专利名称：薄膜形成装置和磁记录介质制造方法
技术领域：
本发明涉及薄膜形成装置和磁记录介质制造方法。
背景技术：
最近，磁记录介质作为用于记录巨大量信息的手段被广泛地研究和开发。目前， 通过使磁化矢量沿与记录层的面内方向垂直的方向指向而记录信号的被称为"垂直记录方 法"的记录方法作为用于实现较高密度记录品的方法正吸引注意。
在磁记录介质中，主要使用Co-Cr基合金作为记录层。 要求磁记录介质的记录层(磁记录膜)具有高的磁各向异性，以维持被写入信息 的热稳定性。具有高的磁各向异性的材料被期待用于在切换磁畴的同时加热介质的热辅助 磁记录(thermally assistedmagnetic recording)中。加热介质降低了矫顽力并有助于 位写入。为了热稳定性，其中人工规则地布置点图案的位构图(bit-patterned)介质也需 要由高各向异性材料形成。具有高的磁各向异性的有前途材料的例子是诸如CoPt、FePt和 CoFePt的Co和Fe的合金，所述合金要求高的沉积温度以获得高各向异性有序结构。
为了形成具有高的磁各向异性的记录层，必须升高并在预定的温度下控制基板温 度。例如，日本专利公开No. 2008-176847中所公开的薄膜叠层制造装置包含多个室和用于 加热膜形成基板的加热部件。基板被依次传送到各个(individual)室中，并且，通过溅射 在基板上层叠多个薄膜。在许多的室中同时容纳多个基板。当在基板上正形成薄膜的同时， 加热部件加热等待膜沉积的另一基板。 不幸的是，日本专利公开No. 2008-176847中所公开的薄膜叠层制造装置具有如 下问题当在膜形成基板上形成膜的同时(即，在膜形成期间)，不能执行均匀的温度控制。 并且，在加热之后，特别是当需要的温度非常高(> 400°C )时，随着基板为了溅射被传输， 基板温度立即下降。 由于与耙平行地设置单独的加热器，因此日本专利公开No. 2008-176847中所公
开的薄膜叠层制造装置还要求有大的室。
发明内容
本发明提供一种磁记录介质制造技术，所述磁记录介质制造技术通过使得可以在
沉积期间进行均匀的温度控制，而能够为了沉积高各向异性合金维持基板温度。 根据本发明的第一方面，提供一种薄膜形成装置，该薄膜形成装置包含多个室，并
在传送到所述多个室的基板的两个表面上执行用于形成薄膜的处理，其中，所述多个室的
第一溅射室包含被配置为在基板的第一表面上执行溅射膜形成处理的第一溅射膜形成单
元；和被配置为加热基板的与第一表面相对的第二表面的第一加热单元，并且，所述多个室
的第二溅射室包含被配置为加热已经受第一溅射室执行的溅射膜形成处理的基板的第一
表面的第二加热单元；和被配置为在第一溅射室加热的基板的第二表面上执行溅射膜形成
处理的第二溅射膜形成单元。
4
根据本发明的第二方面，提供一种薄膜形成装置，该薄膜形成装置包含多个室，并 在传送到所述多个室的基板的两个表面上执行用于形成薄膜的处理，其中，所述多个室的 第一溅射室包含被配置为容纳用于在基板的第一表面上执行膜形成处理的第一靶的第一 靶容纳单元；被形成为围绕第一靶的外围、并被配置为加热基板的第一表面的第一加热单 元；被配置为加热基板的与第一表面相对的第二表面的第二加热单元；和被形成为围绕第 二加热单元的外围、并被配置为容纳用于在基板的第二表面上执行膜形成处理的第二靶的 第二靶容纳单元，并且，所述多个室的第二溅射室包含被配置为加热基板的第一表面的第 三加热单元；被形成为围绕第三加热单元的外围、并被配置为容纳用于在第一表面上执行 膜形成处理的第三靶的第三靶容纳单元；被配置为容纳用于在基板的第二表面上执行膜形 成处理的第四靶的第四靶容纳单元；和被形成为围绕第四靶容纳单元的外围、并被配置为 加热基板的第二表面的第四加热单元。 根据本发明的第三方面，提供一种磁记录介质制造方法，该磁记录介质制造方法 包括将基板加热到预定温度的加热步骤；和在加热步骤中加热的基板上形成膜的膜形成 步骤，其中，在所述加热步骤和所述膜形成步骤中使用以上的薄膜形成装置。
