相关申请的交叉引用
本申请要求于2016年1月29日向韩国知识产权局提交的申请号为10-2016-0011348的韩国申请的优先权，其全部内容通过引用并入本文。
各种实施例总体涉及一种数据存储装置，且更特别地，涉及一种包括非易失性存储器装置的数据存储装置。
背景技术：
数据存储装置响应于写入请求存储通过外部装置提供的数据。数据存储装置也可响应于读取请求将存储的数据提供至外部装置。使用数据存储装置的外部装置的示例包括计算机、数码相机、蜂窝电话等。数据存储装置可被嵌入在外部装置中或单独地制造然后连接。
技术实现要素：
在实施例中，非易失性存储器装置可包括：存储块，其包括联接至多个字线的多个存储器单元；以及控制单元，其适于响应于用于联接至目标字线的目标存储器单元的读取命令执行读取操作，其中控制单元通过将读取偏压施加至目标字线、将第一通过偏压施加至监测字线、将第二通过偏压施加至与目标字线相邻的一个或多个相邻字线以及将第三通过偏压施加至剩余字线执行读取操作。
在实施例中，一种包括非易失性存储器装置的数据存储装置的操作方法，其中非易失性存储器装置包括含有联接至多个字线的多个存储器单元的存储块，操作方法可包括：接收用于联接至目标字线的目标存储器单元的读取命令；以及响应于读取命令对目标存储器单元执行读取操作，其中读取操作通过将读取偏压施加至目标字线、将第一通过偏压施加至监测字线、将第二通过偏压施加至与目标字线相邻的一个或多个相邻字线以及将第三通过偏压施加至剩余字线执行。
在实施例中，一种包括非易失性存储器装置的数据存储装置的操作方法，其中非易失性存储器装置包括含有多个存储器单元的存储块，操作方法可包括：对在存储块中包括的目标存储器单元执行读取操作，读取操作的执行包括加速关于在存储块中包括的监测存储器单元的数据损坏；对监测存储器单元执行快速检查操作；以及根据执行快速检查操作的结果对存储块执行数据恢复操作。
附图说明
图1是说明根据本发明的实施例的数据存储装置的框图。
图2是说明图1的非易失性存储器装置的配置的示例的框图。
图3是说明图1的存储块的配置的示例的详细简图。
图4是说明关于阈值电压分布的在读取操作期间被施加至字线的读取偏压和第一至第三通过偏压的示例的简图。
图5是说明根据本发明的实施例在读取操作期间被施加至字线的读取偏压和第一至第三通过偏压的示例的简图。
图6是说明根据本发明的实施例在对监测存储器单元的读取操作期间被施加至字线的读取偏压和第一至第三通过偏压的示例的简图。
图7是根据本发明的实施例的图1的非易失性存储器装置的操作方法的流程图。
图8是根据本发明的实施例的图1的数据存储装置的操作方法的流程图。
图9是根据本发明的实施例的图1的数据存储装置的操作方法的流程图。
图10是说明根据本发明的实施例的固态驱动器(ssd)的框图。
图11是说明根据本发明的实施例的包括数据存储装置的数据处理系统的框图。
具体实施方式
在下文中，将参照附图描述包括数据存储装置及其操作方法的本发明的各种实施例。然而，本发明可以体现为不同的形式且不应被理解为限于本文所阐述的实施例。相反，提供这些实施例以详细地描述本发明到本发明所属领域的技术人员能实践本发明的程度。
将理解的是，本发明的实施例不限于附图的细节，附图不一定按比例绘制，并且在一些情况下，为了更清楚地描述本发明的一些特征，比例可能已经放大。当采用具体术语时，将理解的是，采用的术语仅用于描述具体实施例而并不旨在限制本发明的范围。
现在参照图1，提供根据本发明的实施例的数据存储装置10。
数据存储装置10可被配置成响应于来自外部装置的写入请求存储从外部装置提供的数据。并且。数据存储装置10可被配置成响应于来自外部装置的读取请求将存储的数据提供至外部装置。
数据存储装置10可被配置成个人计算机存储卡国际协会(pcmcia)卡、标准闪存(cf)卡、智能媒介卡、记忆棒、多媒体卡(mmc)、嵌入式mmc(emmc)、尺寸减小的多媒体卡(rs-mmc)和微尺寸版本mmc(微型-mmc)、安全数码(sd)卡、迷你安全数码(迷你-sd)卡、微型安全数码(微型-sd)、通用闪速存储装置(ufs)、固态驱动器(ssd)等。
