光盘装置及其聚焦偏置设定方法

专利名称：光盘装置及其聚焦偏置设定方法
技术领域：
本发明涉及光盘装置的聚焦偏置处理，尤其是涉及对于光盘具有多个记录层时的 该多个记录层的聚焦偏置的设定。
背景技术：
作为与本发明有关的现有技术，例如有记载于日本专利第3465413号说明书(专 利文献1)、日本特开2003-217140号公报(专利文献2)、日本特开2003-248940号公报(专 利文献3)中的技术。在日本专利第3465413号说明书中，记载有利用跟踪误差信号的振 幅、抖晃、RF信号振幅等设定聚焦偏置(Focus Offset :聚焦偏移、偏焦)值的技术，在日本 特开2003-217140号公报中记载有对于各记录层独立地设定聚焦偏置的技术，在日本特开 2003-248940号公报中记载有在装置内设置温度检测器，在装置内温度变化规定值以上且 结束聚焦跳跃和寻道时进行偏移再调整的技术。 在上述的现有技术中，分别独立地求取各记录层的聚焦偏置量，根据记录层切换 前后的跟踪误差信号的振幅、抖晃、RF信号振幅等的差值，求该切换后的记录层的聚焦偏置 量，因此，偏移处理的所需要时间容易变长，另外，在未记录状态的记录层的情况下恐怕不 能确保处理精度。 专利文献1 :日本专利第3465413号说明书
专利文献2 :日本特开2003-217140号公报
专利文献3 :日本特开2003-248940号公报

发明内容
本发明的课题是鉴于上述现有技术的状况而提出的，在光盘装置中，在多个记录 层的聚焦偏置处理时，能够实现该处理时间的縮短、并且能够确保对于记录结束状态的记 录层(也包括再现专用盘)及未记录状态的记录层的聚焦偏置处理精度。另外，也能够与 装置内的温度变化对应而确保聚焦偏置处理精度。 本发明的目的在于，解决上述课题，提供一种能够在光盘装置中提高使用便利性 的技术。 为解决上述课题点，本发明提供一种光盘装置，其中，对于光盘具有的多个记录层 中的相互邻接的记录层的各层，根据来自形成于记录层的记录面的引导槽的反射光的信 号，学习光学单元对于该引导槽的聚焦偏置，根据该学习的各记录层的聚焦偏置，运算且设 定记录或再现时用的聚焦偏置。作为记录或再现时用的光学单元的聚焦偏置，将所述学习 的各记录层的聚焦偏置的平均值设定为该各记录层共同的聚焦偏置，或者，将与所述学习的各记录层的聚焦偏置的差成为与所述光学单元的特性对应的值的聚焦偏置，设定为各记 录层或各记录层共同的聚焦偏置，或者，将与该学习的各记录层的聚焦偏置的差成为与所 述光学单元的特性对应的值的聚焦偏置的平均值作为一个记录层的聚焦偏置进行设定。另 外，根据装置内的温度变化，将所述学习的各记录层的聚焦偏置的平均值或与该学习的各 记录层的聚焦偏置的差成为与所述光学单元的特性对应的值的聚焦偏置设定为记录或再 现时用的光学单元的聚焦偏置。 另外，在本发明中，通过所述学习求取的聚焦偏置意味着是满足有效地构成本发 明的适当范围的聚焦偏置。另外，本发明的"记录层"是指将记录信息的层(记录层)，即也 包括记录有信息的记录层(也包括再现专用盘的记录层、可记录盘即可改写的盘和可追记 的盘的记录层)、另外，还有虽然尚未记录信息但能够记录信息的记录层(该情况下为可记 录盘的记录层)。 根据本发明，在光盘装置中，能够在短时间内进行多个记录层的聚焦偏置处理，信 息的记录或再现动作可迅速的开始。另外，对于记录结束状态的记录层(也包括再现专用 光盘)及未记录状态的记录层也能够确保聚焦偏置的处理精度。另外，也能够与装置内的 温度变化相对应而确保聚焦偏置处理精度。 通过以下的附图及说明将明了以上所说明的功能、对象及本发明的优点。


图1是作为本发明的第一实施例的光盘装置的构成图； 图2是图1的光盘装置中的光盘的多个记录层的基准面位置和光拾取器的光学单 元的位置的说明图； 图3是图1的光盘装置的聚焦偏置学习、记录或再现时用的聚焦偏置设定的说明 图； 图4是基于实测数据的图1的光盘装置的聚焦偏置学习、记录或再现时用的聚焦 偏置设定的说明图； 图5是基于另一实测数据的图1的光盘装置的聚焦偏置学习、记录或再现时用的 聚焦偏置设定的说明图； 图6是图1的光盘装置的、对于光盘中的邻接的记录层的聚焦偏置处理的动作流 程图； 图7是图1的光盘装置的、对于记录层为3层以上的光盘的聚焦偏置处理的说明 图； 图8是图7的聚焦偏置处理的动作流程图； 图9是图1的光盘装置的、对于记录层为3层以上的光盘的另一聚焦偏置处理的 说明图； 图10是图9的聚焦偏置处理的动作流程图； 图11是作为本发明的第二实施例的光盘装置的构成图； 图12是表示光学单元的聚焦偏置的温度特性例的图； 图13是表示通过图11的光盘装置改善了图12的温度特性时的状态的图。
具体实施例方式
下面，应用附图对本发明的实施例进行说明。 图1 图10是作为本发明的第一实施例的光盘装置的说明图。图1是作为本发明 的第一实施例的光盘装置的构成图，图2是图1的光盘装置的光盘的多个记录层的基准面 位置和光拾取器的光学单元的位置的说明图，图3是图1的光盘装置的聚焦偏置学习、记录 或再现时用的聚焦偏置设定的说明图，图4是基于实测数据的图1的光盘装置的聚焦偏置 学习、记录或再现时用的聚焦偏置设定的说明图，图5是基于另一实测数据的图1的光盘装 置的聚焦偏置学习、记录或再现时用的聚焦偏置设定的说明图，图6是图1的光盘装置的、 对于光盘中的邻接的记录层的聚焦偏置处理的动作流程图，图7是在图1的光盘装置中，对 于具有3层以上的记录层的光盘的聚焦偏置处理的说明图，图8是图7的聚焦偏置处理的 动作流程图，图9是在图1的光盘装置中，对于具有3层以上记录层的光盘的另一聚焦偏置 处理的说明图，图10是图9的聚焦偏置处理的动作流程图。 另外，在以下的说明中使用的"记录层"是指记录信息的层(记录层)，即也包括记 录有信息的记录层(也包括再现专用盘的记录层、可记录盘的记录层)、另外，还有虽然尚 未记录信息但是能够记录信息的记录层(该情况下为可记录盘的记录层)。
在图1中，la是作为本发明的实施例的光盘装置；2是具有多个记录层的0￥0+/-尺 DL等的光盘；3是旋转驱动光盘2的盘电动机；4是光拾取器，5在光拾取器4内，是含有物 镜(未图示)而构成，将激光聚光，使该聚光了的激光向光盘2的记录面照射的光学单元； 6在光拾取器4内，是为了记录或再现而产生规定的强度的激光的激光二极管；7在光拾取 器4内，是驱动激光二极管6的激光驱动电路；8在光拾取器4内，是经由光学单元5接受来 自光盘2的记录面(盘面)的反射光并切换为电信号(再现信号)而输出的受光部；9是 改变光学单元5中的物镜(未图示)的位置及姿势的致动器；10是将从受光部8输出的再 现信号作为RF信号进行增幅和解调等而进行信号处理的再现信号处理部；11是具备直线 状的引导部件(未图示)及导向螺杆部件(未图示)等而构成，使光拾取器4向光盘2的 大致半径方向移动的移动 引导机构部；12在该移动 引导机构部11内，是旋转驱动导向 螺杆部件(未图示)的滑动电动机；14是生成驱动致动器9的驱动信号的聚焦/跟踪控制 部；15是旋转驱动盘电动机3和滑动电动机12的电动机驱动电路；30是控制该光盘装置 la整体的作为控制部的系统控制器；31在系统控制器30内，是控制电动机驱动电路15的 电动机控制部；32是系统控制器30内的微机；321是构成在微机32内、作为第一控制模块 的聚焦偏置学习单元，上述第一控制模块由自再现信号处理部10输出的信号学习(检测) 上述光学单元5的最佳聚焦偏置(在最适合范围的聚焦偏置即在满足有效构成本发明的适 当范围内的聚焦偏置的意思。以下的说明中的"最佳聚焦偏置"全部是该意思)；322是构 成在微机32内、作为第二控制模块的聚焦偏置运算 设定单元，上述第二控制模块根据上 述聚焦偏置学习单元321学习了的最佳聚焦偏置，运算且设定记录或再现时用的上述光学 单元5的聚焦偏置。作为上述第一控制模块的聚焦偏置学习单元321在上述最佳聚焦偏置 的学习时，根据自再现信号处理部10输出的信号即来自形成于光盘2的多个记录层中、相 互邻接的记录层的各记录面的引导槽的反射光的信号，学习(检测)光学单元5对于各该 引导槽的最佳聚焦偏置。 另外，在图1中，33是生成并输出用于驱动激光二极管6的记录用信号的记录用信号生成部；40是存储器，其存储光学单元5的特性信息、聚焦偏置学习单元321学习的邻接 的各记录层的最佳聚焦偏置的信息、聚焦偏置运算 设定单元322运算 设定的记录或再 现时用的上述光学单元5的聚焦偏置的信息、在聚焦偏置学习单元321中执行上述学习动 作的一系列顺序的程序、在聚焦偏置运算 设定单元322中执行上述运算 设定动作的一 系列步骤的程序等。光学单元5的特性信息、上述学习动作执行用的程序、上述运算《设定 动作执行用的程序在聚焦偏置学习单元321的最佳聚焦偏置的学习动作前，预先存储于存 储器40。 在上述最佳聚焦偏置的学习时，作为基于来自形成于相互邻接的多个记录层的记 录面的引导槽的反射光的信号，从再现信号处理部10输出推挽信号或摆频信号。
作为第一控制模块的聚焦偏置学习单元321具有的构成为，在最佳聚焦偏置的学 习时，应用从上述再现信号处理部10输出的推挽信号或摆频信号，作为相对于相互邻接的 多个记录层的各引导槽的各最佳聚焦偏置，学习(检测)上述推挽信号或摆频信号的振幅 成为最大(处于实际的最大范围内的值的意思，含有真正的最大值，例如，意思是成为真正 的最大值95%以上范围的值。以下，推挽信号或摆频信号的振幅的"最大"或"最大值"为 该意思)的聚焦偏置。利用推挽信号学习最佳聚焦偏置时，跟踪控制成为关(OFF)状态，利 用摆频信号学习最佳聚焦偏置时，跟踪控制成为开(ON)状态。聚焦偏置学习单元321根据 从存储器40读出的程序，执行最佳聚焦偏置学习动作中的规定的步骤。
作为第二控制模块的聚焦偏置运算*设定单元322，运算，设定用于在相互邻接的 多个记录层记录或再现信息时的聚焦偏置时，运算上述聚焦偏置学习单元321学习的、该 邻接的多个记录层的各最佳聚焦偏置即上述推挽信号或摆频信号的振幅成为最大的聚焦 偏置的平均值(平均的聚焦偏置)，将该运算的平均值作为记录或再现时的该两个记录层 共同的聚焦偏置进行设定，或，运算与聚焦偏置学习单元321学习的各记录层的最佳聚焦 偏置的差成为与光学单元5的特性对应的值的聚焦偏置即与光学单元5的特性对应在每一 个记录层加权(重^付W )后的聚焦偏置，将该运算的聚焦偏置作为上述相互邻接的多个 记录层的各个的记录或再现时用的聚焦偏置对每个该记录层分别进行设定。
