本实用新型涉及一种EEPROM，更具体地说，它涉及一种EEPROM的保护电路。
背景技术：
EEPROM 是一种具有掉电记忆功能的存储器，其内容可以像普通 RAM 一样进行改写，而且改写时能够自动擦除并换成新内容，但是他不像EPROM 那样使用紫外线擦除，只需用电即可擦除并改写存贮在其内部的内容，EEPROM 通常在内容带有编程电源。
由于它需外接电源，故使用十分方便，但是EEPROM 存储器在高频率切换使用时，会受到较大干扰，可能导致EEPROM工作不稳定。
技术实现要素：
针对现有技术存在的不足，本实用新型的目的在于提供一种EEPROM的保护电路，具有使EEPROM稳定工作的优点。
本实用新型的上述技术目的是通过以下技术方案得以实现的：一种EEPROM的保护电路，包括EEPROM存储器，还包括与EEPROM存储器电性连接的稳压电路，所述稳压电路与单片机的P1口电性连接。
通过采用上述技术方案，通过连接在单片机与EEPROM存储器之间的稳压电路，通过稳压电路使EEPROM存储器在工作时，电压稳定，减少对EEPROM存储器的干扰。
本实用新型进一步设置为：所述稳压电路包括第二电阻R2、稳压二极管D、三极管Q、第三电阻R3以及第四电阻R4,所述第二电阻R2一端接电源，另一端与稳压二极管D和第三电阻R3电性连接，所述稳压二极管D的另一端与三极管R3的基极电性连接，所述第三电阻R3的另一端与三极管Q的集电极电性连接，所述三极管Q的发射极与所述EEPROM存储器电源引脚电性连接，所述第四电阻R4与第三电阻R3和三极管Q并联，所述三极管Q的基极与单片机的P1口电性连接。
通过采用上述技术方案，当需要对EEPROM存储器读写数据时，P1输出低电平给EEPROM存储器供电，读写操作完成后，P1输出高电平，关闭存储器的供电，在不断高频率的高低电平的切换是，保证给EEPROM存储器供电稳定。
本实用新型进一步设置为：所述第四电阻R4为可调电阻。
通过采用上述技术方案，可调电阻可以调节稳压电路的电压值，使其适配不同电压要求的EEPROM存储器。
本实用新型进一步设置为：所述EEPROM存储器电性连接有复位电路，所述复位电路与EEPROM存储器的PIN7电性连接，所述复位电路包括一端接电源的电容C、与电容C串联并接地的第一电阻R1，所述EEPROM存储器的PIN7电性连接连接在电容C与第一电阻R1之间。
通过采用上述技术方案，由电容C和第一电阻R1组成的复位电路，并连接到EEPROM存储器的PIN7引脚，控制上电复位期间，使得PIN7为高电平，禁止存储器的写操作允许，当复位完成后，PIN7被强制为低电平，存储器的写操作被允许，其可以杜绝在复位期间不确定的因素对存储器的读写操作。
综上所述，本实用新型具有以下有益效果：通过连接在单片机与EEPROM存储器之间的稳压电路，通过稳压电路使EEPROM存储器在工作时，电压稳定，减少对EEPROM存储器的干扰。
附图说明
图1是本实施例的中EEPROM存储器保护电路的电路图。
图中：1、EEPROM存储器；2、稳压电路；3、复位电路。
具体实施方式
下面结合附图和实施例，对本实用新型进行详细描述。
一种EEPROM的保护电路,如图1所示，包括EEPROM存储器1、与EEPROM存储器1电性连接的稳压电路2，稳压电路2与单片机的P1口电性连接。通过连接在单片机与EEPROM存储器1之间的稳压电路2，通过稳压电路2使EEPROM存储器1在工作时，电压稳定，减少对EEPROM存储器1的干扰。
稳压电路2包括第二电阻R2、稳压二极管D、三极管Q、第三电阻R3以及第四电阻R4,第二电阻R2一端接电源，另一端与稳压二极管D和第三电阻R3电性连接，稳压二极管D的另一端与三极管R3的基极电性连接，第三电阻R3的另一端与三极管Q的集电极电性连接，三极管Q的发射极与所述EEPROM存储器1电源引脚电性连接，第四电阻R4与第三电阻R3和三极管Q并联，且第四电阻R4为可调电阻，三极管Q的基极与单片机的P1口电性连接，且三极管Q的基极与单片机的P1口之间串联有第五电阻R5。当需要对EEPROM存储器1读写数据时，P1输出低电平给EEPROM存储器1供电，读写操作完成后，P1输出高电平，关闭EEPROM存储器1的供电，在不断高频率的高低电平的切换是，保证给EEPROM存储器1供电稳定。
EEPROM存储器1电性连接有复位电路3，所复位电路3与EEPROM存储器1的PIN7电性连接，复位电路3包括一端接电源的电容C、与电容C串联并接地的第一电阻R1， EEPROM存储器1的PIN7电性连接连接在电容C与第一电阻R1之间。由电容C和第一电阻R1组成的复位电路3，并连接到EEPROM存储器1的PIN7引脚，控制上电复位期间，使得PIN7为高电平，禁止存储器的写操作允许，当复位完成后，PIN7被强制为低电平，存储器的写操作被允许，其可以杜绝在复位期间不确定的因素对存储器的读写操作。
以上所述仅是本实用新型的优选实施方式，本实用新型的保护范围并不仅局限于上述实施例，凡属于本实用新型思路下的技术方案均属于本实用新型的保护范围。应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本实用新型原理前提下的若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本实用新型的保护范围。