通过参照附图对示例性实施例的以下描述，本发明的进一步的特征将变得明显。
图1是示出通过根据本发明实施例的磁记录介质制造方法制造的磁记录介质的 例子的示例性截面图。 图2是示出根据本发明实施例的薄膜形成装置(磁记录介质制造装置)的例子的 示图。 图3是用于解释根据本发明实施例的薄膜形成装置(磁记录介质制造装置)的室 的示图。 图4是用于解释根据本发明实施例的薄膜形成装置(磁记录介质制造装置)的室 的截面图。 图5是用于解释根据本发明实施例的磁记录介质制造方法的流程图。 图6是示出图2所示的薄膜形成装置(磁记录介质制造装置)的修改的示图。
具体实施例方式
以下参照附图示例性地详细解释本发明的优选实施例。注意，在实施例中描述的 构成要素仅是例子，并且，本发明的技术范围由所附的权利要求的范围确定，且不被以下的 各个实施例限制。 首先，解释通过根据本发明实施例的磁记录介质制造装置和磁记录介质制造方法 制造的作为薄膜叠层例子的磁记录介质。注意，在本说明书中，术语"磁记录介质"不限于 当记录和读取信息时仅使用磁性的诸如硬盘或floppy(软)(注册商标)盘的磁盘。例如， "磁记录介质"包含使用磁性和光两者的诸如MO(磁光)盘的磁光记录介质、或使用磁性和 热两者的热辅助记录介质。 图1是示出通过根据本发明实施例的磁记录介质制造装置和磁记录介质制造方 法制造的磁记录介质(薄膜叠层)的例子的示例性截面图。在本实施例中，作为磁记录介质的例子，解释通过改善垂直记录介质获得的ECC (Exchange-Coupled Composite,交换耦 合复合)介质。但是，本发明的精神和范围不限于本例子。例如，磁记录介质还可以是一般 的垂直记录介质、纵向记录介质、位构图介质或热辅助记录介质。 如图1所示，磁记录介质包含基板100以及在基板100的两个表面中的一个或两 个上依次层叠的第一软磁层101a、间隔(spacer)层102、第二软磁层101b、籽晶(seed)层 103、磁层104、交换耦合控制层105、第三软磁层106和保护层107。 作为基板100的材料，可以使用一般用作磁记录介质基板的非磁材料。例子是玻 璃、具有NiP镀膜的Al合金、陶瓷、柔性树脂和Si。在本实施例中，基板100是具有中心孔 的盘状构件。但是，本发明不限于此，并且，也可以使用矩形构件等。 在基板100上形成的第一软磁层101a是被形成为通过控制来自用于磁记录中的 磁头的磁通量改善记录/再现特性的层。但是，第一软磁层101a也可被省略。作为第一软 磁层101a的构成材料，可以根据紧接在第一软磁层101a上方(immediately above)形成 的膜使用例如CoZrNb、 CoZrTa或FeCoBCr。 作为间隔层102的材料，可以使用例如Ru或Cr。在间隔层102上形成的第二软 磁层101b与第一软磁层101a是同样的。第一软磁层101a、间隔层102和第二软磁层101b 形成软底层(underlayer)。 在软底层上形成的籽晶层103是为了适当地控制磁层104的晶体取向、晶体晶粒 尺寸、晶粒尺寸分布和晶粒边界偏析而紧接在磁层104下方形成的层。作为籽晶层103的 材料，可以使用例如MgO、Cr、Ru、Pt或Pd。 磁记录层5包含具有大的各向异性Ku值的磁层104、交换耦合控制层105和具有 小的Ku值的第三软磁层106。 在籽晶层103上形成并具有大的Ku值的磁层104影响磁记录层5的总Ku值，因 此使用具有最大的可能的Ku值的材料。作为磁层104的材料，可以使用这样的材料，所述 材料具有与基板表面垂直的易磁化轴，并具有铁磁晶粒被氧化物的非磁晶粒边界成分隔离 的结构。例如，可以使用通过向至少包含CoPt的铁磁材料添加氧化物获得的材料。例子是 CoPtCr-Si02和CoPt-Si02。还可以使用Co5。Pt5。、 Fe5。Pt5。或Co5。—yFeyPt5。。
