技术总结
本发明公开了一种三值灵敏放大器及其实现的SRAM阵列，三值灵敏放大器包括第一CNFET管、第二CNFET管、第三CNFET管、第四CNFET管、第五CNFET管、第六CNFET管、第七CNFET管、第八CNFET管、第九CNFET管、第十CNFET管、第十一CNFET管、第十二CNFET管和第十三CNFET管，SRAM阵列包括三值灵敏放大器、三值存储阵列、第一反相器、第二反相器、第三反相器、第四反相器、第十四CNFET管、第十五CNFET管、第十六CNFET管、第十七CNFET管、第十八CNFET管和第十九CNFET管；优点是功耗较低、延时较小、且芯片成品率较高。
技术研发人员：汪鹏君;龚道辉;康耀鹏;张会红
受保护的技术使用者：宁波大学
文档号码：201611118462
技术研发日：2016.12.07
技术公布日：2017.06.09