数据存储装置10可包括控制器100和非易失性存储器装置200。
控制器100可控制数据存储装置10的一般操作。例如，控制器100可响应于从外部装置接收的写入请求将数据存储在非易失性存储器装置200中并且可响应于从外部装置接收的读取请求读出在非易失性存储器装置200中存储的数据并且将读出的数据输出至外部装置。
控制器100可包括快速检查单元110和数据恢复单元120。
快速检查单元110可对在存储块blk中包括的监测存储器单元mtmc执行快速检查操作。为了估计在存储块blk中存储的数据的损坏程度，快速检查单元110可优先检查在监测存储器单元mtmc中存储的数据。快速检查单元110可通过从监测存储器单元mtmc读取数据并且检查读取的数据的错误率执行快速检查操作。当监测存储器单元mtmc的错误率小于阈值错误率时，快速检查单元110可确定存储块blk为安全的，并且当监测存储器单元mtmc的错误率大于阈值错误率时，快速检查单元110可确定存储块blk为不安全的。
如稍后将描述的，监测存储器单元mtmc可被联接至至少一个监测字线。监测存储器单元mtmc可以是当与存储块blk的其它存储器单元相比有意地加速数据损坏的存储器单元。因此，监测存储器单元mtmc可以是存储块blk中数据损坏最严重的存储器单元。结果是，当通过快速检查操作确定在监测存储器单元mtmc中存储的数据仍然安全时，可估计在存储块blk中存储的全部数据安全。当通过快速检查操作确定在监测存储器单元mtmc中存储的数据不安全时，则可对整个存储块blk执行数据恢复操作。
快速检查单元110可在预定的条件下执行快速检查操作。例如，快速检查单元110可在预定的时间段或在完成预定的过程之后周期地执行快速检查操作。
根据实施例，快速检查单元110可根据读取计数执行快速检查操作，读取计数计数对存储块blk执行的读取操作的数量。当用于存储块blk的读取计数达到阈值读取计数时，快速检查单元110可对监测存储器单元mtmc执行快速检查操作。如稍后将描述的，当根据读取计数执行快速检查操作时，由于读取干扰导致的数据损坏可被有效防止。在完成快速检查操作之后在开始计数读取操作以用于确定执行下一快速检查操作的时间之前，快速检查单元110可将读取计数重置为原始值(例如0)。
在实施例中，控制器100可采用监测存储器单元mtmc不是用于存储正常数据而是用于存储用于快速检查操作的随机监测数据使得在监测存储器单元mtmc中以加快的速度有意导致数据损坏。在快速检查操作期间，随机监测数据可被读取以检查错误率。
在另一实施例中，控制器100可采用监测存储器单元mtmc存储正常数据。
数据恢复单元120可根据快速检查操作的结果对存储块blk执行数据恢复操作。当通过快速检查操作确定在监测存储器单元mtmc中存储的数据不安全时，数据恢复单元120可通过对在存储块blk中存储的所有数据执行错误校正操作并且将错误校正数据存储在新的存储块(未示出)中执行数据恢复操作。
非易失性存储器装置200可在控制器100的控制下将从控制器100传输的数据存储至存储器并且可读出存储的数据以及将读出的数据传输至控制器100。
非易失性存储器装置200可包括诸如例如nand闪存或nor闪存、铁电随机存取存储器(feram)、相变随机存取存储器(pcram)、磁阻随机存取存储器(mram)、电阻式随机存取存储器(reram)等的闪速存储器装置。
非易失性存储器装置200可包括存储块blk。存储块blk可包括监测存储器单元mtmc。监测存储器单元mtmc可被联接至至少一个监测字线。非易失性存储器装置200可在对存储块blk的读取操作期间有意地加速在监测存储器单元mtmc中存储的数据的损坏。非易失性存储器装置200可在对存储块blk的读取操作期间对监测存储器单元mtmc施加读取干扰的影响。
虽然图1说明非易失性存储器装置200包括一个存储块blk，但是将注意的是，非易失性存储器装置200可包括多个存储块。