在磁层104上形成的交换耦合控制层105包含晶体金属或合金、以及氧化物。作 为晶体金属或合金的材料，可以使用例如Pt、 Pd、或者Pt或Pd的合金。作为晶体合金，还 可以使用例如选自Co、Ni和Fe的元素与非磁金属的合金。 能通过改变交换耦合控制层105的膜厚来最简单地控制磁层104和第三软磁层 106之间的交换耦合力的强度。交换耦合控制层105的膜厚例如为0. 1至2. Onm。
在交换耦合控制层105上形成的第三软磁层106主要用于减少磁化反向磁场，因 此，使用具有最小的可能的Ku值的材料。作为第三软磁层106的材料，可以使用例如Co、 NiFe或CoNiFe。 在第三软磁层106上形成的保护层107被形成为防止由头和介质表面之间的接触 导致的损害。作为保护层107的材料，例如可以使用诸如C、Si02或Zr(^的单一成分，或者 通过将添加元素添加到作为主要成分的C、 Si02或Zr02获得的材料。 以下解释在根据本发明实施例的磁记录介质制造方法中使用的薄膜形成装置 (以下也被称为"磁记录介质制造装置")。图2是示出根据本发明实施例的磁记录介质制造装置的例子的示例性示图。图3是用于解释磁记录介质制造装置的室209、210、211和 213的示例性示图。图4是用于解释磁记录介质制造装置的室210的示例性截面图。图5 是用于解释磁记录介质制造方法的流程图。 在如图2所示的磁记录介质制造装置中，沿矩形的轮廓(contour)布置用于在载 体2上装载基板100 (图1)的装载锁定室(load 1ockchamber)81、用于从载体2卸载基板 100的卸载锁定室82以及多个室201、202、203、204、205、206、207、208、209、210、211、212、 213、214、215、216、217和218。并且，沿装载锁定室81、室201至218、以及卸载锁定室82 形成传送路径。传送路径具有多个能够携带基板100的载体2。在各室中，处理基板100所 需要的处理时间(节拍(tact)时间)被预先确定。当已经过该处理时间(节拍时间)时， 由载体2携带的基板100被依次传送到下面的室。 对于每小时处理约1000个基板的磁记录介质制造装置， 一个室中的节拍时间约 为5秒或更少，优选地约为3. 6秒或更少。 装载锁定室81、卸载锁定室82以及室201、202、203、204、205、206、207、208、209、 210、211、212、213、214、215、216、217和218中的每一个是能被专用或共享抽空系统抽空 (evacuate)的真空室。在装载锁定室81、卸载锁定室82以及室201、202、203、204、205、 206、207、208、209、210、211、212、213、214、215、216、217和218之间的边界部分中形成闸阀 (gate valve)(未不出)。 更具体而言，磁记录介质制造装置的室201是用于在基板100上形成第一软磁层 101a的室。方向改变室202是用于改变载体2的传送方向的室。室203是用于在第一软 磁层10la上形成间隔层102的室。室204是用于在间隔层102上形成第二软磁层10lb的 室。室205是用于在第二软磁层101b上形成籽晶层103的室。方向改变室206是用于改 变载体2的传送方向的室。室207(第一加热室)和室208(第二加热室)是用于预加热基 板100的预加热室。注意，也能在室209中形成籽晶层103。 室210和211是能够用作用于在籽晶层103上形成磁层104的溅射模块的室。方 向改变室212是用于改变载体2的方向的室。冷却室213是用于冷却基板100的室。室 214是用于在磁层104上形成交换耦合控制层105的室。