信息记录介质及其制造法和记录再生装置的制作方法

专利名称：信息记录介质及其制造法和记录再生装置的制作方法
技术领域：
本发明涉及采用激光照射等的光学单元在高密度以及高速度下能够进行信息记 录以及再生的信息记录介质及其制造方法和其记录再生装置。
背景技术：
作为在高速度下能进行信息记录以及再生的大容量的记录介质，公知有光信息记 录介质(例如，光盘)。向该介质记录信息是利用以下的方式来进行的，即通过对记录材料 (指构成记录层的材料)照射激光时产生的热，使记录材料向光学上可区别的不同状态变 化。该记录介质具有可根据需要对其随机访问且移动性良好的优点。因此，近年来其重要 性越来越高。作为现有提出的光信息记录介质，可列举出能多次改写的改写型介质、以及仅能 写入一次的一写多读型介质。一写多读型介质与改写型介质相比，一般能够由较少的层数 构成，所以易于制造，并能够以低成本来进行提供。另外，因为记录于一写多读型介质上的 信息不能改写，所以一写多读型介质适合用作写入不想被破坏的数据的介质。根据这些理 由，保存时间长且可靠性高的一写多读型介质作为文档用途的介质有很大的需要。例如，为了利用计算机来记录以及保存个人数据或影像信息等，在医疗领域以及 学术领域中广泛应用一写多读型介质。另外，一写多读型介质被用作取代家庭用录像带的 介质。一直以来，伴随着应用程序的高性能化以及图像信息的高性能化和急速的市场发 展，需要进一步增大一写多读型记录介质的大容量以及进一步降低一写多读型记录介质的 成本。增加光信息记录介质的容量的技术主要分为2类。其一是通过光源的短波长化、 物镜的高NA化、以及超分辨记录等来提高面记录密度的方法。另一个是在介质的厚度方向 上增加记录层数，从而增加记录层总面积的方法。当前，光信息记录介质的容量要通过使两 者组合的方法来增大。另外，制造光信息记录介质所需的成本由构成介质的材料费用、制造装置费用、制 造所需的时间、以及介质制造中的成品率等多个制造参数来决定。特别是，光信息记录介质 的制造成本主要依存于构成信息层的材料的成本。在地球上存在的数目的元素中，因为Pd 以及Au等贵金属的埋藏量少，所以公知是昂贵的材料。例如，在2007年8月时，Pd以1200 日元/g左右进行买卖，Au以lg2500日元/g左右进行买卖。当例如考虑Cu是1日元/g左 右的情况时，这些金属可称为价格非常高。因此，为了实现低成本的一写多读型记录介质， 优选尽可能地减少贵金属的使用量。伴随着DVD刻录机的爆发性普及，对一写多读型介质的需要急增。这是因为，将记 录到硬盘中的影像保存在一写多读型介质内的使用方法是普遍进行的。当然，即使在使用 下一代DVD刻录机的情况下也能够假定为消费者采用同样的使用方法，因此聚集了对适合 高品质电视广播录像的、低成本且大容量的一写多读型介质的关注。
利用激光高密度地记录信息并利用激光来再生已记录的信息的技术是公知的。 作为用于这样的记录以及再生的记录介质，已知有在基板上设置将Te和TeO2的混合物即 TeOx (0 <x<2)作为主成分的薄膜的介质(参照专利文献1)。为了提高记录速度以及记 录灵敏度而在该TeOx中添加了 Pd后的材料即Te-O-Pd记录材料，已知其信号振幅充分大， 并且介质的可靠性非常高(参照专利文献2)。但是，在专利文献2所述的材料中，Pd的含 有量是8 35原子百分比。当这样使用大量的Pd时，难以在低成本下制作一写多读型记录 介质。另外，还报告了由Te-O-Pd记录层和折射率为1.5以上的电介质层构成的结构(参 照专利文献3)。该结构在利用蓝紫色激光来记录信息的一写多读型记录介质中，能够确保 良好的C/N比，并进一步提高介质的容量。采用了这些Te-O-Pd类记录材料的记录介质中的记录原理如下这样进行考虑。成 膜后的Te-O-Pd薄膜是在TeO2中使Te-Pd、Te、或Pd作为微粒子一致分散的复合材料。当 为了记录而照射激光时，Te、Te-Pd、以及Pd熔融，更大的结晶粒子析出。由此，光学状态发 生变化，可将照射激光的部分和没有照射的部分的光学状态之差作为信号进行检测。通过 添加Pd，可更高速地析出结晶粒子，另外，能够提高记录介质的可靠性。专利文献1 日本特开昭50-46317号专利文献2 日本特开昭61-68296号专利文献3 日本特开2002-133712号Te-O-Pd记录材料如前所述大量含有高价的Pd。因此，当采用该记录材料时，难以 实现低成本的一写多读型记录介质。另外还已知，针对采用了 Te-O-Pd记录材料的一写多 读型记录介质，具有由于经年劣化而导致反射率降低，因此无法稳定地再生长期记录的信 息这样的课题。

发明内容
本发明是为了解决这些课题而作出的，其目的是抑制由于经年劣化而导致的反射 率降低，并且低成本地实现给与良好信号品质的记录介质。即，本发明的目的是提供可进行 高密度记录，并可长期稳定再生记录数据的低成本的信息记录介质以及其制造方法。为了实现上述目的，本发明提供一种信息记录介质，其具备基板和具有记录层的 信息层，并通过激光的照射来进行信息的记录以及再生，其中，上述记录层包含由Te、0、MA、 以及Mb构成的Te-0-MA-MB材料，其中，Ma是从Au以及Pd中选出的至少1种元素，Mb是从 Ag、Cu、以及Ni中选出的至少1种元素，在上述Te-0-MA-MBM料中，Te原子的含有比例是10 原子百分比以上、50原子百分比以下，0原子的含有比例是40原子百分比以上、70原子百 分比以下，Ma原子的含有比例是3原子百分比以上、15原子百分比以下，Mb原子的含有比例 是3原子百分比以上、15原子百分比以下。根据该信息记录介质，可实现没有或能够抑制由 于经年劣化而导致的反射率降低的低成本的信息记录介质。在本发明的信息记录介质中，优选Te-0-MA-MB材料中的Mb原子的含有比例Xb相对 于Ma原子的含有比例Xa与Mb原子的含有比例Xb之和的比{XB/(XA+XB)}是0. 25以上、0. 75 以下。其原因是能够进一步抑制由于经年劣化而导致的反射率降低。在本发明的信息记录介质中，优选构成Te-0-MA-MB材料的Ma原子是Pd。其原因是 在高速记录中能够确保良好的信号品质。
在本发明的信息记录介质中，优选构成Te-0-MA-MB材料的Mb原子是Cu。其原因是 能够确保良好的信号品质。在本发明的信息记录介质中，优选记录层的厚度是2nm以上、50nm以下。其原因是 能够确保良好的信号品质。本发明的信息记录介质可含有两个以上信息层。在此情况下，至少1个信息层具 有包含上述Te-0-MA-MB材料的记录层。通过此结构，在该至少一个信息层中能够确保良好 的信号品质。本发明的信息记录介质优选采用波长是350nm以上、500nm以下的激光来记录以
及再生信息。其原因是使用这样的激光能够高密度地记录信息。另外，本发明提供一种信息记录介质的制造方法，其是上述本发明的信息记录介 质的制造方法，其中，形成记录层的工序包括以下过程使用溅射靶，在含有稀有气体的气 氛中进行溅射，其中，上述溅射靶包含由Te、0、MA、以及Mb构成的材料，并且，Ma是从Au以及 Pd中选出的至少1种元素，Mb是从Ag、Cu、以及Ni中选出的至少1种元素。该制造方法适 合制造没有或能够抑制由于经年劣化而导致的反射率降低的低成本的信息记录介质。此外，本发明还提供一种信息记录介质的制造方法，其是上述本发明的信息记录 介质的制造方法，其中，形成记录层的工序包括以下过程使用溅射靶，在含有稀有气体和 氧的混合气体的气氛中，进行反应性溅射，其中，上述溅射靶包含由Te、MA、以及Mb构成的材 料，并且，Ma是从Au以及Pd中选出的至少1种元素，Mb是从Ag、Cu、以及Ni中选出的至少 1种元素。该制造方法适合制造没有或能够抑制由于经年劣化而导致的反射率降低的低成 本的信息记录介质。(发明的效果)本发明的信息记录介质的特征是，作为记录层，包含由上述Te、0、Ma、以及Mb构成 的Te-0-MA-MB材料作为主成分，并在Te-0-MA-MB材料中以规定的比例含有各原子，其中，Ma 是从Au以及Pd中选出的至少1种元素，Mb是从Ag、Cu、以及Ni中选出的至少1种元素。 根据此特征，能够低成本地提供可高密度地记录数据、且长期稳定再生记录数据的信息记 录介质。另外，根据本发明的信息记录介质的制造方法，可制作具有上述效果的信息记录介 质。


图1是本发明的信息记录介质的一构成例的截面图。图2是本发明的信息记录介质的一构成例的截面图。图3是本发明的信息记录介质的一构成例的截面图。图4是本发明的信息记录介质的一构成例的截面图。图5是示意地示出在本发明的信息记录介质的记录再生中采用的记录再生装置 的一部分结构的图。标号说明1、9、24、44、64信息记录介质2、10、25、45 基板4、12、18、27、33、38、47、52、57 第 1 电介质层
5、13、19、28、34、39、48、53、58 记录层7，22，42，61 光透明层8、23、43、45、62、65 激光3、11、17、26、32、46 反射层6、14、20、29、35、40、49、54、59 第 2 电介质层15，30，50 第 1 信息层16、31、37、51、56 中间层21、36、55 第 2 信息层41第3信息层60第η信息层63记录再生装置66 物镜67激光器68光检测器69主轴电动机