在实施例中，快速检查单元110可通过对监测存储器单元mtmc的快速检查操作估计整个存储块blk的数据损坏，其中对于监测存储器单元mtmc的数据损坏在存储块blk中被加速。因此，无需检查在存储块blk中存储的所有数据，快速检查单元110仅通过检查在监测存储器单元mtmc中存储的数据的完整性允许数据恢复单元120对存储块blk执行数据恢复操作。因此，数据存储装置10的操作性能可得到普遍提高。
图2是说明图1的非易失性存储器装置200的详细配置的示例的框图。
根据图2的实施例，非易失性存储器装置200可包括控制块210和存储器区域220。
控制块210可包括控制逻辑211、电压供应单元212、接口单元213、地址解码器214和数据输入/输出单元215。
控制逻辑211可根据控制器100的控制来控制非易失性存储器装置200的一般操作。控制逻辑211可通过接口单元213接收从控制器100传输的命令并且可响应于命令将控制信号传输至诸如数据输入/输出单元215和电压供应单元等非易失性存储器装置200的内部单元。
电压供应单元212可根据控制逻辑211的控制产生非易失性存储器装置200的一般操作所必需的各种操作电压。例如，如图2中所示，电压供应单元212可将在读取操作中待被采用的读取偏压vrd和第一至第三通过偏压vps1-vps3供应至地址解码器214。
接口单元213可与控制器100交换包括命令和地址的各种控制信号和数据。接口单元213可将输入至其的各种控制信号和数据传输至非易失性存储器装置200的内部单元。
地址解码器214可解码用于选择在操作中待被访问的存储器区域220的区域的地址。例如，地址解码器214可在读取操作期间根据解码结果将读取偏压vrd和第一至第三通过偏压vps1-vps3施加至字线wl。更详细地，地址解码器214可将读取偏压vrd施加至目标字线，其中待执行读取操作的目标存储器单元被联接至目标字线。同时，地址解码器214可将第一通过偏压vps1施加至其中包括目标存储器单元的存储块中的监测字线、将第二通过偏压vps2施加至与目标字线相邻的一个或多个相邻字线并且将第三通过偏压vps3施加至剩余字线。
地址解码器214可根据解码结果控制数据输入/输出单元215有选择地驱动位线bl。
数据输入/输出单元215可通过位线bl将从接口单元213传输的数据传输至存储器区域220。数据输入/输出单元215可通过位线bl将从存储器区域220读出的数据传输至接口单元213。数据输入/输出单元215可当在存储器区域220中包括的存储器单元响应于读取电压被打开或关闭时感测在位线bl中形成的电流并且可根据感测结果获得从存储器单元读取的数据。
存储器区域220可通过字线wl与地址解码器214联接。存储器区域220可通过位线bl与数据输入/输出单元215联接。存储器区域220可包括用于存储数据的多个存储器单元，多个存储器单元分别设置在字线wl和位线bl彼此交叉的区域处。存储器区域220可包括二维或三维结构的存储器单元阵列。
存储器区域220可包括多个存储块blk0-blkn。
图3是说明图1的存储块blk的配置的示例的详细简图。图2的存储块blk0-blkn中的每个可以与存储块blk基本上相同的方式配置。
存储块blk可包括串str0-strj。串str0-strj中的每个可被联接在源极线sl和对应位线之间。例如，串str0可被联接在源极线sl和位线bl0之间。
串str1-strj可以与串str0基本上相同的方式配置，因此，作为示例，本文将更详细地描述串str0。串str0可包括漏极选择晶体管dst0、存储器单元mc00-mcx0和源极选择晶体管sst0。漏极选择晶体管dst0可具有联接至位线bl0的漏极和联接至漏极选择线dsl的栅极。源极选择晶体管sst0可具有联接至源极线sl的源极和联接至源极选择线ssl的栅极。存储器单元mc00-mcx0可被串联联接在漏极选择晶体管dst0和源极选择晶体管sst0之间。存储器单元mc00-mcx0的栅极可分别被联接至字线wl0-wlx。
字线wl0-wlx中的每个可被联接至串str0-strj的对应存储器单元。例如，字线wl0可被分别联接至在串str0-strj中包括的存储器单元mc00-mc0j。当对应字线被选择并且预定的偏压被施加至对应字线时，存储器单元可被写入或读取。例如，当字线wl0被选择并且预定的读取偏压被施加至字线wl0时，存储器单元mc00-mc0j可被同时读取。
