盘装置、控制器及盘装置的控制方法与流程

本申请享有以日本专利申请2015-139131号(申请日：2015年7月10日)为基础申请的优先权。本申请通过参照该基础申请，包含基础申请的全部内容。

技术领域

本发明的实施方式涉及盘装置、控制器及盘装置的控制方法。

背景技术：

近年，在磁盘装置等盘装置中，有时在盘介质存储的数据高密度化的趋势。与之相伴，盘介质的轨道间距有变狭窄的趋势。期望在由头部对轨道间距狭窄的盘介质进行数据的读出时，更准确地控制头部的与轨道交叉方向的位置。头部的定位控制基于分布于外周方向的伺服信息而执行。

技术实现要素：

本发明的一个实施方式提供能够在与轨道交叉方向正确地控制头部的位置的盘装置、控制器及控制方法。

根据一个实施方式，提供具有盘介质和控制器的盘装置。盘介质具有数据区域和伺服区域。控制器基于由头部从数据区域读出的信号，求出头部在与轨道交叉方向的距目标位置的偏移量。控制器基于偏移量进行第1控制。第1控制是使头部接近目标位置的控制。

附图说明

图1是表示实施方式涉及的盘装置的构成的图。

图2是表示实施方式中的轨道的记录磁化状态的图。

图3是表示实施方式中的记录头及再现头的控制位置的图。

图4是表示实施方式中的再现头的位置与读出信号的关系的图。

图5是表示实施方式中的控制器的构成的图。

图6是表示实施方式中的再现头的偏移量与似然比的关系的图。

图7是表示实施方式中的控制器的工作的流程图。

图8是表示实施方式的变形例中的控制器的工作的图。

符号的说明

1盘装置，11盘介质，30控制器

具体实施方式

以下参照附图，详细说明实施方式涉及的盘装置。另外，本发明并不由该实施方式限定。

(实施方式)

使用图1说明实施方式涉及的盘装置1。图1是表示盘装置1的构成的图。

盘装置1具有盘介质11，根据来自主机40的请求，在盘介质11记录信息。盘装置1例如是磁盘装置、光磁盘装置等。以下，例示了盘装置1为磁盘装置的情况，但是本实施方式也可以适用于其他装置。

盘装置1例如经由头部22在盘介质11记录信息，经由头部22从盘介质11读出信号。具体地，盘装置1具备盘介质11、转轴马达12、马达驱动器21、头部22、致动器臂15、音圈马达(VCM)16、斜坡13、头部放大器24、读写通道(RWC)25、硬盘控制器(HDC)23、缓冲存储器29及控制部26。

盘介质11通过转轴马达12，以旋转轴为中心以预定的旋转速度旋转。转轴马达12的旋转由马达驱动器21驱动。盘介质11例如可以是磁盘或光磁盘等。盘介质11例如是具有垂直磁记录层的记录介质。例如，在盘介质11的表背面，规定从盘介质11的中心附近向放射方向延伸的多个伺服区域。伺服区域可在圆周方向以等间隔配置。例如，在伺服区域记录有包含伺服图形的伺服信息。另外，根据伺服图形，在盘介质11的表背面，从盘介质11的中心附近开始，以同心圆状规定多个轨道。在各轨道中，在多个伺服区域之间，设置有记录用户数据的数据区域。即，在各轨道，在其一周，伺服区域与数据区域交替地反复配置。

头部22通过其具备的记录头22a及再现头22b，对盘介质11进行数据的写入和/或读出。另外，头部22通过在致动器臂15的前端的由马达驱动器21驱动的VCM16，沿盘介质11的半径方向(轨道宽度方向)移动。在盘介质11的旋转停止时等，头部22退避到斜坡13上。

头部放大器24放大并输出头部22从盘介质11读取的信号，供给至RWC25。另外，头部放大器24将从RWC25供给的、用于向盘介质11写入数据的信号放大，供给至头部22。

HDC23进行经由I/F总线在与主机40之间进行的数据的发送接收的控制和/或缓冲存储器29的控制以及对记录数据进行的数据的纠错处理等。缓冲存储器29用作在与主机40之间发送接收的数据的高速缓存。缓冲存储器29用于暂时存储从盘介质11读出的数据、向盘介质11写入的数据或从盘介质11读出的控制用固件等。

