专利名称：光学数据记录介质的读取设备和读取方法
技术领域：
本发明涉及用于从光学数据记录介质再现信息的读取设备和读取方法，该光学数 据记录介质用于对诸如数字视频信息等信息的高密度记录。
背景技术：
高密度、大容量记录介质的示例包括蓝光盘(BD)、数字通用盘(DVD)、视频盘、以 及用于文档存储的多种盘。此类光学数据记录介质(以下称“光盘”)是采用光学存储技术 以凹坑和平面图案(pit and land pattern)来记录信息的。此外，光学存储技术也经过了 适配，以适于存储数据文件。另外，目前正在研究进一步提高光盘记录密度的方法。一种这样的方法涉及，增加 用于读取和/或写入的物镜的数值孔径(NA)。物镜将激光束聚焦于光盘上，以衍射极限形 成光斑。一般而言，聚焦光的能量密度随光盘束点直径的减小而增大。然而，通过聚焦激光 束来读取记录在一次性写入光盘和可重写光盘上的数据所需的功率小于擦除记录在光盘 上的标记和凹坑所需的功率。因此，用于读取此类盘的激光器发射功率是有限的。为了提高记录和读取过程中的数据传输率，还提高了盘的旋转速率以及通道比特 流。一般而言，符合DVD或BD标准的可重写光盘具有在结晶态和非晶态间变化的相变记录 层。此类介质是通过利用物镜将强激光束聚焦到光盘的记录膜上，使记录膜的温度升高至 熔点以上，然后迅速冷却熔斑以形成非结晶态(非晶态)记录标记的方式，来记录信息的。 当把能量强度足以将记录膜的温度升高到熔点附近的激光束聚焦到记录膜上时，束斑聚焦 位置的记录膜的温度就会升高到结晶温度以上，然后在结晶态下逐渐冷却。通过利用记录 膜的这种相变特性，并利用二进制记录信号(NRZI)调节激光束的功率，就可以记录和擦除 数据(记录标记)，并实现可重写记录介质。记录膜的结晶和非晶相的光学特性(如反射率)的差异被用于从光盘读取信息。 更具体地说，以低功率电平(激光束的平均读取功率Pave)将激光束聚焦于记录膜上，并检 测反射光的变化，以根据所记录的数据产生模拟读取信号。接着，诸如PRML(部分响应最大 似然)电路等数字信号处理电路将模拟读取信号数字化，纠错电路应用纠错和解调处理， 从而获取期望信息。一次性写入光盘可通过采用Te-O-M材料(其中M表示金属元素、电介质元 素、或半导体元素)形成记录膜的方式制造而成。举例而言，日本未审专利申请公开 JP-A-2004-362748中就讲授了这种一次性写入光盘。用作记录材料的Te-O-M材料是一种 包含Te、0和M的材料，并且膜一经形成，Te-O-M材料就成为了一种Te、Te-MjP M粒子均 勻分布在TeO2基体中的合金。当激光束照射到由这样的材料制成的膜上时，膜熔化，结晶 直径较大的Te或Te-M晶体发生沉积。另外，暴露于激光束的记录膜部分与未暴露的膜部
3分的光学状态间的差异还可以被检测，作为来自这种光盘的信号，并且可以利用这种特性 来制造只允许写入一次的一次性写入光盘。为了读取如上所述的可重写和一次性写入光盘，高频调制电路将几百兆赫的高频 信号调制到半导体激光器的驱动电流上。这是为了防止因从光盘反射回来的光提高了激光 束中噪声而导致的读取信号信噪比的下降。以下将进一步说明通过采用高频调制抑制由激光束反射导致的噪声增加的方式 来防止信噪比下降的方法。日本未审专利申请公开JP-A-2004-355723讲授了一种在根据光盘类型进行读取 时改变被调制在激光束上的高频信号的幅度的方法。JP-A-2004-355723中讲授的光盘驱动 器根据识别出的光学信息记录介质的类型，改变被调制在用于驱动半导体激光器的驱动信 号上的高频信号的幅度。日本未审专利申请公开JP-A-2000-149302讲授了一种根据光盘驱动器的工作模 式(即，光盘驱动器是在读光盘还是写光盘)，改变半导体激光器的输出功率的调制频率和 幅度的方法。如果用读或写高密度盘所需的光斑尺寸较小的激光束读或写低密度光盘，那么由 于同记录标记以及导轨间距的尺寸相比聚焦激光束的光斑尺寸较小，伺服信号将产生失 真。