技术特征：
技术总结
实施方式提供一种能够提升动作特性的存储器设备。实施方式的存储器设备包含第一半导体部上的第一存储单元及第一晶体管、第二半导体部上的第二存储单元及第二晶体管、第一与第二半导体部的交界区域内的第三晶体管、第三半导体部上的第三存储单元及第四晶体管、第四半导体部上的第四存储单元及第五晶体管、以及第三与第四半导体部的交界区域内的第六晶体管。在期间(TA)，对第一至第四晶体管的各自的选择线(SGD‑S、SGS‑S、SGM‑S、SGD‑US)施加接通电压，对第五及第六晶体管的各自的选择线(SGM‑US、SGS‑US)施加断开电压，在期间(TC)，对选择线(SGD‑US、SGM‑US、SGS‑US)施加断开电压，判定字线(WL‑S)的第一存储单元的阈值电压。
技术研发人员：前嶋洋
受保护的技术使用者：东芝存储器株式会社
技术研发日：2017.03.10
技术公布日：2018.03.23