RWC25对从HDC23供给的用于向盘介质11写入的数据进行编码调制，供给至头部放大器24。另外，RWC25对从盘介质11读取且从头部放大器24供给的信号进行编码解调，作为数字数据向HDC23输出。

在控制部26，连接着工作用存储器27(例如SRAM：Static Random Access Memory，静态随机存取存储器)、非易失性存储器28(例如FlashROM：Flash Read Only Memory，快闪只读存储器)及暂时存储用的缓冲存储器29(例如SDRAM：Syncronous Dynamic Random Access Memory，同步动态随机存取存储器)。控制部26按照在非易失性存储器28及盘介质11中预先存储的固件(程序数据)，进行该盘装置1的全体的控制。控制部26例如是CPU。固件是初始固件及用于通常工作的控制用固件。在启动时最初执行的初始固件例如存储在非易失性存储器28。如后所述，在控制用固件中，也可以包含控制器30(参照图5)的功能的一部分。另外，用于通常工作的控制用固件记录在盘介质11，通过按照初始固件的控制，从盘介质11暂时向缓冲存储器29读出，此后存储在工作用存储器27。

另外，也可以将包含RWC25、控制部26及HDC23的构成视为控制器30。

在磁盘装置等盘装置1中，由于以盘介质11上的磁化方向表示信息位的值，所以若提高盘介质11上的记录密度，则有时会产生符号间干扰而使再现信号的质量劣化。例如，有下述信息记录方式：根据磁化方向将“D1”(在第1方向磁化的状态)、“D2”(在与第1方向相反的第2方向磁化的状态)这2值作为磁化信息记录在盘介质11。在该信息记录方式中，难以使再现信号的质量的劣化抑制和信息的记录密度的提高并存。

在本实施方式中，构成为对盘介质11可以记录+1、0、-1这3个信号电平。通过在盘介质11记录3值的记录符号，使每1个符号的信息量增加。由此，由于能够增大符号间的记录间距并且使可以向盘介质11记录的信息量增加，所以能够抑制符号间干扰并且使记录密度提高。

即，通过以3电平(+1、0、-1)处理1记录符号中的记录状态，能够使在1记录符号中能够记录的实质信息位数增加。例如，作为实现3电平的磁化状态的方法之一，如图2所示，在单个再现轨道TR1内进而设置2个子轨道STR1、STR2。图2是表示轨道TR1的记录磁化状态的图。例如，在各子轨道STR1、STR2中，将在第1方向磁化了的状态用“D1”(图2中由密度浓的阴影表示的状态)表示，将在与第1方向相反的第2方向磁化了的状态用“D2”(图2中由密度稀的阴影表示的状态)表示。此时，考虑通过将在与轨道交叉方向排列的2个子轨道STR1、STR2的2值的记录状态设为(D1，D1)＝+1、(D2，D1)＝0、(D2，D2)＝-1来表现3电平的方法。即，盘介质11通过在子轨道STR1记录的磁化信息和在子轨道STR2记录的磁化信息的组合，可以将3个电平的信号记录在轨道TR1中的数据区域。轨道TR1也可以视为针对记录符号的一个轨道。另外，此外也考虑进行3电平的不饱和记录的方法等。

图2所示的磁化信息向数据区域的写入例如能够以图3的3A所示的叠瓦记录方式实现。图3是表示记录头22a及再现头22b的控制位置的图。即，使用一个记录头22a将磁化信息分2次记录在盘介质11。在图3的3A的例子中，在第1次的记录中，用一个记录头22a在2个子轨道STR1、STR2同时写入磁化信息“D1”、“D2”、“D2”。在第2次的记录中，使一个记录头22a向STR2侧移动1子轨道宽度量，用一个记录头22a在子轨道STR2写入磁化信息“D1”、“D1”、“D1”。由此，图2所示的(D1，D1)＝+1、(D2，D1)＝0、(D2，D1)＝0的符号按顺序记录在盘介质11。