为了解决以不同的记录密度读取并记录至少两种不同光盘这一问题，日本未审专利申 请公开JP-A-H10-228645讲授了一种通过控制高频调制电流，使读写低记录密度光盘时驱 动电流的调制程度大于读写高记录密度光盘时驱动电流的调制程度的方式，来解决此问题 的方法。日本未审专利申请公开JP-A-2003-308624讲授了一种用于根据驱动半导体激光 器的电流来计算半导体激光驱动器的差分效率，并根据计算的差分效率设置高频电流幅度 的方法。当半导体激光器的差分效率发生改变，或半导体激光器的差分效率随时间改变时， JP-A-2003-308624中讲授的方法使得始终能够叠加最优最低的所需高频电流，并减小功耗 和向外的辐射。JP-A-2003-308624还讲授了一种控制高频调制装置，以通过从多个预置 高频电流幅度电平中选择的方式，确定与计算得到的驱动器差分效率相适应的高频电流幅 度，并调制具有选定幅度的高频电流。当为了提高光盘的数据传输率而增加光盘线速度时，读取信号的带宽增加，信噪 比降低。如果电路发出的高频噪声是一个值得关注的问题，那么可以通过在根据线速度进 行读取时增加激光器发射功率的方式，来补偿由带宽增加引起的信噪比下降。然而，如果在 读取时增加激光器的输出功率，则可能擦除记录在一次性写入光盘或可重写光盘上的标记 或凹坑，因而可能无法保持已记录数据的可靠性。为了解决这个问题，本发明的方法能够在盘线速度增加时提高读取信号的信噪 比，以从诸如光盘等光学数据记录介质再现信息，而不会导致记录标记被激光束擦除。
发明内容
本发明的第一方面是一种从记录介质再现信息的读取方法，对于所述记录介质， 能够通过将高频电流叠加在驱动电流上，以驱动将激光束发射到记录介质上的半导体激光 器的方式，以多种线速度进行读取，所述读取方法具有以下步骤从多种线速度中选择一种线速度；以及根据选定的线速度改变光调制率，所述光调制率(Pp/Pave)是发射激光束光 强度的峰值功率(Pp)和平均读取功率(Pave)的比值。优选地，选择步骤选择第一线速度(Lvl)或至少为第一线速度的两倍的第二线速 度(Lv2)；用于以第一线速度(Lvl)进行读取的光调制率为第一光调制率(Modi)；用于以 第二线速度(Lv2)进行读取的光调制率为第二光调制率(Mod2)；第二光调制率(Mod2)低 于第一光调制率(Modi) (Mod2 < Modi)。优选地，第一线速度(Lvl)、第二线速度(Lv2)、第一光调制率(Modi)和第二光调 制率(Mod2)被设置为使以下等式(1)成立。(Lv2/Lvl)1/2 ^ (Modl/Mod2) ^ 1 (1)优选地，用于以第一线速度(Lvl)进行读取的激光束的平均读取功率为第一平均 读取功率(Prl)；用于以第二线速度(Lv2)进行读取的激光束的平均读取功率为第二平均 读取功率(Pr2)，并且第一线速度(Lvl)、第二线速度(Lv2)、第一光调制率(Modi)、第二光 调制率(Mod2)、第一平均读取功率(Prl)、和第二平均读取功率(Pr2)被设置为使以下等式 ⑵成立。(Lv2/Lvl)1/2 彡(Pr2xMod2)/(PrlxModl)彡 1 (2)优选地，对于记录介质，能够以从包括至少第一线速度(Lvl)和第二线速度(Lv2) 的线速度组中选出的任意线速度读取信息，第一平均读取功率(Prl)和第二平均读取功率 (Pr2)是预记录到记录介质的，并且所述读取方法还包括从所述记录介质读取平均读取功 率信息的步骤。优选地，对于记录介质，能够以从包括至少第一线速度(Lvl)和第二线速度(Lv2) 的线速度组中选出的任意线速度读取信息，第一光调制率(Modi)和第二光调制率(Mod2) 是预记录到记录介质的，并且所述读取方法还包括从所述记录介质读取光调制率信息的步
