磁盘用基板、磁盘和磁盘驱动装置的制作方法

本申请是分案申请，其原申请的申请号为201480070863.4，申请日为2014年12月26日，发明名称为“磁盘用基板、磁盘和磁盘驱动装置”。

本发明涉及一种磁盘用基板、磁盘和磁盘驱动装置。

背景技术：

如今，在个人计算机或dvd(digitalversatiledisc，数字通用光盘)记录装置等中内置有用于数据记录的硬盘驱动装置(hdd：harddiskdrive)。特别是在笔记本型个人计算机等以便携性为前提的设备中所用的硬盘驱动装置中，使用在基板上设置有磁记录层的磁盘，利用略微悬浮在磁盘的面上的磁头对磁记录层记录或读取磁记录信息。优选使用玻璃基板作为该磁盘的基板，这是因为其具有比金属基板(铝合金基板)等更难以发生塑性变形的性质。

此外，应硬盘驱动装置中存储容量的增大的要求，谋求磁记录的高密度化。例如利用使磁记录层中的磁化方向相对于基板的面为垂直方向的垂直磁记录方式，进行磁记录信息区域(记录位(bit))的微细化。对于垂直磁记录方式的磁盘，在金属基板或玻璃基板上依次成膜有例如附着层、软磁性层(sul：softunderlayer)、底层、磁记录层、保护层、润滑层等。通过采用垂直磁记录方式，能够增大1张盘片基板中的存储容量。此外，为了进一步增大存储容量，还进行通过仅使磁头的记录再生元件部从滑动面向磁盘方向更加突出，从而使其与磁记录层之间的距离变得极短来进一步提高信息的记录再生精度(提高s/n比)。需要说明的是，这种磁头的记录再生元件部的控制被称作dfh(dynamicflyingheight，动态飞行高度)控制机构，搭载有该控制机构的磁头被称作dfh头。对于与该dfh头组合用于hdd的磁盘用玻璃基板而言，为了避免与磁头或从磁头进一步突出的记录再生元件部的碰撞、接触，按照使基板的表面凹凸极小的方式进行制作。

dfh控制机构是如下进行控制的机构，在磁头的读取元件和写入用元件(以下统称为r/w元件部)的周围设置加热线圈，对在加热线圈中流动的电流进行控制，由此控制r/w元件部的膨胀，使得从磁头面至磁盘表面的距离接近数nm。该情况下，为了对磁盘的写入或读取能够长期稳定，磁盘表面与r/w元件部接触导致r/w元件部发生磨耗是不优选的。因此，优选磁盘表面为波纹度小的平滑的面，特别是对于作为磁盘基板的玻璃基板而言，要求波纹度极小。

这种状况下，已知有对于磁记录介质用玻璃基板的记录再生区域的整个面而将微波纹度的变化量控制在规定的范围内的磁记录介质用玻璃基板(专利文献1)。

具体而言，对于该磁记录介质用玻璃基板的主平面，在设定于主平面的整个面(该主平面的整个面包含制成磁盘时成为记录再生区域的区域的整个面)的格子状的各评价区域中对微波纹度(nwq)进行测定时，一个评价区域和与其邻接的评价区域之间的微波纹度的变化量的绝对值(δnwq)相对于一个评价区域的微波纹度的比率(变化率)为10％以下。此外，在该格子状的各评价区域中进行测定的微波纹度(nwq)的平均值为0.080nm以下。微波纹度的周期(波长)为0.2μm～1.8μm。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本专利第4977795号公报

技术实现要素：

发明所要解决的问题

但是，在上述玻璃基板上形成磁性层而制作出磁盘，并进行dfh头的特性评价时，在r/w元件部的前端能够确认到磨耗痕迹。这是由于r/w元件部与磁盘的表面接触发生摩擦而导致的。

因此，本发明的目的在于提供一种在使用dfh头进行记录、读取时能够抑制dfh头的r/w元件部的磨耗的磁盘用基板、磁盘和磁盘驱动装置。

用于解决课题的手段

本发明的一个方式为具有一对主表面的圆盘状的磁盘用基板。在该基板中，在沿着所述主表面的圆周方向取得10～500μm波长成分的磁盘用基板主表面的波纹度，并以50～100μm范围内的间隔从该波纹度取得斜率时，上述斜率的绝对值的平均值为0.45×10^-4以下。