具体实施例方式以下，参照附图来说明本发明的实施方式。此外，以下的实施方式仅是一例，本发 明不被限定于以下的实施方式。另外，在以下的实施方式中，对同一部分或要素标注同一标 号，并省略重复的说明。图1、图2、图3、以及图4分别示出本发明的信息记录介质(在包含以下说明的本 说明书中，有时仅称为「介质」或「记录介质」)的一构成例。图1所示的信息记录介质1具有在基板2上设置由反射层3、第1电介质层4、记 录层5、第2电介质层6构成的信息层的结构。在所图示的形态中，在信息层之上形成光透 明层7 (也称为盖层或保护层)。如果对记录特性等没有影响，则可以不形成反射层3、第1 电介质层4、以及第2电介质层6中的任意一个或全部。只要层数少就能够降低成本。或 者，可根据需要，在第1电介质层4与记录层5之间以及/或第2电介质层6与记录层5之 间，形成用于防止物质移动的界面层。针对该信息记录介质，从光透明层7侧照射激光8来 进行记录再生。图2所示的信息记录介质9具有在基板10上顺次设置第1信息层15以及第2信 息层21的结构。使中间层16介于两个信息层之间，光学分离各信息层，排除不需要的光学 干涉。此外，在第2信息层21之上还形成光透明层22。针对该信息记录介质，从光透明层 22侧照射激光23来进行记录再生。针对第1信息层15，采用已透过第2信息层21的激光 来进行记录再生。第1信息层15为了确保高反射率和高信号品质双方而具有依次层叠反射层11、 第1电介质层12、记录层13、以及第2电介质层14的结构。第2信息层21与第1信息层 同样由反射层17、第1电介质层18、记录层19、以及第2电介质层20构成。但是，为了确保 高透过率和高信号品质双方，可以使记录层和反射层的厚度比第1信息层的记录层和反射 层的厚度薄。如果对记录特性等没有影响，则为了降低成本，可以不形成第1信息层以及第2信息层中的反射层、第1电介质层、以及第2电介质层中的任意一个或全部。图3所示的信息记录介质24具有在基板25上顺次设置有第1信息层30、第2信息 层36、以及第3信息层41的结构。使中间层31、37分别介于相邻的信息层之间，光学地分 离各信息层来排除不需要的光学干涉。此外在第3信息层41之上还形成光透明层42。针 对该信息记录介质，从光透明层42侧照射激光43来进行记录再生。针对第1信息层30，采 用通过了第2信息层36以及第3信息层41的激光来进行记录再生。针对第2信息层36， 采用通过了第3信息层41的激光来进行记录再生。第1信息层30为了确保高反射率和高信号品质双方而具有依次层叠反射层26、 第1电介质层27、记录层28、以及第2电介质层29的结构。第2信息层36与第1信息层 同样由反射层32、第1电介质层33、记录层34、以及第2电介质层35构成。但是，为了确保 高透过率和高信号品质双方，可以使记录层和反射层的厚度比第1信息层的记录层和反射
层的厚度薄。第3信息层41为了确保高透过率和高信号品质双方而由第1电介质层38、记录层 39、以及第2电介质层40构成。第3信息层41与第1信息层30以及第2信息层36不同， 不具有反射层。这是为了提高第3信息层41的透过率。如果对记录特性等没有影响，则为了降低成本，可以不形成第1信息层以及第2信 息层中的反射层、第1电介质层、以及第2电介质层中的任意一个或全部。或者，为了提高 信号品质，可在第3信息层上适当形成反射层。图4所示的信息记录介质44具有在基板45上顺次设置第1信息层50、第2信息 层55、…、第η信息层60 (η彡4)的结构。使中间层51、56…介于相邻的信息层之间，光学 地分离各信息层来排除不需要的光学干涉。针对该信息记录介质44，从光透明层61侧照 射激光62来进行记录再生。针对第k信息层(k为1以上、(n-1)以下的整数)，采用从第 η信息层60通过到达第k+Ι信息层的激光来进行记录再生。第1信息层50为了确保高反射率和高信号品质双方而具有依次层叠反射层46、 第1电介质层47、记录层48、以及第2电介质层49的结构。从第2信息层55到第η信息 层60的信息层，为了确保高透过率和高信号品质双方而由第1电介质层52、…、57、记录层 53、…、58、第2电介质层54、…、59构成。在第1电介质层和中间层之间，为了提高信号 品质可适当插入反射层。如果对记录特性等没有影响，则为了降低成本，可以不形成各信息 层中的反射层、第1电介质层、以及第2电介质层的任意一个或全部。基板2、10、25、45是透明的圆盘形状。作为基板材料，可采用聚碳酸酯 (polycarbonate)树脂、聚甲基丙烯酸甲酯(polymethyl methacrylate)树脂、聚烯烃 (polyolefin)树脂、聚降冰片烯(polynorbornene)类树脂、紫外线固化性树脂(环氧树脂 或丙烯酸树脂等)、玻璃、或组合它们而成的物质。基板2、10、25、45的厚度虽没有特别限 定，但可以是0. Olmm以上、1. 5mm以下。光透明层7、22、42、61是透明的圆盘形状。作为光透明层的材料，优选采用如下材 料，即相对所使用的激光8、23、43、62的波长，光吸收小且在短波长区域中在光学上具有 小的双折射率。具体地说，可采用聚碳酸酯树脂、聚甲基丙烯酸甲酯树脂、聚烯烃树脂、聚降 冰片烯类树脂、紫外线固化性树脂(环氧树脂或丙烯酸树脂等)、玻璃、或组合它们而成的 物质。光透明层7、22、42、61的厚度没有特别限定，不过可以是0.01mm以上、1.5mm以下。
在用于记录以及再生的物镜的数值孔径(numerical aperture)是0. 75以上、 0. 95以下的情况下，为了确保记录介质制造时的强度，基板2、10、25、45的厚度优选处于 1.00mm以上、1.20mm以下的范围内。另外，为了减小相对于倾斜(tilt)的容许幅度，光透 明层7、22、42、61的厚度优选处于0. 03mm以上、0. 20mm以下的范围内。另一方面，在物镜的数值孔径是0.55以上、0.75以下的情况下，基板2、10、25、45 的厚度优选处于0. 50mm以上0. 70mm以下的范围内。另外，光透明层7、22、42、61的厚度优 选处于0. 50mm以上、0. 70mm以下的范围内。作为中间层16、31、37、51、56的材料，与光透明层同样，可采用聚碳酸酯树脂、聚 甲基丙烯酸甲酯树脂、聚烯烃树脂、聚降冰片烯类树脂、紫外线固化性树脂(环氧树脂或丙 烯酸树脂等)、玻璃、或组合它们而成的物质等。当再生第1信息层、第2信息层、第3信息层、以及第η信息层中的任意一个时，为 了使来自其它信息层的串扰(cross talk)变小，中间层16、31、37、51、56的厚度需要至少 是由物镜的数值孔径NA和激光波长λ所决定的焦点深度(cbpth of focus)以上。另外， 为了使全部信息层收于可聚焦的范围内，需要选择中间层16、31、37、51、56的厚度。在层叠 三个以上信息层的情况下，优选各个中间层的厚度不同。其原因是，在中间层为相同厚度的 情况下，信息层的位置为等间隔，当记录再生距离激光较远的层(第m层)时，有可能激光 在相距两个位置的层(第m+2层)上连结焦点，由此存在串扰变大的可能性。在一个信息记录介质中，针对基板2、10、25、45、光透明层7、22、42、61、以及中间 层16、31、37、51、56中的任意一个，优选在信息层所在的一侧形成用于导入激光的引导槽 或者坑。记录层5、13、19、28、34、39、48、53、58由能够取得光学特性不同的两个以上状态 的材料构成。一写多读型的记录介质的记录层材料优选能够从某一状态向光学特性不同的 状态非可逆地变化。在本发明中，将Te-0-MA-MB材料(Ma是从Au以及Pd中选出的至少1 种元素，Mb是从Ag、Cu、以及Ni中选出的至少1种元素)用作记录材料。当采用该材料形 成记录层时，可进行高密度记录，可实现能够长期稳定地再生记录数据的、低成本的记录介 质。因此，Te-0-MA-MB材料优选适用于图1 4所示的记录介质的全部记录层。但是，例如， 在多层构造的记录介质中需要相互调整各层的记录灵敏度时，可混合包含Te-0-MA-MB材料 的层和不包含该材料的层。在Te-0-MA-MB材料中，采用从Au以及Pd中选出的至少1种元素作为Ma原子，采 用从Ag、Cu、以及Ni中选出的至少1种元素作为Mb原子，由此能够实现没有因经年劣化而 导致的反射率降低且低成本的记录介质。Ma原子最好是Pd。这是因为在高速记录中能够 确保良好的信号品质。Mb原子最好是Cu。这是因为能够确保良好的信号品质。以下，说明 选择上述元素作为在TeOx中添加的Ma以及Mb的理由。作为TeOx记录材料(不含有添加原子)的特征，已知，当在记录了信息之后为了 再生信号而照射微弱的激光时，记录标记缓缓变化。Te的结晶构造属于六方晶系，基本的晶 格是基于Te-Te共价键的线圈状的链状晶格。线圈彼此间相互用范德华力来凝聚，成为六 方晶格。Te的链状构造即使在比融点更高的温度下也能够保存，基本上是2配位，在各处， 通过链间的范德华键，产生带有共价键性的场所，具有构成3配位且存在各向同性增加的 倾向。在记录时，将TeOxW热到融点以上(Te单体的融点是450°C)，在成为液体后进行快速冷却，此时3配位的部分也被冻结。该3配位的部分在固体状态下是非常不稳定的。为 了缓和此变形的状态，可认为记录标记通过微弱的激光照射而发生变化(这里称为敏化现 象)O为了防止该敏化现象，研究出对TeOx添加其它材料(元素)的方法。添加材料所 需具备的条件之一是，未与0结合(即不是以氧化物为基材)而与Te结合形成稳定的结晶。 此外还优选，该结晶具有比单体Te高的结晶构造的对称性。这是因为，对称性高的结晶难 以产生上述敏化现象，另外，还具有高结晶化速度。表1示出有代表性的添加材料的氧化物生成焓(enthalpy)和Te化物的结晶构 造。Pd、Au、Ag、Cu、Ni因为其氧化物生成焓的绝对值比Te的小，所以相对难以生成氧化 物。因此，这些原子通过激光照射在施加热能量时，可认为未放入TeO2基材中而与Te相互 作用。另一方面，Bi的氧化物生成焓比Te的大，从而容易生成氧化物，因此认为易于放入 TeO2基材中。表1