马聚ο优选地，用于以第一线速度(Lvl)记录空白的擦除功率为第一擦除功率(Pel)； 用于以第二线速度(Lv2)记录空白的擦除功率为第二擦除功率(Pe2)；并且第一光调制率 (Modi)、第二光调制率(Mod2)、第一擦除功率(Pel)、和第二擦除功率(Pe2)被设置为使以 下等式⑶成立。(Pe2/Pel)彡(Modl/Mod2)彡 1 (3)优选地，用于以第一线速度(Lvl)进行读取的激光束的平均读取功率为第一平均 读取功率(Prl)；用于以第二线速度(Lv2)进行读取的激光束的平均读取功率为第二平均 读取功率(Pr2)；用于以第一线速度(Lvl)记录空白的擦除功率为第一擦除功率(Pel)； 用于以第二线速度(Lv2)记录空白的擦除功率为第二擦除功率(Pe2)；并且第一光调制率 (Modi)、第二光调制率(Mod2)、第一平均读取功率(Prl)、第二平均读取功率(Pr2)、第一擦 除功率(Pel)、和第二擦除功率(Pe2)被设置为使以下等式(4)成立。(Pe2/Pel) ^ (Pr2 XMod2) / (Prl XModl) ^ 1 (4)优选地，对于记录介质，能够以从包括至少第一线速度(Lvl)和第二线速度(Lv2) 的线速度组中选出的任意线速度读取信息，并且第一擦除功率(Pel)和第二擦除功率 (Pe2)是预记录在到记录介质的，并且所述读取方法还包括从所述记录介质读取擦除功率 信息的步骤。
优选地，第一线速度(Lvl)和第二线速度(Lv2)间的比值(Lv2/Lvl)至少是4，并 且光调制率随线速度发生改变。优选地，所述记录介质是可重写或一次性写入介质。此外优选地，读取方法，还包 括当选定线速度在记录介质的所有区域上基本恒定时，从表中读取光调制率的步骤。优选地，所述读取方法还包括以下步骤在选定线速度为越接近记录介质的外周 边越大的线速度的情况下，计算针对一种设定线速度的光调制率和针对另一设定线速度的 光调制率之间的中值，以针对偏离了设定线速度的线速度确定光调制率，所述设定线速度 是基准线速度的特定倍数。本发明的另一方面是一种用于从记录介质再现信息的读取设备，对于记录介质， 能够通过将高频电流叠加在驱动电流上，以驱动将激光束发射到记录介质上的半导体激光 器的方式，以多种线速度进行读取，所述读取设备包括从多种线速度中选择一种线速度的 装置；以及根据选定的线速度改变光调制率的装置，所述光调制率(Pp/Pave)是发射激光 束光强度的峰值功率(Pp)和平均读取功率(Pave)的比值。优选地，所述用于改变光调制率的装置包括高频叠加单元，用于将高频叠加到半 导体激光器的驱动电流上；激光器驱动单元，用于驱动半导体激光器；以及高频调制控制 单元，用于在读取记录介质时根据线速度改变光调制率，其中，高频调制激光束的光强度的 峰值功率(Pp)和平均读取功率(Pave)的比值为光调制率(Pp/Pave)。本发明的另一方面是一种记录介质，所述记录介质可以多种线速度被读取，并包 含着可以由设备读取的光盘信息，其中光盘信息记录与所述多种线速度有关的信息，以每 种线速度读取记录介质时的激光束的平均读取功率，以及以每种线速度读取记录介质时的 调制电流的幅度。发明效果如上所述，当从光学数据记录介质再现信息时，本发明根据读取时的线速度改变 作用于高频调制电流的调制程度，使得在读取时能够以更加期望的方式提高平均激光功 率。因此，本发明的方法和设备可以防止当以较高线速度读取信息时，由读取信号带宽增加 所导致的信噪比下降的问题，提供读取信号的信号质量，并达到良好的读取误差率，而不会 出现具有平均激光功率的读取激光意外将记录标记擦除的情况。
图1是根据本发明优选实施例的光学数据记录介质的读取设备的方框图。图2示出了激光器的读取功率、擦除功率和记录功率。图3A是一幅曲线图，示出了当读取时激光器的驱动电流I (χ轴)和光输出功率 P(y轴)间的关系。图3B是另一幅曲线图，示出了当读取时激光器的驱动电流I (χ轴)和光输出功率 P(y轴)间的关系。图4是调制高频信号时激光束的曲线图。图5A是描述根据本发明优选实施例的读取设备的操作的流程图。图5B继续示出了根据本发明优选实施例的读取设备的操作的流程图。图5C继续示出了描述根据本发明优选实施例的读取设备的操作的流程图。
6
图6是示出了光学数据记录介质的空间分配的平面图。