或者，磁化信息向数据区域的写入例如能够以图3的3B所示的记录方式实现。即，使用2个记录头22a-1、22a-2在盘介质11记录磁化信息。即，用2个记录头22a-1、22a-2将磁化信息(D1，D1)同时写入2个子轨道STR1、STR2。此后，关于(D2，D1)、(D2，D1)也同样同时写入2个子轨道STR1、STR2。由此，图2所示的(D1，D1)＝+1、(D2，D1)＝0、(D2，D1)＝0的符号按顺序记录在盘介质11。

图2所示的磁化信息自数据区域的读出例如能够以图3的3C所示的再现方式实现。即，使用一个再现头22b从2个子轨道STR1、STR2同时读出磁化信息。由此，能够从图2所示的(D1，D1)＝+1、(D2，D1)＝0、(D2，D1)＝0的各符号的记录区域按顺序再现与该值相应的信号。

或者，磁化信息自数据区域的读出例如能够以图3的3D所示的再现方式实现。即，使用2个再现头22b-1、22b-2从2个子轨道STR1、STR2同时读出磁化信息。然后，控制器30将由各再现头22b-1、22b-2读出的信号合成。由此，能够从图2所示的(D1，D1)＝+1、(D2，D1)＝0、(D2，D1)＝0的各符号的记录区域按顺序再现与该值相应的信号。

例如，在图3的3A或3B所示的记录方式中，为了使在盘介质11存储的数据高密度化，各子轨道STR1、STR2的轨道间距有变狭窄的趋势。期望在用再现头22b对轨道间距狭窄的各子轨道STR1、STR2进行磁化信息自数据区域的读出时，在与轨道交叉方向准确地控制再现头22b的位置。例如，在图3的3C所示的再现方式中，期望在子轨道STR1与子轨道STR2的边界附近的位置准确地定位再现头22b。例如，在图3的3D所示的再现方式中，期望在子轨道STR1的轨道中心和子轨道STR2的轨道中心的各自的位置准确地定位再现头22b-1、22b-2。

例如，再现头22b的定位控制能够使用从伺服区域读出的伺服信息进行。即，控制器30从伺服区域读出伺服信息，基于所读出的伺服信息求出再现头22b在与轨道交叉方向的距目标位置的偏移量。然后，控制器30基于该偏移量，进行使再现头22b接近目标位置的控制。即，控制器30对该偏移量施加增益，求出用于抵消偏移量的再现头22b的驱动量，并按照该驱动量进行修正再现头22b在与轨道交叉方向的位置的控制(偏移修正控制)。

但是，例如，在图3的3C所示的再现方式中，有时针对目标位置的偏移范围(margin)与记录符号的1轨道宽度相比非常小。如图4的4A所示，在对值“+1”的符号进行再现的情况下，再现信号落入与值“+1”相应的电平范围LR1的读出位置的范围(读出范围)具有与轨道TR1的宽度对应的大小LM1。图4是表示再现头22b的位置与读出信号的关系的图。如图4的4C所示，在对值“-1”的符号进行再现的情况下，再现信号落入与值“-1”相应的电平范围LR3的读出位置的范围(读出范围)具有与轨道TR1的宽度对应的大小LM3。

另一方面，如图4的4B所示，在对值“0”的符号进行再现的情况下，再现信号落入与值“0”相应的电平范围LR2的读出位置的范围(读出范围)具有比轨道TR1的宽度小得多的大小LM2。因此，即使是从伺服区域与伺服区域之间的数据区域读出信息的期间，也期望将再现头22b准确地定位控制到与轨道交叉方向的目标位置。

因而，在本实施方式中，在盘装置1中，基于由再现头22b从各子轨道的数据区域读出的信号，求出再现头22b在与轨道交叉方向的距目标位置的偏移量。盘装置1通过基于该偏移量进行使再现头22b接近目标位置的控制，来实现从数据区域读出信息的期间中的再现头22b的定位精度的提高。以下，例示了盘装置1的记录方式是图3的3A所示的记录方式(叠瓦记录方式)、盘装置1的再现方式是图3的3C所示的再现方式的情况，但是本实施方式也可以适用于其他的记录再现方式。