即使在这些添加材料中，也可知Pd和Au为结晶化速度大的添加材料。例如，在将 Te-O-Pd用作记录材料的记录介质中以BD规格的8倍速进行记录的信号也报告有具有良好 的信号品质。但是，因为Pd以及Au是高价物，所以为了以低成本来制作信息记录介质，优 选减少其使用量。另一方面，在现有的3元类的Te-O-Pd记录材料中，当减少Pd量时产生 如下这样的问题即，信号品质由于被照射对记录数据进行再生程度的功率的激光而发生 劣化，从而在记录时需要很大的激光功率。因此在实用上是不优选的。另外，还可知如下这 样的问题与Pd的添加量无关，产生由于经年劣化而导致反射率降低的现象，从而无法长 期稳定地再生记录数据。因此，为了满足与(1)高速记录性、(2)低成本、(3)记录灵敏度、⑷再生耐久性、 以及(5)保存可靠性相关的要求，在本发明中使用由Te、0、MA、以及Mb (Ma是从Au以及Pd中 选出的至少1种元素，Mb是从Ag、Cu、以及Ni中选出的至少1种元素)构成的4成分类的 材料。
包含Te-0-MA-MB材料的记录层中的记录原理可如下地进行考虑。成膜后的 Te-0-MA-MB薄膜是在TeO2中将Te_MA、Te_MB、Te、MA、以及Mb作为微粒子一致分散的复合材 料。通过用于记录的激光照射，融，更大的结晶粒子析出。由此， Te-0-MA-MB材料的光学状态发生变化，可将照射激光的部分和没有照射的部分的光学状态 之差检测作为信号。通过适量添加Pd或Au，可更高速地析出结晶粒子，另外，还能够确保 高可靠性。此外，通过适量添加从Ag、Cu、以及Ni中选择的至少1种元素，可提高记录灵敏 度。在记录层5、13、19、28、34、39、48、53、58包含Te-0_MA-MB材料的情况下，优选构成 该材料的4种原子(Te、0、MA、MB)加起来占记录层中所包含的全部原子的80%以上。在记 录层中，当4种原子的含有比例加起来不足80原子百分比时(即，当不构成Te-0-MA-MB材 料的原子的含有比例超过20原子百分比时)，无法获得使用Te-0-MA-MB材料产生的效果。 即，需要Te-0-MA-MB材料作为主成分包含在记录层内。在记录层5、13、19、28、34、39、48、53、58中所包含的Te-0_MA-MB材料中，Te原子的 含有比例是10原子百分比以上、50原子百分比以下，0原子的含有比例是40原子百分比以 上、70原子百分比以下，Ma原子的含有比例是3原子百分比以上、15原子百分比以下，Mb原 子的含有比例是3原子百分比以上、15原子百分比以下。另外，在该Te-0-MA-MB材料中，Ma 原子的含有比例最好是3原子百分比以上、10原子百分比以下，1^原子的含有比例最好是3 原子百分比以上、10原子百分比以下。尤其在Ma原子是Pd的情况下，Pd的含有比例最好 是3原子百分比以上、5原子百分比以下。以下叙述在Te-0-MA-MB材料中各原子的含有比例处于上述范围的理由。在Te-0-MA-MB材料中，当Te原子的含有比例过低时，记录层5、13、19、28、34、39、 48、53、58中所包含的TeO2的量变少，如后所述，没有获得充分的抗湿性以及良好的对比。 另外，当未与0结合的Te的量较少时，没有获得良好的对比。当Te原子的含有比例超过50 原子百分比时，在信号记录后，记录标记由于再生用的激光而容易劣化。由此，Te原子的含 有比例为10原子百分比以上、50原子百分比以下。记录层中0原子的大半与Te结合以形成TeO2的方式存在。该TeO2能发挥提高记 录材料抗湿性的作用，TeO2的量越多，记录层越具有良好的抗湿性。另外，当TeO2的量过少 时，热传导率变高，所以记录层面内的热扩散变大，从而难以获得良好的对比。因此，0原子 的含有比例优选为40原子百分比以上。但是，在TeO2的量较多的情况下，Te、MA、MB的比例 相对降低。结果，激光的吸收效率降低，记录灵敏度降低，另外，记录前后的反射率的变化量 变小，从而不能获得良好的信号品质。为此，0原子的含有比例优选为70原子百分比以下。 因此，0原子的含有比例为40原子百分比以上、70原子百分比以下。在将Te-0-MA-MB材料中的Te原子的含有比例设为XTe、将0原子的含有比例设为 X0时，X</XTe之比优选为1. 1以上、1. 6以下。如果XQ/XTe不足1. 1，则有时不能获得良好的 对比，如果X</XTe超过1. 6，则有时记录灵敏度降低。在Te-0-MA-MB材料中，当Ma原子的含有比例不足3原子百分比时，在记录层5、13、 19、28、33、38中，PdTe的晶核(Ma = Pd时)或Au2Te的晶核(Ma = Au时)变少。当这些晶 核减少时，难以使记录层高速结晶化。另外，当Ma原子的含有比例较低时，具有在记录信号 之后照射再生光从而导致记录标记劣化这样的问题。另一方面，在Ma原子的含有比例超过15原子百分比的情况下，因为记录前后的反射率变化降低，所以难以确保良好的信号品质。 因此，Ma原子的含有比例为3原子百分比以上、15原子百分比以下。另外，当Ma原子的含有 比例处于3原子百分比以上、10原子百分比以下的范围内时，非晶质的反射率和结晶的反 射率之差变得充分大，从而容易获得良好的信号品质。此外，在Ma原子是Pd的情况下，当 Pd的含有比例是3原子百分比以上、5原子百分比以下时，即使在以高密度进行记录的情况 下也能够获得良好的信号品质。在Te-0-MA-MB材料中，当Mb原子的含有比例不足3原子百分比时，记录层5、13、 19、28、33、38的激光的吸收效率降低，记录灵敏度恶化。另一方面，在Mb原子的含有比例超 过15原子百分比的情况下，因为记录前后的反射率变化降低，所以难以确保良好的信号品 质。因此，Mb原子的含有比例优选为3原子百分比以上、15原子百分比以下。另外，当Mb原 子的量处于3原子百分比以上、10原子百分比以下的范围内时，非晶质的反射率与结晶的 反射率之差变得充分大，从而容易获得良好的信号品质。在上述Te-0-MA-MB材料中Mb原子的含有比例相对于Ma原子的含有比例Xa与Mb 原子的含有比例Xb之和的比{XB/XA+XB)}优选为0. 25以上、0. 75以下。当XB/(XA+XB)不足 0. 25时，发现由于经年劣化导致的反射率降低，当Xb/(XA+XB)超过0. 75时，发现由于经年劣 化导致的反射率上升。从长期间内稳定地使用记录介质这样的观点出发，优选能够抑制由 于经年劣化导致的反射率变化(降低以及上升)。XB/(XA+XB)最好是0. 375以上、0. 625以 下。记录层5、13、19、28、34、39、48、53、58的厚度优选为2nm以上、50nm以下。因为通 过将厚度设为2nm以上，可以容易地形成记录材料不间断的层(S卩，难以成为岛状构造)，能 够获得充分的C/N比。另外，在厚度比50nm厚的情况下，由于记录层面内的热扩散大，所以 C/N比降低。如图2所示位于具有两个信息层的信息记录介质的激光入射侧的信息层(第 2信息层)需要具有高透过率，所以优选记录层19的厚度为2nm以上、30nm以下。另外，如 图3以及图4所示位于具有三个以上信息层的信息记录介质的激光入射侧的信息层(例 如，图3中的第2信息层36、第3信息层41、图4中的第2信息层55、第η信息层60)需要 具有更高的透过率，因此记录层34、39、53、58的厚度优选为2nm以上、20nm以下。另外，记录层5、13、19、28、34、39、48、53、58还可以构成为交替地层叠包含Te-O为 主成分的膜和包含Ma及Mb为主成分的膜。在此情况下，虽然用于形成记录层的工序数增 加，但通过微调整各层的厚度，可以容易地调整1^-0和虬及礼的混合比。由此，可根据需 要来采用这样的层叠结构。在记录层5、13、19、28、34、39、48、53、58 中，可包含 Te、0、MA、以及 Mb(Ma 是从 Au 以 及Pd中选出的至少1种元素，Mb是从Ag、Cu、以及Ni中选出的至少1种元素)以外的元素。 例如，以热传导率或光学常数的调整、或者抗热性或环境可靠性的提高等为目的，可添加从 S、N、F、B、以及C中选出的至少1种元素。这些元素的含有比例优选为整个记录层的20原 子百分比以下。设置第1 电介质层 4、12、18、27、33、38、47、52、57 和第 2 电介质层 6、14、20、29、35、 40、49、54、59的主要目的是调节用于能够在信息层有效进行光吸收的光学特性以及保护记 录层。第1电介质层以及第2电介质层被形成为，包含ZnS等硫化物、ZnSe等硒化物、Si-0、 Al-0、Ti-0, Ta-0, Zr-0, Cr-0, Zn-O,以及 Sb-O 等氧化物、Ge-N, Cr-N, Si-N, A1-N、Nb-N,Mo-N, Ti-N, Zr-N,以及 Ta-N 等氮化物、Ge-O-N, Cr-O-N, Si-O-N, A1-0-、Nb-O-N, Mo-O-N, Ti-O-N, Zr-O-N,以及 Ta-O-N 等氮氧化物、&6-(、0-(、51-(、六1-(、11-(、以及 Zr_C、Ta_C 等 碳化物、Si-F, Al-F, Ca-F, La-F,以及Mg-F等氟化物或这些的适当组合物(例如，ZnS-SiO2 等)来作为主成分(例如，SOmol百分比以上的量)。