具体实施例方式以下将参考附图对本发明的优选实施例进行说明。光学数据记录介质通常是盘状介质(此处指“光盘”)。广义而言，光盘类型包括 只读介质、只允许写入一次的一次性写入介质、允许将数据多次盖写的可重写介质。本发明 主要应用于只允许写入一次的一次性写入型光盘、允许将数据多次盖写的可重写型光盘、 或只读型光盘。使数据能够被多次盖写的可重写光盘的一个示例是如下所述的BD-RE(可重写蓝 光盘)盘。在此处所述的优选实施例中，采用了以下参数。激光波长，405纳米；物镜数值 孔径，NA = 0. 85 ；光盘轨道间距，0. 32微米；相变型光盘具有单层或双层记录层，入射激光 束是从光盘的同一侧注入的，并且记录层的深度为75至100微米；调制为17PP(极性保 W / RMTR(^ffMMM ) ,Party Preserve/Prohibit RMTR(Repeated Minimum Transition Runlength))调制；记录标记的最小标记长度(2T)为0. 149微米；一个记录层 的记录容量为25GB，双层的容量为50GB ；BD标准速度(IX)的通道时钟频率为66MHz (BD4X 为264MHz, BD8X为528MHz)；标准线速度为4. 917米/秒。BD-RE介质通过激光束照射，使用相变记录膜记录信息。为了进行读写，发射波长 约为405nm的蓝紫激光。通过读取因激光束形成的记录标记存在与否所引起的反射率变 化，将信息再现为数字信号。更具体地说，为了在BD-RE介质上进行记录，用物镜将大功率 激光束(激光功率Pw)聚焦在光盘的记录膜上，使记录膜的温度至少升至熔点，然后将熔化 部分迅速冷却，从而形成非结晶(非晶)记录标记。为了擦除先前记录的标记并最终形成 空白，以擦除功率电平(激光功率Pe)将激光聚焦在记录膜上，所述擦除功率电平足以将记 录膜加热至熔点附近。当进行擦除时，激光束Pe将记录膜的非晶部分加热至结晶温度，从 而引起从非晶到结晶的相变，擦除了标记。这样一来，通过基于二进制记录信号将激光束的 功率在Pw和Pe间调制，就可以将信息(记录标记)记录至BD-RE盘，以及将信息(记录标 记)从BD-RE盘上擦除。只允许写入一次的一次性写入介质的一个示例是如下所述的BD_R(可记录蓝光
盘)盘。可以使用多种材料制造BD-R介质的记录层。假定下述一次性写入盘采用含 Te-O-M的无机材料来制造记录层，其中M是金属元素、电介质元素和半导体元素中的至少 一种，优选Pd。构成记录层的Te-O-M材料包含Te、0和M，并且膜一经形成，Te-O-M材料就 成为了一种Te、Te-M和M粒子均勻地随机分布在TeO2基体中的合金。当激光束照射到由 这样的材料制成的膜上时，膜熔化，结晶直径较大的Te或Te-M晶体发生沉积。暴露于激光 束的记录膜部分与未暴露的膜部分的光学状态不同。这些差异还可以被检测为信号。这种 特性可用来制造只允许写入一次的一次性写入光盘。通过发射激光束，读取因记录标记的 存在与否所引起的反射率变化，将信息再现为数字信号。图6是示出了分配在光盘表面上的各个区域的平面图。将光盘的数据表面从内周 边至外周边划分为突发切断区BCA 602、盘信息区603、OPC(最优功率控制)区和缺陷管 理区DMA 604、数据区601以及导出区605。区域602、603和604合称为导入区。
基本上，以4. 917m/s的标称线速度向光盘记录信息并从中读取信息。该标称线速 度被称为线速度IX。可以通过用反应速度更快(结晶速度更快)的材料形成光盘记录层， 制造能够以两倍(2X)于标称线速度的线速度进行记录和读取的光盘。因此，可以通过选择 合适的用于记录层的材料，实现以一倍(IX)、两倍(2X)、四倍(4X)、八倍(8X)、十二倍(12X) 于标称线速度的最大线速度进行记录和读取的光盘。此外，举例而言，还可以较慢的速度IX和2X对最大线速度为4X的光盘进行记录 和读取。描述了可用于记录和读取的线速度、以及每种线速度下激光束的记录功率Pw、擦除 功率Pe和再现功率(读取功率)Pr的信息被记录在各光盘的导入区中。