技术总结
本发明公开了一种自旋力矩转移磁性随机存储器的写电路结构，包括磁性隧道结，以及源线、位线和字线、第一开关管、第二开关管、控制单元和电容；其中，所述磁性隧道结的自由层与第一开关管的漏级相连，所述磁性隧道结的参考层与第二开关管的源级相连；所述第一开关管的源级接源线，所述第二开关管的漏级接位线；所述电容的一端接地，另一端连接到控制单元的输入端，并连接第一开关管的漏级或磁性隧道结的自由层；所述控制单元的输入端分别连接字线、源线或位线、以及第一开关管的漏级或磁性隧道结的自由层，控制单元输出端接第一开关管和第二开关管的栅极。本发明能够避免重复的写入动作，达到降低MRAM写功耗和芯片动态功耗的目的。
技术研发人员：毛欣
受保护的技术使用者：中电海康集团有限公司
文档号码：201610595159
技术研发日：2016.07.25
技术公布日：2016.12.07