锁存器和D触发器的制作方法与工艺

技术特征：
1.一种锁存器，其特征在于，包括开关、阻变式存储器、分压电路和电压转换器，其中：所述开关的第一端用于输入控制信号，所述控制信号用于控制所述开关处于导通状态或断开状态；所述开关的第二端为所述锁存器的输入端；所述开关的第三端与所述阻变式存储器的正极、所述分压电路的第一端和所述电压转换器的输入端连接；所述阻变式存储器的负极连接控制电源，所述分压电路的第二端接地，所述电压转换器的输出端为所述锁存器的输出端；当所述开关处于导通状态时，所述电压转换器用于根据所述锁存器的输入信号输出所述锁存器的输出信号，其中，所述锁存器的输出信号与所述锁存器的输入信号保持一致；当所述开关由导通状态变为断开状态时，所述阻变式存储器用于与所述分压电路配合以使所述开关处于断开状态时所述锁存器的输出信号与所述开关处于导通状态时所述锁存器的输出信号保持一致。2.根据权利要求1所述的锁存器，其特征在于，当所述开关处于导通状态时，根据所述控制电源的电压和所述锁存器的输入信号的电压的差值，所述阻变式存储器用于呈现阻态；当所述开关由导通状态变为断开状态时，所述阻变式存储器，还用于保持所述阻态，使所述分压电路的电压满足预设条件，以使所述开关处于断开状态时所述锁存器的输出信号与所述开关处于导通状态时所述锁存器的输出信号保持一致。3.根据权利要求2所述的锁存器，其特征在于：当所述阻变式存储器保持所述阻态时，所述分压电路的电压为(R/(Rm+R))*Vm，其中，R为所述分压电路的阻值，Rm为所述阻变式存储器在第一组态的阻值，Vm为所述控制电源的电压，所述第一组态包括高阻态或低阻态。4.根据权利要求3所述的锁存器，其特征在于：所述电压转换器，用于如果所述分压电路的电压不小于电压转换阈值，将所述分压电路的电压转换为高电平，如果所述分压电路的电压小于所述电压转换阈值，将所述分压电路的电压转换为低电平；其中，所述电压转换阈值满足以下条件：(R/(R+Rmh))Vm≤Vth≤(R/(R+Rml))Vm，Vth为所述电压转换阈值，Rml为所述阻变式存储器在低阻态的阻值，Rmh为所述阻变式存储器在高阻态的阻值。5.根据权利要求1-4中任一项所述的锁存器，其特征在于，所述开关包括场效应晶体管，所述场效应晶体管的栅极用于输入所述控制信号，所述场效应晶体管的漏极为所述锁存器的输入端，所述场效应晶体管的源极分别与所述阻变式存储器的正极、所述分压电路的第一端和所述电压转换器的输入端连接。6.根据权利要求5所述的锁存器，其特征在于，所述场效应晶体管包括P型场效应晶体管或N型场效应晶体管。7.根据权利要求1-4中任一项所述的锁存器，其特征在于，所述分压电路包括分压电阻。8.一种D触发器，其特征在于，包括至少两个如权利要求1-7任意一项所述的锁存器，所述至少两个锁存器包括第一锁存器和第二锁存器，其中：所述第一锁存器的输出端作为所述第二锁存器的输入端；所述第一锁存器的开关的第一端与所述第二锁存器的开关的第一端用于输入控制信号，其中，所述第一锁存器的开关与所述第二锁存器的开关在所述控制信号的控制下不会均处于导通状态；所述第一锁存器的开关的第二端为所述D触发器的输入端；所述第二锁存器的电压转换器的输出端为所述D触发器的输出端。9.根据权利要求8所述的D触发器，其特征在于，当所述第一锁存器的开关为P型场效应晶体管时，所述第二锁存器的开关为N型场效应晶体管；或当所述第一锁存器的开关为N型场效应晶体管时，所述第二锁存器的开关为P型场效应晶体管。