应用聚焦偏置学习单元321得到的学习结果运算且设定记录或再现时用的上述 平均的聚焦偏置时，聚焦偏置运算 设定单元322如下进行该聚焦偏置的设定。即，例如， 在从激光入射侧(配置有光学单元5的侧)配置有第一记录层(L0层)、第二记录层(Ll 层)时，通过聚焦偏置学习单元321对于该第一记录层(L0层)的学习，作为推挽信号或摆 频信号的振幅成为最大的聚焦偏置而得到F^另外，通过相对于该第二记录层(Ll层)的 学习，作为推挽信号或摆频信号的振幅成为最大的聚焦偏置而得到FA1，此时，作为第一记录 层(L0层)及第二记录层(Ll层)的记录或再现时用的聚焦偏置F^例如，将通过
FQC = (FA。+FA1) /2 (数学式1) 运算得到的值设定为该第一记录层(L0层)及该第二记录层(Ll层)共同的聚焦 偏置(记录或再现时用的聚焦偏置)。 另外，在利用聚焦偏置学习单元321的学习结果且对应光学单元5的特性对每一 个邻接记录层分别运算各记录或再现时用的聚焦偏置并进行设定时，聚焦偏置运算 设定 单元322如下进行该记录或再现时用的聚焦偏置的设定。S卩，例如，在从激光入射侧以第一 记录层(L0层)、第二记录层(Ll层)的顺序配置有记录层时，通过聚焦偏置学习单元321对于该第一记录层(L0层)的学习，作为推挽信号或摆频信号的振幅成为最大的聚焦偏置 而得到F^另外，通过相对于该第二记录层(Ll层)的学习，作为推挽信号或摆频信号的振 幅成为最大的聚焦偏置而得到FA1，此时，例如，将通过
<formula>formula see original document page 10</formula> (数学式2) 运算得到的值设定为第一记录层(L0层)的记录或再现时用的聚焦偏置FQ。。 另外，例如，将通过<formula>formula see original document page 10</formula>(数学式3) 运算得到的值设定为第二记录层(LI层)的记录或再现时用的聚焦偏置FQ1。
聚焦偏置运算*设定单元322根据从存储器40读出的程序，执行对记录或再现动 作用的上述光学单元5的上述聚焦偏置进行运算 设定的动作顺序。 另外，上述数学式1 数学式3为发明者在研究本发明的过程中，从应用多个光盘 进行实验而得到的数学式，是解决本发明的课题且能够得到显著的效果的实用的数学式。
在上述构成的光盘装置la中，在对于具有多个记录层的光盘2进行信息的记录或 再现时，例如，在光盘2装入装置内，且以规定的速度旋转的状态下，光拾取器4内的激光二 极管6产生的激光通过光学单元5向光盘2的多个记录层的记录面照射，进行相对于多个 记录层的聚焦偏置处理。对于相互邻接的记录层的各层，利用形成于该各记录层的引导槽 的槽信息(表示槽的构造或状态的信息)来进行聚焦偏置处理。即，对于相互邻接的记录 层的各层，用受光部8接受来自形成于记录层的记录面的引导槽的反射光并切换为电信号 (再现信号)，作为推挽信号或摆频信号从再现信号处理部IO输出。聚焦偏置处理时，在形 成从再现信号处理部IO输出推挽信号的构成的情况下，在光盘装置la中，不进行跟踪控 制，而从聚焦/跟踪控制部14只输出聚焦控制信号。另一方面，在形成从再现信号处理部 10输出摆频信号的结构的情况下，进行跟踪控制，从聚焦/跟踪控制部14输出聚焦控制信 号和跟踪控制信号。作为相互邻接的各记录层的引导槽的槽信息，从再现信号处理部10输 出的该推挽信号或摆频信号被输入微机32内的聚焦偏置学习单元321内。聚焦偏置学习 单元321对于相互邻接的记录层的各层，将该输入的推挽信号或摆频信号的振幅成为最大 时的聚焦偏置作为最佳聚焦偏置来进行学习(检测)。微机32内的聚焦偏置运算*设定单 元322如上所述，运算聚焦偏置学习单元321学习的相互邻接的记录层各层的最佳聚焦偏 置的平均值或与该学习的各最佳聚焦偏置的差成为与光学单元5的特性对应的值的聚焦 偏置，作为记录或再现时用的上述光学单元的聚焦偏置来进行设定。 下面，对于说明中使用的图1的光盘装置la的构成要素标记与图1的情况相同的 符号。 图2是在图l的光盘装置la中，光盘2的多个记录层的基准面(聚焦偏置成为 O(零)的面)的位置和与此相对的光拾取器4的光学单元5的位置的说明图。(a)表示用 光学单元5聚光的激光向第一记录层(L0层)照射，由以来自该第一记录层(L0层)的记 录面的引导槽的反射光为依据的推挽信号或摆频信号，进行对于第一记录层(L0层)的最 佳聚焦偏置的学习时的状态，(b)表示用光学单元5聚光的激光向与上述第一记录层(L0 层)邻接的第二记录层(Ll层)照射，由以来自该第二记录层(Ll层)的记录面的引导槽的 反射光为依据的推挽信号或摆频信号，进行对于第二记录层(Ll层)的最佳聚焦偏置的学 习时的状态。5a为光学单元5中的物镜，h为第一记录层(L0层)的基准面和第二记录层(Ll层)的基准面之间的距离。在最佳聚焦偏置的学习时，物镜5a根据来自聚焦/跟踪控 制部14的聚焦控制信号，通过致动器9控制聚焦方向(士Z轴方向)的位置。进行对于第 一记录层(L0层)的最佳聚焦偏置的学习时，在包括第一记录层(L0层)的基准面位置的 该第一记录层(L0层)的基准面的附近，物镜5a的聚焦方向位置通过致动器9被改变，推 挽信号或摆频信号的振幅成为最大的物镜5a的聚焦方向位置的聚焦偏置通过聚焦偏置学 习单元321被学习为对于第一记录层(L0层)的最佳聚焦偏置。同样，进行对于第二记录 层(Ll层)的最佳聚焦偏置的学习时，在包括该第二记录层(Ll层)的基准面位置的该第 二记录层(Ll层)的基准面的附近，物镜5a的聚焦方向位置通过致动器9被改变，推挽信 号或摆频信号的振幅成为最大的物镜5a的聚焦方向位置的聚焦偏置通过聚焦偏置学习单 元321被学习为对于第二记录层(Ll层)的最佳聚焦偏置。进行对于第三记录层(L2层) (未图示)的最佳聚焦偏置的学习时也同样。 在以下的说明中，第一记录层(L0层)和第二记录层(Ll层)也设为相对于激光入 射方向(配置着物镜5a的方向)处于上述图2所示的位置关系。另外，图7 图10中说 明的记录层为3层以上的光盘时，第三记录层(L2层)(未图示)配置于比第二记录层(Ll 层)更靠Z轴方向侧的位置。 图3是对于图1的光盘装置la的光盘2的聚焦偏置学习、记录或再现时用的聚焦 偏置设定的说明图。在本图3中，聚焦偏置学习用推挽信号进行。在图3中，横轴取聚焦偏 置F，纵轴取推挽信号振幅A和分辨率D。 在图3中，A。是利用来自第一记录层(L0层)的引导槽的反射光从再现信号处理 部10输出的推挽信号的振幅特性曲线的模型，A。max是振幅特性曲线A。上的最大值即第一 记录层(L0层)的推挽信号振幅的最大值，FA。是在振幅特性曲线A。上推挽信号振幅成为最 大值A。^时的聚焦偏置即最佳聚焦偏置，^是利用来自第二记录层(Ll层)的引导槽的反 射光从再现信号处理部10输出的推挽信号的振幅特性曲线的模型，A^x是振幅特性曲线A 上的最大值即第二记录层(Ll层)的推挽信号振幅的最大值，FM是在振幅特性曲线A上推 挽信号振幅成为最大值A^,时的聚焦偏置即最佳聚焦偏置，D。是基于来自第一记录层(LO 层)的反射光的分辨率特性曲线的模型，FD。是该分辨率特性曲线D。成为最大值时的聚焦偏 置，D工是基于来自第二记录层(Ll层)的反射光的分辨率特性曲线的模型，FD1是该分辨率 特性曲线D工成为最大值时的聚焦偏置。上述推挽信号振幅的最大值A。max和那时的聚焦偏 置FA。(最佳聚焦偏置)及上述推挽信号振幅的最大值Almax和那时的聚焦偏置FA1 (最佳聚焦 偏置)通过作为第一控制模块的聚焦偏置学习单元321进行学习(检测)。另外，上述分辨 率D，由以来自光盘2的各记录层的引导槽中的最短标记(7 —々)(在DVD中为3T标记) 的反射光为依据的信号的振幅相对于以来自最长标记(在DVD中为11T标记)的反射光为 依据的信号的振幅的比定义。 另外，在图3中，Q。为聚焦偏置运算《设定单元322根据上述聚焦偏置(最佳聚焦 偏置)FA。、 FA1，按照与聚焦偏置FA。的差成为与光学单元5的特性对应的值的方式运算并设 定的聚焦偏置的位置，即与光学单元5的特性对应且在聚焦偏置FA。侧加权(=相比于与聚 焦偏置FA1的差，与聚焦偏置FA。的差被减小)的聚焦偏置的位置，F。。为与该位置Q。对应的 聚焦偏置，Qi为聚焦偏置运算《设定单元322根据上述聚焦偏置(最佳聚焦偏置)FA。、FA1按 照与聚焦偏置FA1的差成为与光学单元5的特性对应的值的方式运算并设定的聚焦偏置的位置，即与光学单元5的特性对应且在聚焦偏置FA1侧加权(=相比于与聚焦偏置FA。的差， 与聚焦偏置FA1的差被减小)的聚焦偏置的位置，FQ1为与该位置Q工对应的聚焦偏置，Qc为 聚焦偏置运算 设定单元322根据上述聚焦偏置FA。、FA1运算并设定的聚焦偏置，是该两个 聚焦偏置FA。、 FA1的平均值的聚焦偏置的位置；FQe是与该位置Qe对应的聚焦偏置。图3表 示在聚焦偏置运算 设定单元322的聚焦偏置的运算中使用的数学式的精度高，且聚焦偏 置运算*设定单元322运算并设定的聚焦偏置F。。、和分辨率特性曲线D。成为最大值时的聚 焦偏置FD。成为同值，且聚焦偏置运算 设定单元322运算并设定的聚焦偏置Fw、和分辨率 特性曲线D工成为最大值时的聚焦偏置FD1成为同值的情况。聚焦偏置FQC被使用例如数学 式1运算，聚焦偏置FQ。被使用例如数学式2运算，聚焦偏置FQ1被使用例如数学式3运算， 该聚焦偏置F『F。。、F^的各个不是分别求分辨率特性曲线D。、D工或聚焦偏置F。。、Fm，而是作 为信息记录或再现时用的聚焦偏置被设定。 另外，在图3的横轴上将第一记录层(L0层)的聚焦偏置F二O的位置和第二记 录层(Ll层)的聚焦偏置F二O的位置重合。S卩，图3为将图2的距离h作为0(零)使上 述两位置重合的状态。 