第1电介质层的厚度以及第2电介质层的厚度都优选为Inm以上、IOOnm以下。这 是因为在记录再生特性中能够容易地获得充分的C/N比。当电介质层的厚度不足Inm时，保 护记录层是不充分的，在电介质层的厚度比IOOnm厚的情况下，在成膜时需要很多的时间， 在生产性方面不优选。为了获得放热效果以及能够在记录层有效进行光吸收的光学效果，设置反射层3、 11、17、26、32、46。作为反射层的材料，采用Au、Ag、Cu、Al、Ni、Cr、Ti等金属或从它们中选 择两个以上的金属的合金等。在激光8、23、43、62的波长是350nm 500nm的情况下，为了 确保充分的反射率，优选采用Ag合金及Al合金。特别是从放热性以及抗湿性的观点出发， 最好采用48寸(1-0148-6￡1-0148-8^1-0、或41-·。反射层的厚度优选为Inm以上。这 是因为当反射层3、11、17、26、32、46的厚度不足Inm时，反射层未成为均勻的层，未获得充 分的热以及光学效果。此外，本发明不限于图1、图2、图3、以及图4所示的信息记录介质1、9、24、44，可 适用于各种结构。例如，在所图示的信息记录介质中，为了低成本化，可根据需要不设置反 射层 3、11、17、26、32、46、第 1 电介质层 4、12、18、27、33、38、47、52、57、或第 2 电介质层 6、 14、20、29、35、40、49、54、59。例如，在图2所示的信息记录介质中，两个信息层15以及21都是具有反射层的结 构，不过任意一个信息层都可以是以降低成本以及/或提高透过率为目的而不具有反射层 的结构。在图4所示的信息记录介质中，仅第1信息层50是具有反射层46的结构，不过也 可以是第2信息层55 第η信息层60具有反射层的结构、或者第1信息层50不具有反射 层46的结构。一般情况下，当设置反射层时信息层的透过率降低，不过通过其放热效果以及光 学效果，能够容易地获得高信号品质。因此，针对位于激光入射侧的图2中的第2信息层 21、图3中的第2信息层36、以及第3信息层41、图4中的第2信息层55至第η信息层60， 需要适当决定是否设置反射层。在设置有反射层的情况下，该反射层非常薄(例如IOnm 以下)，为了保持信息层的高透过率，需要设计反射层。反射层的折射率η以及消光系数 (extinction coefficient) k的最好范围分别是不足2. 0、以及2. 0以上。本发明还可以适用于如下结构的记录介质，S卩，在基板上顺次层叠第2电介质层、 记录层、第1电介质层、以及反射层，并作为透光层粘合虚设(dummy)基板。针对这样的记 录介质，从基板侧照射激光来进行记录再生。在如图2 图4所示的多层记录介质中，当在激光入射侧的层(例如图2中的第2 信息层21)中适用本发明的Te-0-MA-MB材料时，与现有的Te-O-Pd记录材料相比能够获得 良好的对比，并确保更好的信号品质。构成上述信息层的各薄膜，例如可通过真空蒸镀法、溅射法、离子电镀法(ion plating)、CVD (Chemical Vapor Deposition)法、MBE (MolecularBeam Epitaxy)法等气相 薄膜堆积法来形成。
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接着，说明本发明的信息记录介质的制造方法。各层的制作顺序是，在基板2上顺 次使反射层3、第1电介质层4、记录层5、以及第2电介质层6成膜，并在其上形成光透明 层7，由此可以制作图1所示的信息记录介质。光透明层7可通过使制作到第2电介质层6 为止的介质和单面具有粘接树脂的基体材料(例如，板、片、或膜)粘合来形成。或者，光透 明层7可通过利用紫外线固化性树脂粘合制作到第2电介质层6为止的介质和片状的基体 材料来形成。或者还可以在制作到第2电介质层6为止的介质上利用旋涂法(spin coat method)来涂敷紫外线固化树脂之后，通过利用紫外线使树脂固化的方法来形成光透明层。图2、图3、图4所示的信息介质也可以同样实施成膜工序和中间层以及光透明层 的形成工序来进行制作。中间层可采用紫外线固化性树脂利用旋涂法来形成。或者，中间 层可通过粘合片状基体材料的方法来形成。包含Te-0-MA-MB材料的记录层最好通过溅射来形成。优选通过以下两个方法的任 意一个来实施溅射。在第1方法中，使用包含由Te、0、MA(MA是从Au以及Pd中选出的至少1种元素)、 以及礼魄是从六8、01、以及附中选出的至少1种元素)构成的材料的溅射靶，在包含稀有 气体的气氛中实施溅射。该溅射方法是使用与应该包含在记录层中的Te-0-MA-MBM料的组 成相同或类似组成的靶的方法。包含稀有气体的气氛气体(也称为成膜气体)最好包含80 体积百分比以上的稀有气体。稀有气体可以是Ar气体、Kr气体、以及Xe气体的任意一个。 在第1方法中，优选采用直流(DC)电源来实施溅射。在第2方法中，使用包含由Te、MA(MA是从Au以及Pd中选出的至少1种元素)、以 及礼(1^是从々8、01、以及附中选出的至少1种元素)构成的材料的溅射靶，在包含稀有气 体和氧的混合气体的气氛中，实施溅射。由此，在第2方法中实施反应性溅射。在通过该溅 射方法形成的记录层中，从由Te-MA-MB材料构成的溅射靶中给与Te原子、Ma原子、以及Mb 原子，从气氛气体中给与氧。气氛气体最好包含80体积百分比以上的稀有气体和氧的混合 气体。通过调节氧气的比例，可调节记录层中所包含的氧的含有比例。气氛气体可包含例 如0. 1体积百分比以上、70体积百分比以下的氧气。在上述第1以及第2方法中，可同时溅射两个以上不同的溅射靶(例如，在第1方 法中，由Te-O构成的溅射靶和由Ma-Mb构成的溅射靶，在第2方法中，由Te构成的溅射靶和 由Ma-Mb构成的溅射靶)。通过利用这些任意的方法使记录层成膜，可以高密度地记录信息，从而能够长期 稳定地再生记录数据，能够获得低成本的信息记录介质。接着，说明本发明的信息记录介质的记录再生装置以及记录及再生方法的一例。图5示出用于光盘记录以及再生的装置一例的概略。在信号的记录以及再生中采 用记录再生装置，该记录再生装置具备与使激光聚焦的物镜66以及激光器67搭载的光学 头(省略图示)、用于将照射激光的位置导向规定位置的驱动装置(省略图示)、用于控制 磁道方向以及与膜面垂直的方向的位置的跟踪控制装置以及聚焦控制装置(省略图示)、 和用于调制激光功率的激光驱动装置(图示省略)、用于使介质旋转的主轴电动机69。通过主轴电动机69使介质旋转，并且利用光学系统(即，物镜)将激光缩小至微 小点，然后向介质照射激光，由此进行信号的记录。照射了激光的部分形成记录标记。通过 照射激光，利用光检测器68读取来自介质的信号，从而进行信号再生。用于信号再生的激光功率电平Pl低于用于信号记录的激光功率电平P2，并且记录标记的光学状态不受该功 率电平Pl下的激光照射的影响，可选择用于信号再生的激光功率电平P1，以使为了记录标 记的再生而从介质中获得充分的光量。用于记录再生的激光波长优选为350nm以上、500nm以下。例如，通过采用波长 405nm的激光和ΝΑΟ. 85的透镜，在直径12cm的信息记录介质中，可针对一个信息层实现 23GB 35GB的高密度记录。或者，通过采用波长405nm的激光和ΝΑΟ. 65的透镜，在直径 12cm的信息记录介质中，可针对一个信息层实现15GB 20GB左右的高密度记录。实施例下面，采用实施例来详细说明本发明。(实施例1)在实施例1中，在采用Te-O-Pd-Cu材料作为记录材料时，调查记录层的组成给C/ N比、再生耐久性带来的影响。将记录层的组成各不相同的多个信息记录介质制作为样本并 进行了评价。以下，示出其详细内容。在本实施例中，制作了具有图1所示结构的信息记录介质1。采用由聚碳酸酯树脂 构成的基板来作为基板2。基板是直径12cm以及厚度1. Imm的部件，在另一个表面上具有 引导槽。弓丨导槽具有0.32 μ m的槽间距(相邻槽的中心间的距离)以及20nm的槽深度。在形成有基板2的槽的一侧的表面上，采用AgPdCu(重量比98. 1 0. 9 1. 0) 靶通过溅射来形成厚度80nm的AgpdCu反射层。接着，在反射层3之上，采用 ZrO2-SiO2-Cr2O3-LaF3 (分子数比23 23 31 23)靶，作为第1电介质层4，通过溅射来 形成^O2-SiO2-Cr2O3-LaF3层。第1电介质层4的厚度根据样本而不同。第1电介质层4 的厚度根据记录层的组成可确保能够稳定进行记录再生的反射率，另外，为了使对比最大， 从3 40nm的范围内进行选择。在第1电介质层4之上，采用由Te-Pd-Cu构成的靶，通过 溅射来形成由厚度20nm的Te-O-Pd-Cu材料构成的记录层5。记录层的组成根据样本而不 同，如表2所示。接着，在记录层5之上，采用ZnS-SiO2 (分子数比80 20)靶，作为第2电 介质层6，通过溅射来形成ZnS-SiO2层。另外，形成第1电介质层，使折射率为1. 6 2. 8。 第2电介质层6的厚度根据样本而不同，根据记录层的组成从3 40nm的范围内进行选 择，以使电介质层具有适当的折射率以及消光系数。另外，形成第2电介质层，使折射率成 为 1. 6 2. 8。在各层的成膜工序中，采用了直径100mm、厚度6mm左右的靶。在各层的成膜工 序中使用的电源以及输出，针对反射层是DC电源以及200W，针对电介质层是RF电源以及 300W，针对记录层是DC电源以及100W。另外，在Ar25sCCm的气体气氛中，将气体压力保持 为0. 13Pa来实施反射层以及电介质层的成膜。在Ar25sCCm和氧的混合气体气氛中，将气 体压力保持为约0. 13Pa来实施记录层的成膜。在形成了第2电介质层6之后，在其表面上 采用相对于激光透明的紫外线固化树脂(丙烯酸树脂)并通过旋涂法来形成厚度IOOym 的光透明层。以上，信息记录介质1的制作完成。为了调查记录介质的信号特性的记录层材料组成依存性，做成了记录层的组成互 不相同的样本。通过调整溅射靶的组成，来调整记录层中的Te含有比例、Pd含有比例、以 及Cu含有比例。通过调整实施溅射的气氛气体中的O2气体量，来调整记录层中的0含有 比例。