当监测字线是例如字线wl0时，监测存储器单元mtmc可以是存储器单元mc00-mc0j。
图4是说明关于阈值电压分布的在读取操作期间被施加至字线wl0-wlx的读取偏压vrd和第一至第三通过偏压vps1-vps3的示例的简图。水平轴vth表示存储器单元的阈值电压，垂直轴#表示与阈值电压相对应的存储器单元的数量。
参照图4，存储器单元根据在其中存储的数据形成阈值电压分布pv0和pv1。例如，当1位数据“1”或“0”被存储在存储器单元中时，可根据在其中存储的数据控制存储器单元具有与2个阈值电压分布pv0和pv1中的任意一个相对应的阈值电压。
在对联接至目标字线的目标存储器单元的读取操作期间，读取偏压vrd可被施加至目标字线，目标存储器单元中的每个可根据其阈值电压响应于读取偏压vrd被打开或关闭。详细地，当施加的读取偏压vrd高于其阈值电压时，目标存储器单元可被打开；当施加的读取偏压vrd低于其阈值电压时，目标存储器单元可被关闭。例如，当目标存储器单元被打开时，可读取数据“1”，例如，当目标存储器单元被关闭时，可读取数据“0”。当目标存储器单元被打开或关闭时，电流可在对应位线bl中形成，且数据可通过感测形成的电流读取。读取偏压vrd可位于阈值电压分布pv0和pv1之间使得目标存储器单元的阈值电压分布pv0和pv1可被识别。
在读取操作期间，读取偏压vrd可被施加至目标字线，同时，高于读取偏压vrd的第一至第三通过偏压vps1-vps3中的对应的一个通过偏压可被施加至除目标字线以外的存储块的剩余字线的每个。如上所述，因为当在目标存储器单元被打开或关闭时在位线bl中形成电流时可读取数据，所以在存储块blk中的除目标存储器单元之外的所有存储器单元应被打开。因此，第一至第三通过偏压vps1-vps3应该是能够打开除目标存储器单元之外的所有存储器单元的电压。也就是说，第一至第三通过偏压vps1-vps3可高于存储块的存储器单元可具有的最大阈值电压。将参照图5更详细地描述第一至第三通过偏压vps1-vps3。
虽然图4示出1位被存储在每个存储器单元中的示例，但是，注意的是，实施例不限于这种示例。当多个位被存储在每个存储器单元中并且形成多个阈值电压分布时，多个读取偏压可分别位于阈值电压分布之间使得阈值电压分布可被识别。并且，第一至第三通过偏压可高于存储器单元可具有的最大阈值电压。
图5是说明根据本发明的实施例的在读取操作期间被施加至字线wl0-wlx的读取偏压vrd和第一至第三通过偏压vps1-vps3的示例的简图。在图5中，例如，目标字线wlt可被联接至目标存储器单元，监测字线wl0可被联接至监测存储器单元mtmc。
根据图5中说明的实施例，在读取操作期间，读取偏压vrd可被施加至目标字线wlt。同时，第一通过偏压vps1可被施加至监测字线wl0。同时，第二通过偏压vps2可被施加至与目标字线wlt相邻的字线wl(t-1)和wl(t+1)。同时，第三通过偏压vps3可被施加至所有剩余字线wl1-wl(t-2)和wl(t+2)-wlx。
第三通过偏压vps3可打开被联接至剩余字线wl1-wl(t-2)和wl(t+2)-wlx的存储器单元。第三通过偏压vps3可高于存储块的存储器单元可具有的最大阈值电压并且可低于第一通过偏压vps1和第二通过偏压vps2。
第二通过偏压vps2可打开被联接至相邻字线wl(t-1)和wl(t+1)的存储器单元。第二通过偏压vps2可高于第三通过偏压vps3。因为由被施加至相邻字线wl(t-1)和wl(t+1)的偏压形成的电场朝被施加较低电平的读取偏压vrd的目标字线wlt扩散，所以第二通过偏压vps2可用于抵消这种现象。
同时，被施加第二通过偏压vps2的相邻存储器单元可比被施加第三通过偏压vps3的存储器单元受读取干扰影响更强烈。每当存储器单元受读取干扰影响时，存储器单元的阈值电压可以小的调整逐渐变化，且随着时间的推移，结果是可发生错误位。尽管如此，在更好的情况下，如果读取操作在存储块blk中均匀执行，则所有存储器单元可均匀地受读取干扰影响并且数据损坏可被延迟。然而，在更糟糕的情况下，如果仅对存储块blk中的一些目标存储器单元反复地执行读取操作，则与目标存储器单元相邻的存储器单元可以集中的方式受读取干扰影响并且错误位可容易发生。