图4是基于实测数据的图1的光盘装置la的聚焦偏置学习、信息的记录或再现时 用的聚焦偏置设定的说明图。横轴取聚焦偏置F，纵轴取推挽信号振幅A、基于3T标记的信 号的振幅B。在图4中记述下述内容，应用聚焦偏置学习单元321的推挽信号的学习结果， 聚焦偏置运算"殳定单元322运算在该学习中求取的最佳聚焦偏置(意味着最适合范围内 的聚焦偏置，即，满足有效构成本发明并在适当范围内的聚焦偏置)的平均值，将该运算的 聚焦偏置作为记录或再现用的聚焦偏置进行设定的情况；运算并求取与上述学习中求取的 最佳聚焦偏置的差成为与光学单元5的特性对应的值的聚焦偏置即与光学单元5的特性 对应并加权的聚焦偏置，将该求出的聚焦偏置作为记录或再现用的聚焦偏置进行设定的情 况。 在图4中，A。为根据来自第一记录层(L0层)的引导槽的反射光从再现信号处理 部10输出的推挽信号的实测振幅特性曲线，A。^为通过聚焦偏置学习单元321学习的振幅 值，实测振幅特性曲线A。上的最大值即第一记录层(LO层)的推挽信号振幅的最大值(使 用实测数据经由多项式近似求出的最大值)，FA。是通过聚焦偏置学习单元321学习的聚焦 偏置，即，在实测振幅特性曲线A。上推挽信号振幅成为最大时的聚焦偏置即最佳聚焦偏置。 另外，A是根据来自第二记录层(Ll层)的引导槽的反射光从再现信号处理部IO输出的推 挽信号的实测振幅特性曲线，A^,为通过聚焦偏置学习单元321学习的振幅值，S卩，实测振 幅特性曲线A上的最大值即第二记录层(Ll层)的推挽信号振幅的最大值(使用实测数 据经由多项式近似求出的最大值)，FA1为通过聚焦偏置学习单元321学习的振幅值，即，在 实测振幅特性曲线A上推挽信号振幅成为最大值时的聚焦偏置即最佳聚焦偏置。
另外，在图4中，B。是利用来自第一记录层(LO层)的引导槽中的3T标记的反射 光从再现信号处理部10输出的信号的实测振幅特性曲线，FB。是实测振幅特性曲线B。取最 大值B。^(使用实测数据通过多项式近似求出的最大值)时的聚焦偏置。另外，B工是利用 来自第二记录层(Ll层)的引导槽中的3T标记的反射光从再现信号处理部IO输出的信号 的实测振幅特性曲线，^是实测振幅特性曲线B工取最大值Blmax(使用实测数据通过多项式 近似求出的最大值)时的聚焦偏置。
另外，在图4中，Q。为聚焦偏置运算《设定单元322根据上述聚焦偏置(最佳聚焦 偏置)FA。、 FA1按照与聚焦偏置FA。的差成为与光学单元5的特性对应的值的方式用上述数 学式2运算并设定的聚焦偏置的位置，即在聚焦偏置FA。侧与光学单元5的特性对应并加权 (=相比于与聚焦偏置FA1的差减小了与聚焦偏置FA。的差)的聚焦偏置的位置，F。。为与该 位置Q。对应的聚焦偏置。另外，为聚焦偏置运算 设定单元322根据上述学习的两个最 佳聚焦偏置FA。、FA1按照与最佳聚焦偏置FA1的差成为与光学单元5的特性对应的值的方式 用上述数学式3运算并设定的聚焦偏置的位置，即在聚焦偏置FA1侧与光学单元5的特性对 应并加权(=相比于与聚焦偏置FA。的差减小了与聚焦偏置FA1的差)的聚焦偏置的位置， FQ1为与该位置对应的聚焦偏置。另外，Qe为聚焦偏置运算 设定单元322根据上述学 习的聚焦偏置FA。、FA1用上述数学式1运算并设定的聚焦偏置，该两个聚焦偏置FA。、FA1的平 均值的聚焦偏置的位置，FQe是与该位置Qe对应的聚焦偏置。 另外，在图4中，在横轴上将第一记录层(L0层)的聚焦偏置F = 0的位置和第二 记录层(Ll层)的聚焦偏置F二O的位置设定为重合。S卩，将图2的距离h作为0(零)成 为使上述两位置重合的状态。 具体而言，在图4中，通过聚焦偏置学习单元321学习的第一记录层(LO层)的 最佳聚焦偏置FA。约为7X0. 05 m，同样，第二记录层(LI层)的最佳聚焦偏置FA1约为 0 X 0. 05 ii m。另外，实测振幅特性曲线B。成为最大值B。max时的聚焦偏置FB。约3 X 0. 05 y m， 实测振幅特性曲线B工成为最大值Blmax时的聚焦偏置FB1约2X0. 05 m。另外，聚焦偏置 运算 设定单元322基于上述学习的最佳聚焦偏置FA。、 FA1且与光学单元5的特性对应作 为第一记录层(LO层)的记录或再现时用的聚焦偏置而运算并设定的聚焦偏置F。。约为 5X0.05ym，作为第二记录层(Ll层)的记录或再现时用的聚焦偏置而运算并设定的聚焦 偏置Fw约为2X0.05ym，作为第一记录层(LO层)及第二记录层(LI层)共同的记录或 再现时用的聚焦偏置而运算并设定的该两个聚焦偏置FA。、FA1的平均值的聚焦偏置FQe约为 3. 5X0. 05iim。 由上述可知，作为第一记录层(LO层)的记录或再现时用的聚焦偏置而设定的聚 焦偏置F。。(约为5X0. 05 ym)与该第一记录层(LO层)的实测振幅特性曲线B。成为最大值 B。^时的聚焦偏置Fe。(约3X0.05ym)是近似值，另外，作为第二记录层(LI层)的记录或 再现时用的聚焦偏置而设定的聚焦偏置Fw(约为2X0.05ym)与该第二记录层(LI层)的 实测振幅特性曲线B工成为最大值Blmax时的聚焦偏置FB1 (约2X0. 05 m) —致，另外，作为 第一记录层(LO层)及第二记录层(Ll层)的记录或再现时用共同的聚焦偏置而设定的平 均值的聚焦偏置FQe (约为3. 5 X 0. 05 ii m)与上述实测聚焦偏置FB。(约3 X 0. 05 y m)和上述 实测的聚焦偏置FM(约2X0.05ym)是相接近的值。其结果是，相互邻接的记录层的各层 在具有图4的推挽信号振幅特性及3T标记的信号振幅特性的光盘的情况下，在光盘装置la 中，作为记录或再现时用的聚焦偏置，也可以根据数学式l运算并设定第一记录层(LO层) 及第二记录层(Ll层)共同的上述学习的最佳聚焦偏置F,FM的平均值的聚焦偏置，另外， 也可以利用数学式2和数学式3运算并设定与第一记录层(LO层)及第二记录层(LI层) 的各个分别对应的聚焦偏置。 图5是在图1的光盘装置la中，相互邻接的记录层的各层，对于和图4的情况不 同的光盘2，根据和图4不同的推挽信号振幅特性的实测数据，进行聚焦偏置学习、记录或再现时用的聚焦偏置设定时的说明图。图5也和图4时同样，横轴取聚焦偏置F，纵轴取推 挽信号振幅A、基于3T标记的信号的振幅B。在图5中记述了下述内容，应用聚焦偏置学习 单元321的推挽信号的学习结果，聚焦偏置运算 设定单元322运算在该学习中求取的最 佳聚焦偏置的平均值，将该运算的聚焦偏置作为信息的记录或再现用的聚焦偏置进行设定 的情况；运算并求取与上述学习中求取的最佳聚焦偏置的差成为与光学单元5的特性对应 的值的聚焦偏置，即与光学单元5的特性对应并加权了的聚焦偏置，将该求取的聚焦偏置 作为信息的记录或再现用的聚焦偏置进行设定的情况。 在图5中，A。为利用来自第一记录层(L0层)的引导槽的反射光从再现信号处理 部10输出的推挽信号的实测振幅特性曲线，A。^为通过聚焦偏置学习单元321学习的振幅 值，即，实测振幅特性曲线A。上的最大值即第一记录层(LO层)的推挽信号振幅的最大值 (使用实测数据经由多项式近似求出的最大值)，FA。是通过聚焦偏置学习单元321学习的 聚焦偏置，即，在实测振幅特性曲线A。上推挽信号振幅成为最大时的聚焦偏置即最佳聚焦 偏置。另外，^是利用来自第二记录层(Ll层)的引导槽的反射光从再现信号处理部10输 出的推挽信号的实测振幅特性曲线，Almax为通过聚焦偏置学习单元321学习的振幅值，即， 实测振幅特性曲线A上的最大值即第二记录层(Ll层)的推挽信号振幅的最大值(使用 实测数据经由多项式近似求出的最大值)，FA1为通过聚焦偏置学习单元321学习的振幅值， 即，在实测振幅特性曲线A上推挽信号振幅成为最大时的聚焦偏置即最佳聚焦偏置。
另外，在图5中，B。是利用来自第一记录层(LO层)的引导槽中的3T标记的反射 光从再现信号处理部10输出的信号的实测振幅特性曲线，FB。是实测振幅特性曲线B。取最 大值B。^(使用实测数据通过多项式近似求出的最大值)时的聚焦偏置。另外，B工是利用 来自第二记录层(Ll层)的引导槽中的3T标记的反射光从再现信号处理部IO输出的相互 的实测振幅特性曲线，^是实测振幅特性曲线B工取最大值Blmax(使用实测数据通过多项式 近似求出的最大值)时的聚焦偏置。 另外，在图5中，Q。为聚焦偏置运算 设定单元322根据上述聚焦偏置(最佳聚 焦偏置)FA。、 FA1按照与聚焦偏置FA。的差成为与光学单元5的特性对应的值的方式用上述 数学式2运算并设定的聚焦偏置的位置，即在聚焦偏置FA。侧与光学单元5的特性对应并 加权(=相比于与聚焦偏置FA1的差减小了与聚焦偏置FA。的差)了的聚焦偏置的位置，F。。 为与该位置Q。对应的聚焦偏置。另外，为聚焦偏置运算 设定单元322根据上述聚焦偏 置FA。、FA1按照与聚焦偏置FA1的差成为与光学单元5的特性对应的值的方式用上述数学式 3运算并设定的聚焦偏置的位置，即在聚焦偏置FA1侧与光学单元5的特性对应并加权(= 相比于与聚焦偏置Fa。的差減小了与聚焦偏置Fm的差)了的聚焦偏置的位置，Fw为与该位 置对应的聚焦偏置。另外，Qe为聚焦偏置运算 设定单元322根据上述聚焦偏置FA。、FA1 用上述数学式1运算并设定的聚焦偏置，该两个聚焦偏置F,FM的平均值的聚焦偏置的位 置，FQe是与该位置Qe对应的聚焦偏置。 另外，在图5中也和上述图4同样，在横轴上将第一记录层(LO层)的聚焦偏置F =0的位置和第二记录层(LI层)的聚焦偏置F = 0的位置重合。S卩，图5也将图2的距 离h作为O(零)设定上述两位置。 具体而言，在图5中，通过聚焦偏置学习单元321学习的第一记录层(LO层) 的最佳聚焦偏置FA。约为3X0. 05 m，同样，第二记录层(LI层)的最佳聚焦偏置FA1