优选的是，按照上述主表面的半径方向上的算术平均粗糙度ra_rad和圆周方向上的算术平均粗糙度ra_cir之比(ra_rad/ra_cir)在0.95～1.05的范围内的方式进行加工。

此外，优选10～500μm波长成分的波纹度的均方根粗糙度rq为0.04nm以下。更优选上述均方根粗糙度rq为0.38nm以下。

本发明的另一方式为一种磁盘，其在上述磁盘用基板的上述主表面上形成有磁性层。

本发明的另一方式为一种磁盘驱动装置，其具备上述磁盘、用于固定上述磁盘的主轴和磁头。

发明效果

根据上述磁盘用基板、磁盘和磁盘驱动装置，在使用dfh头进行记录、读取时，能够抑制dfh头的r/w元件部的磨耗。

附图说明

图1为示出本实施方式的磁盘用玻璃基板的外观形状的图。

图2的(a)～(d)为示出各节距长度的波纹度的斜率与磨耗量的关系的图。

具体实施方式

以下，对本发明的磁盘用基板、磁盘和磁盘驱动装置进行详细的说明。需要说明的是，在以下的说明中，使用磁盘用玻璃基板进行说明，但磁盘用基板也可以使用金属制基板(例如铝合金基板)。

以往，对于以磁盘用玻璃基板为代表的磁盘用基板表面的波纹度而言，按照降低dfh头整体的尺寸同等的尺寸、具体而言60μm～500μm或60μm～1000μm波长下的波纹度的方式进行基板表面的磨削、研磨。但是，该波纹度的降低中，无法降低r/w元件部前端的磨耗。因此，本发明人对dfh头的r/w元件部前端的磨耗量的测定结果与磁盘用基板主表面的波纹度的关系进行研究，结果发现，基板表面的特定范围波长的波纹度起因于磨耗的产生。具体而言，发现与从和磁盘对置的r/w元件部前端的面、即滑动面向磁盘方向隆起的r/w元件部的大小对应的、磁盘用基板表面的波长的波纹度对磨耗的产生带来影响。更具体而言，本发明人发现上述波长的波纹度中，波纹度的斜率的平均值与隆起的r/w元件部的磨耗大小存在较大的相关性，从而发明了下述形态的磁盘用基板。需要说明的是，据认为上述现象是因为，r/w元件部的隆起部的尺寸小于滑动面的尺寸(dfh头整体的尺寸)。

(r/w元件部的磨耗试验)

本申请说明书中所说的dfh头的r/w元件部的磨耗试验如下进行。

即，在距磁盘中心一定距离的磨耗测定位置，采用退避(backoff)量0.2nm，使dfh头的r/w元件部定点悬浮在磁盘上，使磁盘旋转，进行15分钟的r/w元件的磨耗试验。需要说明的是，退避量是指从使r/w元件部突出而与磁盘接触的位置返回的量。例如退避量为0.5nm的情况下，磁头与磁盘之间的最短距离为0.5nm。需要说明的是，通常磁头的滑动面的r/w元件部以外的部分与磁盘的间隙为10nm左右。在该磨耗试验前后，在距磁盘中心规定距离的、与上述磨耗测定位置不同的相同半径位置，使r/w元件部缓慢突出时，作为r/w元件部接触(触及)磁盘表面时的r/w元件部的突出量，对在r/w元件部触及时的加热线圈中流动的电流值进行测定。因此，在磨耗试验前后，电流差越大，意味着磨耗量越大。需要说明的是，也可以利用输入功率代替电流值进行控制。

(波纹度的测定)

本申请说明书中所说的波纹度的测定如下进行。

即，对于圆形磁盘用玻璃基板的主表面的形状，使用利用激光的光学式表面分析装置取得玻璃基板表面的表面形状数据。此时，优选使用对较短波长范围的波纹度的测定灵敏度高的激光多普勒测振仪。

在以下说明的实施方式中，波纹度形状没有因成膜而发生变化，因此表面形状数据的取得在成膜前的磁盘用基板上进行。在本实施方式中，取得磁盘用玻璃基板的圆周方向的数据。数据的取得时，使用带通滤波器进行滤波，由此对10～500μm波长范围的波纹度的形状进行测定。

(波纹度的斜率的测定)