室215是用于在交换耦合控制层 105上形成第三软磁层106的室。方向改变室216是用于改变载体2的方向的室。室217 和218是用于形成保护层107的室。 图3是用于解释图2所示的磁记录介质制造装置中的用于形成籽晶层103的室 209、用作用于形成磁层104的溅射模块的室210和211、以及用于冷却基板的冷却室213的 细节的示图。参照图3，箭头指示基板传送方向。注意，在图3中没有示出图2所示的方向 改变室212，因为它不是用于处理基板的室。 参照图3，基板100的前表面(第一表面)是表面A，并且，基板100的与表面A相 对(面对表面A)的后表面(第二表面)是表面B。在图3所示的布置中，从边缘夹住基板 100。参照图3，附加到各附图标记的"a"指示表面A侧的布置，"b"指示表面B侧的布置。
在用于形成籽晶层103的室209中，靶41a和41b被安装为相互面对。这使得可 以在基板100的两个表面上形成籽晶层103。作为用于形成籽晶层103的靶材料，可以使用 例如Co5。Pt5。、Fes。Pt5。或Co5。—yFeyPt5。。注意，用于对室进行抽空的涡轮分子泵(以下将被称 为"TMP")31与室209、210、211和213中的每一个连接。
接下来，作为本发明的特征，下面详细解释用作用于形成磁层104的溅射模块的 室210和211。 室210通过溅射在室210中设置的靶材料而在基板上形成磁层104。 在第一表面侧(表面A侧)，室210包含第一靶容纳单元(台)，用于容纳用于在
基板上形成磁层104的第一靶42a ;和加热单元52a(第一加热单元)，被形成为围绕第一靶
的外围并加热基板。 并且，在与第一表面侧(表面A侧)相对的第二表面侧(表面B侧)，室210包含 加热单元52b (第二加热单元)，被形成为面对第一靶容纳单元并加热基板；和第二靶容纳 单元(台)，被形成为围绕加热单元52b(第二加热单元)的外围，并容纳用于在基板上形成 磁层104的第二靶42b。 与室210连接的室211通过溅射在室211中设置的耙材料而在基板上形成磁层 104。 在第一表面侧(表面A侧)，室211包含加热单元53a(第三加热单元)，用于加 热基板；和第三靶容纳单元(台)，被形成为围绕加热单元53a(第三加热单元)的外围，并 容纳用于在基板上形成磁层104的第三靶43a。 并且，在与第一表面侧(表面A侧)相对的第二表面侧(表面B侧)，室211包含 第四靶容纳单元(台)，被形成为面对加热单元53a (第三加热单元)，并容纳用于在基板上 形成磁层104的第四靶43b ;和加热单元53b (第四加热单元)，被形成为围绕第四靶容纳单 元(台)的外围并加热基板。 第一耙42a和第四耙43b被形成为具有几乎同样的盘形，并且，加热单元52a(第
一加热单元)和加热单元53b(第四加热单元)被形成为具有几乎同样的环形。 第二耙42b和第三耙43a被形成为具有几乎同样的环形，并且，加热单元52b (第
二加热单元)和加热单元53a(第三加热单元)被形成为具有几乎同样的盘形。 加热单元52a(第一加热单元)加热与容纳第三靶43a的第三靶容纳单元对应的
区域。加热单元52b(第二加热单元)加热与容纳第四靶43b的第四靶容纳单元对应的区域。 加热单元53a (第三加热单元)加热与容纳第一耙42a的第一耙容纳单元对应的 区域。加热单元53b(第四加热单元)加热与容纳第二靶42b的第二靶容纳单元对应的区 域。 在室210中，加热单元52a被放在它主要加热基板的外部外围的位置中，并且，加 热单元52b被放在它主要加热基板的中心部分的位置中。能通过如此布置加热单元52a和 52b来加热整个基板。这使得可以在沉积磁合金的同时升高或维持基板的温度及其均匀性。