14约为-8X0.05i!m。另外，实测振幅特性曲线B。成为最大值B。^时的聚焦偏置Fe。约 0X0. 05 ii m，实测振幅特性曲线成为最大值Blmax时的聚焦偏置FB1约-4X0. 05 y m。另 外，聚焦偏置运算 设定单元322基于上述学习的最佳聚焦偏置FA。、FA1且与光学单元5的 特性对应，作为第一记录层(L0层)的记录或再现时用的聚焦偏置而运算并设定的聚焦偏 置F。。约为0X0.05i!m，作为第二记录层(Ll层)的记录或再现时用的聚焦偏置而运算并 设定的聚焦偏置Fw约为-5X0.05ym，作为第一记录层(LO层)及第二记录层(LI层)共 同的记录或再现时用的聚焦偏置而运算并设定的该两个聚焦偏置F, FA1的平均值的聚焦 偏置F③约为-2. 5X0. 05iim。 由上述可知，作为第一记录层(LO层)的记录或再现时用的聚焦偏置而设定的聚 焦偏置F。。(约为0X0.05ym)与该第一记录层(LO层)的实测振幅特性曲线B。成为最大 值B。^时的聚焦偏置FB。(约0X0.05ym)大体一致，另外，作为第二记录层(Ll层)的记 录或再现时用的聚焦偏置而设定的聚焦偏置Fw(约为-5X0.05ym)与该第二记录层(Ll 层)的实测振幅特性曲线B工成为最大值Blmax时的聚焦偏置FB1 (约-4X0. 05 ii m)成为近似 值。但是，作为第一记录层(L0层)及第二记录层(Ll层)的记录或再现时用的共同的聚 焦偏置而设定的平均值的聚焦偏置FQe(约为-2. 5X0. 05 i！ m)与上述实测聚焦偏置FB。(约 0X0.05iim)和上述实测的聚焦偏置FM(约-4X0.05iim)的差值大。其结果是，相互邻接 的记录层的各层在具有图5的推挽信号振幅特性及3T标记的信号振幅特性的光盘的情况 下，光盘装置la中，作为记录或再现时用的聚焦偏置，也可以利用数学式2和数学式3运算 并分别设定与第一记录层(LO层)和第二记录层(Ll层)分别对应的聚焦偏置，由此，能够 进行适当的聚焦偏置处理。 图6是图1的光盘装置la对于光盘2中的邻接的记录层即第一记录层(L0层) 和第二记录层(Ll层)进行的聚焦偏置处理的动作流程图。在该聚焦偏置处理中，和图4、 图5同样，聚焦偏置学习单元321通过推挽信号学习最佳聚焦偏置。 光盘装置la对于具有多个记录层的光盘2进行聚焦偏置处理时，在图6中，在成 为a、c间被连接的状态时， (1)首先，作为控制部的系统控制器30将光盘装置la设定为跟踪控制关(OFF)、 聚焦控制开(ON)的状态。S卩，系统控制器30控制聚焦/跟踪控制部14，该聚焦/跟踪控制 部14成为不输出跟踪控制信号，只输出聚焦控制信号的状态(步骤S601)。
(2)从光学单元5向光盘2内的相互邻接的记录层中的第一记录层(L0层)照射 激光，在系统控制器30内构成微机32的一部分的聚焦偏置学习单元321将从再现信号处 理部10输出的推挽信号的振幅成为最大时的聚焦偏置FA。作为第一记录层(LO层)的最 佳聚焦偏置进行学习(检测)(步骤S602)。该所学习的最佳聚焦偏置FA。被存储于存储器 40。 (3)从光学单元5向光盘2内的相互邻接的记录层中的第二记录层(Ll层)照射 激光，聚焦偏置学习单元321将从再现信号处理部10输出的推挽信号的振幅成为最大时的 聚焦偏置FA1作为第二记录层(Ll层)的最佳聚焦偏置进行学习(检测)(步骤S603)。该 学习的最佳聚焦偏置FA1被存储于存储器40。 (4)在系统控制器30内构成微机32的一部分的聚焦偏置运算 设定单元322根 据上述聚焦偏置学习单元321学习的最佳聚焦偏置FA。、FA1运算并设定对于第一记录层(LO层)的信息的记录或再现时用的聚焦偏置FQ。(步骤S606)。聚焦偏置运算 设定单元322 利用例如数学式2，作为与光学单元5的特性对应并在聚焦偏置^。加权(=相比于与聚焦 偏置Fm的差減小了与聚焦偏置Fa。的差)了的聚焦偏置而运算并设定该聚焦偏置F『所 设定的该聚焦偏置FQ。被存储于存储器40。 (5)聚焦偏置运算*设定单元322根据所学习的最佳聚焦偏置FA。、FA1运算并设定 第二记录层(Ll层)的记录或再现时用的聚焦偏置FQ1 (步骤S607)。聚焦偏置运算 设定 单元322利用例如数学式3，作为与光学单元5的特性对应并在聚焦偏置FA1侧加权(=相 比于与聚焦偏置Fa。的差減小了与聚焦偏置Fm的差)了的聚焦偏置而运算并设定该聚焦偏 置F『设定的该聚焦偏置Fw被存储于存储器40。 (6)光盘装置la中，系统控制器30开始上述设定的聚焦偏置FQ。、 FQ1的对于光盘 2的记录或再现动作(步骤S608)。光盘装置la利用设定的聚焦偏置FQ。进行第一记录层 (LO层)的记录或再现，利用设定的聚焦偏置Fw进行第二记录层(Ll层)的记录或再现。
另外，在上述聚焦偏置的学习及运算*设定中，所有的对第一记录层(LO层)的处 理都比对第二记录层(Ll层)的处理先进行，但是，也可以对第二记录层(Ll层)的处理先 进行。 聚焦偏置学习单元321及聚焦偏置运算"殳定单元322分别根据存储于存储器的 程序通过执行上述一系列动作步骤来进行对于光盘2的上述聚焦偏置处理。
另外，光盘装置la对于具有多个记录层的光盘2进行聚焦偏置处理时，在图6中， 在成为a、b间被连接的状态的情况时， (1)首先，作为控制部的系统控制器30将光盘装置la设定为跟踪控制关(OFF)、 聚焦控制开(ON)的状态。S卩，系统控制器30控制聚焦/跟踪控制部14，该聚焦/跟踪控制 部14成为不输出跟踪控制信号，而只输出聚焦控制信号的状态(步骤S601)。
(2)从光学单元5向光盘2内的相互邻接的记录层中的第一记录层(LO层)照射 激光，在系统控制器30内构成微机32的一部分的聚焦偏置学习单元321将从再现信号处 理部10输出的推挽信号的振幅成为最大时的聚焦偏置FA。作为第一记录层(LO层)的最佳 聚焦偏置进行学习(检测)(步骤S602)。该学习的最佳聚焦偏置FA。被存储于存储器40。
(3)从光学单元5向光盘2内的相互邻接的记录层中的第二记录层(Ll层)照射 激光，聚焦偏置学习单元321将从再现信号处理部10输出的推挽信号的振幅成为最大时的 聚焦偏置FA1作为第二记录层(Ll层)的最佳聚焦偏置进行学习(检测)(步骤S603)。该 学习的最佳聚焦偏置FA1被存储于存储器40。 (4)在系统控制器30内构成微机32的一部分的聚焦偏置运算 设定单元322根 据上述聚焦偏置学习单元321学习的最佳聚焦偏置FA。、FA1运算并设定第一记录层(LO层) 及第二记录层(Ll层)共同的聚焦偏置作为记录或再现时用的聚焦偏置(步骤S604)。聚 焦偏置运算 设定单元322利用例如数学式1，运算该聚焦偏置F③，作为该两个聚焦偏置 FA。、 FA1的平均值。所设定的该聚焦偏置FQe被存储于存储器40。 (5)在光盘装置la中，系统控制器30开始上述设定的聚焦偏置FQe的对于光盘2 的记录或再现动作(步骤S605)。光盘装置la利用聚焦偏置FQe进行第一记录层(LO层) 的记录或再现，并且，第二记录层(Ll层)的记录或再现也按照该聚焦偏置F"进行。
另外，在上述聚焦偏置的学习中，对第一记录层(LO层)的学习比对第二记录层(Ll层)的学习先进行，但是，也可以先进行对第二记录层(Ll层)的学习。 对于光盘2的上述聚焦偏置处理，聚焦偏置学习单元321及聚焦偏置运算 设定
单元322分别根据存储于存储器40的程序通过执行上述一系列动作步骤来进行。 图7是光盘2具有3层以上的记录层，光盘装置la对于该光盘2进行聚焦偏置处
理时的说明图。聚焦偏置学习单元321的聚焦偏置的学习仍然用推挽信号进行。在图7中，
横轴取聚焦偏置F，纵轴取推挽信号振幅A。 在图7中，A。为利用来自第一记录层(L0层)的引导槽的反射光从再现信号处理 部10输出的推挽信号的振幅特性曲线，A。max为通过聚焦偏置学习单元321学习的振幅值， 即，振幅特性曲线A。上的最大值即第一记录层(L0层)的推挽信号振幅的最大值，FA。是通 过聚焦偏置学习单元321学习的聚焦偏置，即，在振幅特性曲线A。上推挽信号振幅成为最 大时的聚焦偏置即从推挽信号学习的第一记录层(L0层)的最佳聚焦偏置，^是利用来自 第二记录层(Ll层)的引导槽的反射光从再现信号处理部IO输出的推挽信号的振幅特性 曲线，A^x为通过聚焦偏置学习单元321学习的振幅值，振幅特性曲线^上的最大值即第 二记录层(Ll层)的推挽信号振幅的最大值，^为通过聚焦偏置学习单元321学习的聚焦 偏置，在振幅特性曲线A上推挽信号振幅成为最大时的聚焦偏置即从推挽信号学习的第二 记录层(Ll层)的最佳聚焦偏置，4是利用来自第三记录层(L2层)的引导槽的反射光从 再现信号处理部10输出的推挽信号的振幅特性曲线，4_为通过聚焦偏置学习单元321学 习的振幅值，振幅特性曲线4上的最大值即第三记录层(L2层)的推挽信号振幅的最大值， FA2为通过聚焦偏置学习单元321学习的聚焦偏置，在振幅特性曲线A2上推挽信号振幅成为 最大时的聚焦偏置即从推挽信号学习的第三记录层(L2层)的最佳聚焦偏置。
另外，在图7中，Q。为聚焦偏置运算*设定单元322根据上述聚焦偏置(最佳聚焦 偏置)FA。、 FA1按照与聚焦偏置FA。的差成为与光学单元5的特性对应的值的方式用上述数 学式2运算并设定的聚焦偏置的位置，即与光学单元5的特性对应并在聚焦偏置FA。侧加权 (=相比于与聚焦偏置FA1的差减小了与聚焦偏置FA。的差)了的聚焦偏置的位置，F。。为与 该位置Q。对应的聚焦偏置，Qla为聚焦偏置运算 设定单元322根据上述聚焦偏置FA。、 FA1 按照与聚焦偏置Fm的差成为与光学单元5的特性对应的值的方式，用上述数学式3运算的 聚焦偏置的位置，即与光学单元5的特性对应并在聚焦偏置FA1侧加权(=相比于与聚焦偏 置FA。的差减小了与聚焦偏置FA1的差)了的聚焦偏置的位置，F,为与该位置Qla对应的聚 焦偏置，Qlb为聚焦偏置运算 设定单元322根据聚焦偏置FA1、FA2按照与聚焦偏置FA1的差 成为与光学单元5的特性对应的值的方式，用上述数学式2运算的聚焦偏置的位置，即与光 学单元5的特性对应并在聚焦偏置FM侧加权(二相比于与聚焦偏置F^的差减小了与聚 焦偏置FA1的差)了的聚焦偏置的位置，F心为与该位置Qlb对应的聚焦偏置，92为聚焦偏置 运算 设定单元322根据上述聚焦偏置FA1、 FA2按照与聚焦偏置FA2的差成为与光学单元5 的特性对应的值的方式用上述数学式3运算并设定的聚焦偏置的位置，即与光学单元5的 特性对应并在聚焦偏置FA2侧加权(=相比于与聚焦偏置FA1的差减小了与聚焦偏置FA2的 差)了的聚焦偏置的位置，FQ2为与该位置Q2对应的聚焦偏置，9^为聚焦偏置运算 设定 单元322运算并设定的上述聚焦偏置FQla、FQlb的平均值的聚焦偏置的位置，F^为与该位置 Qk对应的聚焦偏置。另外，在图7中，在横轴上设定为将第一记录层(L0层)的聚焦偏置F =0的位置、第二记录层(LI层)的聚焦偏置F = 0的位置、第三记录层(L2层)的聚焦偏