对于本申请说明书中所说的波纹度的斜率，如上所述，取得波纹度的一维数据的情况下，以任意位置为开始位置，在每个预定的间隔δx、例如每个50μm的间隔，抽取高度数据，求出抽取的高度数据间的斜率。对于斜率，若将抽取的两个邻接数据的值设为z1、z2，则斜率为(z2-z1)/δx。通过求出这样的斜率的绝对值并进行平均，从而如上所述即使以任意位置为计算斜率的开始位置，也能够求出稳定的斜率值。如以下说明，在本实施方式中，求出磁盘用玻璃基板主表面中的波纹度的斜率的绝对值的平均值。特别是对于磁盘用玻璃基板中的圆周方向的波纹度的斜率进行评价的情况下，从进行更稳定的评价的方面出发，优选的是，使用以磁盘用玻璃基板的中心轴为中心的圆周方向的一周的波纹度的数据，求出一周的数据的上述斜率的绝对值的平均值。

(磁盘用玻璃基板)

作为本实施方式中的磁盘用玻璃基板的材料，可以使用铝硅酸盐玻璃、钠钙玻璃、硼硅酸盐玻璃等。特别是从能够实施化学强化、且能够制作主表面的平坦度和基板的强度优异的磁盘用玻璃基板的方面出发，可以适当使用铝硅酸盐玻璃。本实施方式中的磁盘用玻璃基板的材料也可以使用非晶的铝硅酸盐玻璃。此外，也可以使用镀覆有nip系金属膜的铝合金基板。

图1为示出本实施方式的磁盘用玻璃基板的外观形状的图。如图1所示，本实施方式中的磁盘用玻璃基板1为形成有内孔2的、圆盘状的薄板玻璃基板。对于磁盘用玻璃基板的尺寸没有限制，例如适合作为以公称计直径为2.5英寸、3.5英寸的磁盘用玻璃基板。

磁盘用玻璃基板具有一对主表面、沿着与一对主表面正交的方向配置的侧壁面、配置在一对主表面与侧壁面之间的一对倒角面。侧壁面和倒角面形成于磁盘用玻璃基板的外周侧的端部和内周侧的端部。

本实施方式的磁盘用玻璃基板除了为非晶玻璃之外也可以为结晶化玻璃(结晶紫玻璃)。通过设定为结晶化玻璃，能够提高玻璃基板的硬度，从而提高耐冲击性。

在这种磁盘用玻璃基板中，在沿着以磁盘用基板的中心轴为中心的上述主表面的圆周方向取得10～500μm波长成分的磁盘用基板主表面的波纹度，根据该波纹度以50～100μm范围内的间隔取得斜率时，上述斜率的绝对值的平均值为0.45×10^-4以下。对磁盘用玻璃基板主表面的波纹度如此调整波纹度的斜率，由此，使用该磁盘用玻璃基板制作的磁盘如后所述在使用dfh头进行记录、读取时能够抑制dfh头的r/w元件部的磨耗。产生r/w元件部的磨耗的情况下，r/w元件部与磁盘表面的层接触，因此难以进行稳定的记录、读取，除此之外，r/w元件部的磨耗进展时，无法进行记录、读取，dfh头和磁盘有可能发生损伤。如此，r/w元件部的磨耗是微细至以往没有考虑到的程度的现象。

在本实施方式中，以50～100μm范围内的间隔取得10～500μm波长成分的波纹度，这是因为：r/w元件部的尺寸为50～100μm，对与隆起的r/w元件部的尺寸对应的波纹度的斜率进行研究。如后所述，这种波长的波纹度与r/w元件部与磁盘表面接触而发生摩擦磨耗的磨耗量或是否发生磨耗的结果具有较强的关联性。此外，从使dfh头本身的悬浮稳定，进而稳定地确保隆起的r/w元件部的悬浮距离的方面出发，优选10～500μm波长成分的波纹度的均方根粗糙度rq为0.04nm以下。

(磁盘)

磁盘例如具有在磁盘用玻璃基板的主表面上从靠近其主表面侧依次层积有例如附着层、底层、磁记录层、保护层、润滑层的构成。其中，至少需要磁记录层。

作为附着层可以使用例如crti，作为底层可以使用例如ru，作为磁记录层可以使用例如cocrpt系合金。保护层为例如含有氮的碳层。

此外，可以在附着层与磁记录层之间形成sul(软磁性层)、籽晶层等。这种层构成可以参照例如日本特开2009-110626号公报第0027～0032段。

磁盘与用于固定磁盘的主轴、磁头一起组装至磁盘驱动装置。即，磁盘驱动装置具备：在上述磁盘用玻璃基板主表面形成有磁性层的磁盘、用于固定磁盘的主轴、和磁头。此处，磁头优选为具备dfh机构的磁头。