在实施例中，每当读取操作被执行时，联接至监测字线wl0的监测存储器单元mtmc可有意地受读取干扰影响。每当读取操作被执行时，非易失性存储器装置200可对监测存储器单元mtmc施加读取干扰影响。结果是，加速的损坏可被反映至监测存储器单元mtmc，且监测存储器单元mtmc可比在块中的剩余存储器单元更受存储块blk中的读取干扰损坏。为了这个目的，被施加至监测字线wl0的第一通过偏压vps1可等于或高于第二通过偏压vps2。第一通过偏压vps1可打开监测存储器单元mtmc。
结果是，在预定的时间，可对存储块blk中的存储器单元中数据损坏最严重的监测存储器单元mtmc执行快速检查操作。因此，当通过快速检查操作确定在监测存储器单元mtmc中存储的数据仍然安全时，可估计在存储块blk中存储的所有数据安全。
同时，监测字线wl0可以是与存储块blk对应的字线wl0-wlx中与图3的源极线sl相邻的最外字线。然而，注意的是，实施例不限于这样。根据实施例，监测字线wl0可以是根据预定的写入顺序在存储块blk的字线中被选择为最早(例如第一)在存储块blk中执行写入操作的字线。根据实施例，在从擦除存储块blk至再次擦除存储块blk的单个写入-擦除循环期间，监测字线wl0可固定。
为了在每当执行读取操作时受到读取干扰的影响，监测存储器单元mtmc可存储用于快速检查操作的随机监测数据。在快速检查操作期间，随机监测数据可被读取以检查错误率。
在另一实施例中，如以下将参照图6描述的，监测存储器单元mtmc可存储正常数据。
图6是说明根据本发明的实施例的在对监测存储器单元mtmc的读取操作期间被施加至字线wl0-wlx的读取偏压vrd和第一至第三通过偏压vps1-vps3的示例的简图。在图6中，例如，字线wl0可以是监测字线，其中监测存储器单元mtmc被联接至监测字线。
当采用监测存储器单元mtmc存储正常数据时，可对监测存储器单元mtmc执行读取操作。换言之，监测字线wl0可以是目标字线。在这种情况下，读取偏压vrd可被施加至目标字线wl0。同时，第二通过偏压vps2可被施加至与目标字线wl0相邻的相邻字线wl1。同时，第三通过偏压vps3可被施加至剩余字线wl2-wlx。
结果是，在根据图6说明的实施例的读取操作期间，监测存储器单元mtmc可不有意地受读取干扰影响，而是，与监测存储器单元mtmc相邻的存储器单元即联接至字线wl1的存储器单元可受读取干扰强烈地影响。在更槽糕的情况下，如果仅对存储块blk中的监测存储器单元mtmc重复地执行读取操作，则在存储块blk中数据损坏最严重的存储器单元可以是被联接至字线wl1的存储器单元，而不是监测存储器单元mtmc。
因此，在实施例中，在预定的时间可对监测存储器单元mtmc优先地执行快速检查操作，然后在更槽糕的情况的准备中，可对联接至字线wl1的存储器单元(被称为子监测存储器单元)执行附加快速检查操作。当通过快速检查操作确定在监测存储器单元mtmc中存储的数据安全时，可对子监测存储器单元执行附加快速检查操作。
同时，即使监测存储器单元mtmc不存储正常数据而是存储随机监测数据，在通过读取随机监测数据形成对监测存储器单元mtmc的快速检查操作的情况下，字线wl0-wlx可被施加如图6的读取偏压vrd以及第二和第三通过偏压vps2和vps3。
同时，即使监测存储器单元mtmc存储正常数据，在对除监测存储器单元mtmc之外的存储器单元执行读取操作的情况下，字线wl0-wlx可被施加如图5的读取偏压vrd和第一至第三通过偏压vps1-vps3。
图7是根据本发明的实施例的图1的非易失性存储器装置200的操作方法的流程图。在下文中，将参照图1-图4和图7描述非易失性存储器装置200的操作方法。
在步骤s110中，控制单元210可从控制器100接收用于被联接至目标字线的目标存储器单元的读取命令。
