具有基于存储单元线路电阻的位线驱动强度的磁存储器写入电路系统的制作方法

文档序号:11635874阅读:来源:国知局

技术特征:

技术总结
描述了一种包括位线的装置。所述装置还包括第一和第二存储单元,所述第一和第二存储单元耦合至所述位线。所述第一存储单元具有第一存取晶体管。所述第一存取晶体管耦合至第一线路电阻。所述第二存储单元具有第二存取晶体管。所述第二存取晶体管耦合至第二线路电阻。所述第二线路电阻大于所述第一线路电阻。所述装置还包括第一和第二驱动器,所述第一和第二驱动器耦合至所述位线。所述第二驱动器是比所述第一驱动器强的驱动器。所述装置还包括电路系统,所述电路系统用于选择所述第一驱动器将信息写入所述第一存储单元中,并且选择所述第二驱动器将信息写入所述第二存储单元中。

技术研发人员:P·贾殷;F·汉扎古鲁;L·卫
受保护的技术使用者:英特尔公司
技术研发日:2015.11.17
技术公布日:2017.08.01
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