具有并联复位控制器件的忆阻阵列的制作方法

文档序号:15203508发布日期:2018-08-21 04:50阅读:来源:国知局

技术特征:

技术总结
在根据本公开的一个示例中,描述了忆阻阵列。该阵列包括若干忆阻器件。忆阻器件可以在状态之间切换并且用于存储信息。该忆阻阵列还包括并联地耦接到若干忆阻器件的并联复位控制器件。并联复位控制器件通过调节流过目标忆阻器件的电流来调节用于若干忆阻器件的复位操作。

技术研发人员:约翰·保罗·斯特罗恩;布伦特·布坎南;郑乐
受保护的技术使用者:慧与发展有限责任合伙企业
技术研发日:2016.01.27
技术公布日:2018.08.21
当前第2页1 2 
网友询问留言 已有0条留言
  • 还没有人留言评论。精彩留言会获得点赞!
1