17置F二O的位置重合的状态。 图8是图7的聚焦偏置处理的动作流程图。
在图8中， (1)首先，作为控制部的系统控制器30将光盘装置la设定为跟踪控制关闭 (OFF)、聚焦控制开启(ON)的状态(步骤S801)。 (2)从光学单元5向光盘2内的相互邻接的记录层中的第一记录层(LO层)照射 激光，聚焦偏置学习单元321将从再现信号处理部10输出的推挽信号的振幅成为最大时的 聚焦偏置FA。作为第一记录层(LO层)的最佳聚焦偏置进行学习(检测)(步骤S802)。该 学习的最佳聚焦偏置FA。被存储于存储器40。 (3)从光学单元5向光盘2内的相互邻接的记录层中的第二记录层(Ll层)照射 激光，聚焦偏置学习单元321将从再现信号处理部10输出的推挽信号的振幅成为最大时的 聚焦偏置FA1作为第二记录层(Ll层)的最佳聚焦偏置进行学习(检测)(步骤S803)。该 所学习的最佳聚焦偏置FA1被存储于存储器40。 (4)从光学单元5向光盘2内的第三记录层(L2层)照射激光，聚焦偏置学习单元 321将从再现信号处理部10输出的推挽信号的振幅成为最大时的聚焦偏置FA2作为第三记 录层(L2层)的最佳聚焦偏置进行学习(检测)(步骤S804)。该学习的最佳聚焦偏置FA2 被存储于存储器40。 (5)聚焦偏置运算 设定单元322根据上述聚焦偏置学习单元321学习的最佳聚 焦偏置FA。、F^运算并设定第一记录层(LO层)的信息的记录或再现时用的聚焦偏置F。。(步 骤S805)。聚焦偏置运算*设定单元322利用例如数学式2，作为与光学单元5的特性对应 并在聚焦偏置FA。侧加权(=相比于与聚焦偏置FA1的差减小了与聚焦偏置FA。的差)了的 聚焦偏置而运算该聚焦偏置FQ。。所设定的该聚焦偏置FQ。被存储于存储器40。
(6)聚焦偏置运算"殳定单元322根据上述学习的最佳聚焦偏置FA。、FA1运算第二 记录层(Ll层)的记录或再现时用的聚焦偏置F^(步骤S806)。聚焦偏置运算*设定单元 322利用例如数学式3，作为与光学单元5的特性对应并在聚焦偏置FA1侧加权(=相比于 与聚焦偏置Fa。的差減小了与聚焦偏置Fm的差)了的聚焦偏置而运算该聚焦偏置F,。所 运算的该聚焦偏置FQla被存储于存储器40。 (7)聚焦偏置运算"殳定单元322根据上述学习的最佳聚焦偏置FA1、FA2运算第二 记录层(Ll层)的记录或再现时用的聚焦偏置FQlb(步骤S807)。聚焦偏置运算 设定单 元322利用例如数学式2，作为与光学单元5的特性对应并在聚焦偏置FM侧加权(=相比 于与聚焦偏置FA2的差减小了与聚焦偏置FA1的差)的聚焦偏置而运算该聚焦偏置FQlb。但 是，在该运算中，在数学式2中，"FA。"被置换成"FA1 "， "FA1"置换成"FA2"来进行运算。所运 算的该聚焦偏置FQlb被存储于存储器40。 (8)聚焦偏置运算"殳定单元322根据上述学习的最佳聚焦偏置FA1、FA2运算第三 记录层(L2层)的记录或再现时用的聚焦偏置FQ2(步骤S808)。聚焦偏置运算 设定单元 322利用例如数学式3，作为与光学单元5的特性对应并在聚焦偏置FA2侧加权(=相比于 与聚焦偏置Fm的差減小了与聚焦偏置F^的差)的聚焦偏置而运算该聚焦偏置F『但是， 在该运算中，在数学式3中，"FA。"被置换成"FA1"， "FA1"被置换成"FA2"来进行运算。所设 定的该聚焦偏置FQ2被存储于存储器40。
(9)聚焦偏置运算 设定单元322根据上述聚焦偏置FQla、 FQlb将第二记录层(LI 层)的记录或再现时用的聚焦偏置F^作为聚焦偏置F^、Fwb的平均值进行运算并设定(步 骤S809)。所设定的该聚焦偏置FQ1。被存储于存储器40。 (10)在光盘装置la中，系统控制器30利用上述设定的聚焦偏置FQ。、FQ1。、FQ2使对 于光盘2的信息的记录或再现动作开始(步骤S810)。光盘装置la按照所设定的聚焦偏置 FQ。进行相对于第一记录层(L0层)的信息的记录或再现，按照所设定的聚焦偏置F^进行 相对于第二记录层(Ll层)的信息的记录或再现，按照所设定的聚焦偏置F"进行相对于第 三记录层(L2层)的信息的记录或再现。 另外，在上述图7、图8的聚焦偏置的学习及运算"设定中，聚焦偏置运算"殳定单 元322相对于第二记录层(Ll层)，运算且设定作为聚焦偏置FQla、FQlb的平均值的聚焦偏置 FQ1。，但是，除此之外，也可以运算且设定与这些聚焦偏置FQla、 FQlb的差成为与光学单元5的 特性对应的值的聚焦偏置。另外，在上述图7、图8的聚焦偏置的学习及运算"设定中，将处 理顺序设定为对第一记录层(L0层)进行的处理，对第二记录层(Ll层)进行的处理，对第 三记录层仏2层)进行的处理，但是，处理顺序不仅限于此。 对于光盘2的上述聚焦偏置处理，聚焦偏置学习单元321及聚焦偏置运算 设定 单元322分别按照存储于存储器40的程序通过执行上述步骤S801 步骤S809的一连串 动作步骤来进行。 图9是光盘装置la相对于光盘2具有三层以上的记录层的该光盘2进行和上述 图7、图8的情况不同的聚焦偏置处理时的说明图。聚焦偏置学习单元321的聚焦偏置的学 习仍然用推挽信号进行。在图9中，横轴取聚焦偏置F，纵轴取推挽信号振幅A。
在图9中，A。为通过来自第一记录层(L0层)的引导槽的反射光从再现信号处理 部10输出的推挽信号的振幅特性曲线，A。max为通过聚焦偏置学习单元321学习的振幅值， 振幅特性曲线A。上的最大值即第一记录层(L0层)的推挽信号振幅的最大值，F^是通过 聚焦偏置学习单元321学习的聚焦偏置，在振幅特性曲线A。上推挽信号振幅成为最大时 的聚焦偏置即从推挽信号学习的第一记录层(L0层)的最佳聚焦偏置，^是利用来自第二 记录层(k层)的引导槽的反射光从再现信号处理部IO输出的推挽信号的振幅特性曲线， Almax为通过聚焦偏置学习单元321学习的振幅值，振幅特性曲线A工上的最大值即第二记录 层(Ll层)的推挽信号振幅的最大值，FA1为通过聚焦偏置学习单元321学习的聚焦偏置， 在振幅特性曲线A上推挽信号振幅成为最大时的聚焦偏置即从推挽信号学习的第二记录 层(Ll层)的最佳聚焦偏置，4是利用来自第三记录层(L2层)的引导槽的反射光从再现 信号处理部10输出的推挽信号的振幅特性曲线，4_为通过聚焦偏置学习单元321学习的 振幅值，振幅特性曲线4上的最大值即第三记录层(L2层)的推挽信号振幅的最大值，FA2 为通过聚焦偏置学习单元321学习的聚焦偏置，在振幅特性曲线A2上推挽信号振幅成为最 大时的聚焦偏置即从推挽信号学习的第三记录层(L2层)的最佳聚焦偏置。
另外，在图9中，Q。为聚焦偏置运算《设定单元322根据上述聚焦偏置(最佳聚焦 偏置)FA。、 FA1按照与聚焦偏置FA。的差成为与光学单元5的特性对应的值的方式用上述数 学式2运算并设定的聚焦偏置的位置，即与光学单元5的特性对应并在聚焦偏置FA。侧加权 (=相比于与聚焦偏置FA1的差减小了与聚焦偏置FA。的差)的聚焦偏置的位置，F。。为与该 位置Q。对应的聚焦偏置，Qla为聚焦偏置运算 设定单元322根据上述聚焦偏置FA。、 FA1按照与聚焦偏置F^的差成为与光学单元5的特性对应的值的方式，用上述数学式3运算的聚 焦偏置的位置，即与光学单元5的特性对应并在聚焦偏置FA1侧加权(=相比于与聚焦偏置 FA。的差减小了与聚焦偏置FA1的差)的聚焦偏置的位置，FQla为与该位置Qla对应的聚焦偏 置，Qlb为聚焦偏置运算 设定单元322根据聚焦偏置FA1、FA2按照与聚焦偏置FA1的差成为 与光学单元5的特性对应的值的方式，用上述数学式2运算并设定的聚焦偏置的位置，即与 光学单元5的特性对应并在聚焦偏置FM侧加权(二相比于与聚焦偏置F^的差减小了与 聚焦偏置FA1的差)的聚焦偏置的位置，F心为与该位置Qlb对应的聚焦偏置，92为聚焦偏置 运算 设定单元322根据上述聚焦偏置FA1、 FA2按照与聚焦偏置FA2的差成为与光学单元5 的特性对应的值的方式用上述数学式3运算并设定的聚焦偏置的位置，即与光学单元5的 特性对应并在聚焦偏置FA2侧加权(=相比于与聚焦偏置FA1的差减小了与聚焦偏置FA2的 差)的聚焦偏置的位置，F①为与该位置Q2对应的聚焦偏置。另外，在图9中也和图7时同 样，在横轴上将第一记录层(L0层)的聚焦偏置F二0的位置、第二记录层(Ll层)的聚焦 偏置F = 0的位置、第三记录层(L2层)的聚焦偏置F = 0的位置重合。
图10是图9的聚焦偏置处理的动作流程图。
在图10中， (1)作为控制部的系统控制器30将光盘装置la设定为跟踪控制关闭(OFF)、聚焦 控制开启(ON)的状态(步骤S1001)。 (2)从光学单元5向光盘2内的相互邻接的记录层中的第一记录层(L0层)照射 激光，聚焦偏置学习单元321将从再现信号处理部10输出的推挽信号的振幅成为最大时的 聚焦偏置FA。作为第一记录层(L0层)的最佳聚焦偏置进行学习(检测)(步骤S1002)。该 学习的最佳聚焦偏置FA。被存储于存储器40。 (3)从光学单元5向光盘2内的相互邻接的记录层中的第二记录层(Ll层)照射 激光，聚焦偏置学习单元321将从再现信号处理部10输出的推挽信号的振幅成为最大时的 聚焦偏置F^作为第二记录层(Ll层)的最佳聚焦偏置进行学习(检测)(步骤S1003)。该 学习的最佳聚焦偏置FA1被存储于存储器40。 (4)从光学单元5向光盘2内的第三记录层(L2层)照射激光，聚焦偏置学习单元 321将从再现信号处理部10输出的推挽信号的振幅成为最大时的聚焦偏置FA2作为第三记 录层(L2层)的最佳聚焦偏置进行学习(检测)(步骤S1004)。该学习的最佳聚焦偏置FA2 被存储于存储器40。 (5)聚焦偏置运算 设定单元322根据上述聚焦偏置学习单元321学习的最佳 聚焦偏置FA。、 FA1运算并设定第一记录层(LO层)的记录或再现时用的聚焦偏置F。。(步骤 S1005)。聚焦偏置运算《设定单元322利用例如数学式2，作为与光学单元5的特性对应并 在聚焦偏置FA。侧加权(=相比于与聚焦偏置FA1的差减小了与聚焦偏置FA。的差)的聚焦 偏置而运算并设定该聚焦偏置FQ。。所设定的该聚焦偏置FQ。被存储于存储器40。
