的视频音频文件、程序执行文件配置于高密度记忆储存空间34储存。所述的文件特性也可为文件操作的频率，通过检测文件的开启、更新与储存等操作的频率，来决定所对应的记忆储存空间，从而可将较常变动与经常存取的文件配置于低密度记忆储存空间32储存，而将久未变动与较少存取的文件配置于高密度记忆储存空间34储存。所述的文件特性也可为文件名称或数据夹目录，从而可依据文件名或文件的数据夹目录，将文件数据配置于对照表所规划的记忆储存空间。于一具体实施例中，所述的对照表由一文件管理程序的执行所产生。所述的文件管理程序产生对照表后，便将对照表储存于储存模块30的一预定位置，当主机22开机时，控制模块26便将对照表从储存模块30存取到暂存模块28中作暂存，以便在进行储存配置时，随时存取对照表，借以参照文件的预设实体位置。于上述实施例中，该文件管理程序编辑该对照表的方式可由该主机系统自动检测文件特性来进行编辑；也可由使用者自行编辑对照表，以直接控管内存系统。因此，对照表的编辑包括有使用者编辑管理与程序自动检测管理两种模式。请参阅图9，该图为本发明的对照表编辑方法的步骤流程图。如图9所示，该方法包括有下列步骤首先，执行文件管理程序(步骤S900);其次，依据文件管理程序的执行，初始化文件管理程序的各项设定，并取得对照表(步骤S902);接着，判断是否接收到对照表编辑命令，此对照表编辑命令表示使用者欲主动编辑对照表(步骤S904);倘若步骤S904的判断为接受到对照表编辑命令，则进入使用者编辑管理模式，主机22控制显示器产生一操作接口提供该对照表的编辑(步骤S920);其后，接受对照表的变更(步骤S922);倘若步骤S904的判断为并未接收到对照表编辑命令，则进入程序自动检测管理，以幕后运作状态检测文件的操作情形(步骤S906);随后，判断文件的操作是否涉及一预设的操作手段，例如，文件的开启、更新与储存(步骤S908);倘若步骤S908的判断为文件的操作涉及预设的操作手段，则更新对照表内容，举例来说，假设依照对照表的预先规划，一个原本被配置于高密度记忆储存空间34中文件被检测到开启与变更储存，则文件管理程序便依据检测结果，更新对照表内容，将该文件所对应的记忆储存空间由高密度记忆储存空间34变更为低密度记忆储存空间32(步骤S930);倘若步骤S908的判断为否，接着便判断是否结束操作(步骤S910);倘若步骤S910的判断为并未结束操作，便回到步骤S906，继续检测文件的操作情形；倘若步骤S910的判断为结束操作，便结束文件管理程序的执行(步骤S912)。特别提出的是，文件配置管理的执行时机并非仅限于储存文件与操作文件的时。举凡主机22开机或文件存取时，均可进行文件配置管理。此外，由于文件配置管理必须执行文件特性识别与参照对照表等程序，所占用的系统资源较多。，因此，本发明的文件配置管理也可不必识别文件系统中所有文件的特性，以决定所有文件的记忆储存空间。于一具体实施例中，针对高重要性的文件系统、快取文件与页式文件等文件作文件配置管理，以便将上述类型文件储存于可靠度与存取效能较佳的低密度内存中。通过以上实例详述，当可知悉本发明的具混合密度内存的内存系统及其抹除管理方法与文件配置管理方法，针对混合密度内存的应用提出控管方案。其中，所述的抹除管理方法的第一实施例依据记忆储存空间的抹除耐用次数比例，产生权值来调整储存区块个别所累计的抹除次数。抹除管理方法的第二实施例则是通过取样表来选取储存区块以配合储存数据，使得分属不同记忆储存空间的储存区块尽可能同时到达抹除耐用次数限制。文件配置管理方法通过参照对照表来决定文件的储存区块，将文件储存于适当的记忆储存空间，从而提升混合内存的储存效能。本发明提出具体可行的机制，优化混合密度内存的应用，解决现有技术的诸多缺失。当然，本发明还可有其它多种实施例，在不背离本发明精神及其实质的情况下，熟悉本领域的普通技术人员当可根据本发明做出各种相应的改变和变形，但这些相应的改变和变形都应属于本发明所附的权利要求的保护范围。权利要求1.