具体地，在再现头22b的位置从记录符号所处的轨道TR1的轨道中心(子轨道STR1与子轨道STR2的边界附近的位置)偏离了的情况下，3值中的“0”电平的读出范围小，容易发生再现质量的劣化(参照图4的4B)。另一方面，由于“±1”电平的读出范围大到某程度，所以即使再现头22b的位置从记录符号的轨道TR1的轨道中心偏离，也难以像“0”电平那样极端地劣化(参照图4的4A、4C)。

由此，预想：卷积解码时的“0”电平的确定性的似然与“±1”电平的确定性的似然之比(似然比)在从记录符号的轨道TR1的轨道中心偏离时大幅劣化。即，控制器30通过以降低似然比的劣化量的方式进行反馈控制，可以实现读出时的偏移修正控制。

例如，控制器30使用如下的数学式1～4所示的“0”电平的错误的似然与“±1”电平的错误的似然。

“0”电平的错误的似然＝1-(“0”电平的确定性的似然)…数学式1

“+1”电平的错误的似然＝1-(“+1”电平的确定性的似然)…数学式2

“-1”电平的错误的似然＝1-(“-1”电平的确定性的似然)…数学式3

“±1”电平的错误的似然＝{(“+1”电平的错误的似然)+(“-1”电平的错误的似然)}/2 …数学式4

然后，控制器30求出如下的数学式5所示的“0”电平的错误的似然与“±1”电平的错误的似然的似然比(错误的似然比)。

(错误的似然比)＝(“0”电平的错误的似然)/(“±1”电平的错误的似然) …数学式5

控制器30通过以错误的似然比接近0的方式进行反馈控制，进行使再现头22b接近目标位置的控制。

另外，控制器30能够根据似然比(错误的似然比)推定偏移量的绝对值，但是难以推定向哪一方偏移。因此，控制器30在记录3值的符号时使向2个子轨道写入的磁化信息持有偏倚。例如，控制器30如图2所示，通过设定(子轨道STR1的磁化状态、子轨道STR2的磁化状态)＝(D2，D1)来记录“0”电平的信号，而不使用相反的组合(子轨道STR1的磁化状态、子轨道STR2的磁化状态)＝(D1，D2)。由此，控制器30通过监视“0”电平的信号相对于目标电平的偏离方向(±)，也可以推定偏移的朝向。

即，控制器30基于从各子轨道STR1、STR2中的数据区域读出的信号，可以求出错误的似然比。与之相伴，控制器30根据“0”电平的信号相对于目标电平的偏离方向，能够求出偏移的朝向。即，控制器30能够推定再现头22b向哪一个子轨道侧偏离了怎样的程度。控制器30通过对似然比(错误的似然比)附加适合的增益而对定位信号进行反馈，能够求出再现头22b的位置修正量。

更具体地，控制器30如图5所示，具有均衡器31、偏移量推定器32及VCM控制器33。图5是表示控制器30的构成的图。另外，图5所示的控制器30是功能性结构，也可以以硬件方式(例如，作为片上系统)安装。

例如，可以将均衡器31及偏移量推定器32以硬件方式安装在RWC25内，将VCM控制器33以硬件方式安装在控制部26内。或者，例如，也可以将均衡器31以硬件方式安装在RWC25内，将偏移量推定器32作为与RWC25及控制部26独立的芯片而构成，将VCM控制器33以硬件方式安装在控制部26内。

或者，图5所示的控制器30也可以在控制部26等中以软件方式(例如，作为通过控制部26等一并或与处理的进行相应地顺序展开到工作用存储器27等中的功能模块)安装。

或者，图5所示的控制器30也可以其一部分功能在硬盘控制器31等中以硬件方式安装，其余的功能在控制部26等中以软件方式安装。

在控制器30中，基于数据解码时的信息的确定性(似然信息)，推定追踪的偏离并对之进行修正。

例如，均衡器31经由头部放大器24接收由再现头22b从盘介质11读出的信号。均衡器31对接收到的信号(模拟信号)进行A/D变换，将A/D变换后的信号(数字信号)向预定的PR目标(目标电平)均衡。均衡器31对数字信号以预定的时间间隔进行采样，关于各样本点，分别求出信号为“0”电平的确定性的似然、“+1”电平的确定性的似然和“-1”电平的确定性的似然。