接着对信息记录介质的评价方法进行说明。为了在信息记录介质1中记录信息， 采用了一般结构的信息记录系统，该一般结构的信息记录系统具备使信息记录介质1旋 转的主轴电动机69、以及具有发出激光65的半导体激光器和使激光65在信息记录介质 1的记录层上聚焦的物镜66的光学头。在评价所记录的信号时，在单一信号的C/N比的 评价中使用频谱分析仪(spectrum analyzer)，在抖动值的评价中采用了时间间隔分析仪 (timeinterval analyzer) 0在信息记录介质1的评价中，使用波长405nm的半导体激光器 和数值孔径0. 85的物镜来记录了信息。针对各个样本，在每一面实施了相当于25GB容量、 相当于30GB容量、相当于33. 4GB容量的信息记录。使信息记录介质旋转的线速度，在记录 任意容量信息的情况下，都为19. 68m/s (144Mbps,相当于BD4倍速)。C/N比按照以下步骤进行了评价。采用上述系统，在高功率电平的峰值功率和低功 率电平的偏置功率(bias power)之间对激光进行功率调制，并且向信息记录介质1照射激 光，在记录层的槽表面上记录了一次标记长2T的单一信号之后，通过频谱分析仪来测定了 C/N比。这里，如果获得比43dB大的C/N比，则可能获得极其良好的信号品质，所以判定为 ◎，在大于40dB且为43dB以下的情况下获得良好的信号品质，所以判定为〇，在大于38dB 且为40dB以下的情况下信号品质稍稍存在问题，所以判定为Δ，在38dB以下的情况下信号 品质不好，所以判定为X。记录灵敏度按照以下步骤进行了评价。这里采用上述系统，在记录层的槽表面上 记录了 1次标记长2T 8T的随机信号之后，测定了平均抖动。接着，将偏置功率与峰值功 率之比固定为恒定值，针对使峰值功率进行各种变化的各记录条件，测定平均抖动值，并求 出平均抖动值为最小值的峰值功率值，将其设为记录灵敏度。以4倍速(144Mbps)来进行 记录。这里如果是SmW以下则判定为◎，如果是大于8mW且为9mW以下则判定为〇，如果是 大于9mW且为IOmW以下则判定为Δ，在大于IOmW的情况下判定为X。综合评价与记录相 当于25GB的信息时的CN比、记录灵敏度、反射率变动、以及成本中的为最低评价的情况相 对应，利用 、〇、Δ、Χ进行了评价。例如，样本1的成本是X，所以综合评价也是X。样 本8的反射率变动是Δ，所以综合评价也是Δ。反射率变动根据以下条件进行了测定。通过使信息记录介质在温度85°C、湿度 85% RH的环境下保持50小时，来实施加速试验。通过测定加速试验前后的反射率的变动率 {100X (初始反射率-加速试验后的反射率)/初始反射率}，来评价了反射率变动。这里， 如果反射率的变动率是5%以下则判定为◎，如果是大于5%且在15%以下则判定为〇，如 果是大于15%且在25%以下则判定为Δ，如果大于25%则判定为X。成本虽然受成品率以及成膜时间等左右，但这里以记录层成膜所需的费用为判断 基准。即，记录层中所包含的Pd的量越少，在成本上越有利。这里，如果记录层中的Pd含 有比例是10原子百分比以下则判定为◎，如果是多于10原子百分比且为15原子百分比以 下则判定为〇，如果多于15原子百分比则判定为X。接着，对记录层中的元素比率(各原子的含有比例)的测定方法进行说明。信息 记录介质中的记录层中的元素比率，作成组成分析用的样本，并利用X线微型分析仪进行 了测定。采用在形成信息记录介质的各样本的记录层中使用的溅射靶以及成膜条件，在厚 度Imm的Si基板上形成厚度为500nm的Te-0-MA-MB材料层，由此来作成组成分析用的样 本。作为信息记录介质各样本的记录层的组成，表示利用本方法分析出的结果。在以下的实施例中也是同样的。在实施例1中，如表2所示，制作记录层由Te-O-Pd-Cu材料构成的信息记录介质， 并进行了上述评价。作为比较例，即使针对由Te-O-Pd材料构成的信息记录介质也进行同 样的评价。将评价结果在表2中示出。表2
如表2所示，针对记录层由Te-O-Pd-Cu或Te-O-Pd构成的信息记录介质，当记录 层的组成不同时，C/N比、记录灵敏度、反射率变动(以及成本)的评价不同。在记录层由Te-O-Pd构成的情况下(样本14、15、16、17)，反射率变动大。另一方 面，在记录层由Te-O-Pd-Cu构成的情况下，当记录层中的Pd含有比例以及Cu含有比例不 足3原子百分比(样本6)时，C/N比、记录灵敏度、以及反射率变动的评价变低。另外，当 Pd含有比例以及Cu含有比例多于15原子百分比时(样本1)，C/N比与成本的评价变低。另外，当Cu含有比例相对于记录层中的Pd含有比例与Cu含有比例之和的比是 0. 25以上、0. 75以下的范围时，在反射率变动方面没有问题。当该比在上述范围以外时(在 实施例1中样本8和10)，反射率变动大。另外，在记录层中的0含有比例大于70原子百分比的情况下(样本12)，C/N比和 记录灵敏度的评价低。在0含有比例为40原子百分比以下的情况下(样本11)，C/N比的评价低。另外，在记录层中的Te含有比例大于50原子百分比的情况下(样本13)，C/N比 的评价低。当Mb原子的含有比例相对于Ma原子的含有比例Xa与Mb原子的含有比例Xb之和 的比{XB/(XA+XB)}不足0.25(样本10)或超过0.75(样本8)时，反射率变动稍稍变大。因此，当考虑C/N比、记录灵敏度、反射率变动、以及成本时，如下组成的 Te-0-MA-MB材料被认为适合构成记录层即，Te原子的含有比例是10原子百分比以上、50 原子百分比以下，0原子的含有比例是40原子百分比以上、70原子百分比以下，1^原子的含 有比例是3原子百分比以上、15原子百分比以下，Mb原子的含有比例是3原子百分比以上、 15原子百分比以下。另外，当采用如下组成的Te-0-MA-MB材料时，在C/N比、记录灵敏度、反 射率变动、以及成本的所有方面都获得良好的结果(样本3 5 综合评价全部是◎)即， Ma原子的含有比例是3原子百分比以上、10原子百分比以下，Mb原子的含有比例是3原子 百分比以上、10原子百分比以下。由此，特别优选用这种组成的材料来形成记录层。另外， 当采用Pd原子的含有比例是3原子百分比以上、5原子百分比以下组成的Te-O-Pd-Cu材料 时，即使在提高记录密度来记录信息的情况下(30GB 33. 4GB容量/面)，也能够获得良好 的CN比即良好的信号品质。根据本实施例的结果，当将构成记录层的Te-0-MA-MB材料的组成选择为Te原子 的含有比例是10原子百分比以上、50原子百分比以下，0原子的含有比例是40原子百分比 以上、70原子百分比以下，Ma原子的含有比例是3原子百分比以上、15原子百分比以下，Mb 原子的含有比例是3原子百分比以上、15原子百分比以下时，示出良好的信号品质，从而确 认了可实现能够长期稳定地再生记录数据的低成本的信息记录介质。此外，当将构成记录 层的Te-0-MA-MB材料的组成选择为Te原子的含有比例是10原子百分比以上、50原子百分 比以下，0原子的含有比例是40原子百分比以上、70原子百分比以下，Ma原子的含有比例 是3原子百分比以上、10原子百分比以下，Mb原子的含有比例是3原子百分比以上、10原子 百分比以下时，确认了可实现示出特别良好特性的信息记录介质。另外，当将构成记录层的 Te-O-Pd-Cu材料的组成选择为Pd原子的含有比例是3原子百分比以上、5原子百分比以下 时，确认了可实现示出特别良好信号品质的可进行高密度记录(30GB 33. 4GB容量/面) 的信息记录介质。(实施例2)在实施例2中，在采用Te-O-Pd-Ag材料、Te-O-Pd-Ni材料、Te-O-Au-Ag材料、 Te-O-Au-Ni材料、以及Te-O-Au-Cu材料作为记录材料的情况下，调查了记录材料给C/N比、 记录灵敏度、反射率变动、成本带来的影响。信息记录介质利用与实施例1同样的方法进行 制作，评价条件也与在实施例1中采用的条件相同。表3示出已评价了样本的结果。表3