由于用于读取的 再现功率(读取功率)等于通过在预定单位时间内对再现功率Pr进行时间积分所获得的 平均读取功率，因此也可以将其称为平均读取功率Pave。以下信息被记录在最大可用线速度为IX的光盘的导入区中。IX，Plw, Pie, Plave以下信息被预记录在最大可用线速度为2X的光盘的导入区中。IX，Plw, Pie, Plave2X, P2w, P2e, P2ave以下信息被记录在最大可用线速度为4X的光盘的导入区中。IX, Plw, Pie, Plave2X, P2w, P2e, P2ave4X, P4w, P4e, P4ave以下信息被记录在最大可用线速度为8X的光盘的导入区中。IX，Plw, Pie, Plave2X, P2w, P2e, P2ave4X, P4w, P4e, P4ave8X, P8w, P8e, P8ave以下信息被记录在最大可用线速度为12X的光盘的导入区中。IX，Plw, Pie, Plave2X, P2w, P2e, P2ave4X, P4w, P4e, P4ave8X, P8w, P8e, P8ave12X, P12w, P12e, P12ave上述值中每一个的最优值可以通过，事先针对每种介质，分别读取来自该介质的 信息而获得并记录在下述读取设备的存储器116内。可选地，这样的最优值还可以通过由 记录装置使用盘导入区中的可重写区进行测试写入和学习过程来获得。图1是示出了根据本发明优选实施例的光学数据记录介质(以下称光盘)的读写 设备的配置框图。如图1所示，读取设备具有主轴电动机109，用于旋转驱动光盘101。读取 设备还具有系统控制器102、记录信号处理器103、激光控制器104、伺服控制器105、高频 调制控制器106、存储器116、高频调制器107、以及再现信号处理器108。位于光学检波器 内的、图1中以虚线标识的光学模块120包括半导体激光器110、激光功率检测器111、光 学光电检测器(photo detector) 112、偏振光束分离器113、物镜致动器114、以及物镜115。图1中位于虚线121内的部件102、103、104、105、106、107、108和116被实现在IC芯片上。下面将更加详细地描述该光盘读写设备。再现信号处理器108从光盘读取再现信号，特别地在本发明的该实施例中，从导 入区读取最大线速度信息。伺服控制器105获得从导入区读出的最大线速度信息，并基于该最大线速度信 息，控制主轴电动机109的旋转速度。伺服控制器105控制主轴电动机109的速度，使得当 激光光斑从恒定线速度(CLV)光盘上的内周边向外周边移动时，旋转速度随激光光斑在光 盘上的径向位置而逐渐减小。伺服控制器105优先选择从导入区读出的最大线速度，然而 还可以基于通过操作单元(未示出)接收到的用户输入，选择低于最大线速度的线速度。伺 服控制器105控制主轴电动机109的旋转速度(rpm)，使其达到所选定的线速度。系统控制器102从再现信号处理器108接收选定的线速度数据，还从再现信号处 理器108接收与选定的线速度相对应的功率电平，即记录功率Pw、擦除功率Pe、或平均读取 功率Pave。选定的线速度可以是优选的最大线速度或用户选定的线速度。系统控制器102 对伺服控制器105加以控制，伺服控制器105控制聚焦和跟踪，使激光束斑跟踪在光盘101 上形成为预刻凹槽(pregroove)的导轨。伺服控制器105还对主轴电动机109加以控制， 从而控制光盘101的旋转速度。在记录模式下，记录信号处理器103、存储器116和激光控制器104根据来自系统 控制器102的信号工作，发射激光，并向光盘写入数据。在读取模式下，高频调制控制器106、存储器116、激光控制器104和高频调制器 107根据来自系统控制器102的信号工作，发射激光，并读取事先写在光盘上的数据。由半导体激光器110发出的激光束穿过包括准直透镜和偏振光束分离器113在内 的光路，并由物镜115聚焦在光盘101的记录膜上。由半导体激光器110发出的部分激光束被偏振光束分离器113反射到激光功率检 测器111上。