在步骤s120中，控制单元210可确定监测字线wl0是否是目标字线，即监测存储器单元mtmc是否是目标存储器单元。当监测存储器单元mtmc中存储的随机监测数据或正常数据被读取时，监测存储器单元mtmc可以是目标存储器单元。当监测字线wl0不对应于目标字线时，过程可转到步骤s130。当监测字线wl0对应于目标字线时，过程可转到步骤s140。
在步骤s130中，控制单元210可通过将读取偏压vrd施加至目标字线、将第一通过偏压vps1施加至监测字线wl0、将第二通过偏压vps2施加至与目标字线相邻的相邻字线以及将第三通过偏压vps3施加至存储块的剩余字线来执行读取操作。结果是，当读取干扰的影响被有意地施加在被联接至监测字线wl0的监测存储器单元mtmc上时，与存储块的剩余存储器单元相比，可以加快的速度对监测存储器单元mtmc造成数据损坏。第一通过偏压vps1可等于或高于第二通过偏压vps2，第二通过偏压vps2可高于第三通过偏压vps3。第一至第三通过偏压vps1-vps3可高于存储器单元可具有的最大阈值电压。
在步骤s140中，控制单元210可通过将读取偏压vrd施加至作为目标字线的监测字线wl0、将第二通过偏压vps2施加至与目标字线wl0相邻的相邻字线以及将第三通过偏压vps3施加至剩余字线来执行读取操作。
图8是根据本发明的另一实施例的图1的数据存储装置10的操作方法的流程图。在图8的实施例中，采用监测存储器单元mtmc不是用于存储正常数据而是用于存储用于快速检查操作的随机监测数据。在下文中，将参照图1和图8描述数据存储装置10的操作方法。
在步骤s210中，控制器100可确定对应于存储块blk的读取计数是否已经达到阈值读取计数。在读取计数已经达到阈值读取计数的情况下，过程可转到步骤s220。在读取计数还未达到阈值读取计数的情况下，过程可结束。
在步骤s220中，控制器110可对在存储块blk中包括的监测存储器单元mtmc执行快速检查操作。监测存储器单元mtmc可以是存储块blk中数据损坏最严重的存储器单元。控制器100可通过从监测存储器单元mtmc读取数据并且检查读取的数据的错误率执行快速检查操作。
在步骤s230中，控制器100可根据快速检查操作的结果确定是否对存储块blk执行数据恢复操作。当监测存储器单元mtmc的错误率大于阈值错误率时，控制器100可确定执行数据恢复操作。当监测存储器单元mtmc的错误率小于阈值错误率时，控制器100可确定不执行数据恢复操作。当确定将执行数据恢复操作时，过程可转至步骤s240。当确定不执行数据恢复操作时，过程可转至步骤s250。
在步骤s240中，控制器100可对存储块blk执行数据恢复操作。控制器100可通过对在存储块blk中存储的所有数据执行错误校正操作并且将错误校正数据存储在新的存储块中执行数据恢复操作。
在步骤s250中，控制器100可减小用于存储块blk的读取计数。
图9是根据本发明的另一实施例的图1的数据存储装置10的操作方法的流程图。在图9中，可采用监测存储器单元mtmc存储正常数据。在下文中，将参照图1和图9描述数据存储装置10的操作方法。
步骤s310-s340和步骤s370可与图8的步骤s210-s250基本上相同。因此，在本文中将省略其详细的描述。
在步骤s350中，控制器100可对子监测存储器单元执行附加快速检查操作。子监测存储器单元可被联接至与监测字线wl0相邻的字线。在以集中的方式对监测存储器单元mtmc执行读取操作的情况下，对子监测存储器单元的数据损坏可通过使它们经受读取干扰的影响来加速。
在步骤s360中，控制器100可根据附加快速检查操作的结果确定是否对存储块blk执行数据恢复操作。当确定将执行数据恢复操作时，过程可转至步骤s340。当确定不执行数据恢复操作时，过程可转至步骤s370。
图10是说明根据本发明的实施例的固态驱动器(ssd)1000的框图。
ssd1000可包括控制器1100和存储介质1200。
控制器1100可控制主机装置1500和存储介质1200之间的数据交换。控制器1100可包括处理器1110、ram1120、rom1130、ecc单元1140、主机接口1150和存储介质接口1160。