(磁盘用玻璃基板的制造方法的说明)

在本实施方式的制造方法中，首先，进行玻璃坯料的成型处理，所述玻璃坯料作为具有一对主表面的板状磁盘用玻璃基板的原材料。接着，进行该玻璃坯料的粗磨削。之后，对玻璃坯料实施形状加工和端面研磨。之后，对从玻璃坯料得到的玻璃基板进行使用固定磨粒的精磨削。之后，对玻璃基板实施第1研磨、化学强化和第2研磨。需要说明的是，在本实施方式中，以上述流程进行，但上述处理不是必须的，可以适当地不进行这些处理。以下，对各处理进行说明。

(a)玻璃坯料的成型

在玻璃坯料的成型中，可以使用例如冲压成型法。可以利用冲压成型法得到圆形的玻璃坯料。此外，可以使用下拉法、再拉法、熔融法等公知的制造方法进行制造。对于利用这些公知的制造方法制作的板状玻璃坯料，通过适当进行形状加工，能够得到成为磁盘用玻璃基板的基础的圆板状玻璃基板。

(b)粗磨削

在粗磨削中，进行玻璃坯料两侧的主表面的磨削。可以使用例如游离磨粒作为磨削材料。在粗磨削中，玻璃坯料被磨削成大致接近目标的板厚尺寸和主表面的平坦度。需要说明的是，粗磨削是根据所成型的玻璃坯料的尺寸精度或表面粗糙度而进行的，也可以根据情况不进行粗磨削。

(c)形状加工

接着，进行形状加工。在形状加工中，在玻璃坯料的成型后，使用公知的加工方法形成圆孔，由此得到开有圆孔的圆盘形状玻璃基板。之后，实施玻璃基板端面的倒角。由此，在玻璃基板端面，在与主表面正交的侧壁面和侧壁面与两侧的玻璃主表面之间形成相对于玻璃主表面倾斜的倒角面。

(d)端面研磨

接着，进行玻璃基板的端面研磨。端面研磨是例如通过向研磨刷与玻璃基板端面之间供给含有游离磨粒的研磨液并使研磨刷与玻璃基板相对移动而进行研磨的处理。在端面研磨中，以玻璃基板的内周侧端面和外周侧端面为研磨対象，使内周侧端面和外周侧端面成为镜面状态。

(e)精磨削

接着，对玻璃基板主表面实施精磨削。例如使用行星齿轮机构的双面磨削装置对玻璃基板主表面进行磨削。这种情况下，例如将固定磨粒设置在定盘上进行磨削。或也可以进行使用游离磨粒的磨削。

(f)第1研磨

接着，对玻璃基板主表面实施第1研磨。对于第1研磨，使用游离磨粒，并使用粘贴在定盘上的研磨垫。对于第1研磨，例如进行基于固定磨粒的磨削的情况下，去除残留在主表面的裂纹、变形。在第1研磨中，能够防止主表面端部的形状过度落入或突出，同时能够降低主表面的表面粗糙度、例如算术平均粗糙度ra。

对于第1研磨中所用的游离磨粒没有特别限制，可以使用例如氧化铈磨粒或氧化锆磨粒等。

(g)化学强化

玻璃基板可以适当地进行化学强化。作为化学强化液，可以使用例如硝酸钾、硝酸钠、或对它们的混合物进行加热而得到的熔融液。并且，通过将玻璃基板浸渍于化学强化液中，在玻璃基板表层存在的玻璃组成中的锂离子、钠离子分别置换为化学强化液中的离子半径较大的钠离子、钾离子，由此在表层部分形成压缩应力层，从而玻璃基板得到强化。

进行化学强化的时机可以适当地确定，在化学强化后进行研磨时，能够进行表面的平滑化的同时，还能够去除因化学强化而固着在玻璃基板表面的异物，因此特别优选。此外，化学强化根据需要进行即可，也可以不进行化学强化。

(h)第2研磨(镜面研磨)