激光功率检测器111检测激光束的功率，将入射光功率转换为电信号，并将该电 信号输出至激光控制器104。激光控制器104将来自激光功率检测器111的电信号同预定目标值进行比较，并 对施加于半导体激光器110的驱动电流加以控制，使检测到的激光功率同目标值间的偏离 向零靠近。更具体地说，这包括使半导体激光器110的功率保持不变的反馈环。从光盘101反射回来的激光束穿过物镜115，入射至偏振光束分离器113。偏振光 束分离器113根据激光束的偏振方向将入射光加以反射并分离，分离束入射至光电检测器 112。入射到光电检测器112的激光束经光电转换，并且光电检测器112输出与入射至 光电检测器112各个感光区的光量成正比的电信号。接着，再现信号处理器108对该电信号执行特定操作，以输出聚焦误差信号FE、跟 踪误差信号TE以及再现信号RF信号。伺服控制器105使用聚焦误差信号和跟踪误差信号 驱动物镜致动器114，以补偿光盘翘曲和偏心距。下面将描述读取盘信息的过程。为了读取盘信息，光学检波器首先读取位于光盘内周边部分的BCA602和盘信息
9区603。光电检测器112将反射光转换为电信号，再现信号处理器108利用包含PRML (部分 响应最大似然)电路的信号处理电路，将再现信号(RF信号)转换为二进制信号，并将结果 数字信号输出至系统控制器102。接着，系统控制器102执行纠错和解调处理，并将包括盘类型(BD-R或BD-RE)、最 大线速度(1X、2X、4X等等)、记录脉冲状况以及激光功率状况在内的盘信息存储至系统控 制器102中的存储器。盘信息由光电检测器112、再现信号处理器108以及系统控制器102 读出，这些部件共同起鉴别单元的作用。下面，对记录模式加以描述。在记录模式下，系统控制器102首先从光盘获取指示选定线速度的信号、以及指 示与选定线速度相对应的擦除功率和记录功率的信号，并将上述信号传送至记录信号处理 器 103。记录信号处理器103还从记录数据发生单元(未示出)获取由0和1构成的二进 制记录数据序列(NRZI信号)。接着，记录信号处理器103根据该记录数据产生记录脉冲序 列，并将记录信号输出至激光控制器104。举例而言，如果选定线速度是4X，记录信号处理 器103就产生表示由图2中的虚线标出的擦除功率4和写脉冲4的记录脉冲序列，并将记 录信号输出至激光控制器104。值得注意的是，擦除功率4是指示标记0的信号，写脉冲4 是指示标记1的信号。在图2中，由实线指示的擦除功率1与线速度IX和激光功率Ple相对应，而由虚 线指示的擦除功率4与线速度4X和激光功率P4e相对应。激光功率数据是从光盘中读取 的。可选地，可以使用实现事先写入存储器116的最优值。此外可选地，可以使用记录功率 的最优值，该最优值是通过用从光盘读出的数值作为初始值，对盘导入区内的可重写区进 行测试写入而获得的。类似地，由图2中的实线指示的写脉冲1对应于线速度IX，并且是使 用激光功率Plw的多脉冲记录脉冲。由虚线指示的写脉冲4对应于线速度4X，并且是激光 功率P4w时所用的所谓的堡状(castle-shaped)记录脉冲。同下述读取模式期间不同，用 于记录模式的擦除功率和写脉冲信号不含有调制的高频信号。激光控制器104输出激光器驱动信号，以基于包含擦除功率4脉冲和写脉冲4的 记录信号，驱动半导体激光器110。这将导致发射激光。当激光器以擦除功率电平进行发 射时，先前记录的标记被擦除，并且记录0。当输出写脉冲时，在光盘上写入标记，并记录1。 这样一来，通过交替地以擦除功率和写脉冲电平驱动激光器，就写入了 0和1的序列。下面，对读取模式加以描述。在读取模式下，系统控制器102向存储器116发送指示选定线速度的信号。存储 器116存储以下表格。表 权利要求