并且，在室211中，加热单元53b被放在它加热基板的外部外围的位置中，并且，加 热单元53a被放在它加热基板的中心部分的位置中。通过如此布置加热单元53a和53b，能 从与在室210中加热的部分不同的部分加热整个基板。这使得可以在执行磁层沉积的同时 对基板表面执行均匀的温度控制。 在两个室210和211中，能通过从具有小直径的第一靶42a和具有较大直径的环 状第三靶43a溅射，在基板的表面A上形成具有均匀膜厚的磁层104。同样地，能通过从具 有小直径的第四靶43b和具有较大直径的环状第二靶42b溅射，在基板的表面B上形成具有均匀膜厚的磁层104。从较小的靶溅射在基板的中间附近导致较厚的膜，而从较大的环状 靶溅射在基板的外直径附近导致较厚的膜。通过适宜地(judiciously)调整速率，在整个 基板上在两个面上形成均匀的磁膜。 注意，作为这里提到的"加热单元"，可以使用例如加热器、块加热器(block heater)或灯加热器。灯加热器的效率会受沉积影响。因此，块加热器即使在其表面上具有 沉积物也可提供更加可重复的温度。 上述的磁层材料能被用作第一靶42a、第二靶42b、第三靶43a和第四靶43b。例 如，可以使用通过向至少包含CoPt的铁磁材料添加氧化物获得的材料。例子是CoPtCr-Si(^ 和CoPt-Si02。还可以使用Co5。Pt5。、 Fe5。Pt5。或Co5。—yFeyPt5。。 图4是沿基板传送方向(基板传送方向与图表面垂直)示出室210的示意性截面 图。在关于基板几乎对称的位置中布置第一靶42a的面对基板的表面和加热单元52b (第 二加热单元)的面对基板的表面。类似地，在关于基板几乎对称的位置中布置第一加热单 元52a的面对基板的表面和第二靶42b的面对基板的表面。注意，磁体单元420a被安装在 第一靶42a的背面，并且，磁体单元420b被安装在第二靶42b的背面。
在室210中，磁体单元420a用作用于在靶被保持在预定电压下的同时通过产生磁 场执行溅射的第一溅射单元。磁体单元420b用作用于在靶被保持在预定电压下的同时通 过产生磁场执行溅射的第二溅射单元。磁体单元在室211中也被安装在第三靶43a的背 面。该磁体单元用作用于在靶被保持在预定电压下的同时通过产生磁场执行溅射的第三溅 射单元。另外，磁体单元被安装在第四靶43b的背面。该磁体单元用作用于在靶被保持在 预定电压下的同时通过产生磁场执行溅射的第四溅射单元。 第一耙42a和加热单元52a的面对基板的表面平行，但不必处于相同的平面上。同 样地，第二耙42b和加热单元52b的面对基板的表面平行。但不必处于相同的平面上。
如前面描述的那样，对于每小时处理约1000个基板的磁记录介质制造装置，一个 室中的节拍时间必须被縮短至约5秒或更少，希望地是约3. 6秒或更少。为了在这样限制 节拍时间的同时实现用于将基板加热到希望的温度(约40(TC至60(TC)的加热处理(温 度控制)，加热单元52a和52b的表面被布置在离基板表面例如50mm或更小、优选30mm或 更小的距离处。 再次参照图3，为了冷却其上形成磁层104的基板的两个表面，冷却室213包含相 互面对的冷却机构61a和61b。具有在室210和211中在加热到希望的温度的同时形成的 磁层104的基板的两个表面在冷却室213中被冷却机构61a(第一冷却机构)和冷却机构 61b(第二冷却机构)冷却。需要冷却处理，以为后面的保护层107的沉积获得最佳温度，例 如，达到约200或更低。 如上面解释的那样，本实施例能提供能够在高各向异性层沉积期间维持或升高基
板温度以及在基板上实现温度均匀性的磁记录介质制造装置(溅射装置)。 接下来，下面参照图1和图5解释根据本发明实施例的使用磁记录介质制造装置