18 如表3 所示，在采用 Te-O-Pd-Ag 材料、Te-O-Pd-Ni 材料、Te-O-Au-Ag 材料、 Te-O-Au-Ni材料、以及Te-O-Au-Cu材料作为记录层材料的情况下，在C/N比、记录灵敏度、 反射率变动、成本方面与实施例1同样，获得良好的结果。根据本实施例的结果确认了，记录层由Te-O-Pd-Ag材料、Te-O-Pd-Ni材料、 Te-O-Au-Ag材料、Te-O-Au-Ni材料、以及Te-O-Au-Cu材料构成的记录介质与记录层由 Te-O-Pd-Cu材料构成的记录介质具有同样的特性。(实施例3)在实施例3中，在由两个信息层构成的信息记录介质上适用Te-0-MA-MB材料(这 里作为代表例使用Te-O-Pd-Cu)以及Te-0-Pd，与实施例1相同，记录层的组成评价了 C/N 比、记录灵敏度、以及反射率变动。制作了具有图2所示结构的信息记录介质。采用由聚碳酸酯树脂构成的基板作为 基板10。基板的直径为12cm以及厚度为1.1mm，在其一个表面上具有引导槽。引导槽具有 0. 32 μ m的槽间距、20nm的槽深度。在形成了基板10的槽的一侧的表面上形成有第1信息层15。第1信息层15的 结构为具有反射层14、第1电介质层12、记录层13、以及第2电介质层14。首先，采用 AgPdCu (重量比98. 1 0.9 1.0)靶，通过溅射来形成厚度80nm的AgPdCu反射层11。接 着，采用^O2-SiO2-Cr2O3-LaF3 (分子数比23 23 31 23)靶，通过溅射来形成厚度IOnm 的ZrO2-SiO2-Cr2O3-LaF3电介质层12 (折射率1. 98)。接着，采用由Te-Pd-Cu或Te-Pd构 成的靶，来形成由厚度20nm的Te-O-Pd-Cu材料(样本24)或Te-O-Pd材料(样本23)构 成的记录层13。接着，采用ZnS-SiO2(分子数比80 20)靶，通过溅射来形成厚度5nm的 ZnS-SiO2电介质层14 (折射率2. 30)。在第1信息层15的表面上利用旋涂法来涂敷紫外线固化性树脂(丙烯酸树脂)。 然后，使与形成在基板上的引导槽形成互补形状凹凸的板与紫外线固化性树脂粘合。在与 板保持粘合的状态下，使紫外线固化性树脂固化，然后，去掉板。由此，形成了具有引导槽的 厚度约25 μ m的中间层16。在中间层16的表面上形成有第2信息层21。第2信息层21的结构为具有反射层17、第1电介质层18、记录层19、以及第2电介质层20。首先，采用AgPdCu(重量 比98. 1 0.9 1.0)靶，通过溅射来形成厚度12nm的AgPdCu反射层17。接着，采用 ^O2-SiO2-Cr2O3-LaF3(分子数比23 23 31 23)靶通过溅射来形成厚度14nm的 ZrO2-SiO2-Cr2O3-LaF3电介质层18 (折射率1. 98)。接着，采用由Te-Pd-Cu或Te-Pd构成的 靶，通过溅射来形成由厚度12nm的Te-O-Pd-Cu (样本24)或Te-O-Pd (样本23)构成的记录 层19。接着，采用ZnS-SiO2(分子数比80 20)靶，通过溅射来形成厚度IOnm的ZnS-SiO2 电介质层20 (折射率2. 30)。在该第2信息层表面上，采用紫外线固化性树脂(丙烯酸树 脂)，利用旋涂法来形成厚度约75 μ m的光透明层22。记录层的组成与实施例1的样本4 是同样的。各层的成膜条件、记录层组成的分析方法、C/N比、记录灵敏度、反射率变动的评 价方法与在实施例1中采用的相同。表4示出在该实施例中制作出的信息记录介质(样本 23,24)的评价结果。表4
如表4所示，当以具有Te 0 Pd Cu = 32 58 5 5[原子百分比]的 组成比的Te-O-Pd-Cu材料构成第1信息层和第2信息层的记录层时，与实施例1的样本4 同样，对于C/N比、记录灵敏度、以及反射率变动获得良好的评价结果。另外，当比较样本23和样本24的CN比时，在第1信息层中，虽然没有发现由于 组成不同而导致的CN比之差，但在第2信息层中，产生了由于组成不同而导致的CN比之 差。具体地说，在用具有Te 0 Pd Cu = 32 58 5 5[原子百分比]的组成比 的Te-O-Pd-Cu材料构成第2信息层的样本24中，获得更加良好的CN比。这里，示出记录层具有Te 0 Pd Cu = 32 58 5 5[原子百分比]组 成的样本的评价结果。即使在第1信息层和第2信息层的记录层由在实施例1以及2中使 用的其它组成材料构成的情况下，也能够确认示出同样的倾向。根据本实施例的结果确认了，当将构成记录层的Te-0-MA-MB材料组成选择为Te 原子的含有比例是10原子百分比以上、50原子百分比以下，0原子的含有比例是40原子百分比以上、70原子百分比以下，Ma原子的含有比例是3原子百分比以上、15原子百分比以 下，Mb原子的含有比例是3原子百分比以上、15原子百分比以下时，可实现示出良好信号品 质的两层信息记录介质。另外，在多层构造的信息记录介质中，当由Te-0-MA-MB材料构成的 记录层配置在激光入射侧时，与Te-O-Pd材料相比，可确认能够给出更加良好的C/N特性。(实施例4)在实施例4中，在由三个信息层构成的信息记录介质上适用Te-0-MA-MB材料(这 里作为代表例使用Te-O-Pd-Cu)，与实施例1同样，评价了 C/N比、记录灵敏度、以及反射率变动。制作了具有图3所示结构的信息记录介质。采用由聚碳酸酯树脂构成的基板作为 基板25。基板的直径是12cm以及厚度是1.1mm，在其一个表面上具有引导槽。引导槽具有 0. 32 μ m的槽间距、20nm的槽深度。在形成了基板25的槽的一侧的表面上形成了第1信息层30。第1信息层的结构为 具有反射层26、第1电介质层27、记录层28、以及第2电介质层29。首先，采用AgPdCu (重 量比98. 1 0.9 1.0)靶通过溅射来形成厚度SOnm的AgPdCu反射层26。接着，采用 ^O2-SiO2-Cr2O3-LaF3(分子数比23 23 31 23)靶，通过溅射来形成厚度IOnm的 ZrO2-SiO2-Cr2O3-LaF3电介质层27 (折射率1. 98)。接着，采用由Te-Pd-Cu构成的靶，通过 溅射来形成由厚度20nm的Te-O-Pd-Cu材料构成的记录层28。接着，采用ZnS-SiO2 (分子 数比80 20)靶通过溅射来形成厚度IOnm的ZnS-SiO2电介质层29 (折射率2. 30)。在第1信息层30的表面上，通过旋涂法来涂敷紫外线固化性树脂(丙烯酸树脂)。 然后，使与形成在基板上的引导槽形成互补形状凹凸的板与紫外线固化性树脂粘合。在与 板保持着粘合的状态下，使紫外线固化性树脂固化，然后，去除板。由此，形成了具有引导槽 的厚度约25 μ m的中间层31。在中间层31的表面上形成了第2信息层36。第2信息层36的结构为具有 反射层32、第1电介质层33、记录层34、第2电介质层35。首先，采用AgPdCu(重量 比98. 1 0.9 1.0)靶通过溅射来形成厚度12nm的AgPdCu反射层32。接着，采用 ZrO2-SiO2-Cr2O3-LaF3(分子数比23 23 31 23)靶，通过溅射来形成厚度14nm的 ZrO2-SiO2-Cr2O3-LaF3电介质层33 (折射率1. 98)。接着，采用由Te-Pd-Cu构成的靶，通过 溅射来形成由厚度IOnm的Te-O-Pd-Cu材料构成的记录层34。接着，采用ZnS-SiO2(分子 数比80 20)靶，通过溅射来形成厚度Ilnm的ZnS-SiO2电介质层35 (折射率2. 30)。在该第2信息层36的表面上形成有厚度约18 μ m的中间层37。中间层37以与中 间层31同样的方法来形成。在该中间层37的表面上形成有第3信息层41。第3信息层41的结构为具有第1 电介质层38、记录层39、以及第2电介质层40。首先，采用AlN靶通过溅射来形成厚度15nm 的AlN电介质层38 (折射率2. 05)。接着，采用由Te-Pd-Cu构成的靶，形成了由厚度12nm 的Te-O-Pd-Cu材料构成的记录层39。接着，采用ZnS-SiO2 (分子数比80 20)靶，通过溅 射来形成厚度41nm的ZnS-SiO2电介质层40 (折射率2. 30)。在该第3信息层41的表面 上，采用紫外线固化性树脂(丙烯酸树脂)通过旋涂法来形成厚度约57 μ m的光透明层42。 记录层的组成与实施例1的样本4同样。各层的成膜条件以及记录层组成的分析方法与在 实施例1中采用的相同。
在本实施例中，在评价C/N比、记录灵敏度、以及反射率变动时，在每1层上都记录 有34GB容量的信息。具体地说，使用在实施例1中采用的波长405nm的半导体激光器和数 值孔径0. 85的物镜来进行记录再生，使用PR12221ML来进行信号检测。表5示出在该实施 例中制作出的信息记录介质(样本25)的评价结果。表5
如表5所示，当用具有Te 0 Pd Cu = 32 58 5 5[原子百分比]的 组成比的Te-O-Pd-Cu材料来构成第1信息层、第2信息层、以及第3信息层的记录层时，与 实施例1的样本4同样，对于C/N比、记录灵敏度、以及反射率变动可获得良好的评价结果。这里，示出记录层具有Te 0 Pd Cu = 32 58 5 5[原子百分比]组 成的样本的评价结果。即使在第1、第2、以及第3信息层的记录层由在实施例1以及2中 使用的其它组成材料构成时，也能够确认示出同样的倾向。根据本实施例的结果可确认，当将构成记录层的Te-0-MA-MB材料的组成选择为 Te原子的含有比例是10原子百分比以上、50原子百分比以下，0原子的含有比例是40原 子百分比以上、70原子百分比以下，Ma原子的含有比例是3原子百分比以上、15原子百分比 以下，Mb原子的含有比例是3原子百分比以上、15原子百分比以下时，能够实现示出良好信 号品质的三层信息记录介质。(实施例5)在实施例5中，在由四个信息层构成的信息记录介质上适用Te-0-MA-MB材料(这 里作为代表例使用Te-O-Pd-Cu)，并与实施例1同样，评价了 C/N比、记录灵敏度、以及反射