(6)聚焦偏置运算"设定单元322根据上述学习的最佳聚焦偏置F,FM，利用例如 数学式3，作为与光学单元5的特性对应并在聚焦偏置FA1侧加权(=相比于与聚焦偏置FA。 的差減小了与聚焦偏置Fm的差)聚焦偏置来运算聚焦偏置F,，并且，根据上述所学习的最 佳聚焦偏置F『F^运算并设定第二记录层(Ll层)的记录或再现时用的聚焦偏置Fwb(步 骤S1006)。聚焦偏置运算 设定单元322利用例如数学式2，作为与光学单元5的特性对应并在聚焦偏置FA1侧加权(=相比于与聚焦偏置FA2的差减小了与聚焦偏置FA1的差)的 聚焦偏置来运算该聚焦偏置Fwb。但是，在该运算中，在数学式2中，"Fa。"被置換成"Fm"， "FM"被置换成"F^"来进行运算。所运算的该聚焦偏置F心被存储于存储器40。另外，上 述运算的聚焦偏置FQla比聚焦偏置FQlb更位于激光入射侧(配置物镜5a的侧)，因此，作为 第二记录层(Ll层)的记录或再现时用的聚焦偏置不被采用。因此，该聚焦偏置F,不存 储于存储器40。 (7)聚焦偏置运算"殳定单元322根据上述学习的最佳聚焦偏置FA1、FA2运算第三 记录层(L2层)的记录或再现时用的聚焦偏置FQ2(步骤S1007)。聚焦偏置运算 设定单 元322利用例如数学式3，作为与光学单元5的特性对应并在聚焦偏置F^侧加权(=相比 于与聚焦偏置FA1的差减小了与聚焦偏置FA2的差)的聚焦偏置来运算该聚焦偏置FQ2。但 是，在该运算中，在数学式3中，"FA。"被置换成"FA1 "， "FA1"被置换成"FA2"来进行运算。所 设定的该聚焦偏置FQ2被存储于存储器40。 (8)在光盘装置la中，系统控制器30按照上述设定的聚焦偏置FQ。、 FQlb、 FQ2使对 于光盘2的记录或再现动作开始(步骤S1008)。光盘装置la按照设定的聚焦偏置FQ。进行 第一记录层(LO层)的记录或再现，按照设定的聚焦偏置F心进行第二记录层(Ll层)的 记录或再现，按照设定的聚焦偏置F"进行第三记录层(L2层)的记录或再现。
另外，在上述图9、图10的聚焦偏置的学习及运算 设定中，处理顺序被设定为对 第一记录层(LO层)进行的处理，对第二记录层(Ll层)进行的处理，对第三记录层(L2层) 进行的处理，但是，处理顺序不仅限于此。 对于光盘2的上述聚焦偏置处理，聚焦偏置学习单元321及聚焦偏置运算 设定 单元322分别按照存储于存储器40的程序通过执行上述步骤S1001 步骤S1007的一系 列动作步骤来进行。 根据作为本发明的第一实施例的光盘装置la，能够从推挽信号或摆频信号的最大 振幅的学习结果直接运算*设定相互邻接的记录层的记录或再现时用的聚焦偏置，因此，能 够縮短对于光盘2的多个记录层的聚焦偏置处理时间，能够在短时间内开始记录或再现动 作。另外，利用推挽信号和摆频信号等记录面的引导槽的槽信息进行聚焦偏置的学习，因 此，在记录结束状态的记录层(包括再现专用光盘)和未记录状态的记录层中也能够进行 聚焦偏置的学习，能够实现聚焦偏置处理精度的提高。 另外，在上述实施例中，聚焦偏置运算 设定单元322在将对于在光盘2内相互 邻接的第一记录层(LO层)、第二记录层(Ll层)共同的聚焦偏置作为记录或再现时用的 聚焦偏置而运算 设定时，聚焦偏置学习单元321利用数学式1运算且设定学习的聚焦偏 置4、 FA1的平均值(Fa。+FJ/2，但是，除此之外，也可以例如与光学単元5的特性对应，利 用(mXFA。+nXFA1)/(m+n)运算且设定该平均值以外的聚焦偏置即与各记录层的最佳聚焦 偏置^。、Fm的差不同的共同的聚焦偏置。但是，m、n分别为与光学单元5的特性对应而确 定的系数。另外，在图7所示的实施例中，将第二记录层(Ll层)的记录或再现时用的聚焦 偏置FQ1。作为聚焦偏置FQla、FQlb的平均值进行了运算并设定(步骤S809)，但是，除此之外， 也可以例如与光学单元5的特性对应，作为与聚焦偏置FQla、 FQlb的差不同的共同的聚焦偏 置运算并设定该聚焦偏置FQ1。。 另外，在上述实施例中叙述了下述的例子，光盘2具有3层以上的记录层的情况下，光盘装置la对于该光盘2的至少第一、第二、第三记录层实施的聚焦偏置处理，但是，光 盘装置la还对光盘2的除此以外的记录层进行基本和这些同样的聚焦偏置处理。S卩，对于 相互邻接的记录层，从基于来自形成于记录层的记录面的引导槽的反射光的信号，学习光 学单元相对于各记录层的该引导槽的聚焦偏置，根据该学习结果，演算且设定记录或再现 时用的聚焦偏置。 图11 图13是作为本发明的第二实施例的光盘装置的说明图。本第二实施例为 根据装置内的温度变化运算 设定记录或再现时用的光学单元的聚焦偏置的构成的情况。 图ll是作为本发明的第二实施例的光盘装置的构成图，图12是表示光盘装置的光学单元 的聚焦偏置的温度特性例的图，图13是表示通过图11的光盘装置改善了图12的温度特性 时的状态的图。 另外，在以下的说明中应用的"记录层"和上述第一实施例时同样，为信息被记录 的层(记录层)，即意味着是包括记录有信息的记录层(也包括再现专用盘的记录层、可记 录盘的记录层)，另外，还有尚未记录信息但是能够记录信息的记录层(该情况为可记录盘 的记录层)。 在图11中，lb是作为本发明实施例的光盘装置；2是具有多个记录层的0￥0+/-尺 DL等光盘；3是旋转驱动光盘2的盘电动机；4是光拾取器；5在光拾取器4内，是含有物镜 (未图示)而构成，将激光聚光，使该聚光了的激光向光盘2的记录面照射的光学单元；6在 光拾取器4内，是为了记录或再现而产生规定的强度的激光的激光二极管；7在光拾取器4 内，是驱动激光二极管6的激光驱动电路；8在光拾取器4内，是经由光学单元5接受来自 光盘2的记录面(盘面)的反射光并切换为电信号(再现信号)而输出的受光部；9是改 变光学单元5中的物镜(未图示)的位置及姿势的致动器；20是作为检测光盘装置lb内 的温度的温度检测模块的温度传感器；10是将从受光部8输出的再现信号作为RF信号进 行增幅或解调等而进行信号处理的再现信号处理部；11是具备直线状的引导部件(未图 示)和导向螺杆部件(未图示)等而构成，使光拾取器4向光盘2的大致半径方向移动的 移动 引导机构部12是在移动 引导机构部11内旋转驱动导向螺杆部件(未图示)的 滑动电动机；14是生成驱动致动器9的驱动信号的聚焦/跟踪控制部；15是旋转驱动盘电 动机3和滑动电动机12的电动机驱动电路；30是控制该光盘装置la整体的作为控制部的 系统控制器；31是在系统控制器30内控制电动机驱动电路15的电动机控制部；32是系统 控制器30内的微机；321是构成在微机32内，作为第一控制模块的聚焦偏置学习单元，上 述第一控制模块由自再现信号处理部IO输出的信号学习(检测)上述光学单元5的最佳 聚焦偏置(在最适合范围的聚焦偏置即在满足有效构成本发明的适当范围内的聚焦偏置 的意思。以下的说明中的"最佳聚焦偏置"全部是该意思)；322构成在微机32内，是作为 第二控制模块的聚焦偏置运算 设定单元，上述第二控制模块根据上述聚焦偏置学习单元 321学习了的最佳聚焦偏置和上述温度传感器20检测出的温度信息，运算并设定记录或再 现时用的上述光学单元5的聚焦偏置。作为上述第一控制模块的聚焦偏置学习单元321在 上述最佳聚焦偏置的学习时，根据自再现信号处理部10输出的信号即来自形成于光盘2的 多个记录层中、相互邻接的记录层的各记录面的引导槽的反射光的信号，学习(检测)光学 单元5对于各个该引导槽的最佳聚焦偏置。温度传感器20在光拾取器4内配置于激光二 极管6的附近，将激光二极管6的周边的温度作为光盘装置lb内的温度进行检测。
另外，在图11中，33是生成并输出用于驱动激光二极管6的记录用信号的记录用 信号生成部；40是存储器，其存储光学单元5的特性信息、聚焦偏置学习单元321学习了 的邻接的各记录层的最佳聚焦偏置的信息、聚焦偏置运算，设定单元322运算*设定的记录 或再现时用的上述光学单元5的聚焦偏置的信息、在聚焦偏置学习单元321上执行上述学 习动作的一系列步骤的程序、在上述聚焦偏置运算 设定单元322上执行上述运算 设定 动作的一系列步骤的程序等。光学单元5的特性信息、上述学习动作执行用的程序、上述运 算 设定动作执行用的程序在聚焦偏置学习单元321进行的最佳聚焦偏置的学习动作前， 预先存储于存储器40。 在进行聚焦偏置处理时，再现信号处理部10在上述最佳聚焦偏置的学习时，作为 基于来自形成于相互邻接的多个记录层的记录面的引导槽的反射光的信号，输出推挽信号 或摆频信号。 作为第一控制模块的聚焦偏置学习单元321构成为，在最佳聚焦偏置的学习时， 应用从上述再现信号处理部10输出的推挽信号或摆频信号，作为相对于相互邻接的多个 记录层的各引导槽的各最佳聚焦偏置，学习(检测)上述推挽信号或摆频信号的振幅成为 最大(意味着处于实际的最大范围内的值的意思，含有真正的最大值，例如，意思是处于真 正的最大值95%以上的范围的值。以下，推挽信号或摆频信号的振幅的"最大"或"最大值" 就是该意思)的聚焦偏置。利用推挽信号学习最佳聚焦偏置时，跟踪控制成为关闭(OFF) 状态，利用摆频信号学习最佳聚焦偏置时，跟踪控制成为开启(ON)状态。聚焦偏置学习单 元321根据从存储器40读出的程序，执行最佳聚焦偏置学习动作中的规定的步骤。