的磁记录介质制造方法。 在步骤S501中，基板被携带到装载锁定室81中，并且随着其被基板传送自动装置 (robot)(未示出)放在载体2上而被装载。 在步骤S502中，基板在装载锁定室81中被加热到预定温度Tl (约IO(TC )，由此去除粘附于基板的污染物和水。 在步骤S503中，形成软底层。更具体而言，在室201中形成第一软磁层101a，在室 203中形成间隔层102 (厚度为0. 7至2nm)，并且，在室204中形成第二软磁层101b。
在步骤S504中，基板被依次传送到室207 (第一加热室)和室208 (第二加热室)， 并被加热到比步骤S502中的温度Tl (约IO(TC )高的温度T2 (约40(TC至700°C )。该步 骤是为实现高的磁各向异性的磁层104作准备。在磁记录介质制造装置中，为了增加产量， 限制一个室中的处理时间(节拍时间)。在用于形成磁层104的室210和211中，难以在限 制的时间内将基板加热到增加磁层104的磁各向异性所需要的温度。因此，磁记录介质制 造装置包含用于预加热(初步加热)的室207 (第一加热室)和室208 (第二加热室)。在 磁记录介质制造装置中，室207(第一加热室)和室208(第二加热室)用作初步加热单元。
由于在基板被传送到用于形成磁层104的室210之前基板温度降低，因此，基板必 须在室207(第一加热室)和室208(第二加热室)中被加热(初步加热)到等于或高于在 室210中增加磁各向异性所需温度的温度。但是，如果使得由玻璃制成的基板过热，那么它 可塑性变形，从而使得它作为刚性盘介质是无用的。并且，它可从载体2落下且不利地影响 整个工具的操作。因此，在室207(第一加热室)和室208(第二加热室)中，玻璃基板被加 热到低于塑性变形温度的温度。 在步骤S505中，籽晶层103被形成为适当地控制磁层104的晶体特性。注意，也 可在步骤S504中的加热步骤之前在室205中形成籽晶层103。 在步骤S506中，基板被传送到用于形成磁层104的室210和211，并且，在基板被 加热到预定温度T3(约40(TC至600°C )的同时形成磁层104。在该步骤中，如前面描述的 那样，在室210和211中均匀加热基板的同时形成磁层104。 在步骤S507中，基板被依次传送到冷却室213，并被冷却到对于形成保护层107最 佳的温度。当使用碳作为保护层107的材料时，基板必须被冷却到例如约20(TC或更低。
随后，在步骤S508中，基板被传送到可形成保护层107的用于CVD的室217和218。
注意，还可在室214中在磁层104和保护层107之间形成超薄的交换耦合控制层 105。还应注意，还可在冷却基板之后并在形成保护层107之前，在室215中形成第三软磁 层106。 在步骤S509中，基板随着它在卸载锁定室82中从载体2被去除而被卸载。
如上面解释的那样，本实施例能提供能够对于基板表面执行温度控制的磁记录介 质制造方法。
(修改) 图6是示出图2所示的薄膜形成装置(磁记录介质制造装置)的布置的修改的示 图。图6所示的磁记录介质制造装置包含室250和251，而不是图2所示的室210和211。 注意，与图2中相同的附图标记表示相同的部分，并且将省略重复的解释。还应注意，在图6 所示的磁记录介质制造装置中，为了说明的简明性，没有示出装载锁定室81、室201至207、 212、214、216和218、以及卸载锁定室82。 如图6所示，室250包含加热单元611a，安装在基板的表面B侧；和溅射膜形成 单元(第一溅射膜形成单元)，安装在基板的表面A侧，并包含用于执行溅射膜形成处理的 耙601b和磁体单元(未示出)。当在室250中处理基板的表面A(第一表面)时，加热单元611a从基板的与表面A相对的表面B(第二表面)加热基板。在该布置中，能在均匀加 热基板的同时执行溅射膜形成处理。 室250用作第一溅射室，并与用作第二溅射室的室251连接。 室251包含加热单元612b，安装在基板的表面A侧；和溅射膜形成单元(第二溅 射膜形成单元)，安装在基板的表面B侧，并包含用于执行溅射膜形成处理的靶602a和磁体 单元(未示出)。