接着，对化学强化后的玻璃基板实施第2研磨。第2研磨目的在于主表面的镜面研磨。在第2研磨中也使用与第1研磨同样构成的研磨装置进行研磨。在第2研磨中，改变第1研磨中的游离磨粒的种类和颗粒尺寸，使用硬度软的树脂研磨工具作为研磨垫进行镜面研磨。通过如此进行，能够防止主表面的端部的形状过度落入或突出，同时能够降低主表面的粗糙度。在镜面研磨中，例如优选如下进行研磨，使用afm(原子力显微镜)，以256×256的取样数量对1μm见方的区域进行测定而求出的表面粗糙度ra为0.3nm以下。

(i)第3研磨(带研磨)

在第3研磨中，对第2研磨后的低粗糙度的玻璃基板主表面进行例如带研磨。在带研磨中，进行下述方法：供给研磨浆料的同时，使带状的研磨布与在圆周方向旋转的基板主表面接触，由此使玻璃基板主表面在圆周方向进行研磨。在第3研磨中，通过适当地调整研磨条件，在沿着主表面圆周方向，以50～100μm范围内的间隔取得磁盘用玻璃基板主表面的10～500μm波长成分的圆周方向的波纹度时，能够使该主表面中的波纹度的斜率的绝对值的平均值为0.45×10^-4以下。此外，更优选使上述平均值为0.40×10^-4以下，特别优选为0.30×10^-4以下。需要说明的是，上述平均值的下限为0.05×10^-4。

此外，在第3研磨中，从使dfh头的悬浮稳定的方面出发，优选按照磁盘用玻璃基板主表面的10～500μm波长成分的波纹度的均方根粗糙度rq为0.04nm以下的方式进行研磨。该波纹度使用例如激光多普勒测振仪进行测定即可。

带研磨例如利用以下的方法进行。即，进行带研磨的对象的磁盘用玻璃基板被可旋转的主轴支撑而设置，并以规定速度进行旋转驱动。另一方面，向卷绕在辊上的研磨带供给含有研磨材料的研磨液，该辊将研磨带挤压在磁盘玻璃基板的两个主表面上。由此，利用研磨带，沿着玻璃基板的圆周方向，对磁盘用玻璃基板主表面进行研磨。研磨带由织物、无纺布、植毛布或发泡聚氨酯等发泡体等构成。这种研磨的一例被日本特开2004-178777号公报公开。此处，优选使用二氧化硅作为研磨剂。使用金刚石作为研磨剂时，容易形成微细的槽，但通过使用二氧化硅的磨粒，能够不形成微细的槽地使基板表面的波纹度在圆周方向上均匀(平整)。由此，能够减小圆周方向的波纹度的斜率。需要说明的是，例如通过变更研磨带对于玻璃基板的挤压力，能够控制圆周方向的波纹度的斜率。

在本发明的带研磨中，目的不在于形成沿着圆周方向延伸的微细的槽(所谓的纹理)。若形成微细的槽，则后述的软磁性层的磁特性有可能发生劣化。即，优选表面粗糙度不具有各向异性。此时，优选主表面的半径方向(与圆周方向正交的方向)上的粗糙度与圆周方向上的粗糙度几乎等同。具体而言，利用afm(原子力显微镜)对5μm见方的区域进行测定时，优选按照作为半径方向上的算术平均粗糙度的平均线粗糙度(ra_rad)与作为圆周方向上的算术平均粗糙度的平均线粗糙度(ra_cir)之比(ra_rad/ra_cir)在0.95～1.05的范围内的方式进行加工。如此，优选玻璃基板主表面的粗糙度为各向同性。

此外，优选实施带研磨前的玻璃基板主表面的算术平均粗糙度(ra)为0.3nm以下。此外，优选实施带研磨前的玻璃基板主表面的10～500μm波长成分的波纹度的均方根粗糙度rq为0.1nm以下。通过如此调整带研磨前的粗糙度和波纹度，能够适当降低圆周方向的波纹度的斜率。本发明的带研磨与使用基于研磨定盘的行星齿轮机构的研磨不同，在随机的方向上不进行研磨，因此若粗糙度、波纹度较大，则在主表面整体的研磨上出现不均，有时无法使基板表面在圆周方向上均匀。

通过适当设定带研磨的研磨条件，按照与第2研磨后相比，粗糙度进一步降低的方式进行研磨。磁头悬浮，在与相对于磁盘进行相对移动的方向相同的圆周方向上对玻璃基板表面进行研磨，因此能够抑制dfh头的磨耗。

(实验例)