作为第二控制模块的聚焦偏置运算*设定单元322，运算*设定用于在相互邻接的 多个记录层上记录或再现信息时的聚焦偏置时，根据上述温度传感器20检测出的温度，运 算该多个记录层的各最佳聚焦偏置即上述推挽信号或摆频信号的振幅成为最大的聚焦偏 置的平均值(平均的聚焦偏置)，并将该计算到的平均值作为记录或再现时的该两个记录 层共同的聚焦偏置进行设定，或，运算与聚焦偏置学习单元321学习到的各记录层的最佳 聚焦偏置的差成为与光学单元5的特性对应的值的聚焦偏置即与光学单元5的特性对应且 在每一个记录层加权的聚焦偏置，并将该运算的聚焦偏置作为上述相互邻接的多个记录层 的各层的记录或再现时用的聚焦偏置对每个该记录层分别设定。 应用聚焦偏置学习单元321的学习结果运算且设定记录或再现时用的上述平均 的聚焦偏置时，聚焦偏置运算 设定单元322如下进行该聚焦偏置的设定。S卩，例如，在从 激光入射侧(配置着光学单元5的侧)配置有第一记录层(L0层)、第二记录层(Ll层) 时，上述温度传感器20检测出的温度为相对的低温(=第一温度)时，例如，该温度(第一 温度)为0t: 25t:的范围内的温度时，通过对于该第一记录层(LO层)的聚焦偏置学习 单元的321的学习，作为推挽信号或摆频信号的振幅成为最大的聚焦偏置而得到F^另外， 通过对于该第二记录层(Ll层)的学习，作为推挽信号或摆频信号的振幅成为最大的聚焦 偏置而得到FA1时，对第一记录层(L0层)的记录或再现时用的聚焦偏置FQ。及第二记录层 (Ll层)的记录或再现时用的聚焦偏置Fw，将按照
FQ。 = FQ1 = (FA。+FA1) /2 (数学式4) 进行运算后的值作为该第一记录层(LO层)及该第二记录层(Ll层)共同的聚焦 偏置(记录或再现时用的聚焦偏置)FQC(图3)进行设定。
另外，在上述温度传感器20检测出的温度为相对高温(=第二温度)时，例如，该温度为5(TC 65t:范围内的温度时，聚焦偏置运算，设定单元322应用由聚焦偏置学习单元321得到的学习结果且对应于光学单元5的特性按照每一个邻接记录层的各个运算并设定记录或再现时用的聚焦偏置。即，例如，在从激光入射侧以第一记录层(L0层)、第二记录层(Ll层)的顺序配置记录层时，通过对于该第一记录层(LO层)的聚焦偏置学习单元321的学习，作为推挽信号或摆频信号的振幅成为最大的聚焦偏置而得到F^另外，通过对于该第二记录层(Ll层)的学习，作为推挽信号或摆频信号的振幅成为最大的聚焦偏置而得到F^时，作为第一记录层(LO层)的记录或再现时用的聚焦偏置F。。，设定由
FQ0 = (3 X FA0+FA1) /4 (数学式2) 运算的值，另外，作为第二记录层(Ll层)的记录或再现时用的聚焦偏置Fw，设定
由 FQ1 = (FA。+3 X FA1) /4 (数学式3)
运算的值。 聚焦偏置运算 设定单元322根据从存储器40读出的程序，执行运算 设定记录或再现动作用的上述光学单元5的上述聚焦偏置的动作步骤。 在上述结构的光盘装置lb中，在对于具有多个记录层的光盘2进行信息的记录或再现时，例如在光盘2被装入装置内且以规定的速度旋转的状态下，光拾取器4内的激光二极管6产生的激光通过光学单元5向光盘2的多个记录层的记录面照射，进行相对于多个记录层的聚焦偏置处理。相互邻接的记录层的各层，利用形成于该各记录层的引导槽的槽信息(表示槽的构造和状态的信息)来进行聚焦偏置处理在。即，对于相互邻接的记录层的各层，用受光部8接受来自形成于记录层的记录面的引导槽的反射光并切换为电信号(再现信号)，作为推挽信号或摆频信号从再现信号处理部10输出。聚焦偏置处理时，在形成从再现信号处理部IO输出推挽信号的构成的情况下，在光盘装置lb中，不进行跟踪控制，而从聚焦/跟踪控制部14只输出聚焦控制信号。另一方面，在形成从再现信号处理部10输出摆频信号的构成的情况下，也进行跟踪控制，从聚焦/跟踪控制部14输出聚焦控制信号和跟踪控制信号。作为相互邻接的各记录层的引导槽的槽信息，从再现信号处理部10输出的该推挽信号或摆频信号被输入微机32内的聚焦偏置学习单元321内。聚焦偏置学习单元321在相互邻接的记录层的各层中，将该输入的推挽信号或摆频信号的振幅成为最大时的聚焦偏置作为最佳聚焦偏置进行学习(检测)。微机32内的聚焦偏置运算 设定单元322，根据来自温度传感器20的温度信息，如上所述，运算聚焦偏置学习单元321学习到的相互邻接的记录层的各层的最佳聚焦偏置的平均值或与该学习到的各最佳聚焦偏置的差，成为与光学单元5的特性对应的值的聚焦偏置，作为记录或再现时用的上述光学单元的聚焦偏置而设定。 在上述第二实施例中，在上述温度传感器20检测出的温度为相对高温(=第二温度)时，聚焦偏置运算"设定单元322，通过数学式2，运算且设定光盘2内的第一记录层(LO层)的记录或再现时用的聚焦偏置F。。作为在聚焦偏置FA。侧加权(二相比于与聚焦偏置Fm的差減小了与聚焦偏置Fa。的差)的聚焦偏置，通过数学3，运算且设定第二记录层(Ll层)的记录或再现时用的聚焦偏置FQ1作为在聚焦偏置FA1侧加权(=相比于与聚焦偏置FA。的差减小了与聚焦偏置FA1的差)的聚焦偏置，但是，除此之外，也可以例如与光学单元5的特
24性对应，利用(mXFA。+nXFA1)/(m+n)运算且设定与各记录层的最佳聚焦偏置FA。、FA1的差不同的共同的聚焦偏置。其中，m、n分别为与光学单元5的特性相对应而确定的系数。
下面，对于说明中使用的图11的光盘装置lb的构成要素标记和图11的情况同样的符号。 图12是表示光盘装置lb的光学单元5的聚焦偏置的温度特性的实验结果的图，为聚焦偏置运算 设定单元322未进行基于来自温度传感器20的温度信息的处理动作的情况(对温度非对应的情况)。 在图12中，横轴是在传感器20的位置测定的光盘装置lb的装置内温度tCC )，纵轴是记录或再现时用的光学单元5的聚焦偏置F(XO. 05 m)。在图12中，FQ。为对温度非对应时的光盘2的第一记录层(LO层)的记录或再现时用的聚焦偏置，Fw为对温度非对应时的光盘2的第二记录层(Ll层)的记录或再现时用的聚焦偏置，F。。为常温(25°C)时，根据聚焦偏置学习单元321学习到的最佳聚焦偏置，聚焦偏置运算 设定单元322利用数学式2进行运算'设定的聚焦偏置，Fw为常温(25°C)时，根据聚焦偏置学习单元321学习到的最佳聚焦偏置，聚焦偏置运算 设定单元322利用数学式3进行运算 设定的聚焦偏置。其结果是，在装置内温度t从常温(25°C)降低且成为Ot:时，聚焦偏置F中F。。、Fw都增大，尤其是F。。，与基准值(F = 0)的偏差量大，约为4X0.05ym。另外，装置内温度t从常温(25°C )上升且成为55t:时，聚焦偏置F中FQ。减少，Fw增大，F。。、F^都与基准值(F =0)进一步接近，FQ。、FQ1间的差也縮小。 图13是表示光盘装置lb的光学单元5的聚焦偏置的温度特性的实验结果的图，为聚焦偏置运算 设定单元322基于来自温度传感器20的温度信息进行处理动作的情况(对温度非对应的情况)。 在图13中，横轴及纵轴与图12的情况同样。在图13中，F。。为对温度对应时的光盘2的第一记录层(L0层)的记录或再现时用的聚焦偏置，Fw为对温度对应时的光盘2的第二记录层(Ll层)的记录或再现时用的聚焦偏置。聚焦偏置运算"殳定单元322作为基于来自温度传感器20的温度信息的处理动作，在装置内温度为包括常温的相对的低温(=第一温度)时，例如在0°C 25t:时，聚焦偏置运算*设定单元322利用数学式4运算光盘2内的第一记录层(LO层)的记录或再现时用的聚焦偏置F。。和第二记录层(Ll层)的记录或再现时用的聚焦偏置Fw，将该计算到的值作为第一记录层(LO层)及第二记录层(Ll层)的共同的聚焦偏置(记录或再现时用的聚焦偏置)F。c(图3)进行设定。另外，在装置内温度为相对的高温(=第二温度)时，例如在55t:时，聚焦偏置运算'设定单元322利用数学式2运算光盘2内的第一记录层(LO层)的记录或再现时用的聚焦偏置F。。，作为在聚焦偏置FA。侧加权了的聚焦偏置进行运算且设定，利用数学式3运算第二记录层(Ll层)的记录或再现时用的聚焦偏置FQ1，作为在聚焦偏置FA1侧加权了的聚焦偏置进行运算且设定。其结果是，在装置内温度t从常温(25°C)降低且成为Ot:时，聚焦偏置F中F。。、Fw都增大，但是，与基准值(F = 0)的偏差的量小，约为2X0.05ym。另外，装置内温度t从常温(25°C )上升且成为55t:时，聚焦偏置F与常温(25°C)时相比，F。。增大，Fw不变，F。。、F^与基准值(F = 0)的偏差量都小，约为0 1X0. 05iim。因此，装置内温度t向低温侧变化时，或，向高温侧变化时，F。。、Fw也都能够将与基准值(F = 0)的偏差量设定为约2X0.05ym以内，能够抑制装置内温度t对聚焦偏置F的影响。另外，作为光学单元5的聚焦偏置的温度特
25性的主要原因，可以考虑光学单元5自身的温度特性、光学单元5的支承部的温度特性、光盘2的温度特性、光盘2的支承部的温度特性等，但尚未确认。 另外，在上述说明中，将上述第一温度范围设为0°C 25t:，将上述第二温度范围设为50°C 65t:，但是，在上述光盘装置lb中，该第一温度的温度范围和该第二温度的温度范围对应于光学单元5的聚焦偏置的温度特性进行预先设定。 根据作为本发明的第二实施例的光盘装置lb，从推挽信号或摆频信号的最大振幅的学习结果能够直接地运算*设定相互邻接的记录层的记录或再现时用的聚焦偏置，因此，能够縮短对光盘2的多个记录层的聚焦偏置的处理时间，能够在短时间内开始记录或再现动作。另外，能够抑制装置内温度对聚焦偏置的影响。另外，利用推挽信号和摆频信号等记录面的引导槽的槽信息进行聚焦偏置的学习，因此，在记录结束状态的记录层(包括再现专用光盘)和未记录状态的记录层中也能够进行聚焦偏置的学习，能够实现聚焦偏置处理精度的提高。 以上，对本发明的几个实施方式进行了列举和说明，但是需要理解的是，对上述实施方式进行允许的变更和改进将不会脱离本发明的范围。因此，本发明并不局限于上述实施方式，所有落入附属权利要求书的范围内的变更和改进均将被本发明所覆盖。
权利要求