偏移量推定器32从均衡器31分别接收为“0”电平的确定性的似然、“+1”电平的确定性的似然和“-1”电平的确定性的似然。偏移量推定器32基于这些似然，求出再现头22b距目标位置的偏移量和偏移的朝向。

例如，在考虑基于叠瓦记录方式的3值的符号的记录(0，±1)的情况下，由于“±1”电平的2个子轨道STR1、STR2的记录磁化的方向一致(参照图2)，所以再现头22b的位置在与轨道交叉方向具有充分的读出范围(参照图4的4A、4C)。由此，即使发生稍微的读出偏移变动，再现输出也不会太大变化。另一方面，在“0”电平的情况下，由于在2个子轨道STR1、STR2记录磁化的方向不同，所以若发生脱离轨道变动、再现头22b的位置从目标位置(子轨道STR1、STR2的边界附近的位置)偏离，则有可能再现信号偏向某一轨道的记录磁化的方向，再现信号振幅会显著变动(参照图4的4B)。换言之，该情况意味着在3值的符号的记录中，“0”电平的再现信号与“±1”电平的再现信号相比，受到更强的读出偏移变动的影响(对于读出偏移，再现信号质量的劣化大)。从而，反过来意味着，通过监视与“0”电平和“±1”电平的再现信号质量之差对应的似然比(错误的似然比)，能够推定偏移了怎样程度的量(读出偏移量)。

作为读出偏移量的推定方法，例如考虑使用3值电平各自的似然信息的方法。若将上述的再现信号质量置换为似然，则可以认为“0”电平与“±1”电平的似然比与读出偏移量对应。该似然信息从直接与再现信号品质对应这一点和/或为了抑制用于实时地进行偏移修正反馈的延迟的观点出发，期望使用卷积(Viterbi，维特比)解码后的似然信息。例如，似然比可以直接使用连续的“0”电平的错误的似然与“±1”电平的错误的似然的似然比(认为在连续的位间偏移量不变化而一定)。或者，似然比可以将连续的“0”电平的错误的似然与“±1”电平的错误的似然的似然比在窗口区间(例如，在与轨道交叉方向具有数十～数百位宽度的区间)内平均化。

例如，偏移量推定器32具有似然比计算电路32a、极性计算电路32b、乘法器32c及乘法器32d。似然比计算电路32a从均衡器31分别接收“0”电平的确定性的似然、“+1”电平的确定性的似然和“-1”电平的确定性的似然。似然比计算电路32a按照上述的数学式1～5，求出针对“0”电平的错误的似然与针对“±1”电平的错误的似然的似然比(错误的似然比)。似然比计算电路32a将求出的似然比向乘法器32c输出。

在图6表示在使读出偏移量变化的情况下由似然比计算电路32a计算的似然比(错误的似然比)。图6是表示再现头22b距目标位置的偏移量与似然比的关系的图。如期待的那样，能够确认若再现头22b从3值的轨道的中心(子轨道的边界)偏离则错误的似然比增加的(即，确定性的似然比劣化)的情形。

根据似然比可以推定读出偏移量的绝对值，但是偏移的朝向(向哪一个子轨道侧偏移)难以判断。因此，控制器30使在2个子轨道记录“0”电平的符号时的规则具有偏倚。具体地，在图2所示记录“0”电平的符号的情况下，必须确定设为子轨道STR1侧为“D2”，子轨道STR2侧为“D1”的组合。由此，能够使再现头22b的偏移的朝向与读出偏移时的“0”电平从卷积码目标电平的偏离一一对应。

因此，极性计算电路32b求出“0”电平相对于目标电平的偏离的极性，根据该极性，求出再现头22b的偏移的朝向。极性计算电路32b将表示朝向的符号(+或-)向乘法器32c输出。

乘法器32c从似然比计算电路32a接收错误的似然比，从极性计算电路32b接收表示朝向的符号(+或-)。乘法器32c将错误的似然比乘以表示朝向的符号(+或-)，对错误的似然比附加朝向的信息。乘法器32c将乘法结果向乘法器32d输出。