为了研究本实施方式的磁盘用玻璃基板的效果，改变研磨的条件，制作主表面具有各种波纹度的磁盘用玻璃基板(实验例1～8)。制作在该磁盘用玻璃基板形成有附着层、底层、磁记录层、保护层、润滑层的磁盘。

在磁盘制作前的磁盘用玻璃基板主表面的、距中心轴20.86mm的位置(半径20.86mm)，利用光学表面分析装置(多普勒激光测振仪)取得10～500μm波长成分的磁盘用玻璃基板的一周的表面形状数据。

此时，对一周取得65536个数据，因此数据间的节距距离大致为2.0μm。因此，每隔5个抽取取得的数据作为每10μm的数据(节距10μm)，同样地每隔10个抽取数据，作为每20μm的数据(节距20μm)，同样地每隔50个、100个抽取数据，作为每50μm、100μm的数据(节距50μm、节距100μm)。使用所得到的数据，计算出波纹度的斜率的绝对值的平均值。需要说明的是，对于其它几个半径位置也同样地进行，计算出波纹度的斜率的绝对值的平均值，结果得到与半径20.86mm几乎同样的值，没有发现波纹度的斜率的绝对值的平均值由于半径方向的位置而发生变化。需要说明的是，任意基板的10～500μm波长成分的波纹度的均方根粗糙度rq均为0.04nm以下。

另一方面，使用由该磁盘用玻璃基板制作的磁盘，进行dfh头的r/w元件部的磨耗试验。磨耗试验为上述试验。在磨耗试验中，在磁盘用玻璃基板主表面的、距中心轴20.86mm的位置，将退避量设为0.2nm进行定点悬浮。对于r/w元件部的悬浮距离，通过得到r/w元件部触及时的加热线圈中流通的电流值与当前加热线圈中流通的电流值之差而求出。即，r/w元件部的热膨胀的降低与电流值的减少成比例，因此使用电流值从触及时的电流值减少的电流差，能够求出r/w元件部的悬浮距离。需要说明的是，可以预先对于使用的磁头绘制电流值与突出量的关系并进行记录。图中通常显示出正比例关系。

此外，在磨耗试验前后，在磁盘的、距中心轴22.0mm的位置，在设置于r/w元件部周围的加热线圈中流通电流，并使r/w元件部触及该加热线圈。求出此时的加热线圈中流通的电流值a(磨耗试验前)和电流值b(磨耗试验后)。

电流值a与值b之差与r/w元件部的磨耗试验中的磨耗量对应。与该值之差乘以系数换算为磨耗量。需要说明的是，若磨耗量为0.8nm以下，则是指磨耗量实质上没有问题的级别。这是因为，若为该程度，则磁头滑动面表面的保护膜充分残留。

如此，将实验例1～8的波纹度的斜率和磨耗量表示在图表中，研究波纹度的斜率与磨耗量之间是否存在关系。下述表1示出实验例1～8的结果。

[表1]

图2的(a)～(d)为示出上述表1的实验例1～8的磨耗量为0.2nm到6.0nm的数据中，节距长度为10μm、20μm、50μm和100μm中的波纹度的斜率与磨耗量的关系的图。

如图2的(a)～(d)所示，节距长度为50μm、100μm中的波纹度的斜率的对数与r/w元件部中的磨耗量具有相关性。此时可知，波纹度的斜率越小，磨耗量越小。特别是磨耗量至4nm以下的程度，能够得到几乎直线形的相关性。由该关系可知，使磨耗量为0.8nm以下的情况下，使斜率的绝对值的平均值为0.45×10^-4以下即可。

需要说明的是，对于节距长度为200μm、500μm的情况，研究与r/w元件部中的磨耗量的相关性时偏差较大，无法得到明确的相关性。

由此，在取得磁盘用基板主表面的圆周方向上的10～500μm波长成分的波纹度，并以50～100μm范围内的间隔从该波纹度取得斜率时，上述斜率的绝对值的平均值为0.45×10^-4以下，由此能够使磨耗量为在实用上不给hdd寿命带来较大影响的程度。更优选使上述平均值为0.40×10^-4以下。

以上，对本发明的磁盘用基板、磁盘和磁盘驱动装置进行了详细的说明，本发明不限于上述实施方式和实施例，当然可以在不脱离本发明的主旨的范围内，进行各种改良、变更。

符号说明

1磁盘用基板

2内孔