技术特征：
技术总结
双端口静态随机存取记忆体(static random access memory；SRAM)单元包括：第一至第三电力线；储存单元，其连接至第一至第三电力线；第一端口，其具有由第一字线控制的第一传送栅极晶体管及第二传送栅极晶体管；第二端口，其具有由第二字线控制的第三传送栅极晶体管及第四传送栅极晶体管；以及第一位线至第四位线，其分别经由第一传送栅极晶体管至第四传送栅极晶体管耦接至储存单元。第一位线至第四位线以及第一电力线至第三电力线各自在第一方向中延伸并且由第一金属层形成。第一字线在实质垂直于第一方向的第二方向中延伸并且由第一金属层上方的第二金属层形成。第二字线在第二方向中延伸并且由第二金属层上方的上层金属层形成。
技术研发人员：廖忠志
受保护的技术使用者：台湾积体电路制造股份有限公司
技术研发日：2016.12.26
技术公布日：2017.10.03