1.一种自旋力矩转移磁性随机存储器的写电路结构，包括磁性隧道结，以及源线、位线和字线，其特征在于，所述写电路结构还包括第一开关管、第二开关管、控制单元和电容；
其中，所述磁性隧道结的自由层与第一开关管的漏级相连，所述磁性隧道结的参考层与第二开关管的源级相连；所述第一开关管的源级接源线，所述第二开关管的漏级接位线；
所述电容的一端接地，另一端连接到控制单元的输入端，并连接第一开关管的漏级或磁性隧道结的自由层；
所述控制单元的输入端分别连接字线、源线或位线、以及第一开关管的漏级或磁性隧道结的自由层，控制单元输出端接第一开关管和第二开关管的栅极。
2.根据权利要求1所述的自旋力矩转移磁性随机存储器的写电路结构，其特征在于，所述控制单元的输入端分别连接字线、位线，以及第一开关管的漏级或磁性隧道结的自由层，控制单元输出端接第一开关管和第二开关管的栅极。
3.根据权利要求2所述的自旋力矩转移磁性随机存储器的写电路结构，其特征在于，所述控制单元包括一个同或门和一个与门，该同或门的两个输入分别连接位线、以及第一开关管的漏级或磁性隧道结的自由层，该与门的一个输入端连接同或门的输出，另一个输入端连接字线，与门的输出连接第一开关管和第二开关管的栅极，也就是控制单元的输出。
4.根据权利要求1所述的自旋力矩转移磁性随机存储器的写电路结构，其特征在于，所述控制单元的输入端分别连接字线、源线，以及第一开关管的漏级或磁性隧道结的自由层，控制单元输出端接第一开关管和第二开关管的栅极。
5.根据权利要求4所述的自旋力矩转移磁性随机存储器的写电路结构，其特征在于，所述控制单元包括一个异或门和一个与门，该异或门的两个输入分别连接源线、以及第一开关管的漏级或磁性隧道结的自由层，该与门的一个输入端连接异或门的输出，另一个输入端连接字线，与门的输出连接第一开关管和第二开关管的栅极，也就是控制单元的输出。
6.根据权利要求1所述的自旋力矩转移磁性随机存储器的写电路结构，其特征在于，所述电容为MOS电容、多晶硅电容、有源区电容、阱电容中的任何一种。