控制器1100可以与图1的控制器100基本相似的方式操作。控制器1100可对在非易失性存储器装置中包括的存储块中数据损坏最严重的(例如，加速的)监测存储器单元执行快速检查操作。控制器1100可根据快速检查操作的结果对整个存储块执行数据恢复操作。
处理器1110可控制控制器1100的一般操作。处理器1110可根据来自主机装置1500的数据处理请求将数据存储在存储介质1200中并且从存储介质1200读取存储的数据。为了有效地管理存储介质1200，处理器1110可控制诸如合并操作、磨损均衡操作等ssd1000的内部操作。
ram1120可存储待被处理器1110采用的程序和程序数据。ram1120可在将从主机接口1150传输的数据转移至存储介质1200之前暂时存储它们，并且可在将从存储介质1200传输的数据转移至主机装置1500之前暂时存储它们。
rom1130可存储待由处理器1110读取的程序代码。程序代码可包括待由处理器1110处理的用于处理器1110控制控制器1100的内部单元的命令。
ecc单元1140可编码待存储在存储介质1200中的数据并且可解码从存储介质1200读取的数据。ecc单元1140可根据ecc算法检测和校正在数据中发生的错误。
主机接口1150可例如与主机装置1500交换数据处理请求、数据等。
存储介质接口1160可将控制信号和数据传输至存储介质1200。存储介质接口1160可传输来自存储介质1200的数据。存储介质接口1160可通过多个通道ch0-chn与存储介质1200联接。
存储介质1200可例如包括多个非易失性存储器装置nvm0-nvmn。多个非易失性存储器装置nvm0-nvmn中的每个可根据控制器1100的控制执行写入操作和读取操作。
存储介质1200可例如包括多个非易失性存储器装置nvm0-nvmn。多个非易失性存储器装置nvm0-nvmn中的每个可根据控制器1100的控制执行写入操作和读取操作。和图1的非易失性存储器装置200一样，当执行读取操作时，多个非易失性存储器装置nvm0-nvmn中的每个可有意地加速在预定的监测存储器单元中存储的数据的损坏。当执行读取操作时，多个非易失性存储器装置nvm0-nvmn中的每个可对监测存储器单元施加读取干扰的影响。
图11是说明根据本发明的实施例的包括数据存储装置10的数据处理系统2000的框图。
数据处理系统2000可包括计算机、膝上型轻便电脑、笔记本、智能电话、数字tv、数码摄像机、导航仪等。数据处理系统2000可包括主处理器2100、主存储器装置2200、数据存储装置2300和输入/输出装置2400。数据处理系统2000的内部单元可通过系统总线2500交换数据、控制信号等。
主处理器2100可控制数据处理系统2000的一般操作。例如，主处理器2100可以是诸如微处理器的中央处理单元。主处理器2100可对主存储器装置2200执行操作系统的软件、应用、装置驱动程序等。
主存储器装置2200可存储待由主处理器2100采用的程序和程序数据。主存储器装置2200可暂时存储待被传输至数据存储装置2300和输入/输出装置2400的数据。
数据存储装置2300可包括控制器2310和存储介质2320。数据存储装置2300可以与图1的数据存储装置10基本相似的方式配置和操作。
输入/输出装置2400可包括键盘、扫描仪、触摸屏、屏幕监控器、打印机、鼠标等，其能够与用户交换数据，诸如从用户接收用于控制数据处理系统2000的命令或将处理的结果提供至用户。
根据实施例，数据处理系统2000可通过诸如lan(局域网)、wan(广域网)、无线网等网络2600与至少一个服务器2700通信。数据处理系统2000可包括接入网络2600的网络接口(未示出)。
虽然以上已经描述了各个实施例，但是本领域技术人员将理解的是，描述的实施例仅是示例。因此，本文中描述的数据存储装置及其操作方法不应受描述的实施例的限制。在不脱离如权利要求书中限定的本发明的精神和/或范围的情况下，相关领域的技术人员可想象许多其它实施例和/或其变型。