一种通过向记录介质上照射激光来从记录介质读取和再现信息的读取方法，所述读取方法包括以下步骤从多种线速度中选择一种线速度；以及根据选定的线速度，改变光调制率，所述光调制率(Pp/Pave)是发射激光束光强度的峰值功率(Pp)和平均读取功率(Pave)的比值；其中，当在选择步骤选择第一线速度(Lv1)时，平均读取功率设定为第一平均读取功率(Pr1)，并且光调制率设定为第一光调制率(Mod1)；当在选择步骤选择至少为第一线速度(Lv1)的四倍的第二线速度(Lv2)时，平均读取功率设定为第二平均读取功率(Pr2)，并且光调制率设定为第二光调制率(Mod2)；其中，第二平均读取功率(Pr2)大于第一平均读取功率(Pr1)，第二光调制率(Mod2)等于或小于第一光调制率(Mod1)，并且满足如下表达式(1)和(2) <mrow><msqrt> <mi>Lv</mi> <mn>2</mn> <mo>/</mo> <mi>Lv</mi> <mn>1</mn></msqrt><mo>≥</mo><mrow> <mo>(</mo> <mi>Mod</mi> <mn>1</mn> <mo>×</mo> <mi>Mod</mi> <mn>2</mn> <mo>)</mo></mrow><mo>≥</mo><mn>1</mn><mo>-</mo><mo>-</mo><mo>-</mo><mrow> <mo>(</mo> <mn>1</mn> <mo>)</mo></mrow> </mrow> <mrow><msqrt> <mi>Lv</mi> <mn>2</mn> <mo>/</mo> <mi>Lv</mi> <mn>1</mn></msqrt><mo>≥</mo><mrow> <mo>(</mo> <mi>Pr</mi> <mn>2</mn> <mo>×</mo> <mi>Mod</mi> <mn>2</mn> <mo>)</mo></mrow><mo>/</mo><mrow> <mo>(</mo> <mi>Pr</mi> <mn>1</mn> <mo>×</mo> <mi>mod</mi> <mn>1</mn> <mo>)</mo></mrow><mo>≥</mo><mn>1</mn><mo>-</mo><mo>-</mo><mo>-</mo><mrow> <mo>(</mo> <mn>2</mn> <mo>)</mo></mrow><mo>.</mo> </mrow>
2.一种能够通过权利要求1所述的读取方法读取的记录介质，其中所述记录介质是可 重写介质或一次性写入介质。
3.—种光记录介质，通过光记录介质上的激光来重现信息，所述光记录介质包括 盘信息区；以及数据区，能够以从至少第一线速度(Lvl)和第二线速度(Lv2)中选择的线速度来读取 信息，其中第二线速度(Lv2)至少为第一线速度(Lvl)的四倍；其中，当光调制率(Pp/Pave)定义为发射激光束光强度的峰值功率(Pp)和平均读取功 率(Pave)的比值时，平均读取功率设定为第一平均读取功率(Prl)，并且光调制率设定为第一光调制率 (Modi)，以便以第一线速度(Lvl)从数据区读取数据，以及平均读取功率设定为第二平均读取功率(Pr2)，并且光调制率设定为第二光调制率 (Mod2)，以便以第二线速度(Lv2)从数据区读取数据，其中第二平均读取功率(Pr2)大于第一平均读取功率(Prl)，第二光调制率(Mod2)等 于或小于第一光调制率(Modi)，并且满足如下表达式(1)和(2):
全文摘要
读取设备抑制了由提高输出激光功率所导致的记录标记的劣化，提高输出激光功率是为了补偿当以较高速度读取记录在高密度记录介质上的信息时的信噪比下降。为了读取记录在光学数据记录介质上的信息，读取方法将高频电流调制在半导体激光器的驱动电流上，以输出激光束；并根据读取所用的选定线速度，改变光调制率，其中，光学数据记录介质是利用从半导体激光器输出的激光束进行写入和读取的。光调制率是发射激光束光强度的峰值功率Pp和平均读取功率Pave的比值Pp/Pave。
文档编号G11B19/04GK101950568SQ20101051802
公开日2011年1月19日 申请日期2007年5月31日 优先权日2006年6月12日
发明者中村敦史, 宫川直康 申请人:松下电器产业株式会社