乘法器32d将从乘法器32c接收的乘法结果(附加了朝向的信息的错误的似然比)乘以增益，求出再现头22b的位置修正量。增益具有将错误的似然比换算为偏移量的大小和将偏移的朝向改变为抵消偏移的朝向的极性。乘法器32d向VCM控制器33供给再现头22b的位置修正量。VCM控制器33按照再现头22b的位置修正量，经由马达驱动器21控制VCM16以使头部22在径向移动。

即，控制器30通过使用似然比和相对于目标电平的偏离方向这2个信息，可以一起推定读出偏移的极性及绝对值而进行读出偏移修正。

例如，控制器30如图7所示，能够进行读出时的偏移修正控制。图7是表示控制器30的工作的流程图。

在盘介质11中的各轨道，在其一周，伺服区域和数据区域交替地反复配置多次。例如，在各轨道，包含相互相邻的伺服区域和数据区域的伺服扇区区域配置有N个(N是2以上的整数)。在各伺服扇区区域的伺服区域记录的伺服信息包含该伺服扇区区域的标识信息(伺服扇区编号)。

控制器30在由再现头22b从伺服区域读入了伺服信息的情况下，基于伺服信息，确定当前的伺服扇区编号(S1)。当前的伺服扇区编号是例如0～N的任一编号。

另外，控制器30使用从伺服区域读出的伺服信息，进行再现头22b的定位控制(S2)。即，控制器30基于从伺服区域读出的伺服信息，求出再现头22b在与轨道交叉方向的距目标位置(例如，子轨道STR1、STR2间的边界位置)的偏移量。然后，控制器30基于该偏移量，进行使再现头22b接近目标位置的控制。即，控制器30对该偏移量施加增益，求出用于使偏移量抵消的再现头22b的驱动量，并按照该驱动量，进行修正再现头22b在与轨道交叉方向的位置的控制(偏移修正控制)。

接着，控制器30开始数据区域的读出工作(S3)。即，控制器30在当前的伺服扇区区域的数据区域内设定M个(M是2以上的整数)的窗口区间，保持窗口区间与其标识信息(窗口编号)相对应的设定信息。窗口区间可以任意地设定，例如可以在沿轨道方向具有数十～数百位宽度的区间(记录了数十～数百个符号的区间)设定(参照图2)。控制器30基于设定信息，确定当前的窗口编号(S4)。当前的窗口编号是例如0～M的任一编号。

控制器30对当前的窗口区间，计算上述的数学式5所示的错误的似然比R(S5)。即，控制器30基于由再现头22b从当前的窗口区间读出的信号，分别求出针对“0”电平的确定性的似然、针对“+1”电平的确定性的似然和针对“-1”电平的确定性的似然。控制器30按照上述的数学式1～4，分别求出针对“0”电平的错误的似然和针对“±1”电平的错误的似然。控制器30按照上述的数学式5，求出针对“0”电平的错误的似然与针对“±1”电平的错误的似然的似然比(错误的似然比R)。例如，控制器30将在窗口区间内的多个时刻分别计算错误的似然比R得到的结果平均化。

控制器30判断错误的似然比R是否在阈值Rth以上(S6)。阈值Rth能够以再现头22b距目标位置的偏移量偏出允许范围外的位置为基准而确定(参照图6)。

例如，由于考虑紧接伺服之后的数据扇区开头(窗口编号＝0)的窗口区间大体上能够定位到3值的符号的轨道中心，所以可以将在该窗口区间计算的似然比(错误的似然比R)或将该似然比加上冗余而得到的值用作阈值Rth。或者，阈值Rth也可以作为与再现头22b距目标位置的偏移量偏出允许范围外的位置对应的错误的似然比R的值，预先通过实验确定。阈值Rth可以预先校正。

控制器30在错误的似然比R在阈值Rth以上的情况下(S6中是)，进行偏移修正控制(S7～S9)，在错误的似然比R小于阈值Rth的情况下(S6中否)，不进行偏移修正控制(处理前进至S10)。

例如，控制器30在错误的似然比R在阈值Rth以上的情况下(S6中是)，求出“0”电平的信号相对于目标电平的偏离的极性，并根据该极性求出偏移的朝向(S7)。另外，控制器30对错误的似然比R施加增益，求出再现头22b在与轨道交叉方向的距目标位置的偏移量。增益具有将错误的似然比换算为偏移量的大小和将偏移的朝向改变为抵消偏移的朝向的极性。将错误的似然比换算为偏移量的大小可以预先通过实验确定。增益可以预先校正。