一种光盘装置，对于具有三层以上的多个记录层的光盘能够进行信息的记录或再现，其特征在于，包括光学单元，将激光聚光而照射在所述记录层；和控制部，对于所述光盘的相互邻接的记录层即从所述光学单元侧以第一记录层、第二记录层、第三记录层的顺序配置的各记录层，从根据来自形成于记录层的记录面的引导槽的反射光的信号学习所述光学单元对于各记录层的该引导槽的聚焦偏置，所述第一记录层的记录或再现时用的聚焦偏置，从所述学习的第一、第二记录层的聚焦偏置运算与该学习的第一记录层的聚焦偏置的差成为与所述光学单元的特性对应的值的聚焦偏置，所述第三记录层的记录或再现时用的聚焦偏置，从所述学习的第二、第三记录层的聚焦偏置运算与该学习的第三记录层的聚焦偏置的差成为与所述光学单元的特性对应的值的聚焦偏置，所述第二记录层的记录或再现时用的聚焦偏置，运算所述学习的第一、第二及第三记录层的聚焦偏置的平均值或从所述学习的第二、第三记录层的聚焦偏置运算与该学习的第二记录层的聚焦偏置的差成为与所述光学单元的特性对应的值的聚焦偏置，设定各运算结果。
2. —种光盘装置，对于具有多个记录层的光盘能够进行信息的记录或再现，其特征在 于，包括光学单元，将激光聚光而照射在所述记录层；第一控制模块，对于所述光盘的相互邻接的记录层的各层，从根据来自形成于记录层 的记录面的引导槽的反射光的信号，学习所述光学单元对于各记录层的该引导槽的聚焦偏 置；和第二控制模块，根据所述第一控制模块学习的各记录层的聚焦偏置，运算并设定记录 或再现时用的所述光学单元的聚焦偏置， 所述第二控制模块中，在所述多个记录层从所述光学单元侧以第一记录层、第二记录层、第三记录层的顺序 配置时，从学习的所述第一记录层的聚焦偏置和学习的所述第二记录层的聚焦偏置，运算与该 第一记录层的该学习的聚焦偏置的差成为与所述光学单元的特性对应的值的第一聚焦偏 置、和与该第二记录层的该学习的聚焦偏置的差成为与所述光学单元的特性对应的值的第 二聚焦偏置，并且，从所述学习的所述第二记录层的所述聚焦偏置和所述学习的所述第三记录层的 聚焦偏置，运算与该第二记录层的该学习的聚焦偏置的差成为与所述光学单元的特性对应 的值的第三聚焦偏置、和与该第三记录层的该学习的聚焦偏置的差成为与所述光学单元的 特性对应的值的第四聚焦偏置，进而，从所述运算的第二聚焦偏置和第三聚焦偏置，运算该两个聚焦偏置的平均值即 第五聚焦偏置或与该两个聚焦偏置的差成为与所述光学单元的特性对应的值的第六聚焦 偏置，作为记录或再现时的聚焦偏置，对于所述第一记录层设定所述第一聚焦偏置，对于所 述第二记录层设定所述第五聚焦偏置或所述第六聚焦偏置，对于所述第三记录层设定所述 第四聚焦偏置。
3. —种光盘装置，对于具有多个记录层的光盘能够进行信息的记录或再现，其特征在于，包括光学单元，将激光聚光而照射在所述记录层；第一控制模块，对于所述光盘的相互邻接的记录层的各层，从根据来自形成于记录层 的记录面的引导槽的反射光的信号，学习所述光学单元对于各记录层的该引导槽的聚焦偏 置；第二控制模块，根据所述第一控制模块学习的各记录层的聚焦偏置，运算并设定记录 或再现时用的所述光学单元的聚焦偏置，在所述光盘内，多个记录层从所述光学单元侧以第一记录层、第二记录层、第三记录层 的顺序进行配置时，所述第二控制模块中，从学习的所述第一记录层的聚焦偏置和学习的所述第二记录层的聚焦偏置，运算与所 述学习的第一记录层的聚焦偏置的差成为与所述光学单元的特性对应的值的第一聚焦偏 置，将该运算的第一聚焦偏置设定为第一记录层的记录或再现时用的聚焦偏置，并且，从学习的所述第二记录层的聚焦偏置和学习的所述第三记录层的聚焦偏置，运 算与所述学习的第二记录层的聚焦偏置的差成为与所述光学单元的特性对应的值的第二 聚焦偏置、和与所述学习的第三记录层的聚焦偏置的差成为与所述光学单元的特性对应的 值的第三聚焦偏置，将该运算的第二聚焦偏置设定为第二记录层的记录或再现时用的聚焦 偏置，将该运算的第三聚焦偏置设定为第三记录层的记录或再现时用的聚焦偏置。
4. 如权利要求2所述的光盘装置，其特征在于，将所述第一控制模块学习的所述邻接的记录层中的第一记录层的聚焦偏置设为F^将 第二记录层的聚焦偏置设为F『将第三记录层的聚焦偏置设为F『将所述第二控制模块的 作为所述第一记录层的记录或再现时用的聚焦偏置进行运算并设定的聚焦偏置设为F。。、同 样将作为所述第二记录层的记录或再现时用的聚焦偏置进行运算并设定的聚焦偏置设为 F^、同样将作为所述第三记录层的记录或再现时用的聚焦偏置进行运算且设定的聚焦偏置设为Fq2吋，所述第二控制模块通过 FQ0= (3XFA0+FA1)/4FQlc = {(FA。+3 X FA1) /4+ (3 X FA1+FA2) /4} /2 FQ2= (FA1+3XFA2)/4 运算并设定FQ。、FQ1。、FQ2。
5. 如权利要求3所述的光盘装置，其特征在于，将所述第一控制模块学习的所述邻接的记录层中的第一记录层的聚焦偏置设为F^将 第二记录层的聚焦偏置设为F『将第三记录层的聚焦偏置设为F『将所述第二控制模块的 作为所述第一记录层的记录或再现时用的聚焦偏置进行运算并设定的聚焦偏置设为F。。、同 样将作为所述第二记录层的记录或再现时用的聚焦偏置进行运算并设定的聚焦偏置设为 F心、同样将作为所述第三记录层的记录或再现时用的聚焦偏置进行运算并设定的聚焦偏置设为Fq2吋，所述第二控制模块通过 FQ0= (3XFA0+FA1)/4FQlb= (3XFA1+FA2)/4 FQ2= (FA1+3XFA2)/4 运算并设定FQ。、FQlb、FQ2。
6. —种光盘装置，对于具有多个记录层的光盘能够进行信息的记录或再现，其特征在 于，包括光学单元，将激光聚光而照射在所述记录层； 温度检测模块，检测该光盘装置内的温度；控制部，对于所述光盘的相互邻接的记录层的各层，从根据来自形成于记录层的记录 面的引导槽的反射光的信号，学习所述光学单元对于各记录层的该引导槽的聚焦偏置，根 据该学习的各记录层的聚焦偏置和所述温度检测模块检测出的温度信息，运算并设定记录 或再现时用的所述光学单元的聚焦偏置。
7. —种光盘装置，对于具有多个记录层的光盘能够进行信息的记录或再现，其特征在 于，包括光学单元，将激光聚光而照射在所述记录层； 温度检测模块，检测该光盘装置内的温度；第一控制模块，对于所述光盘的相互邻接的记录层的各层，从根据来自形成于记录层 的记录面的引导槽的反射光的信号，学习所述光学单元对于各记录层的该引导槽的聚焦偏 置；第二控制模块，根据所述第一控制模块学习的各记录层的聚焦偏置和所述温度检测模 块检测出的温度信息，运算并设定记录或再现时用的所述光学单元的聚焦偏置。
8. 如权利要求7所述的光盘装置，其特征在于所述第一控制模块使用推挽信号或摆频信号作为基于所述反射光的信号，作为对于所 述各引导槽的各聚焦偏置，学习所述推挽信号或摆频信号的振幅成为最大范围的振幅的聚 焦偏置。
9. 如权利要求7所述的光盘装置，其特征在于在所述温度检测模块检测出的温度为相对低温的第一温度时，所述第二控制模块运算 所述第一控制模块学习的各记录层的聚焦偏置的平均值，在所述温度检测模块检测出的温 度为相对高温的第二温度时，所述第二控制模块运算与所述第一控制模块学习的各记录层 的聚焦偏置的差不同的聚焦偏置，并将该运算的聚焦偏置作为该两个记录层共同的记录或 再现时用的所述光学单元的聚焦偏置而设定，或，运算与所述第一控制模块学习的各记录 层的聚焦偏置的差成为与所述光学单元的特性对应的值的聚焦偏置，将该运算的聚焦偏置 作为所述各记录层的记录或再现时用的所述光学单元的聚焦偏置而设定。
10. 如权利要求9所述的光盘装置，其特征在于将所述第一控制模块学习的所述邻接的记录层中的第一记录层的聚焦偏置设为F^将 第二记录层的聚焦偏置设为F『将所述第二控制模块的作为所述第一记录层的记录或再现 时用的聚焦偏置进行运算并设定的聚焦偏置设为F。。、同样将作为所述第二记录层的记录或 再现时用的聚焦偏置进行运算并设定的聚焦偏置设为FQ1时，在所述第一温度为0°C 25t:范围的温度时，所述第二控制模块通过FQ0 = FQ1= (FA0+FA1)/2在所述第二温度为50°C 65t:范围的温度时，所述第二控制模块通过 FQ0= (3XFA0+FA1)/4 FQ1 = (FA0+3XFA1)/4 运算并设定FQ。、FQ1。
11. 一种光盘装置的聚焦偏置设定方法，对于具有多个记录层的光盘通过光学单元将 激光聚光并照射在所述记录层而能够进行信息的记录或再现，该方法的特征在于，包括第一步骤，对于所述光盘的相互邻接的各记录层，从根据来自形成于记录层的记录面 的引导槽的反射光的信号，学习所述光学单元对于各记录层的该引导槽的聚焦偏置，并且 检测该光盘装置内的温度；第二步骤，根据所述学习的各聚焦偏置和所述检测出的温度信息，运算并设定记录或 再现时用的所述光学单元的聚焦偏置。
12. 如权利要求11所述的光盘装置的聚焦偏置设定方法，其特征在于 在所述检测出的温度为相对低温的第一温度时，在所述第二步骤中，运算在所述第一步骤中学习的各记录层的聚焦偏置的平均值，将该平均值作为记录或再现时用的该两个记 录层共同的聚焦偏置而设定。
13. 如权利要求11所述的光盘装置的聚焦偏置设定方法，其特征在于 在所述检测出的装置内的温度为相对高温的第二温度时，在所述第二步骤中，运算与在所述第一步骤中学习的各记录层的聚焦偏置的差成为与所述光学单元的特性对应的值 的聚焦偏置，将该运算的聚焦偏置作为所述各记录层的记录或再现时用的所述光学单元的 聚焦偏置而设定。
全文摘要
本发明提供一种光盘装置及其聚焦偏置设定方法，根据本发明，在多个记录层的聚焦偏置处理时，能够实现处理时间的缩短和确保处理精度。对于相互邻接的记录层的各层，根据来自形成于记录层的记录面的引导槽的反射光的信号，学习光学单元相对于该引导槽的聚焦偏置，根据该学习到的各记录层的聚焦偏置，运算且设定记录或再现时用的聚焦偏置。在三层以上的记录层时，将与所述学习的各记录层的聚焦偏置的差成为与光学单元的特性对应的值的聚焦偏置作为各记录层的或各记录层共同的聚焦偏置进行设定，或，将与该学习的各记录层的聚焦偏置的差成为与所述光学单元的特性对应的值的聚焦偏置的平均值作为一个记录层的聚焦偏置进行设定。
文档编号G11B7/09GK101751944SQ20091020795
公开日2010年6月23日 申请日期2009年11月2日 优先权日2008年11月27日
发明者佐佐木真由美, 户田刚 申请人:日立乐金资料储存股份有限公司