率变动。制作了具有图4所示结构的信息记录介质(n = 4)。作为基板44，采用由聚碳酸 酯树脂构成的基板。基板的直径是12cm以及厚度是1. 1mm，在其一个表面上具有引导槽。 引导槽具有0. 32 μ m的槽间距、20nm的槽深度。在形成有基板44的槽的一侧的表面上形成了第1信息层50。第1信息层的结构为 具有反射层46、第1电介质层47、记录层48、以及第2电介质层49。首先，采用AgpdCu (重 量比98. 1 0.9 1.0)靶，通过溅射来形成厚度80nm的AgPdCu反射层46。接着，采 用^O2-SiO2-Cr2O3-LaF3 (分子数比23 23 31 23)靶，通过溅射来形成厚度IOnm的 ZrO2-SiO2-Cr2O3-LaF3电介质层47 (折射率2. 05)。接着，采用由Te-Pd-Cu构成的靶，通过 溅射来形成由厚度30nm的Te-O-Pd-Cu材料构成的记录层48。接着，采用ZnS-SiO2 (分子 数比80 20)靶，通过溅射来形成厚度IOnm的ZnS-SiO2电介质层49 (折射率2. 30)。
在该第1信息层的表面上利用旋涂法来涂敷紫外线固化性树脂(丙烯酸树脂)。 然后，使与形成在基板上的引导槽形成互补形状凹凸的板与紫外线固化性树脂粘合。在与 板保持着粘合的状态下，使紫外线固化性树脂固化，然后，去除板。由此，形成了具有引导槽 的厚度约13. 5μπι的中间层51。在中间层51的表面上形成了第2信息层55。第2信息层55的结构为具有第1电 介质层52、记录层53、以及第2电介质层54。首先，采用AlN靶形成了厚度5nm的AlN电 介质层52 (折射率-.2. 05)。接着，采用由Te-Pd-Cu构成的靶，通过溅射来形成由厚度17nm 的Te-O-Pd-Cu材料构成的记录层53。接着，采用ZnS靶，通过溅射来形成厚度20nm的ZnS 电介质层54(折射率2. 52)。在该第2信息层55的表面上形成了具有引导槽的厚度约 17. 5μπι的中间层56。中间层56是利用与中间层51同样的方法形成的。在该中间层的表面上形成了第3信息层。第3信息层的结构为具有第1电介质 层、记录层、以及第2电介质层。首先，采用AlN靶，通过溅射形成厚度IOnm的AlN电介 质层(折射率2.05)。接着，采用由Te-Pd-Cu构成的靶，通过溅射形成由厚度10. 5nm的 Te-O-Pd-Cu构成的记录层。接着，采用ZnS-SiO2(分子数比80 20)靶，通过溅射形成厚 度33nm的ZnS-SiO2电介质层(折射率2. 30)。在该第3信息层的表面上形成了具有引导 槽的厚度约9.5μπι的中间层。中间层是利用与中间层51同样的方法形成的。在该中间层的表面上形成了第4信息层60。第4信息层60的结构为具有第1电 介质层57、记录层58、以及第2电介质层59。首先，采用AlN靶，通过溅射来形成厚度15nm 的AlN电介质层57 (折射率2. 05)。接着，采用由Te-Pd-Cu构成的靶，通过溅射形成了由 厚度7. 5nm的Te-O-Pd-Cu材料构成的记录层58。接着，采用ZnS-SiO2 (分子数比80 20) 靶，通过溅射来形成厚度46nm的ZnS-SiO2电介质层59 (折射率2. 30)。在该第4的信息 层的表面上，采用紫外线固化性树脂(丙烯酸树脂)，通过旋涂法来形成厚度约59. 5 μ m的 光透明层61。记录层的组成与实施例1的样本4相同。各层的成膜条件、记录层组成的分析方 法、C/N比、记录灵敏度、以及反射率变动的评价方法与在实施例1中采用的相同。表6示 出在该实施例中制作出的信息记录介质(样本26)的评价结果。表6
如表6所示，当用具有Te 0 Pd Cu = 32 58 5 5[原子百分比]的 组成比的Te-O-Pd-Cu材料构成第1信息层、第2信息层、第3信息层、以及第4信息层的记录层时，与实施例1的样本4同样，对于C/N比、记录灵敏度、以及反射率变动获得良好的评 价结果。这里，示出记录层具有Te 0 Pd Cu = 32 58 5 5[原子百分比]组 成的样本的评价结果。即使在第1、第2、第3、以及第4信息层的记录层由在实施例1以及 2中使用的其它组成材料构成的情况下，也能够确认示出同样的倾向。根据本实施例的结果确认了，当将构成记录层的Te-0-MA-MB材料组成选择为Te 原子的含有比例是10原子百分比以上、50原子百分比以下，0原子的含有比例是40原子百 分比以上、70原子百分比以下，Ma原子的含有比例是3原子百分比以上、15原子百分比以 下，Mb原子的含有比例是3原子百分比以上、15原子百分比以下时，能够实现示出良好信号 品质的四层信息记录介质。(实施例6)在实施例6中，在由六个信息层构成的信息记录介质上适用Te-0-MA-MB材料(这 里作为代表例使用Te-O-Pd-Cu)，与实施例1同样，记录层的组成评价了 C/N比、记录灵敏 度、以及反射率变动。制作了具有图4所示结构的信息记录介质(n = 6)。作为基板44，采用了由聚碳 酸酯树脂构成的基板。基板的直径是12cm以及厚度是1. 1mm，在其一个表面上具有引导槽。 引导槽具有0. 32 μ m的槽间距、20nm的槽深度。在形成有基板44的槽的一侧的表面上形成了第1信息层50。第1信息层的结构为 具有反射层46、第1电介质层47、记录层48、以及第2电介质层49。首先，采用AgPdCu (重 量比98. 1 0.9 1.0)靶，通过溅射来形成厚度80nm的AgPdCu反射层46。接着，采 用^O2-SiO2-Cr2O3-LaF3 (分子数比23 23 31 23)靶，通过溅射来形成厚度20nm的 ZrO2-SiO2-Cr2O3-LaF3电介质层47 (折射率1. 98)。接着，采用由Te-Pd-Cu构成的靶，通过 溅射来形成由厚度20nm的Te-O-Pd-Cu材料构成的记录层48。接着，采用ZnS-SiO2 (分子 数比80 20)靶，通过溅射来形成厚度20nm的ZnS-SiO2电介质层49 (折射率2. 30)。在第1信息层50的表面上，通过旋涂法来涂敷紫外线固化性树脂(丙烯酸树脂)。 然后，使与形成在基板上的引导槽形成互补形状凹凸的板与紫外线固化性树脂粘合。在与 板保持着粘合的状态下，使紫外线固化性树脂固化，然后，去除板。由此，形成了具有引导槽 的厚度约20. Oym的中间层51。在中间层51的表面上形成有第2信息层55。第2信息层55的结构为具有第1 电介质层52、记录层53、以及第2电介质层54。首先，采用AlN靶，通过溅射来形成厚度 5nm的AlN电介质层52。接着，采用由Te-Pd-Cu构成的靶，通过溅射形成由厚度15nm的 Te-O-Pd-Cu材料构成的记录层53。接着，采用ZnS靶，通过溅射来形成厚度5nm的ZnS电 介质层(折射率2. 52)。接着，采用TiO2靶，通过溅射来形成厚度18nm的TiO2电介质层 (折射率2.68)。即，第2电介质层54构成为ZnS电介质层和TiO2电介质层两层。在该第 2信息层55的表面上形成具有引导槽的厚度约23. Ομπι的中间层56。中间层56以与中间 层51同样的方法形成。在该中间层56的表面上形成了第3信息层。第3信息层的结构为具有第1电介 质层、记录层、以及第2电介质层。首先，采用AlN靶，通过溅射来形成厚度IOnm的AlN电 介质层(折射率2.05)。接着，采用由Te-Pd-Cu构成的靶，通过溅射来形成由厚度Snm的Te-O-Pd-Cu材料构成的记录层。接着，采用ZnS-SiO2(分子数比80 20)靶，通过溅射来 形成厚度39nm的ZnS-SiO2电介质层(折射率2. 30)。在该第3信息层的表面上形成了具 有引导槽的厚度约13.0μπι的中间层。中间层以与中间层51同样的方法来形成。在该中间层的表面上形成了第4信息层。第4信息层的结构为具有第1电介质 层、记录层、以及第2电介质层。首先，采用AlN靶，通过溅射来形成厚度IOnm的AlN电介 质层(折射率2.05)。接着，采用由Te-Pd-Cu构成的靶，通过溅射来形成由厚度5nm的 Te-O-Pd-Cu材料构成的记录层。接着，采用ZnS-SiO2(分子数比80 20)靶，通过溅射来 形成厚度53nm的ZnS-SiO2电介质层(折射率2. 30)。在该第4信息层的表面上形成了具 有引导槽的厚度约17.0μπι的中间层。中间层以与中间层51同样的方法形成。在该中间层的表面上形成了第5信息层。第5信息层的结构为具有第1电介质 层、记录层、以及第2电介质层。首先，采用AlN靶，通过溅射形成厚度15nm的AlN电介质 层(折射率2. 05)。接着，采用由Te-Pd-Cu构成的靶，形成了由厚度5nm的Te-O-Pd-Cu材 料构成的记录层。接着，采用ZnS-SiO2(分子数比80 20)靶，通过溅射来形成厚度54nm 的ZnS-SiO2电介质层(折射率2.30)。在该第5信息层的表面上形成了具有引导槽的厚 度约ΙΟ.Ομπι的中间层。中间层以与中间层51同样的方法来形成。在该中间层的表面上形成了第6信息层60。第6信息层60的结构为具有第1电 介质层57、记录层58、以及第2电介质层59。首先，采用AlN靶，通过溅射来形成厚度15nm 的AlN电介质层57 (折射率2. 05)。接着，采用由Te-Pd-Cu构成的靶，通过溅射来形成由 厚度4nm的Te-O-Pd-Cu材料构成的记录层58。接着，采用ZnS-SiO2 (分子数比80 20) 靶，通过溅射来形成厚度57nm的ZnS-SiO2电介质层59 (折射率2. 30)。在该第6信息层 的表面上，采用紫外线固化性树脂(丙烯酸树脂)，通过旋涂法来形成厚度约37. 0 μ m的光 透明层61。各记录层的组成与实施例1的样本4相同。各层的成膜条件、记录层组成的分析 方法、C/N比、记录灵敏度、反射率变动的评价方法与在实施例1中采用的相同。表7示出 在该实施例中制作出的信息记录介质(样本27)的评价结果。表7