然后，控制器30计算抵消该偏移量的再现头22b的驱动量(偏移修正量)(S8)。控制器30按照偏移修正量，使VCM控制器33(参照图5)工作，经由马达驱动器21及VCM16，进行使再现头22b接近目标位置的反馈控制(FB修正)(S9)。

控制器30在S9完成后或者错误的似然比R小于阈值Rth的情况下(S6中否)，判断当前的窗口区间是否为数据区域内的最后(窗口编号＝M)的窗口区间(S10)。若当前的窗口区间不是最后的窗口区间(S10中否)，则控制器30使窗口编号递增，并使处理返回S4。

若当前的窗口区间是最后的窗口区间(S10中是)，则控制器30判断当前的伺服扇区区域是否为轨道内的最后(伺服扇区编号＝N)的伺服扇区区域(S11)。若当前的伺服扇区区域不是最后的伺服扇区区域(S11中否)，则控制器30使伺服扇区编号递增，并使处理返回S1。

若当前的伺服扇区区域是最后的伺服扇区区域(S11中是)，则控制器30结束关于当前的轨道的读出处理。控制器30对于不同的轨道的读出处理，也可以进行与S1～S11同样的处理。

这样，控制器30在基于叠瓦记录方式的3值的符号的再现时，通过基于“0”电平与“±1”电平的似然信息之差来修正读出中心位置，可以进行适合读出位置处的解码。

如以上，在实施方式中，在盘装置1中，控制器30基于由再现头22b从数据区域读出的信号，分别求出再现头22b在与轨道交叉方向的距目标位置的偏移量和偏移的朝向，并基于这些，进行使再现头22b接近目标位置的偏移修正控制。由此，在从数据区域读出信息的期间(例如，实时地)，能够提高再现头22b的定位精度。

另外，在实施方式中，在盘介质11中，根据在相互相邻的子轨道STR1、STR2记录的磁化信息(D1或D2)，3个电平例如“+1”电平、“-1”电平、“0”电平记录在包含子轨道STR1、STR2的轨道TR1的数据区域。控制器30基于由再现头22b从数据区域读出的信号，求出针对“0”电平的错误的似然与针对“±1”电平的错误的似然的似然比。控制器30在似然比在阈值以上的情况下，进行偏移修正控制，在似然比小于阈值的情况下，不进行偏移修正控制。由此，能够与再现头距目标位置的偏移量超过了允许范围这一情况相应地，进行偏移修正控制。

另外，在实施方式中，在盘介质11记录的3个电平例如“+1”电平、“-1”电平、“0”电平之中，在记录“0”电平的符号时使在2个子轨道写入的磁化信息具有偏倚。将“0”电平的信号记录为(子轨道STR1的磁化状态，子轨道STR2的磁化状态)＝(D2，D1)，不使用相反的组合(子轨道STR1的磁化状态，子轨道STR2的磁化状态)＝(D1，D2)。由此，控制器30由于能够求出“0”电平的信号相对于目标电平的偏离的极性，并根据该极性求出再现头22b的偏移的朝向，所以能够正确地求出应该使再现头22b偏移修正的朝向。另外，若能够使磁化信息具有偏倚，则磁化状态也可以相反。即，也可以将“0”电平的信号记录为(子轨道STR1的磁化状态，子轨道STR2的磁化状态)＝(D1，D2)，不使用相反的组合(子轨道STR1的磁化状态，子轨道STR2的磁化状态)＝(D2，D1)。

另外，在实施方式中，控制器30基于从伺服区域读出的伺服信息，进行对再现头22b从目标位置的偏移进行修正的控制，之后基于从数据区域读出的信号，进行对再现头22b从目标位置的偏移进行修正的控制。由此，由于控制器30能够以2阶段进行再现头22b的偏移修正，所以能够容易地提高从数据区域读出信息的期间中的再现头22b的定位精度。