一种具混合密度内存的内存系统，其特征在于，该内存系统包括有多个具不同抹除耐用次数的记忆储存空间，并分别包括有多个储存区块；以及对应该记忆储存空间与其抹除耐用次数所预设的权值；其中该系统在执行对一特定储存区块作抹除的命令之后，依据该特定储存区块所属的记忆储存空间对应的权值，记录该次抹除的执行。2、根据权利要求l所述的内存系统，其特征在于，该多个记忆储存空间包括有至少一低密度记忆储存空间以及至少一高密度记忆储存空间。3、根据权利要求1所述的内存系统，其特征在于，该多个记忆储存空间所对应的权值的比例与该多个记忆储存空间的抹除耐用次数比例相反。4、根据权利要求2所述的内存系统，其特征在于，该高密度记忆储存空间的权值大于该低密度储存空间的权值。5、根据权利要求l所述的内存系统，其特征在于，该抹除命令与记录的步骤包括读出该特定储存区块的抹除次数；抹除该特定储存区块所记忆的内容；依据该特定储存区块所属的记忆储存空间对应的权值，累计该抹除次数；以及将经过累计的抹除次数写入该特定储存区块。6、一种混合密度内存的抹除管理方法，其特征在于，适用于控管一内存系统，该内存系统包括有多个记忆储存空间，该记忆储存空间具有个别不同的抹除耐用次数，每一记忆储存空间包括有多个储存区块，该抹除管理方法包括下列步骤接收一数据储存命令；依据该内存储存区块的抹除耐用次数比例，产生一取样表以回应该命令，其中该取样表由对应该抹除耐用次数的多个储存区块位置所组成；以及选取该取样表其中的至少一储存区块位置，以依据所选取的储存区块位置来配合该数据储存命令储存数据。7、根据权利要求6所述的抹除管理方法，其特征在于，该记忆储存空间包括有至少一低密度记忆储存空间以及至少一高密度记忆储存空间。8、根据权利要求6所述的均匀抹除管理方法，其特征在于，该取样表所配置的每一记忆储存空间的储存区块位置的数量进一步与该记忆储存空间的储存容量成正比。9、根据权利要求6所述的均匀抹除管理方法，其特征在于，该取样表所配置的每一记忆储存空间的储存区块位置的数量进一步与该内存储存区块的抹除耐用次数成正比。10、根据权利要求6所述的管理系统，其特征在于，该记忆储存空间包括有至少一低密度记忆储存空间以及至少一高密度记忆储存空间。11、一种混合密度内存的文件配置管理方法，其特征在于，适用于一内存系统的文件配置，该内存系统包括有多个记忆储存空间，该记忆储存空间具有个别不同的抹除耐用次数，该文件配置管理方法包括下列步骤接收一命令，以进行一文件的储存配置；以及参照一对照表，以决定该文件对应的记忆储存空间。12、根据权利要求ll所述的文件配置管理方法，其特征在于，该对照表记载一文件特性所对应的记忆储存空间，该文件特性为文件的文件名、扩展名、目录或操作频率。13、根据权利要求11所述的文件配置管理方法，其特征在于，还包括下列步骤识别该文件所储存的记忆储存空间；以及倘若该文件所储存的记忆储存空间与依据该对照表所决定的记忆储存空间不同，则将该文件迁移至依据该对照表所决定的记忆储存空间储存。14、根据权利要求11所述的文件配置管理方法，其特征在于，该对照表通过一文件管理程序的执行来作对照表编辑，该对照表编辑方法包括下列步执行该文件管理程序；产生一操作接口提供该对照表的编辑；以及接受该操作接口对该对照表的变更。15、根据权利要求14所述的文件配置管理方法，其特征在于，该对照表编辑方法还包括下列步骤检测文件的操作情形；判断文件的操作是否涉及一预设的操作手段；以及倘若文件的操作涉及该预设的操作手段，则更新该对照表;其中该预设的操作手段为文件的开启、更新与储存。全文摘要本发明公开了一种具混合密度内存的内存系统。所述的内存系统包括有多个具不同抹除耐用次数的记忆储存空间，以及对应该记忆储存空间与其抹除耐用次数所预设的权值。其中该系统在执行对一记忆储存空间的特定储存区块作抹除的命令之后，依据该特定储存区块所属的记忆储存空间对应的权值，记录该次抹除的执行。借此，可使得分属不同密度的记忆储存空间尽可能同时到达抹除耐用次数。文档编号G11C16/10GK101271730SQ20071012946公开日2008年9月24日申请日期2007年7月17日优先权日2007年3月19日发明者张惠能,林传生,谢祥安,陈明达申请人:威刚科技股份有限公司