当在室251中处理基板的表面B (第二表面)时，加热单元612b从基板的 与表面B相对的表面A(第一表面)加热基板。在该布置中，能当在室251中均匀加热在室 250中未被加热的基板表面的同时执行溅射膜形成处理。 当形成具有磁各向异性的磁记录层时，图6所示的磁记录介质制造装置能以更简 单的布置在均匀加热基板表面的同时执行溅射膜形成处理。 虽然已参照示例性实施例描述了本发明，但应理解，本发明不限于公开的示例性 实施例。以下的权利要求的范围应被赋予最宽的解释，以包含所有这样的修改以及等同的 结构和功能。
1权利要求
一种薄膜形成装置，所述薄膜形成装置包含多个室，并在传送到所述多个室的基板的两个表面上执行用于形成薄膜的处理，其中，所述多个室的第一溅射室包含第一溅射膜形成单元，被配置为在所述基板的第一表面上执行溅射膜形成处理，和第一加热单元，被配置为加热所述基板的与第一表面相对的第二表面，并且，所述多个室的第二溅射室包含第二加热单元，被配置为加热已经受所述第一溅射室执行的溅射膜形成处理的所述基板的第一表面，和第二溅射膜形成单元，被配置为在被所述第一溅射室加热的所述基板的第二表面上执行溅射膜形成处理。
2. —种薄膜形成装置，所述薄膜形成装置包含多个室，并在传送到所述多个室的基板的两个表面上执行用于形成薄膜的处理，其中，所述多个室的第一溅射室包含第一靶容纳单元，被配置为容纳用于在所述基板的第一表面上执行膜形成处理的第一耙，面，第一加热单元，被形成为围绕所述第一靶的外围，并被配置为加热所述基板的第一表第二加热单元，被配置为加热所述基板的与第一表面相对的第二表面，禾口第二靶容纳单元，被形成为围绕所述第二加热单元的外围，并被配置为容纳用于在所述基板的第二表面上执行膜形成处理的第二靶，并且，所述多个室的第二溅射室包含第三加热单元，被配置为加热所述基板的第一表面，第三靶容纳单元，被形成为围绕所述第三加热单元的外围，并被配置为容纳用于在第一表面上执行膜形成处理的第三靶，第四靶容纳单元，被配置为容纳用于在所述基板的第二表面上执行膜形成处理的第四耙，和第四加热单元，被形成为围绕所述第四靶容纳单元的外围，并被配置为加热所述基板的第二表面。
3. 根据权利要求2的薄膜形成装置，其中，所述第一加热单元加热所述基板的面对所述第三靶容纳单元的区域，所述第二加热单元加热所述基板的面对所述第四靶容纳单元的区域，所述第三加热单元加热所述基板的面对所述第一靶容纳单元的区域，并且，所述第四加热单元加热所述基板的面对所述第二靶容纳单元的区域。
4. 一种磁记录介质制造方法，包括将基板加热到预定温度的加热步骤；禾口在所述加热步骤中加热的所述基板上形成膜的膜形成步骤，其中，在所述加热步骤和所述膜形成步骤中使用根据权利要求1的薄膜形成装置。
5. —种磁记录介质制造方法，包括将基板加热到预定温度的加热步骤；禾口在所述加热步骤中加热的所述基板上形成膜的膜形成步骤，其中，在所述加热步骤和所述膜形成步骤中使用根据权利要求2的薄膜形成装置。
全文摘要
本发明提供一种薄膜形成装置和磁记录介质制造方法。该薄膜形成装置包含多个室，并在传送到所述多个室的基板的两个表面上执行用于形成薄膜的处理，其中，所述多个室的第一溅射室包含被配置为在基板的第一表面上执行溅射膜形成处理的第一溅射膜形成单元；和被配置为加热基板的与第一表面相对的第二表面的第一加热单元，并且，所述多个室的第二溅射室包含被配置为加热已经受第一溅射室执行的溅射膜形成处理的基板的第一表面的第二加热单元；和被配置为在被第一溅射室加热的基板的第二表面上执行溅射膜形成处理的第二溅射膜形成单元。
文档编号G11B5/851GK101724816SQ20091020635
公开日2010年6月9日 申请日期2009年10月15日 优先权日2008年10月31日
发明者E·N·阿巴拉 申请人:佳能安内华股份有限公司