另外，在盘装置1的再现方式为图3的3D所示的再现方式的情况下，能够求出子轨道STR1与子轨道STR2的边界位置，并且以该边界位置为起点，定位到各子轨道STR1、STR2的轨道中心。由此，即使在盘装置1的再现方式为图3的3D所示的再现方式的情况下，也能够高精度进行使再现头22b接近接近目标位置(各子轨道的轨道中心)的偏移修正控制，能够提高再现头22b的定位精度。

另外，作为判断是否进行偏移修正控制的指标，控制器30也可以取代错误的似然比，而使用针对“0”电平的确定性的似然与针对“±1”电平的确定性的似然各自低于阈值水平Lth的次数之比。即，控制器30具有第1计数器、第2计数器、第3计数器(未图示)。第1计数器对在窗口区间内“0”电平的确定性的似然低于阈值水平Lth的次数进行累计。第2计数器对在窗口区间内“+1”电平的确定性的似然低于阈值水平Lth的次数进行累计。第3计数器对在窗口区间内“-1”电平的确定性的似然低于阈值水平Lth的次数进行累计。第1～第3计数器分别以例如图8中虚线包围所示的定时累计计数值。图8是表示控制器30的工作(计数工作)的图。

例如，控制器30使用以下数学式6～9所示的“0”电平的错误次数和“±1”电平的错误次数。

“0”电平的错误次数＝(第1计数器的计数值) …数学式6

“+1”电平的错误次数＝(第2计数器的计数值) …数学式7

“-1”电平的错误的似然＝(第3计数器的计数值) …数学式8

“±1”电平的错误次数＝{(“+1”电平的错误次数)+(“-1”电平的错误的似然)}/2 …数学式9

然后，控制器30求出以下的数学式10所示的“0”电平的错误次数与“±1”电平的错误次数的次数比(错误的次数比)。

(错误的次数比)＝(“0”电平的错误次数)/(“±1”电平的错误次数)…数学式10

例如，控制器30在图7所示的工作的说明中，进行与将“似然”置换为“次数”、将“似然比”置换为“次数比”的行为相当的工作。

这样，通过使用“0”电平的错误次数与“±1”电平的错误次数的次数比判断是否进行偏移修正控制，可以实现难以受到定位控制的响应速度和/或局部的记录质量的影响的偏移修正控制。

或者，在实施方式中，虽然例示了根据似然比在阈值以上这一情形而进行偏移修正控制的情况，但是也可以采用不确定似然比的基准(阈值Rth)的方法。即，控制器30关于第1时刻求出针对“0”电平的错误的似然与针对“±1”电平的错误的似然的似然比。控制器30关于第1时刻后的第2时刻求出针对“0”电平的错误的似然与针对“±1”电平的错误的似然的似然比。控制器30基于第1时刻的似然比与第2时刻的似然比的大小关系，进行偏移修正控制。控制器30在第2时刻的似然比大于第1时刻的似然比的情况下，进行偏移修正控制，在第2时刻的似然比在第1时刻的似然比以下的情况下，不进行偏移修正控制。

例如，在图7所示的工作中，控制器30关于当前的窗口区间，计算上述的数学式5所示的错误的似然比R(S5)，之后将错误的似然比R与当前的窗口区间的标识信息相关联而保存。然后，控制器30取代错误的似然比R是否在阈值Rth以上的判断，而判断当前的窗口区间的错误的似然比R是否在紧接其之前的窗口区间的错误的似然比R'以上(S6)。

在错误的似然比R在错误的似然比R'以上的情况下(S6中是)，控制器30进行偏移修正控制(S7～S9)，在错误的似然比R小于错误的似然比R'的情况下(S6中否)，不进行偏移修正控制(处理前进至S10)。

这样，以窗口区间为单位监视似然比的时序变化，在当前的窗口区间的似然比与紧接其之前的窗口区间的似然比相比劣化的情况下，也可以认为读出偏移量超过了允许范围的可能性高而进行偏移位置修正。

虽然说明了本发明的几个实施方式，但是这些实施方式是作为例子而呈现的，并非要限定发明的范围。这些新的实施方式可以其他各种方式实施，在不脱离发明的主旨的范围，能够进行各种省略、置换、变更。这些实施方式和/或其变形包含于发明的范围和/或主旨，并且包含于权利要求的范围所记载的发明及其均等的范围。