如表7所示，当用具有Te 0 Pd Cu = 32 58 5 5[原子百分比]的 组成比的Te-O-Pd-Cu材料构成第1信息层、第2信息层、第3信息层、第4信息层、第5信 息层、以及第6信息层的记录层时，与实施例1的样本4同样，对于C/N比、记录灵敏度、以 及反射率变动获得良好的评价结果。这里，示出记录层具有Te 0 Pd Cu = 32 58 5 5[原子百分比]组 成的样本的评价结果。即使在第1、第2、第3、第4、第5、以及第6信息层的记录层由在实施 例1以及2中使用的其它组成材料构成的情况下，也能够确认示出同样的倾向。根据本实施例的结果确认了，当将构成记录层的Te-0-MA-MB材料组成选择为Te 原子的含有比例是10原子百分比以上、50原子百分比以下，0原子的含有比例是40原子百 分比以上、70原子百分比以下，Ma原子的含有比例是3原子百分比以上、15原子百分比以 下，Mb原子的含有比例是3原子百分比以上、15原子百分比以下时，可实现示出良好信号品 质的四层信息记录介质。(实施例7)在实施例7中，在采用Te-O-Pd-Cu材料作为记录材料的情况下，调查了记录层的 厚度给C/N比带来的影响。信息记录介质以与实施例1中所用方法同样的方法进行制作， 评价条件也与实施例1中所用的条件相同。表8示出评价了记录层厚度互不相同的样本 28-34的结果。表8
如表8所示，关于记录层由Te-O-Pd-Cu材料构成的信息记录介质，C/N比根据记 录层的厚度进行了变化。在表8中，当记录层的厚度不足2nm时(样本28)，C/N比低。这被认为是因为记 录层没有形成为不间断的层。当记录层的厚度处于2nm以上、50nm以下的范围内时，在(样 本29 33)中，容易形成记录材料连续的层，从而能够获得良好的C/N比。尤其，当记录层 的厚度处于IOnm以上、30nm以下的范围内时(样本31 32)，可获得充分的光学变化且面 内的热扩散也较小，所以能够获得更加良好的C/N比。当记录层的厚度超过50nm时(样 本34)，记录层面内的热扩散变大，所以C/N比降低。因此，当考虑C/N比时，可认为包含 Te-0-MA-MB材料的记录层的厚度适合2nm以上、50nm以下。这里，说明了采用Te-O-Pd-Cu材料作为记录材料的例子。即使在采用Te-O-Pd-Ag 材料、Te-O-Pd-Ni材料、Te-O-Au-Ag材料、Te-O-Au-Ni材料、Te-O-Au-Cu材料的情况下，也 能够确认获得同样的特性。在具有图2所示的两个信息层的信息记录介质中，第1信息层的记录层的适合厚 度同样是2nm以上、50nm以下。另一方面，因为第2信息层需要具有高透过率，所以可知第 2信息层的记录层的适合厚度是2nm以上、30nm以下。在具有图3所示的三个信息层的信息记录介质中，第1信息层的记录层的适合厚 度同样是2nm以上、50nm以下。另一方面，因为第2信息层需要具有高透过率和高反射率， 所以可知第2信息层的记录层的适合厚度是2nm以上、30nm以下。另外，第3信息层需要具 有高透过率，所以可知第3信息层的记录层的适合厚度是2nm以上、20nm以下。在具有图4所示结构且η是4的信息记录介质中，第1信息层的记录层的适合厚 度同样是2nm以上、50nm以下。另一方面，因为第2信息层 第4信息层需要具有高透过 率，所以可知这些信息层的记录层的适合厚度是2nm以上、20nm以下。在具有图4所示结构且η是6的信息记录介质中，第1信息层的记录层的适合厚 度同样是2nm以上、50nm以下。另一方面，第2信息层 第6信息层需要具有高透过率，所 以可知这些信息层的记录层的适合厚度是2nm以上、20nm以下。根据本实施例的结果确认了，在记录介质仅具有一个信息层的情况下，使记录层的厚度为2nm以上、50nm以下，由此能够实现示出良好信号品质的信息记录介质。另外，在 记录介质具有两个信息层的情况下，从激光入射侧看，使里侧信息层的记录层厚度为2nm 以上、50nm以下，从激光入射侧看，使面前侧信息层的记录层厚度为2nm以上、30nm以下，由 此确认了可实现示出良好信号品质的信息记录介质。此外，在记录介质具有三个信息层的情况下，使第1信息层的记录层厚度为2nm以 上、50nm以下，使第2信息层的记录层厚度为2nm以上、30nm以下，使第3信息层的记录层 厚度为2nm以上、20nm以下，由此确认了可实现示出良好信号品质的信息记录介质。另夕卜， 在记录介质具有η个(η是4以上的整数)信息层的情况下，使第1信息层的记录层厚度为 2nm以上、50nm以下，使第2 第η信息层的记录层厚度为2nm以上、20nm以下，由此确认了 可实现示出良好信号品质的信息记录介质。工业上的可利用性本发明的信息记录介质以及其制造方法，作为一写多读型信息记录介质即DVD-R 盘和BD-R盘以及其制造方法是有用的。
28
权利要求
一种信息记录介质，具备基板和具有记录层的信息层，并通过激光的照射来进行信息的记录以及再生，上述记录层包含由Te、O、MA、以及MB构成的Te-O-MA-MB材料，其中，MA是从Au以及Pd中选出的至少1种元素，MB是从Ag、Cu、以及Ni中选出的至少1种元素，在上述Te-O-MA-MB材料中，Te原子的含有比例是10原子百分比以上、50原子百分比以下，O原子的含有比例是40原子百分比以上、70原子百分比以下，MA原子的含有比例是3原子百分比以上、15原子百分比以下，MB原子的含有比例是3原子百分比以上、15原子百分比以下。
2.根据权利要求1所述的信息记录介质，其中，上述Te-0-MA-MB材料中的Mb原子的含有比例Xb相对于Ma原子的含有比例Xa与Mb原 子的含有比例Xb之和的比{XB/(XA+XB)}是0. 25以上、0. 75以下。
3.根据权利要求1或2所述的信息记录介质，其中， Ma原子是Pd原子。
4.根据权利要求3所述的信息记录介质，其中，Pd原子的含有比例是3原子百分比以上、5原子百分比以下。
5.根据权利要求1 4中任意一项所述的信息记录介质，其中， Mb原子是Cu原子。
6.根据权利要求1 5中任意一项所述的信息记录介质，其中， 上述记录层的厚度是2nm以上、50nm以下。
7.根据权利要求1所述的信息记录介质，其中，该信息记录介质包含两个以上上述信息层，上述两个以上信息层中的至少一个信息层 具有包含上述Te-0-MA-MB材料的记录层。
8.根据权利要求1 7中任意一项所述的信息记录介质，其中，该信息记录介质采用波长是350nm以上、500nm以下的激光来记录以及再生信息。
9.一种信息记录介质的制造方法，是权利要求1所述的信息记录介质的制造方法， 形成记录层的工序包括以下过程使用溅射靶，在含有稀有气体的气氛中进行溅射，其中，上述溅射靶包含由Te、0、MA、以及Mb构成的材料，并且，Ma是从Au以及Pd中选出的至少 1种元素，Mb是从Ag、Cu、以及Ni中选出的至少1种元素。
10.一种信息记录介质的制造方法，是权利要求1所述的信息记录介质的制造方法， 形成记录层的工序包括以下过程使用溅射靶，在含有稀有气体和氧的混合气体的气氛中，进行反应性溅射，其中，上述溅射靶包含由Te、MA、以及Mb构成的材料，并且，Ma是从Au 以及Pd中选出的至少1种元素，Mb是从Ag、Cu、以及Ni中选出的至少1种元素。
11.一种信息记录介质的记录再生装置，包括主轴电动机，其使包含记录层的信息记 录介质旋转；和光学头，其具备发出激光的半导体激光器、和使上述激光聚焦到上述记录层 上的物镜，上述记录层包含由Te、0、Ma、以及Mb构成的Te-0-MA-MB材料，其中，Ma是从Au以及Pd 中选出的至少1种元素，Mb是从Ag、Cu、以及Ni中选出的至少1种元素，并且，Te原子的含 有比例是10原子百分比以上、50原子百分比以下，0原子的含有比例是40原子百分比以 上、70原子百分比以下，Ma原子的含有比例是3原子百分比以上、15原子百分比以下，Mb原子的含有比例是3原子百分比以上、15原子百分比以下。
12.根据权利要求11所述的信息记录介质的记录再生装置，其中， 上述激光的波长是350nm以上、500nm以下。
全文摘要
本发明提供一种信息记录介质及其制造法和记录再生装置。在具备基板和具有记录层的信息层、并通过激光照射进行信息记录以及再生的信息记录介质中，利用Te-O-MA-MB材料来构成记录层，该Te-O-MA-MB材料由Te、O、MA(MA是从Au以及Pd中选出的至少1种元素)、以及MB(MB是从Ag、Cu、以及Ni中选出的至少1种元素)构成，并且Te原子的含有比例是10原子百分比以上、50原子百分比以下，O原子的含有比例是40原子百分比以上、70原子百分比以下，MA原子的含有比例是3原子百分比以上、15原子百分比以下，MB原子的含有比例是3原子百分比以上、15原子百分比以下。通过此结构，可进行高密度记录，从而可以提供能够长期稳定再生记录数据的低成本的信息记录介质。
文档编号G11B7/243GK101888933SQ20088011938
公开日2010年11月17日 申请日期2008年12月4日 优先权日2007年12月4日
发明者古宫成, 土生田晴比古, 山田升 申请人:松下电器产业株式会社