技术特征：
技术总结
本发明涉及具有支持存储器操作的虚拟行的非易失性存储器。一种存储器阵列，包括多个行和列、具有存储器单元部分和虚拟单元部分。位线连接至这些存储器单元和该虚拟单元部分。该虚拟单元部分包括第一行虚拟单元和第二行虚拟单元。该第一行中的这些虚拟单元与这些位线的第一位线组的相应位线具有第一连接并且与第一源极线具有第二连接。该第二行中的这些虚拟单元与该多条位线的第二位线组的相应位线具有第一连接并且与第二源极线具有第二连接。选择性地致动这些虚拟单元以根据存储器操作模式将该第一和第二源极线处的电压分别耦合至该第一和第二位线组。
技术研发人员：V·拉纳
受保护的技术使用者：意法半导体国际有限公司
技术研发日：2017.08.07
技术公布日：2019.01.25